JPH0353703A - 電子部品の端子構造 - Google Patents
電子部品の端子構造Info
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- JPH0353703A JPH0353703A JP1189572A JP18957289A JPH0353703A JP H0353703 A JPH0353703 A JP H0353703A JP 1189572 A JP1189572 A JP 1189572A JP 18957289 A JP18957289 A JP 18957289A JP H0353703 A JPH0353703 A JP H0353703A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P9/00—Delay lines of the waveguide type
- H01P9/006—Meander lines
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子部品の端子構造に係り.例えば,周波数I
GHz以上5GH2程度又はそれ以上の超高周波帯に及
ぶ超高速信号を扱うインピーダンス回路を有する電子部
品の端子構造の改良に関する。
GHz以上5GH2程度又はそれ以上の超高周波帯に及
ぶ超高速信号を扱うインピーダンス回路を有する電子部
品の端子構造の改良に関する。
従来,この種の電子部品,例えば超高速電磁遅延線は.
長方形の誘電体基板の裏面に接地電極を形戒する一方.
矩形状に折り返した導線路をその誘電体基板の表面に接
地電極と対向するように形成し,それら導線路や接地電
極に接続された端子板をその誘電体基板の端部から突出
させた構成を有していた。
長方形の誘電体基板の裏面に接地電極を形戒する一方.
矩形状に折り返した導線路をその誘電体基板の表面に接
地電極と対向するように形成し,それら導線路や接地電
極に接続された端子板をその誘電体基板の端部から突出
させた構成を有していた。
このような電磁遅延線は,遅延線素子としての折り返し
導線路が例えば50Ωの超高速インピーダンス線路を形
戒するから.この電磁遅延線を搭載する電子機器のプリ
ント基板に例えば50Ωのマイクロストリソプの如きイ
ンピーダンス線路を形成し.このプリント基板のインピ
ーダンス線路に端子板を半田付けして良好なマノチング
状態で接続されるようにはなっている。
導線路が例えば50Ωの超高速インピーダンス線路を形
戒するから.この電磁遅延線を搭載する電子機器のプリ
ント基板に例えば50Ωのマイクロストリソプの如きイ
ンピーダンス線路を形成し.このプリント基板のインピ
ーダンス線路に端子板を半田付けして良好なマノチング
状態で接続されるようにはなっている。
しかし,上述したように端子板を有する電磁遅延線では
,その端子板がインダクタンス威分を有するので例えば
50Ωのインピーダンス線路になり難く端子板のインピ
ーダンスを考慮に入れない場合が多い。
,その端子板がインダクタンス威分を有するので例えば
50Ωのインピーダンス線路になり難く端子板のインピ
ーダンスを考慮に入れない場合が多い。
そのため,電磁遅延線の折り返し導線路の周波数特性が
良奸であっても,実際には端子板部分でミス・マソチン
グが生して周波数特性が劣化し電磁遅延線としての超高
速特性が得られない傾向があった。
良奸であっても,実際には端子板部分でミス・マソチン
グが生して周波数特性が劣化し電磁遅延線としての超高
速特性が得られない傾向があった。
もっとも,端子板に誘電体を介して接地電極を対面させ
.端子板と接地電極間に分布容量を持たせることで端子
板をマイクロストリップの如きインピーダンス線路とし
,端子板におけるミス・マノチングを防ぐ提案もなされ
ている。
.端子板と接地電極間に分布容量を持たせることで端子
板をマイクロストリップの如きインピーダンス線路とし
,端子板におけるミス・マノチングを防ぐ提案もなされ
ている。
しかし,この構成では.端子板に誘電体や接地電極を形
