JPH0353495A - 酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0353495A JPH0353495A JP1186885A JP18688589A JPH0353495A JP H0353495 A JPH0353495 A JP H0353495A JP 1186885 A JP1186885 A JP 1186885A JP 18688589 A JP18688589 A JP 18688589A JP H0353495 A JPH0353495 A JP H0353495A
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- transparent electrode
- film
- conductive film
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業」二の利用分野］
本発明は、例えば面状光源として利用される分散型エレ
クトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子と記す）に関
ずろ。
クトロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子と記す）に関
ずろ。
［従来の技術］
従来の分散型ＥＬ，素子の透明電極は、スバソタリング
或は蒸着等によって形成されたインジウム・スズ酸化薄
膜（以下ＩＴＯ膜と記す）が知られており、汎用されて
いる。
或は蒸着等によって形成されたインジウム・スズ酸化薄
膜（以下ＩＴＯ膜と記す）が知られており、汎用されて
いる。
し発明が解決しようとする課題］
しかしながらドｒＯ膜が透明電極である分散型ＥＬ素子
は、次の通り問題点がある。
は、次の通り問題点がある。
■長時間点灯した場合、後で詳述するように、Ｉ ｉ”
Ｏ膜は、発光層との界面において黒化する現象か発生
し、更に発光層が劣化し、このため輝度が低下して寿命
が短くなる。
Ｏ膜は、発光層との界面において黒化する現象か発生
し、更に発光層が劣化し、このため輝度が低下して寿命
が短くなる。
■特に高温多ｆｉもしくは日光ｊ（ｑ射した状態で点灯
すると、早期に黒化現象が発生し、このため使用分野が
限定される。
すると、早期に黒化現象が発生し、このため使用分野が
限定される。
■更に上記■の黒化現象は、製品の外観を損ない、商品
価値を下げる。
価値を下げる。
本発明は、分散型ＥＬ素子の透明電極に従来使用されて
いるＩＴＯ膜に替え、酸化亜鉛（ＺｎＯ）透明導電膜又
は■族元素及び／または■族元素を含有した酸化亜鉛透
明導電膜（以下両者を総称してＺｎＯ系膜という）を用
いることにより前記問題点が改善されることを見出した
しのである。また、分散型ＥＬ素子は、上記のＺｎＯ系
膜を素子の表面ｆｆｌｌ１の透明電極もしくは背面側の
透明７Ｈｔ４として又は両方の電極として用いて、公知
の製造技術によって作製できる。
いるＩＴＯ膜に替え、酸化亜鉛（ＺｎＯ）透明導電膜又
は■族元素及び／または■族元素を含有した酸化亜鉛透
明導電膜（以下両者を総称してＺｎＯ系膜という）を用
いることにより前記問題点が改善されることを見出した
しのである。また、分散型ＥＬ素子は、上記のＺｎＯ系
膜を素子の表面ｆｆｌｌ１の透明電極もしくは背面側の
透明７Ｈｔ４として又は両方の電極として用いて、公知
の製造技術によって作製できる。
次に本発明の各々の構戊要索についてその匝略を説明ず
ることにずる。
ることにずる。
２．ｎＯ透明導電膜に不純物として含有される元素とし
て■族元素のアルミニウム（八〇．）、ＩＶ族元素のシ
リコン（Ｓ ｉ）を具体的な例として説明ずる。
て■族元素のアルミニウム（八〇．）、ＩＶ族元素のシ
リコン（Ｓ ｉ）を具体的な例として説明ずる。
ＡＱおよび／またはＳｉの含有邑は、亜鉛（Ｚｎ）に対
４−る原子％で０，１〜２０％であることが望ましい。
４−る原子％で０，１〜２０％であることが望ましい。
Ａ＆および／またはＳｉの含有量が０．１原子％未満で
あると概して添加効果が得られにくい場合があり、２０
％を越えると透明導電膜の結晶性が著しく悪化し、抵抗
率が増大する傾向を示ずからてあり、Ａ０．やＳｉの好
ましい含有量の値はｌ〜１５原子％である。勿論本発明
はＺｎＯ単独で用いることら可能であり、これら■族元
素，■族元素等は必要に応じ、所定量を加えればよく特
に制限はない。
あると概して添加効果が得られにくい場合があり、２０
％を越えると透明導電膜の結晶性が著しく悪化し、抵抗
率が増大する傾向を示ずからてあり、Ａ０．やＳｉの好
ましい含有量の値はｌ〜１５原子％である。勿論本発明
