JPH0353429A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH0353429A JPH0353429A JP18982989A JP18982989A JPH0353429A JP H0353429 A JPH0353429 A JP H0353429A JP 18982989 A JP18982989 A JP 18982989A JP 18982989 A JP18982989 A JP 18982989A JP H0353429 A JPH0353429 A JP H0353429A
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- Japan
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- melting point
- low melting
- electrode
- silicon
- glass
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、量産性
の低下を可及的に抑えつつ、誘電体層の形戊時における
空隙の発生による表示品質の低下及び歩留りの低下を防
止することを目的とし、電極を設けた基板の表面に、珪
素を含有する溶液を塗布した後に、低融点ガラスペース
トを塗布し、１回の熱処理によって珪素及び低融点ガラ
スを同時に焼威することにより、前記電極を被覆する二
酸化珪素と低融点ガラスとの積層体よりなる誘電体層を
形戒することを特徴として構戒される。
の低下を可及的に抑えつつ、誘電体層の形戊時における
空隙の発生による表示品質の低下及び歩留りの低下を防
止することを目的とし、電極を設けた基板の表面に、珪
素を含有する溶液を塗布した後に、低融点ガラスペース
トを塗布し、１回の熱処理によって珪素及び低融点ガラ
スを同時に焼威することにより、前記電極を被覆する二
酸化珪素と低融点ガラスとの積層体よりなる誘電体層を
形戒することを特徴として構戒される。
第２図はＰＤＰＩＩの構造を示す要部断面図である。
ＰＤＰＩＩは、表示側のガラス基板ｌ、背面側のガラス
基板２、各ガラス基板１．２の内面にそレソレ形成され
たｘ電極３及びＹ Ｔｒｉ ＪＪｉ ４、Ｘ， Ｙ電
極３，４をそれぞれ被覆する誘電体層５，６、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層７，８、周囲を
密封する封止ガラス９などから構或され、内部の放電空
間ＩＯには、例えばネオン及びキセノンの混合ガスが封
入されている．Ｘ電極３及びＹ電極４が交差した各交点
に画定される表示セルにおいて放電による発光が生し、
発光させる各表示セルの組み合わせにより、ガラス基板
１の上面の表示面に文字や図形が表示される。
基板２、各ガラス基板１．２の内面にそレソレ形成され
たｘ電極３及びＹ Ｔｒｉ ＪＪｉ ４、Ｘ， Ｙ電
極３，４をそれぞれ被覆する誘電体層５，６、酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層７，８、周囲を
密封する封止ガラス９などから構或され、内部の放電空
間ＩＯには、例えばネオン及びキセノンの混合ガスが封
入されている．Ｘ電極３及びＹ電極４が交差した各交点
に画定される表示セルにおいて放電による発光が生し、
発光させる各表示セルの組み合わせにより、ガラス基板
１の上面の表示面に文字や図形が表示される。
Ｘ電極３及びＹ電極４は、それぞれ蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜法によって形戊される。
グなどの薄膜法によって形戊される。
誘電体層５及び６は、Ｘ電極３及びＹ電極４を保護する
とともに、壁電荷の蓄積により一度起こった放電を放電
維持電圧の印加によって持続させるためのものである。
とともに、壁電荷の蓄積により一度起こった放電を放電
維持電圧の印加によって持続させるためのものである。
従来、誘電体層５及び６は、Ｘ電極３又はＹ電極４を設
けたガラス基板ｌ又は２の表面に、鉛ガラスなどの低融
点ガラスペーストを塗布し、これを焼威することによっ
て形威されていた。
けたガラス基板ｌ又は２の表面に、鉛ガラスなどの低融
点ガラスペーストを塗布し、これを焼威することによっ
て形威されていた。
また従来より、Ｘ電極３又はＹ電極４を厚膜法によって
形威した場合には、電極金属が誘電体層へ拡散するのを
防止する目的で、例えば特公昭５１−１２３９３号公報
のように、低融点ガラスペーストを墜布する前に、酸化