成する必要があるうえ組立が面倒で.改善すべき余地が
ある。
成する必要があるうえ組立が面倒で.改善すべき余地が
ある。
本発明はこのような状況の下になされたもので,超高速
信号を扱う電子部品の端子板部分で超高速信号を減衰や
反射なく入出力することが可能で,何等の特殊部品を使
用することなく構造が極めて簡単かつ組立が容易な安価
な電子部品の端子構造を提供するものである。
信号を扱う電子部品の端子板部分で超高速信号を減衰や
反射なく入出力することが可能で,何等の特殊部品を使
用することなく構造が極めて簡単かつ組立が容易な安価
な電子部品の端子構造を提供するものである。
このような課題を解決するために本発明の第lの構戒は
.インピーダンス回路を形成した電子部品の本体基板の
そのインピーダンス回路に信号端子板の一端を接続して
その本体基板から突出させ.その本体基板の接地回路に
接地端子板の一端部を接続して同様に突出させるととも
にその信号端子板の片側にこれと略同一平面上で間隔G
の空間を置いてその接地端子板を配列し,それら信号端
子板および接地端子板の各々の他端から信号端子板およ
び接地端子板より狭い幅で外部接続片を一体的に突設さ
せ,少なくとも上記信号端子板および接地端子板間に固
体誘電体を介在させてなり,特に,その間隔Gを0.1
mm−0.6mmに設定してなるものである。
.インピーダンス回路を形成した電子部品の本体基板の
そのインピーダンス回路に信号端子板の一端を接続して
その本体基板から突出させ.その本体基板の接地回路に
接地端子板の一端部を接続して同様に突出させるととも
にその信号端子板の片側にこれと略同一平面上で間隔G
の空間を置いてその接地端子板を配列し,それら信号端
子板および接地端子板の各々の他端から信号端子板およ
び接地端子板より狭い幅で外部接続片を一体的に突設さ
せ,少なくとも上記信号端子板および接地端子板間に固
体誘電体を介在させてなり,特に,その間隔Gを0.1
mm−0.6mmに設定してなるものである。
また.本発明の第2の構成は.インピーダンス回路を形
成した電子部品の本体基板のそのインピーダンス回路に
信号端子板の一端を接続してその本体基板から突出させ
,その本体基板の接地回路に接地端子板の一端部を接続
して同様に突出させその信号端子板と略同一平面上でそ
の信号端子板の両側に間隔Gの空間を置いて接地端子板
を配列し,それら信号端子板および接地端子板の各々の
他端から信号端子板および接地端子板より狭い幅で外部
接続片を一体的に突設させ,少なくとも上記信号端子板
および接地端子板間に固体誘電体を介在させてなり,そ
の間隔Gを0.1mm−1mmに設定してなるものであ
る. そして,第2の構威においては,少なくとも上記信号端
子板および接地端子板間に固体誘電体を介在させ.上記
間隔Gを0 . 2 mm 〜1 . 5 mmの
範囲に設定可能である。
成した電子部品の本体基板のそのインピーダンス回路に
信号端子板の一端を接続してその本体基板から突出させ
,その本体基板の接地回路に接地端子板の一端部を接続
して同様に突出させその信号端子板と略同一平面上でそ
の信号端子板の両側に間隔Gの空間を置いて接地端子板
を配列し,それら信号端子板および接地端子板の各々の
他端から信号端子板および接地端子板より狭い幅で外部
接続片を一体的に突設させ,少なくとも上記信号端子板
および接地端子板間に固体誘電体を介在させてなり,そ
の間隔Gを0.1mm−1mmに設定してなるものであ
る. そして,第2の構威においては,少なくとも上記信号端
子板および接地端子板間に固体誘電体を介在させ.上記
間隔Gを0 . 2 mm 〜1 . 5 mmの
範囲に設定可能である。
このような手段を備えた第1の構威では,固体誘電体を
介して略同一平面上で接地端子板と間隔Gで対向する信
号端子板が所定の特性インピーダンスを有するインピー
ダンス線路部となり,その間隔Gを0.1mm−0.5
mmに設定することによって.実用的な寸法関係で一般
的な特性インピーダンス値が得られる。
介して略同一平面上で接地端子板と間隔Gで対向する信
号端子板が所定の特性インピーダンスを有するインピー