はＺｎＯ単独で用いることら可能であり、これら■族元
素，■族元素等は必要に応じ、所定量を加えればよく特
に制限はない。
ＺｎＯ系膜はスバッタ法、スプレー法、その他の任色の
公知の膜形成技術によって製造できるが、透明電極にあ
っては、ＥＬ発光層の下地としての没割らあり、結晶性
や特に表面の平肘性と均一性に優れた良質の膜質が望ま
れることから、スパッタ法によることが望ましい。
公知の膜形成技術によって製造できるが、透明電極にあ
っては、ＥＬ発光層の下地としての没割らあり、結晶性
や特に表面の平肘性と均一性に優れた良質の膜質が望ま
れることから、スパッタ法によることが望ましい。
尚、前記のＡＱ以外の■族元索として、ガリウム（Ｇａ
）、インノウム（Ｉｎ）およびホウ＆（Ｂ）等またはＳ
ｉ以外の■族元素として、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタ
：．ｚ（’ｌ’ｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）Ｊ３よびハ
フニウムＯＮ）等を例示でき、その添加量もＡｇ、Ｓｉ
と同様の値を例示できる。勿論［ｆｆｌ元素とＩＶ族元
素とを併用しても差しつかえない。
）、インノウム（Ｉｎ）およびホウ＆（Ｂ）等またはＳ
ｉ以外の■族元素として、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタ
：．ｚ（’ｌ’ｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）Ｊ３よびハ
フニウムＯＮ）等を例示でき、その添加量もＡｇ、Ｓｉ
と同様の値を例示できる。勿論［ｆｆｌ元素とＩＶ族元
素とを併用しても差しつかえない。
又、本発明に係わる透明電極を形成ケる基体としては、
透明ガラス、透明プラスチック製のフィルム、ソート、
仮等を例示でき特に制限はない。
透明ガラス、透明プラスチック製のフィルム、ソート、
仮等を例示でき特に制限はない。
発光層を形成する発光体としては主剤、活性剤必要なら
ば付活性剤を含む公知の混合物を例示でき、主剤として
はＺｎＳ，ＳｒＳ，ＣａＳ等、活性剤としてはＣｕ，Ｍ
ｎ，ＣｅＳＥｕＳＴｂ，Ｃｅ等、付活性剤としてはＣＣ
，Ａ＆，Ｐ等を例示できるが特に制限はない。
ば付活性剤を含む公知の混合物を例示でき、主剤として
はＺｎＳ，ＳｒＳ，ＣａＳ等、活性剤としてはＣｕ，Ｍ
ｎ，ＣｅＳＥｕＳＴｂ，Ｃｅ等、付活性剤としてはＣＣ
，Ａ＆，Ｐ等を例示できるが特に制限はない。
また、発光層を形成する有機高分子結着剤としてはンア
ノエチルセルロース、シアノエチルザン力ロース、ノア
ノエチルプルラン等の高誘電率の有機化合物を例示でき
るが特に制限はなく、発光層はこれら結着剤中に蛍光体
か分散した状態となっている。
ノエチルセルロース、シアノエチルザン力ロース、ノア
ノエチルプルラン等の高誘電率の有機化合物を例示でき
るが特に制限はなく、発光層はこれら結着剤中に蛍光体
か分散した状態となっている。
本発明に係る絶縁層としては？￥機高分子結着剤中にＢ
ａＴｉＯ，、Ｓ ｒ Ｔ ＩＯ ３、ＰｂＴｉＯ．（こ
れらは特に制限はなくあくまで例示）等が分散されてな
る構成のもの、もしくはポリエチレンテレフタレート、
ボリフッ化ビニリデン（これらは特に制限はなくあくま
で例示）等の高誘電率を有する熱可塑性樹脂を主成分と
した構戊のもの等を例示できるが特に制限はない。この
際、有機高分子結着剤としては発光層において前記に例
示した結着剤と同じらのを例示できるが、特に制限はな
い。また、前記熱可塑性樹脂を主成分とした構成のもの
としてはフィルム、ノート等を例示できるが特に制限は
ない。
ａＴｉＯ，、Ｓ ｒ Ｔ ＩＯ ３、ＰｂＴｉＯ．（こ
れらは特に制限はなくあくまで例示）等が分散されてな
る構成のもの、もしくはポリエチレンテレフタレート、
ボリフッ化ビニリデン（これらは特に制限はなくあくま
で例示）等の高誘電率を有する熱可塑性樹脂を主成分と
した構戊のもの等を例示できるが特に制限はない。この
際、有機高分子結着剤としては発光層において前記に例
示した結着剤と同じらのを例示できるが、特に制限はな
い。また、前記熱可塑性樹脂を主成分とした構成のもの
としてはフィルム、ノート等を例示できるが特に制限は
ない。
本発明に係る背面電極として【よ特に制限はないが、例
えば絶縁層の｝／４成により次の如き構成を取ることが
一層有利である。即ち、絶縁層においてｆｆ機高分子結
着剤とＩ３ａ’ｌ”ｉ０３等の化合物とを用いる場合は
、ＡＣ等の金属箔が望ましく、一方絶縁層が高誘電率の
熱可塑性樹脂を主成分とする場合は、Ａｇ，Ｃ％Ｎｉ，
その他導電物質を含むペーストの導電性塗料等を絶縁層