金属膜やシリカ膜などからなる金属拡散防止層を形成す
ることがある．金属拡散防止層は、厚膜法又はメッキ法
によって形威されるが、厚膜法による場合には、低融点
ガラスペーストを塗布する以前に金属拡散肪止層を形成
しておくために、拡散防止用の塗布膜を焼戒（焼付け）
する必要がある．つまり、電極を設けたガラス基板上へ
の誘電体層の形戒において、拡散防止用塗布膜の焼成及
び低融点ガラスペーストの焼威のための合計２回の熱処
理が行われる。
形威した場合には、電極金属が誘電体層へ拡散するのを
防止する目的で、例えば特公昭５１−１２３９３号公報
のように、低融点ガラスペーストを墜布する前に、酸化
金属膜やシリカ膜などからなる金属拡散防止層を形成す
ることがある．金属拡散防止層は、厚膜法又はメッキ法
によって形威されるが、厚膜法による場合には、低融点
ガラスペーストを塗布する以前に金属拡散肪止層を形成
しておくために、拡散防止用の塗布膜を焼戒（焼付け）
する必要がある．つまり、電極を設けたガラス基板上へ
の誘電体層の形戒において、拡散防止用塗布膜の焼成及
び低融点ガラスペーストの焼威のための合計２回の熱処
理が行われる。
しかしながら、従来では、低融点ガラスペーストをガラ
ス基板の表面に直接に塗布して誘電体層を形戒する場合
には、低融点ガラスペーストの焼威時において、ガラス
基板の表面状Ｍ（汚れ、段差、凹凸などの状Ｍ）によっ
て、ガラス基板の表面を均一に覆う低融点ガラスが、基
板表面の一部ではしかれるように遊離し、焼成後の誘電
体層にしばしば透礼状の空隙が生しるという問題があっ
た。
ス基板の表面に直接に塗布して誘電体層を形戒する場合
には、低融点ガラスペーストの焼威時において、ガラス
基板の表面状Ｍ（汚れ、段差、凹凸などの状Ｍ）によっ
て、ガラス基板の表面を均一に覆う低融点ガラスが、基
板表面の一部ではしかれるように遊離し、焼成後の誘電
体層にしばしば透礼状の空隙が生しるという問題があっ
た。
誘電体層に空隙が生しると、表示品質が低下するばかり
でなく、場合によっては、空隙部で露出した電極が焼成
時に酸化して断線し、これが不良品となって歩留りが低
下することになる。
でなく、場合によっては、空隙部で露出した電極が焼成
時に酸化して断線し、これが不良品となって歩留りが低
下することになる。
また、特にシリカ膜からなる金属拡散防止層を介して低
融点ガラスペーストを塗布する場合には、空隙の無い良
好な誘電体層が得られるが、この場合において、従来で
は、上述のように金属拡散防止層を形成するための熱処
理と低融点ガラスペーストを焼戒するための熱処理とを
別個に行っており、工程が複雑で量産性に劣るという問
題があった。
融点ガラスペーストを塗布する場合には、空隙の無い良
好な誘電体層が得られるが、この場合において、従来で
は、上述のように金属拡散防止層を形成するための熱処
理と低融点ガラスペーストを焼戒するための熱処理とを
別個に行っており、工程が複雑で量産性に劣るという問
題があった。
本発明は、上述の問題に鑑み、量産性の低下を可及的に
仰えつつ、誘電体層の形成時における空隙の発生による
表示品質の低下及び歩留りの低下を防止することを目的
としている。
仰えつつ、誘電体層の形成時における空隙の発生による
表示品質の低下及び歩留りの低下を防止することを目的
としている。
本発明は、上述のｉｉ題を解決するため、第１図に示す
ように、電極３を設けた基板ｌの表面に、珪素を含有す
る溶液５ａを塗布した後に、低融点ガラスペースト５ｂ
を塗布し、１回の熱処理によって珪素及び低融点ガラス
を同時に焼成することにより、前記電極３を被覆する二
酸化珪素と低融点ガラスとの積層体よりなる誘電体層５
を形成することを特徴として構戒される。
ように、電極３を設けた基板ｌの表面に、珪素を含有す
る溶液５ａを塗布した後に、低融点ガラスペースト５ｂ
を塗布し、１回の熱処理によって珪素及び低融点ガラス
を同時に焼成することにより、前記電極３を被覆する二
酸化珪素と低融点ガラスとの積層体よりなる誘電体層５
を形成することを特徴として構戒される。
電極３を設けた基板｛の表面は、先ず珪素を含有する溶
液５ａによって覆われる。
液５ａによって覆われる。
低融点ガラスペースト５ｂは、珪素を含有する溶液５ａ
からなる層の上に塗布される。
からなる層の上に塗布される。
この状態での熱処理により、珪素及び低融点ガラスが同
時に焼成される． このとき、基仮ｌ及び低融点ガラスの双方に対して親和
性を有した珪素の酸化物、いわゆる二酸化珪素が介在す
ることにより、基板Ｉの表面状態に影響されることなく
、低融点ガラスの被覆状態が良好に保たれた状態で、二