ダンス線路部となり,その間隔Gを0.1mm−0.5
mmに設定することによって.実用的な寸法関係で一般
的な特性インピーダンス値が得られる。
また,本発明の第2の構成では,空隙を介して略同一平
面上で接地端子板と間隔Gで対向する信号端子板が所定
の特性インピーダンスを有するインピーダンス線路部と
なり,その間隔GをO.lmm〜1mmに設定すること
によって.実用的な寸法関係で一般的な特性インピーダ
ンス値が得られる。
面上で接地端子板と間隔Gで対向する信号端子板が所定
の特性インピーダンスを有するインピーダンス線路部と
なり,その間隔GをO.lmm〜1mmに設定すること
によって.実用的な寸法関係で一般的な特性インピーダ
ンス値が得られる。
しかも,第2の構威において信号端子板とその両側の接
地端子板間に固体誘電体に介在させる場合には.間隔G
を0.2mm−1.5mmの範囲に設定することができ
る. 〔実 施 例〕 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
地端子板間に固体誘電体に介在させる場合には.間隔G
を0.2mm−1.5mmの範囲に設定することができ
る. 〔実 施 例〕 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図〜第3図は本発明に係る第1の構戒のー例を示す
要部分解斜視図および断面図である。便宜上,電子部品
として電磁遅延線を例にして説明している。
要部分解斜視図および断面図である。便宜上,電子部品
として電磁遅延線を例にして説明している。
図において,誘電体からなる長方形の本体基板1の裏面
には接地電極(第1図では隠れて見えない)が形成され
ており,表面には導線路を矩形状に折り返してなるイン
ピーダンス回路としての折り返し線路3が接地電極と対
向するように形成されている。
には接地電極(第1図では隠れて見えない)が形成され
ており,表面には導線路を矩形状に折り返してなるイン
ピーダンス回路としての折り返し線路3が接地電極と対
向するように形成されている。
本体基板lの表面における四隅には接続パターン5a,
5L+,5c,5dが形成され.これら接続パターン5
a〜5dを通り本体基板1を貫通する挿通孔7a,7b
.7c,7dが形或され,例えば接続パターン5a,5
b側を人力側に.接続パターン5c,5d側が出力側に
なっている。
5L+,5c,5dが形成され.これら接続パターン5
a〜5dを通り本体基板1を貫通する挿通孔7a,7b
.7c,7dが形或され,例えば接続パターン5a,5
b側を人力側に.接続パターン5c,5d側が出力側に
なっている。
折り返し線路3の一端が接続パターン5aに他端が接続
パターン5cに接続されており.接続パターン5b,5
dは挿通孔7b,7d内のスルーホール(図示せず)を
介して上記接地電極と接続されている。
パターン5cに接続されており.接続パターン5b,5
dは挿通孔7b,7d内のスルーホール(図示せず)を
介して上記接地電極と接続されている。
本体基板1の挿通孔7a,7bには,人力側の信号端子
板9と接地端子板11の一端(図中上端)から突出する
細く短い接続片9a.llaが挿入され,接続パターン
5a,5bに半田付け接続されており,挿通孔7c,7
dには出力側の信号端子板l3と接地端子板l5の一端
から突出する細く短い接続片13a,15aが挿入され
.接続パターン5c,5dに半田付け接続されている。
板9と接地端子板11の一端(図中上端)から突出する
細く短い接続片9a.llaが挿入され,接続パターン
5a,5bに半田付け接続されており,挿通孔7c,7
dには出力側の信号端子板l3と接地端子板l5の一端
から突出する細く短い接続片13a,15aが挿入され
.接続パターン5c,5dに半田付け接続されている。
入力側の信号端子板9と接地端子板11は各々幅W寸法
を有し信号端子板9の片側に間隔Gの空隙を隔てて略同
一平面上に配列されており,各々接続片9a,llaの
付け根部分でそれら信号端子板9と接地端子板l1が外
方へ屈曲されて本体基板lから突出するように固定され