上に塗工するが、乙しくはＡＩ２、Ａｇ、その池の金属
蒸着を絶縁層上に形成するのが望ましい。この際、導電
性塗料としては導電物質の微粉末をポリエステル系樹脂
、その他適宜の樹脂のバインダー中に分散せしめたペー
スト状のものを例示できる。勿論背面電極としては以上
に例示した以外にも好ましい態様のものを適宜に使用す
ることができることは云うまでもない。
えば絶縁層の｝／４成により次の如き構成を取ることが
一層有利である。即ち、絶縁層においてｆｆ機高分子結
着剤とＩ３ａ’ｌ”ｉ０３等の化合物とを用いる場合は
、ＡＣ等の金属箔が望ましく、一方絶縁層が高誘電率の
熱可塑性樹脂を主成分とする場合は、Ａｇ，Ｃ％Ｎｉ，
その他導電物質を含むペーストの導電性塗料等を絶縁層
上に塗工するが、乙しくはＡＩ２、Ａｇ、その池の金属
蒸着を絶縁層上に形成するのが望ましい。この際、導電
性塗料としては導電物質の微粉末をポリエステル系樹脂
、その他適宜の樹脂のバインダー中に分散せしめたペー
スト状のものを例示できる。勿論背面電極としては以上
に例示した以外にも好ましい態様のものを適宜に使用す
ることができることは云うまでもない。
本発明における透明導電膜はＺｎＯ系膜を備えたちので
あるが、ＺｎＯ膜及び、■族元素及び１■族元素の群か
ら選ばれた少なくとら１種の元素を不純物として添加し
たＺｎＯｌｌ！Ｘの少なくとも２層を有する多層のもの
ら使用可能である。その際とちらの膜が発光層と接する
構成であっても差しつかえないし、二層以上でもよく、
その摺成順序ら特に制限はない。
あるが、ＺｎＯ膜及び、■族元素及び１■族元素の群か
ら選ばれた少なくとら１種の元素を不純物として添加し
たＺｎＯｌｌ！Ｘの少なくとも２層を有する多層のもの
ら使用可能である。その際とちらの膜が発光層と接する
構成であっても差しつかえないし、二層以上でもよく、
その摺成順序ら特に制限はない。
更に本発明の透明導電膜はＺｎＯ系膜と基体との間に、
他の金属、金属酸化物等からなる透明導電膜を設けるこ
とはいっこうに差しつかえない。
他の金属、金属酸化物等からなる透明導電膜を設けるこ
とはいっこうに差しつかえない。
特にＩＴＯ膜は好ましく、かかるＩＴＯ膜はＺｎＱＭ膜
の密着力の向上及び導電性の向上にとって効果的である
場合ら考えられる。
の密着力の向上及び導電性の向上にとって効果的である
場合ら考えられる。
本発明はＺｎＯ系膜透明電極、発光層、絶縁層、背面電
極をこの順序に積層した構成であるが、必要ならば発光
層と絶縁層、絶縁層と背面電極との間に他の第三成分か
らなる層が入ることはいっこうに差しつかえない。もち
ろん、基体や背面電極の外側に必要ならば池の第三成分
からなる層を加えることら自由である。
極をこの順序に積層した構成であるが、必要ならば発光
層と絶縁層、絶縁層と背面電極との間に他の第三成分か
らなる層が入ることはいっこうに差しつかえない。もち
ろん、基体や背面電極の外側に必要ならば池の第三成分
からなる層を加えることら自由である。
以上は本発明に係わる各々の構或要素を例示的に説明し
たもので、本発明はこれらの記載に正弦を受けるもので
むいことはいうまでもない。
たもので、本発明はこれらの記載に正弦を受けるもので
むいことはいうまでもない。
［作用」
一般的に分散型ＥＬｌｆ：子は、発光層等に多少なりと
ら水（ｔｌ，Ｏ）を含んでいる。この分散型ＥＬ素子に
電圧を印加ずろと、透明電極と発光層との界面において
Ｈ，Ｏの電気分解現象か発生し、電気分解で生した水素
が、酸化物である透明電極の薄膜を還元し金属化させろ
ことが、前述した黒化現象の一つの要因と考えられる。
ら水（ｔｌ，Ｏ）を含んでいる。この分散型ＥＬ素子に
電圧を印加ずろと、透明電極と発光層との界面において
Ｈ，Ｏの電気分解現象か発生し、電気分解で生した水素
が、酸化物である透明電極の薄膜を還元し金属化させろ
ことが、前述した黒化現象の一つの要因と考えられる。
又、現在の分散型ＥＬ素子の防湿方法は完全てないため
、特に多湿の環境化では外郎からＨ，０が透明電極と発
光層との界面に侵入し、このＨｚＯの電気分解により更
に水素が発生し、前記黒化現象を促進させるものと推測
される。
、特に多湿の環境化では外郎からＨ，０が透明電極と発
光層との界面に侵入し、このＨｚＯの電気分解により更
に水素が発生し、前記黒化現象を促進させるものと推測
される。
更に、日光に＠露される条件下では、電気分解と光化学
反応により黒化の促進と同時に発光層の劣化ら促進され
る。
反応により黒化の促進と同時に発光層の劣化ら促進され
る。
以上の黒化現象は酸化物である透明電極の金属と酸素と
の結合エネルギーによって左右される。
の結合エネルギーによって左右される。
現在、一般的に透明電極として用いられていろ酸化スズ