酸化珪素と低融点ガラスとが積層一体化し、誘電体層５
が形威される。
時に焼成される． このとき、基仮ｌ及び低融点ガラスの双方に対して親和
性を有した珪素の酸化物、いわゆる二酸化珪素が介在す
ることにより、基板Ｉの表面状態に影響されることなく
、低融点ガラスの被覆状態が良好に保たれた状態で、二
酸化珪素と低融点ガラスとが積層一体化し、誘電体層５
が形威される。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図（ａ） 〜（ｄ）は本発明に係るＰＤＰ １ｌの
各製造段階を示す断面図である。図において、第２図と
同一構成要素には同一符号を付してある。
各製造段階を示す断面図である。図において、第２図と
同一構成要素には同一符号を付してある。
まず、表示側のガラス基板】の表面に、スパンタリング
茅着により、例えば、クロム、銅、クロムを順に積層し
た三層構造の金属薄膜（膜厚は５０００〜１００００人
）を形成する。続いて、金属薄膜をフォトリソグラフィ
ー法を用いてパターンエノチングし、Ｘ電極３．３・・
・を形威する。
茅着により、例えば、クロム、銅、クロムを順に積層し
た三層構造の金属薄膜（膜厚は５０００〜１００００人
）を形成する。続いて、金属薄膜をフォトリソグラフィ
ー法を用いてパターンエノチングし、Ｘ電極３．３・・
・を形威する。
次に、スピンコーター又はスプレー塗布装置などを用い
て、珪素（Ｓｉ〉を含有したいわゆるソリ力コート用溶
液５ａを塗布して乾燥させ、ガラス基板１の表面に未焼
成の珪素からなる珪素ｎタ５ａを設ける［第ｌ図（ｂ）
］。
て、珪素（Ｓｉ〉を含有したいわゆるソリ力コート用溶
液５ａを塗布して乾燥させ、ガラス基板１の表面に未焼
成の珪素からなる珪素ｎタ５ａを設ける［第ｌ図（ｂ）
］。
シリカコート用熔液５ａとしては、例えば、東京応化工
業株式会社製造の溶？ｆ！ｉ． （商品番号Ｓｉ−７０
０００−ＳＧ、二酸化珪素の濃度が７．０％、２０゜Ｃ
における粘度が１．３５ｃｐｓ，２０’Ｃにおける比重
が０．９３）を用いることができる。
業株式会社製造の溶？ｆ！ｉ． （商品番号Ｓｉ−７０
０００−ＳＧ、二酸化珪素の濃度が７．０％、２０゜Ｃ
における粘度が１．３５ｃｐｓ，２０’Ｃにおける比重
が０．９３）を用いることができる。
続いて、珪素膜５ａの上にフィラー（粘着刑）及び有機
溶剤を混入した低融点ガラスの粉末からなるガラスペー
スト５ｂをスクリーン印刷によって塗布し、ガラスペー
ストＮ５ｂを形威する［第１図 （ｃ） コ 。
溶剤を混入した低融点ガラスの粉末からなるガラスペー
スト５ｂをスクリーン印刷によって塗布し、ガラスペー
ストＮ５ｂを形威する［第１図 （ｃ） コ 。
このように珪素膜５ａ及びガラスペースト層５ｂを順次
積層した後に、ガラス基ｖｉｌを常圧、大気雰囲気中で
、低融点ガラスの転移温度よ／）高い温度（５７０〜５
８０″Ｃ）まで加熱し、その温度を６０〜９０分間保っ
た後、常温まで自然冷却する。この１回の熱処理により
、珪素膜５ａ及びガラスペースト層５ｂから有機溶剤な
どが蒸発するとともに、珪素の酸化によって珪素膜５ａ
が二酸化珪素（Ｓｉｎ．）からなるシリカコートとなり
、このノリ力コートとガラスペースト層５ｂとが積層状
態で一体となってガラス化した誘電体層５が形威される
［第１図（ｄ）］。
積層した後に、ガラス基ｖｉｌを常圧、大気雰囲気中で
、低融点ガラスの転移温度よ／）高い温度（５７０〜５
８０″Ｃ）まで加熱し、その温度を６０〜９０分間保っ
た後、常温まで自然冷却する。この１回の熱処理により
、珪素膜５ａ及びガラスペースト層５ｂから有機溶剤な
どが蒸発するとともに、珪素の酸化によって珪素膜５ａ
が二酸化珪素（Ｓｉｎ．）からなるシリカコートとなり
、このノリ力コートとガラスペースト層５ｂとが積層状
態で一体となってガラス化した誘電体層５が形威される
［第１図（ｄ）］。
以上のように、ガラス基仮ｌとガラスペースト層５ｂと
の間にシリカコート（Ｓｉｎｇ）が介在することにより
、誘電体層５を形戒するための熱処理において、ガラス
基板１の表面状態に係わらず、ガラス基板１に対する低
融点ガラスの被覆状態が良好に保たれる。また、珪素膜
５ａ及びガラスペスト層５ｂの熱処理を同時に行うので
、熱処理工程が１回でよく、製造工程が複雑化せず、コ
ストの上昇が抑えられる。
の間にシリカコート（Ｓｉｎｇ）が介在することにより
、誘電体層５を形戒するための熱処理において、ガラス
基板１の表面状態に係わらず、ガラス基板１に対する低
融点ガラスの被覆状態が良好に保たれる。また、珪素膜
５ａ及びガラスペスト層５ｂの熱処理を同時に行うので
、熱処理工程が１回でよく、製造工程が複雑化せず、コ