ている。
を有し信号端子板9の片側に間隔Gの空隙を隔てて略同
一平面上に配列されており,各々接続片9a,llaの
付け根部分でそれら信号端子板9と接地端子板l1が外
方へ屈曲されて本体基板lから突出するように固定され
ている。
本体基板lから突出した信号端子板9と接地端子板1l
の先端すなわち他端には,電磁遅延線を搭載する電子機
器のプリント基板に形成された接続パターン(図示せず
)に載置して半田付けする細く短い外部接続片9b,l
lbが一体的に屈曲した状態で突設されている。
の先端すなわち他端には,電磁遅延線を搭載する電子機
器のプリント基板に形成された接続パターン(図示せず
)に載置して半田付けする細く短い外部接続片9b,l
lbが一体的に屈曲した状態で突設されている。
出力側の信号端子板13と接地端子板15も同様に各々
幅Wの寸法を有し.外方へ屈曲されて本体基板lから突
出するとともに間隔Gの空隙を隔てて略同一平面上に配
列されており,他端から外部接続片13b,15bが一
体的に突設されている。
幅Wの寸法を有し.外方へ屈曲されて本体基板lから突
出するとともに間隔Gの空隙を隔てて略同一平面上に配
列されており,他端から外部接続片13b,15bが一
体的に突設されている。
本発明は,信号端子板9.13において接続片9a.1
3a,外部接続片9b,13bを除いた部分と接地端子
板11.15との間でインピーダンス線路(イ)を形成
するものであり,主にこれら信号端子板9,13と接地
端子板11.15間の間隔Gの選定について特徴を有す
るものであり.詳細は後述する。
3a,外部接続片9b,13bを除いた部分と接地端子
板11.15との間でインピーダンス線路(イ)を形成
するものであり,主にこれら信号端子板9,13と接地
端子板11.15間の間隔Gの選定について特徴を有す
るものであり.詳細は後述する。
信号端子板9,13や接地端子板11.15は,第4図
に示すように,例えば燐青銅板から枠部l7aや連結片
17bによって連結された状態で打抜き戒形されたリー
ドフレーム17を用い.外部接続片9b−15bの途中
を折り立てて.第5図のように信号端子板9.13や接
地端子板11,l5の接続片9a〜15aを本体基板1
に接続した後,枠部17aや連結片17bを,第4図中
の一点鎖線部分で切断分離して製造される。
に示すように,例えば燐青銅板から枠部l7aや連結片
17bによって連結された状態で打抜き戒形されたリー
ドフレーム17を用い.外部接続片9b−15bの途中
を折り立てて.第5図のように信号端子板9.13や接
地端子板11,l5の接続片9a〜15aを本体基板1
に接続した後,枠部17aや連結片17bを,第4図中
の一点鎖線部分で切断分離して製造される。
信号端子板9,13や接地端子板11.15の接続され
た本体基Fi1は.第2図および第3図に示すように,
有底の箱型ケース19に充填された充填剤21内に埋設
するようにして収納されており,ケース17の開口部側
すなわち本体基板1の裏面側は底蓋23で覆われている
。
た本体基Fi1は.第2図および第3図に示すように,
有底の箱型ケース19に充填された充填剤21内に埋設
するようにして収納されており,ケース17の開口部側
すなわち本体基板1の裏面側は底蓋23で覆われている
。
従って,信号端子板9,13,接地端子体11.l5間
にも充填剤21が固定誘電体として介在しており,外部
接続片9b−15bのみが充填剤21およびケース17
から突出している。
にも充填剤21が固定誘電体として介在しており,外部
接続片9b−15bのみが充填剤21およびケース17
から突出している。
第1図中の符号25は外部接続片9b,llbが突出す
るための切欠きであり.第6図は製品としての概観形態
を示している。
るための切欠きであり.第6図は製品としての概観形態
を示している。
次に,上述した本発明に係る構戒について検討する。
一般に.誘電体を介して導線路どうしを対向させるとイ
ンピーダンス線路が形成されるが,本発明者は外部接続
用の端子板付き電磁遅延線についてその端子板の幅や互
いの配置関係について種々検討し,次の様な点に着目し