薄膜（ＳｎＯ＝＠という）やＩＴＯ膜や本発明のＺｎＯ
系膜では、ＳｎｕＪｓ｛が最も還元されやすく、その次
がＩＴＯＩｌｉ、ＺｎＯ系膜の順で還元されにくくなる
。これは、それぞれの金属の酸素結合エネルギーが、ス
ズ（Ｓｎ）が２ ９ ０ Ｋ Ｊ ／ｍｏｌ、インジウ
ム（＋ｎ）が３ ０ ８ Ｋ Ｊ ／ｍｏＱ、亜鉛（Ｚ
ｎ）が３ ４ ８ Ｋ Ｊ ，／ｍｏｃという値である
ことからもＺｎＯ系膜か最ら還元さｈ．’Ｍ＃いと云う
ことを推測でき更に、インジウム・スズ酸化物と酸化亜
鉛との材料固有のパントギャップをみると前者が３。７
５〜４．３ｅＶ、後者が３．２−３．４ｅＶであること
から、これを参考にするとＺｎＯ系膜の方が［ Ｔ Ｏ
膜よりもより可視光側の紫外線から全ての紫外線を吸収
遮断すると考えられる。
薄膜（ＳｎＯ＝＠という）やＩＴＯ膜や本発明のＺｎＯ
系膜では、ＳｎｕＪｓ｛が最も還元されやすく、その次
がＩＴＯＩｌｉ、ＺｎＯ系膜の順で還元されにくくなる
。これは、それぞれの金属の酸素結合エネルギーが、ス
ズ（Ｓｎ）が２ ９ ０ Ｋ Ｊ ／ｍｏｌ、インジウ
ム（＋ｎ）が３ ０ ８ Ｋ Ｊ ／ｍｏＱ、亜鉛（Ｚ
ｎ）が３ ４ ８ Ｋ Ｊ ，／ｍｏｃという値である
ことからもＺｎＯ系膜か最ら還元さｈ．’Ｍ＃いと云う
ことを推測でき更に、インジウム・スズ酸化物と酸化亜
鉛との材料固有のパントギャップをみると前者が３。７
５〜４．３ｅＶ、後者が３．２−３．４ｅＶであること
から、これを参考にするとＺｎＯ系膜の方が［ Ｔ Ｏ
膜よりもより可視光側の紫外線から全ての紫外線を吸収
遮断すると考えられる。
このことから分散型ＥＬ素子において、透明電極をＩＴ
Ｏ膜からＺｎＯ系膜に替えることにより、日光ｌＩ１露
に伴う透明電極の黒化現象の進行速度を抑え、更に日光
曝露による発光層自体の劣化を抑制できる。
Ｏ膜からＺｎＯ系膜に替えることにより、日光ｌＩ１露
に伴う透明電極の黒化現象の進行速度を抑え、更に日光
曝露による発光層自体の劣化を抑制できる。
又、ＺｎＯ系膜透明電極を用いた分散型Ｅｌ，Ｊ：子の
高性能なＥＬ特性は、ＺｎＯとＺｎＳとの界面のなじみ
の良さに上るものと考えられる。
高性能なＥＬ特性は、ＺｎＯとＺｎＳとの界面のなじみ
の良さに上るものと考えられる。
［実施例］
以下、本発明を一実施例を用いて説明する。
実施例１
第１図に示したごと＜Ａ＆箔（厚さ約５０μｍ）からな
る背面電極５の上にノアノエチルセルロース１０重量部
、ノアノエチルサソ力ロース６０重量部をジメチルホル
ムアミド溶液１５０重量部に加熟溶解させてできた有機
高分子結着剤中にＢａＴｉＯ３（粒？Ｌ約ｌμｍ）２０
０重量部を分散させた絶縁層４を、ｌＯ〜２０μｍの厚
みでスクリーン印刷法により作製し、その上に前記同様
の有機高分子帖着剤（ンアノエチルセルロース：シアノ
エチルサッカロース・ジメヂルホルムアミド溶液が１０
：６０１５０重量部のもの）１００重量部に対しＺｎＳ
Ｃｕ蛍光体８０〜９０重量部を分散させた発光層３を、
５０〜６０μｍの厚みでスクリーン印刷法により積層し
た。一方、基板ｌとしてポリエステルフィルム（厚さ約
１００μｍ）を用いその上に、ＺｎＯ：Ａｌ２膜（厚さ
８００ 〜ＩＯＯＯＡ，Ａ過率か５５０ｎｍで８２％、
Ａｌ２原子がＺｎ原子に対し３６原子％添加）の透明電
極２を成模し、この透明電極２を前記発光層３の上に重
ね加熟ローラーを通すと、前記有機高分子結着剤が熱に
よって接着力を発揮し、透明電極２と発光層３が接着す
る。
る背面電極５の上にノアノエチルセルロース１０重量部
、ノアノエチルサソ力ロース６０重量部をジメチルホル
ムアミド溶液１５０重量部に加熟溶解させてできた有機
高分子結着剤中にＢａＴｉＯ３（粒？Ｌ約ｌμｍ）２０
０重量部を分散させた絶縁層４を、ｌＯ〜２０μｍの厚
みでスクリーン印刷法により作製し、その上に前記同様
の有機高分子帖着剤（ンアノエチルセルロース：シアノ
エチルサッカロース・ジメヂルホルムアミド溶液が１０
：６０１５０重量部のもの）１００重量部に対しＺｎＳ
Ｃｕ蛍光体８０〜９０重量部を分散させた発光層３を、
５０〜６０μｍの厚みでスクリーン印刷法により積層し
た。一方、基板ｌとしてポリエステルフィルム（厚さ約
１００μｍ）を用いその上に、ＺｎＯ：Ａｌ２膜（厚さ
８００ 〜ＩＯＯＯＡ，Ａ過率か５５０ｎｍで８２％、
Ａｌ２原子がＺｎ原子に対し３６原子％添加）の透明電
極２を成模し、この透明電極２を前記発光層３の上に重
ね加熟ローラーを通すと、前記有機高分子結着剤が熱に
よって接着力を発揮し、透明電極２と発光層３が接着す
る。
こうして作製された分散型ＥＬ素子の更にその上に防，
０フィルムを封止してできたＥＬ素子と、その透明電極
２としてＩＴＯ膜（厚さ４００〜５００ ＯＡ，透過率が５５０ｎｍで８６％）を用いる以外池は