ストの上昇が抑えられる。
この後において、保護層７の被着が行われたガラス基Ｆ
ｉ＋は、別にＹ電極４、講電体層６、及び保護層８を設
けた背面側のガラス基板２と重ね合わせられ、封止ガラ
ス９による密封、及び放電用の混合ガスの封入などが行
われ、ＰＤＰ Ｉ Ｉが完成される． 〔発明の効果〕 本発明によると、量産性の低下を可及的に抑えつつ、誘
電体層の形或時における空隙の発生による表示品質の低
下及び歩留りの低下を防止することができる．
ｉ＋は、別にＹ電極４、講電体層６、及び保護層８を設
けた背面側のガラス基板２と重ね合わせられ、封止ガラ
ス９による密封、及び放電用の混合ガスの封入などが行
われ、ＰＤＰ Ｉ Ｉが完成される． 〔発明の効果〕 本発明によると、量産性の低下を可及的に抑えつつ、誘
電体層の形或時における空隙の発生による表示品質の低
下及び歩留りの低下を防止することができる．
第ｌ図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るＦＤＰの各製造段
階を示す部分断面図、 第２図はＦＤＰの構造を示す要部断面図である。 図において、 １はガラス基板（基板） ３はＸ電極（電極）、 ５は誘電体層、 ５ａはシリカコート用溶液（珪素を含有する溶液）、 ５ｂはガラスペースト（低融点ガラスペースト）、１１
はＦＤＰ （プラズマディスプレイノくネノレ）本発明
に係るＦＤＰの各製造段階を示す部分断面図第１図 １ ガラス基板（基板） ３−・Ｘ電極＜ｔＳ極） ５ 誘電体層
階を示す部分断面図、 第２図はＦＤＰの構造を示す要部断面図である。 図において、 １はガラス基板（基板） ３はＸ電極（電極）、 ５は誘電体層、 ５ａはシリカコート用溶液（珪素を含有する溶液）、 ５ｂはガラスペースト（低融点ガラスペースト）、１１
はＦＤＰ （プラズマディスプレイノくネノレ）本発明
に係るＦＤＰの各製造段階を示す部分断面図第１図 １ ガラス基板（基板） ３−・Ｘ電極＜ｔＳ極） ５ 誘電体層
Claims (1)
- （１）電極（３）を設けた基板（１）の表面に、珪素を
含有する溶液（５ａ）を塗布した後に、低融点ガラスペ
ースト（５ｂ）を塗布し、１回の熱処理によって珪素及
び低融点ガラスを同時に焼成することにより、前記電極
（３）を被覆する二酸化珪素と低融点ガラスとの積層体
よりなる誘電体層（５）を形成する ことを特徴とするプラズマディスプレイパ ネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18982989A JPH0353429A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18982989A JPH0353429A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353429A true JPH0353429A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16247908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18982989A Pending JPH0353429A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8057979B2 (en) | 2005-01-05 | 2011-11-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Photosensitive paste composition and plasma display panel manufactured using the same |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP18982989A patent/JPH0353429A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8057979B2 (en) | 2005-01-05 | 2011-11-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Photosensitive paste composition and plasma display panel manufactured using the same |
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