た。
ンピーダンス線路が形成されるが,本発明者は外部接続
用の端子板付き電磁遅延線についてその端子板の幅や互
いの配置関係について種々検討し,次の様な点に着目し
た。
すなわち,例えば信号端子板9で得られる特性インピー
ダンスは,信号端子板9や接地端子板11の板厚や幅W
,信号端子板9や接地端子板l1間の間隔Gおよびその
間の比誘電率の関数として得られるが.一般的な傾向と
して板厚,幅Wおよび比誘電率を増すと特性インピーダ
ンスが低くなり,間隔Gを増すと特性インピーダンスが
高くなる。
ダンスは,信号端子板9や接地端子板11の板厚や幅W
,信号端子板9や接地端子板l1間の間隔Gおよびその
間の比誘電率の関数として得られるが.一般的な傾向と
して板厚,幅Wおよび比誘電率を増すと特性インピーダ
ンスが低くなり,間隔Gを増すと特性インピーダンスが
高くなる。
そして,通常の伝送線路として使用される50Ω又は7
5Ωの特性インピーダンスを有する端子板が,通常加工
の容易なある寸法範囲において得られることを見い出し
た。
5Ωの特性インピーダンスを有する端子板が,通常加工
の容易なある寸法範囲において得られることを見い出し
た。
本発明者は,第1の構戒において厚み0.25mm,幅
2.2mmの信号端子板9と接地端子板1lを用い,信
号端子板9と接地端子Fj.11間の比誘電率が1 (
空気)と約3.5 (エポキシ合威樹脂)の場合につい
て,その間隔Gを変化させて特性インピーダンスを測定
し,第7図に示すような結果を得た。
2.2mmの信号端子板9と接地端子板1lを用い,信
号端子板9と接地端子Fj.11間の比誘電率が1 (
空気)と約3.5 (エポキシ合威樹脂)の場合につい
て,その間隔Gを変化させて特性インピーダンスを測定
し,第7図に示すような結果を得た。
第7図中の符号Aは信号端子板9と接地端子板11間を
空隙とした場合の特性インピーダンスの傾向特性であり
,符号Bはエボキシ合威樹脂を介在させた場合の特性イ
ンピーダンスの傾向特性である。なお,信号端子板13
と接地端子板15間についても同様である。
空隙とした場合の特性インピーダンスの傾向特性であり
,符号Bはエボキシ合威樹脂を介在させた場合の特性イ
ンピーダンスの傾向特性である。なお,信号端子板13
と接地端子板15間についても同様である。
第7図から分かるように,信号端子板9と接地端子板1
1間が空隙の場合に50Ωの特性インピーダンスを実現
するには,間隔Gを0.045mm程度にしなければな
らいないとHe定される。
1間が空隙の場合に50Ωの特性インピーダンスを実現
するには,間隔Gを0.045mm程度にしなければな
らいないとHe定される。
このような狭い間隔で信号端子板9と接地端子板11を
配置すると,信号端子板9と接地端子板11には外部か
ら力が加わり易いことからして,高い精度を保った状態
で恥造することは困難である。
配置すると,信号端子板9と接地端子板11には外部か
ら力が加わり易いことからして,高い精度を保った状態
で恥造することは困難である。
他方.信号端子板9と接地端子板11間にエボキシ合或
樹脂のような固体誘電体を介在させた場合,50Ωの特
性インピーダンスを得るには約O.13mmとなり.実
現可能な寸法関係となる。
樹脂のような固体誘電体を介在させた場合,50Ωの特
性インピーダンスを得るには約O.13mmとなり.実
現可能な寸法関係となる。
また,信号端子板9と接地端子板11間にエポキシ合成
樹脂を介在させた構戒で,75Ωの特性インピーダンス
を得るには間隔GをQ.3mm程度にすればよいことが
分かる。
樹脂を介在させた構戒で,75Ωの特性インピーダンス
を得るには間隔GをQ.3mm程度にすればよいことが
分かる。
しかも.エボキシ合成樹脂で信号端子板9と接地端子板
11が固定されているので,外圧による変形が抑えられ
,安定した特性が得られる。
11が固定されているので,外圧による変形が抑えられ
,安定した特性が得られる。
一方,電子機器内のプリント基板に搭載される電子部品
の端子板の厚みは.近年では薄くなる傾向にあって実用