前記同様の方法で作製した分散型ＥＬ素子と、の２種類
のＥＬ素子を４ ０ ０１−１ｚ，Ｉ Ｏ （ＩＶの正
弦波酢圧を印加して連続点灯し輝度の経時変化を比較し
た。その結果を駆動環境条件として第２図の常温常温環
境、第３図の３０℃、９５％環境、及び第４図の口先照
射環境の３つの環境下において示した。実線６，８．１
０で示した曲線は透明電極がＺｎＯ：／Ｍ！膜の分散型
ＢＬ素子であり、破線７９．１１で示した由ｊ線は透明
電極がｌＴＯ膜の分散型ＥＬ素子である。又、それぞれ
の経過時間後の輝度保持率を下表に示す。
０フィルムを封止してできたＥＬ素子と、その透明電極
２としてＩＴＯ膜（厚さ４００〜５００ ＯＡ，透過率が５５０ｎｍで８６％）を用いる以外池は
前記同様の方法で作製した分散型ＥＬ素子と、の２種類
のＥＬ素子を４ ０ ０１−１ｚ，Ｉ Ｏ （ＩＶの正
弦波酢圧を印加して連続点灯し輝度の経時変化を比較し
た。その結果を駆動環境条件として第２図の常温常温環
境、第３図の３０℃、９５％環境、及び第４図の口先照
射環境の３つの環境下において示した。実線６，８．１
０で示した曲線は透明電極がＺｎＯ：／Ｍ！膜の分散型
ＢＬ素子であり、破線７９．１１で示した由ｊ線は透明
電極がｌＴＯ膜の分散型ＥＬ素子である。又、それぞれ
の経過時間後の輝度保持率を下表に示す。
いずれの環境条件においても、ＩＴＯ膜のものは早期に
黒化現象が発生したが、ＺｎＯ・八Ｑ膜を透明電極とし
たＥＬ索子の方は黒化現象が発生しむかった。また輝度
の経時低下ら遅く、長寿命であることがわかった。
黒化現象が発生したが、ＺｎＯ・八Ｑ膜を透明電極とし
たＥＬ索子の方は黒化現象が発生しむかった。また輝度
の経時低下ら遅く、長寿命であることがわかった。
一方、基体ｌとして用いたガラス上にＩＴＯ膜からなる
透明電極およびＺｎＯ：Ａ＆膜からなる透明電極を用い
、分牧型ＥＬ索子を作製した場合も、前記の３つの駆動
環境下にむいてＺｎＯ：，Ｊ膜がらなる透明電極を用い
た分散型ＥＬ素子は黒化現象が発生せず、輝度低下に関
してもｆｌ ｌ〃Ｗｂかみられノこ。
透明電極およびＺｎＯ：Ａ＆膜からなる透明電極を用い
、分牧型ＥＬ索子を作製した場合も、前記の３つの駆動
環境下にむいてＺｎＯ：，Ｊ膜がらなる透明電極を用い
た分散型ＥＬ素子は黒化現象が発生せず、輝度低下に関
してもｆｌ ｌ〃Ｗｂかみられノこ。
更に発光層のＺｎＳ：Ｃｕ蛍光体粉末に替えてＺｎＳ・
Ｍｎの蛍光体粉末を用いた場合においても前記の優位性
が認められた。
Ｍｎの蛍光体粉末を用いた場合においても前記の優位性
が認められた。
以上のＺｎＯ：ＡＩ２膜の優位性は、不純分元素として
ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ホウ素（Ｂ）
、シリコン（Ｓ ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン
（Ｔ１）、ハフニウム（Ｈｒ）、およびジルコニウム（
Ｚｒ）を添加した酸化亜鉛膜においても確認された。
ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ホウ素（Ｂ）
、シリコン（Ｓ ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン
（Ｔ１）、ハフニウム（Ｈｒ）、およびジルコニウム（
Ｚｒ）を添加した酸化亜鉛膜においても確認された。
また、絶縁層、発光層を形成するに際し、本例では溶剤
を用いたが、かかる溶液の種類についてＣよ特に制限は
なく、また溶液なしで形成可能ならば使用しなくてもよ
い。この際本例ではスクリーン印刷後に溶肢は適宜に蒸
発する。
を用いたが、かかる溶液の種類についてＣよ特に制限は
なく、また溶液なしで形成可能ならば使用しなくてもよ
い。この際本例ではスクリーン印刷後に溶肢は適宜に蒸
発する。
実施例２
第５図に示すように、基体ｌとして用いたポリエステル
フィルム（厚さ約１００μＩＩ１）の上にＩＴＯ膜２ａ
（厚さ４００〜５００Ａ）を成膜し、更にその上にＺｎ
０１［＠２ｈ（厚さ４００〜５００Ａ）を成膜した透明
電極を用いて実施例ｌに従って分散型ＥＬ素子を作製し
た場合と、同じく基体ｌの上にＩＴＯ膜（厚さ８００〜
９００Ａ）のみを成膜した透明電極を用いて同様に分散
型ＥＬ素子を作製した場合、とについて実施例ｌの３つ
の駆動環境下で４００１−１ｚ，１００Ｖの正弦波電圧
を印加し連続点灯した時の劣化を比較すると、透明電極
としてＩＴＯＩｌｉのみのものは早期に黒化現象が発生
したが、本発明にかかる２層構造の透明電極を用いた分
散型ＥＬ素子は、１０００時間経過後も黒化現象は発生
していなかった。
フィルム（厚さ約１００μＩＩ１）の上にＩＴＯ膜２ａ