的には最大でも0.25mm程度であるし,端子板間の
標準ピッチは2.54mmであることから端子板の@W
も2.2mmはかなり広い値であるから.厚み0.25
mmで幅2.2mmの端子板は実用上の一応の限界に近
い寸法値であると考えられる。
の端子板の厚みは.近年では薄くなる傾向にあって実用
的には最大でも0.25mm程度であるし,端子板間の
標準ピッチは2.54mmであることから端子板の@W
も2.2mmはかなり広い値であるから.厚み0.25
mmで幅2.2mmの端子板は実用上の一応の限界に近
い寸法値であると考えられる。
また,特性インピーダンスもGHz帯での使用を考える
と,iffi常は50Ωであり.高くても75Ωと考え
てよい。
と,iffi常は50Ωであり.高くても75Ωと考え
てよい。
さらに,超高周波用の誘電体として,上述したエポキシ
合威樹脂は大きいもので比誘電率が5であって損失が大
きいとされている一方,損失は少ないが比誘電率の小さ
いふっ素樹脂のそれは約2であるが,以下の理由によっ
てエポキシ合威樹脂は有用であり,比誘電率が5は実質
的に最大の値に近<,3.5程度は一般的な値と言える
。
合威樹脂は大きいもので比誘電率が5であって損失が大
きいとされている一方,損失は少ないが比誘電率の小さ
いふっ素樹脂のそれは約2であるが,以下の理由によっ
てエポキシ合威樹脂は有用であり,比誘電率が5は実質
的に最大の値に近<,3.5程度は一般的な値と言える
。
すなわち,エボキシ合戒樹脂は熱硬化性樹脂として電子
部品に最も広く使用されており.本発明の実施において
も注形硬化特性を生して間隔Gを一定に保つ目的に最も
適している。
部品に最も広く使用されており.本発明の実施において
も注形硬化特性を生して間隔Gを一定に保つ目的に最も
適している。
しかも,超高周波損失が多いとされる点も.本発明のよ
うにインピーダンス線路としての信号端子板9,13の
長さが長くない場合には殆ど問題とならず,エボキシ樹
脂は誘電体として最も実用的である。
うにインピーダンス線路としての信号端子板9,13の
長さが長くない場合には殆ど問題とならず,エボキシ樹
脂は誘電体として最も実用的である。
従って.信号端子板9とこの片側に配置した接地端子F
j.llとの間に固体誘電体が介在する場合,その間隔
Gは誤差やばらつき等を考慮して0. 1mm〜0.
6mmの範囲に選定すれば.通常の特性インピーダンス
を有するインピーダンス線路部が形成される。
j.llとの間に固体誘電体が介在する場合,その間隔
Gは誤差やばらつき等を考慮して0. 1mm〜0.
6mmの範囲に選定すれば.通常の特性インピーダンス
を有するインピーダンス線路部が形成される。
もっとも.比誘電率3.5程度のエボキシ合威樹脂を固
体誘電体として用いる場合には,間隔GをQ.1mm〜
0.4mmの範囲に選定することが好ましいであろう。
体誘電体として用いる場合には,間隔GをQ.1mm〜
0.4mmの範囲に選定することが好ましいであろう。
このように,信号端子Fj.9.13と接地端子板11
.15間に固体誘電体を介在させるとともに間隔Gを0
.1mm〜0.6mmの範囲に選定する構成では,プリ
ント基板の接続パターンに極めて接近させて伝送特性の
良好なインピーダンス線路としての信号端子板が構成さ
れるので,硝子板部分において超高速信号の減衰や反射
を抑えて超高速信号を出力させることが可能である。
.15間に固体誘電体を介在させるとともに間隔Gを0
.1mm〜0.6mmの範囲に選定する構成では,プリ
ント基板の接続パターンに極めて接近させて伝送特性の
良好なインピーダンス線路としての信号端子板が構成さ
れるので,硝子板部分において超高速信号の減衰や反射
を抑えて超高速信号を出力させることが可能である。
また,特殊な部品を全く使用することなく.通常の端子
板を構戊する例えばリードフレームを用いて良好なイン
ピーダンス線路が得られるので.安価で信頼性が高くそ
の効果は非常に大きい。
板を構戊する例えばリードフレームを用いて良好なイン
ピーダンス線路が得られるので.安価で信頼性が高くそ
の効果は非常に大きい。
なお,信号端子板9.l3や接地端子板1l15の外部
接続片9b,llb,13b,15bはプリント基板の
接続パターンに載置されて半田付されるので.illl
常の電子部品の端子板と同様な寸法になっており.この
部分のインピーダンス特性はプリント基板の接続パター
ンの特性インピーダンスに殆ど左右される。
接続片9b,llb,13b,15bはプリント基板の
接続パターンに載置されて半田付されるので.illl
常の電子部品の端子板と同様な寸法になっており.この
部分のインピーダンス特性はプリント基板の接続パター
ンの特性インピーダンスに殆ど左右される。
この信号端子板をその外部接続片まで同じ間隔Gを保つ
と,半田付け時にショートし易く,プリント基板の接続
パターンの面積を大きくする必要が生じる。これはむし
ろプリント基板の接続パターンと対接地電極間で大きな
静電容量を生じ易く,かえって伝送特性を劣化させるの
で望ましくない。
と,半田付け時にショートし易く,プリント基板の接続
パターンの面積を大きくする必要が生じる。これはむし
ろプリント基板の接続パターンと対接地電極間で大きな
静電容量を生じ易く,かえって伝送特性を劣化させるの
で望ましくない。
ところで,本発明において,折り返し線路を第5図のよ
うに単なる矩形状の導線路を更に折り曲げて形成すると
,隣合う導線路間の負の結合が分散減少して立ち上がり
特性が改善される。
うに単なる矩形状の導線路を更に折り曲げて形成すると
,隣合う導線路間の負の結合が分散減少して立ち上がり
特性が改善される。
第8図は本発明に係る第2の構戒の一例を示すものであ
る。
る。
第l図と同様な折り返し線路3の形成された本体基板l
には,その四隅に加えて接続パターン27a,27bの
間に接続パターン27eが5接続パターン27c,27
dの間に接続パターン27fが形成され.更に,これら
接続パターン27a〜27fを通る挿通孔29a〜29
fが形成されている。
には,その四隅に加えて接続パターン27a,27bの
間に接続パターン27eが5接続パターン27c,27
dの間に接続パターン27fが形成され.更に,これら
接続パターン27a〜27fを通る挿通孔29a〜29
fが形成されている。
なお,接続パターン27e,27fには各々2個ずつ挿
通孔29e,29fが形成されている。
通孔29e,29fが形成されている。
折り返し線路3の一端が接続パターン27eに(th端
が接続パターン27fに接続されており.接続パターン
27a〜27dには挿通孔29a〜29d内のスルーホ
ール(図示せず〉を介して本体基板1の裏面の接地電極
に接続されている。
が接続パターン27fに接続されており.接続パターン
27a〜27dには挿通孔29a〜29d内のスルーホ
ール(図示せず〉を介して本体基板1の裏面の接地電極
に接続されている。
本体基板lの挿通孔29a〜29『には信号端子板33
.39と接地端子板31.35,374lの一端(図中
上端)から突出する細く短い接続片3 1 a, 3
3 a, 3 5 a, 3 7 a, 3
9 a,41aが挿入され,接続パターン27a〜27
【に半田付け接続されている。
.39と接地端子板31.35,374lの一端(図中
上端)から突出する細く短い接続片3 1 a, 3
3 a, 3 5 a, 3 7 a, 3
9 a,41aが挿入され,接続パターン27a〜27
【に半田付け接続されている。
信号端子板33.39は2本の接続片33a39aを有
しており.後述するように組立後にリードフレーム43
の枠部43aを切り離した時これが1本では不安定とな
って間隔Gが正しく保たれなくなるのを防ぐものである
。
しており.後述するように組立後にリードフレーム43
の枠部43aを切り離した時これが1本では不安定とな
って間隔Gが正しく保たれなくなるのを防ぐものである
。
また.信号端子板33.39と接地端子板31,35,
37.41では接続片33a,39aと31 a,
3 5 a, 3 7 a, 4 1 aの長さが
異なっており,本体基板lの挿通孔27a〜27fへの
挿入を容易にしている。
37.41では接続片33a,39aと31 a,