（厚さ４００〜５００Ａ）を成膜し、更にその上にＺｎ
０１［＠２ｈ（厚さ４００〜５００Ａ）を成膜した透明
電極を用いて実施例ｌに従って分散型ＥＬ素子を作製し
た場合と、同じく基体ｌの上にＩＴＯ膜（厚さ８００〜
９００Ａ）のみを成膜した透明電極を用いて同様に分散
型ＥＬ素子を作製した場合、とについて実施例ｌの３つ
の駆動環境下で４００１−１ｚ，１００Ｖの正弦波電圧
を印加し連続点灯した時の劣化を比較すると、透明電極
としてＩＴＯＩｌｉのみのものは早期に黒化現象が発生
したが、本発明にかかる２層構造の透明電極を用いた分
散型ＥＬ素子は、１０００時間経過後も黒化現象は発生
していなかった。
これは透明電極内にＩＴＯ膜が存在しても発光層と接触
していなければ還元されることは無く、すなわち黒化現
象が発光層と透明電極との界面で発生していることを示
すものであり、第■族や第■族の元素を不純物として添
加していないＺｎＯ膜を保護膜としても使用できること
を表示すものである。
していなければ還元されることは無く、すなわち黒化現
象が発光層と透明電極との界面で発生していることを示
すものであり、第■族や第■族の元素を不純物として添
加していないＺｎＯ膜を保護膜としても使用できること
を表示すものである。
又、第■族や第■族の元素を不純物として添加した酸化
亜鉛膜を多層化した場合においてら、その保護膜として
の有効性が確認できた。
亜鉛膜を多層化した場合においてら、その保護膜として
の有効性が確認できた。
実施例３
絶縁層を形成するに際し、有機物分子結着剤としてンア
ノエチルプルランｌＯ重量部と、ンアノエチルサッカロ
ース２０重量部をジメチルホルムアミド溶肢４０重量部
に加熱溶解したものと、ＢａＴｉｏ．７０重量部とを用
い、発光層を形成するに際し前記同様の有機高分子結着
剤（ンアノエチルブルラン・シアノエチルサッカルース
：ノメチルホルムアミトが１０ ２０・４０重量部のも
の）１００重量部と、ＺｎＳ ：Ｃｕ蛍光体８０〜９０
重量部と、を用いる以外は実施例１と同様にして分散型
ＥＬＸ子を作製した場合において、その透明電極がＩＴ
Ｏ膜である場合と、ＺｎＯ：／Ｍ！膜である場合に実施
例ｌの３つの駆動環境下で４００ＨＺ，１００Ｖの正弦
波電圧を印加して連続点灯した場合の劣化を比較すると
、ＩＴＯ膜を用いた分散型元素ＩＥ Ｌ素子は早期に黒
化現象が発生していたが、ＺｎＯ：ＡＱ膜を用いた素子
は１０００時間経過後ら黒化現象は発生していなかった
。これはＺｎＯＡＱ膜の侵位性が高分子結着剤の種類に
よらず認められることを示すものである。
ノエチルプルランｌＯ重量部と、ンアノエチルサッカロ
ース２０重量部をジメチルホルムアミド溶肢４０重量部
に加熱溶解したものと、ＢａＴｉｏ．７０重量部とを用
い、発光層を形成するに際し前記同様の有機高分子結着
剤（ンアノエチルブルラン・シアノエチルサッカルース
：ノメチルホルムアミトが１０ ２０・４０重量部のも
の）１００重量部と、ＺｎＳ ：Ｃｕ蛍光体８０〜９０
重量部と、を用いる以外は実施例１と同様にして分散型
ＥＬＸ子を作製した場合において、その透明電極がＩＴ
Ｏ膜である場合と、ＺｎＯ：／Ｍ！膜である場合に実施
例ｌの３つの駆動環境下で４００ＨＺ，１００Ｖの正弦
波電圧を印加して連続点灯した場合の劣化を比較すると
、ＩＴＯ膜を用いた分散型元素ＩＥ Ｌ素子は早期に黒
化現象が発生していたが、ＺｎＯ：ＡＱ膜を用いた素子
は１０００時間経過後ら黒化現象は発生していなかった
。これはＺｎＯＡＱ膜の侵位性が高分子結着剤の種類に
よらず認められることを示すものである。
実施例４
第ｌ図における絶縁層４としてポリエステルフィルム（
厚さ６〜７μｆｆｌ）、更にこのポリエステルフィルム
絶縁層上に背面電極５としてＡｇペースト（ＡｇＷ！．
粒子をポリエステル系樹脂バインダーと有機溶剤とに分
散せしめたペースト状の導電性塗料）をスクリーン印刷
により塗工せしめたもの（有機溶剤は気化する）を用い
て実施例ｌと同様に分散型ＥＬ素子を作製した場合にお
いて、その透明電極がＩＴＯ膜である場合と、ＺｎＯ
：Ａｌ２膜である場合の２種類について実施例ｌの３つ
の駆動環境下で４００Ｈｚ．１００Ｖの正弦波電圧を印
加して連続点灯した時め劣化を比較すると、ＩＴＯ膜を
用いた分散型ＥＬ素子は早期に黒化現象が発生していた
が、ＺｎＯ：Ａｔ）膜を用いた素子は１２００時間経過
後も黒化現象は発生していなかった。これはＺｎＯ・Ａ
＆膜の優位性が絶縁層の種類によらず認められろことを
示すものである。
厚さ６〜７μｆｆｌ）、更にこのポリエステルフィルム
絶縁層上に背面電極５としてＡｇペースト（ＡｇＷ！．
粒子をポリエステル系樹脂バインダーと有機溶剤とに分
散せしめたペースト状の導電性塗料）をスクリーン印刷
により塗工せしめたもの（有機溶剤は気化する）を用い
て実施例ｌと同様に分散型ＥＬ素子を作製した場合にお
いて、その透明電極がＩＴＯ膜である場合と、ＺｎＯ
：Ａｌ２膜である場合の２種類について実施例ｌの３つ
の駆動環境下で４００Ｈｚ．１００Ｖの正弦波電圧を印
加して連続点灯した時め劣化を比較すると、ＩＴＯ膜を
用いた分散型ＥＬ素子は早期に黒化現象が発生していた
が、ＺｎＯ：Ａｔ）膜を用いた素子は１２００時間経過
後も黒化現象は発生していなかった。これはＺｎＯ・Ａ
＆膜の優位性が絶縁層の種類によらず認められろことを
示すものである。
［発明の効果］
従来にみられるＩＴＯ膜を透明電極として使用した分散
型ＥＬ素子では、連続点灯した場合発光層との界面で黒
化現象が発生ずる。しかし、ＩＴＯ膜に替えてＺｎＯ系
膜を使用することにより、そのような黒化現象が抑えら
れ、輝度の経時低下ら遅くなり、長寿命化を図ることが
でき、非常に優れた特性を持つ分散型ＥＬ素子を提供す
ることができる。
型ＥＬ素子では、連続点灯した場合発光層との界面で黒
化現象が発生ずる。しかし、ＩＴＯ膜に替えてＺｎＯ系
膜を使用することにより、そのような黒化現象が抑えら
れ、輝度の経時低下ら遅くなり、長寿命化を図ることが
でき、非常に優れた特性を持つ分散型ＥＬ素子を提供す
ることができる。
第１図は本発明に係わる分散型ＥＬ素子の一実施例を示
す断面図、第２図，第３図及び第４図は、第１図図示の
ＥＬ素子のそれぞれの３つの環境下における輝度の経時
変化を示す図、第５図は本発明に係わる分散型ＥＬ素子
の別の実施例を示す断面図である。 透明基体、 ２・・・透明電極、 ２ａ・・・ＩＴＯ膜、 ２ｂ・・ＺｎＯ膜、 ３・・発光層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・背面電極。
す断面図、第２図，第３図及び第４図は、第１図図示の
ＥＬ素子のそれぞれの３つの環境下における輝度の経時
変化を示す図、第５図は本発明に係わる分散型ＥＬ素子
の別の実施例を示す断面図である。 透明基体、 ２・・・透明電極、 ２ａ・・・ＩＴＯ膜、 ２ｂ・・ＺｎＯ膜、 ３・・発光層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・背面電極。
Claims (6)
- （１）基体上に酸化亜鉛透明導電膜を透明電極として形
成し、該透明電極上に、蛍光体を有機高分子結着剤中に
分散させてなる発光層、絶縁層及び背面電極の順序に積
層したことを特徴とする分散型エレクトロルミネッセン
ス素子。 - （２）基体上にIII族元素及びIV族元素の群から選ばれ
た少なくとも１種の元素を不純物として添加した酸化亜
鉛透明導電膜を透明電極として形成し、該透明電極上に
、蛍光体を有機高分子結着剤中に分散させてなる発光層
、絶縁層及び背面電極の順序に積層したことを特徴とす
る分散型ＥＬ素子。 - （３）酸化亜鉛透明導電膜と、III族元素及びIV族元素
の群から選ばれた少なくとも１種の元素を不純物として
添加した酸化亜鉛透明導電膜との二層もしくは二層以上
の多層からなり、かつ前記層の積層順が限定されない構
成を有する透明電極を基体上に形成し、該透明電極上に
、蛍光体を有機高分子結着剤中に分散させてなる発光層
、絶縁層及び背面電極の順序に積層したことを特徴とす
る分散型エレクトロルミネッセンス素子。 - （４）酸化亜鉛透明導電膜におけるIII族元素および／
又はIV族元素の含有率が、亜鉛原子に対し０．１ないし
２０原子％である、請求の範囲第２項あるいは第３項記
載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。 - （５）透明電極が形成される基体が、透明ガラスもしく
は透明プラスチックである請求範囲第１項ないし第３項
のいずれかに記載の分散型エレクトロルミネッセンス素
子。 - （６）基体上に、インジウム・スズ酸化薄膜を形成し、
該薄膜上に酸化亜鉛透明導電膜もしくはIII族元素及び
IV族元素の群から選ばれた少なくとも１種の元素を不純
物として添加した酸化亜鉛透明導電膜またはこれらの二
層もしくは二層以上からなる多層膜を形成し、これらを
透明電極とした構成を有する請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の分散型エレクトロルミネッセン
ス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186885A JP2758660B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186885A JP2758660B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353495A true JPH0353495A (ja) | 1991-03-07 |
| JP2758660B2 JP2758660B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=16196390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186885A Expired - Fee Related JP2758660B2 (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758660B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498296U (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-25 | ||
| JPH05174975A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-07-13 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子 |
| JPH0645291U (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | 日本精機株式会社 | Ｅｌ素子 |
| JP2007204136A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Nittsu Shoji Co Ltd | 廃棄物の搬送用コンテナ |
| WO2008105198A1 (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 導電膜および導電膜の製造方法 |
| JP2016515294A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-05-26 | ピーピージー・インダストリーズ・オハイオ・インコーポレイテッドＰＰＧ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ Ｏｈｉｏ，Ｉｎｃ． | 有機発光ダイオード及びソーラーデバイスのための透明導電性酸化物コーティング |
| JPWO2015119240A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-30 | リンテック株式会社 | 透明導電性積層体、透明導電性積層体の製造方法、及び透明導電性積層体を用いてなる電子デバイス |
| JP2018195512A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 有機ｅｌ素子 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6176695U (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-23 | ||
| JPS61198592A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-02 | 株式会社村田製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS62122011A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | 株式会社リコー | 透明導電膜の製造方法 |
| JPS63245889A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | 株式会社村田製作所 | 電界発光素子およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1186885A patent/JP2758660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2018195512A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 有機ｅｌ素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2758660B2 (ja) | 1998-05-28 |
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