3 5 a, 3 7 a, 4 1 aの長さが
異なっており,本体基板lの挿通孔27a〜27fへの
挿入を容易にしている。
信号端子板33は幅Wを有し接地端子板31,35は幅
Wより僅かに細くなっており,これら信号端子板33,
接地端子板31.35は信号端子板33を挟むようにし
て間隔Gの空隙を隔てて略同一平面上に配列されており
,本体基板lから突出するように固定されている。
Wより僅かに細くなっており,これら信号端子板33,
接地端子板31.35は信号端子板33を挟むようにし
て間隔Gの空隙を隔てて略同一平面上に配列されており
,本体基板lから突出するように固定されている。
信号端子板39と接地端子板37.41も信号端子板3
3および接地端子板31.35と同様になっており.本
体基板lから突出するとともに間隔Gの空隙を隔てて略
同一平面上に配列されている。
3および接地端子板31.35と同様になっており.本
体基板lから突出するとともに間隔Gの空隙を隔てて略
同一平面上に配列されている。
本体基板lから突出した信号端子板33.39と接地端
子板31,35,37.41の先端には外部接続片3l
b,33b,35b,・37b,39b,4lbが一体
的に突設されている。なお,接地端子板37および信号
端子板39の外部接続片37b,39bは見えない。
子板31,35,37.41の先端には外部接続片3l
b,33b,35b,・37b,39b,4lbが一体
的に突設されている。なお,接地端子板37および信号
端子板39の外部接続片37b,39bは見えない。
信号端子板33.39において接続片33a,39aや
外部接続片33b,39bを除いた部分と接地端子板3
1,35,37.41との間でインピーダンス線路(口
)を形成している。
外部接続片33b,39bを除いた部分と接地端子板3
1,35,37.41との間でインピーダンス線路(口
)を形成している。
信号端子板33.39や接地端子板31.35,37.
41は,第9図のように第1の構成と同様な燐青銅板か
ら枠部43aや連結片43bによって連結された状態で
打抜き戒形されたリードフレーム43を用いて製造され
る。
41は,第9図のように第1の構成と同様な燐青銅板か
ら枠部43aや連結片43bによって連結された状態で
打抜き戒形されたリードフレーム43を用いて製造され
る。
そして,第10図に示すように.第1の構戒のケース1
9と同様なケース45を被せて商品化される. このような第2の構威において.厚み0.25mm,幅
2.2mmの信号端子板33と接地端子板31.35を
配置し.信号端子板33と接地端子板31.35間の比
誘電率が1 (空気)と3.5(エポキシ合威樹脂)の
場合について,その間隔Gを変化させて特性インピーダ
ンスを測定すると.第11図に示すようになった。
9と同様なケース45を被せて商品化される. このような第2の構威において.厚み0.25mm,幅
2.2mmの信号端子板33と接地端子板31.35を
配置し.信号端子板33と接地端子板31.35間の比
誘電率が1 (空気)と3.5(エポキシ合威樹脂)の
場合について,その間隔Gを変化させて特性インピーダ
ンスを測定すると.第11図に示すようになった。
第1l図から分かるように,信号端子板33と接地端子
板31.35間を空隙として50Ωの特性インピーダン
スを実現するには.間隔Gを0.2mm程度にすればよ
く.75Ωの特性インピーダンスを実現するには間隔G
をQ,7mm程度にすればよいことが分かる。
板31.35間を空隙として50Ωの特性インピーダン
スを実現するには.間隔Gを0.2mm程度にすればよ
く.75Ωの特性インピーダンスを実現するには間隔G
をQ,7mm程度にすればよいことが分かる。
従って,信号端子板33と接地端子板31,35間や信
号端子板39と接地端子板37.41間を空隙とした場
合,ばらつき等を考慮して間隔Gを0.1mm−1mm
程度にすればよい。
号端子板39と接地端子板37.41間を空隙とした場
合,ばらつき等を考慮して間隔Gを0.1mm−1mm
程度にすればよい。
他方,第2の構戒において.第1の構成と同様に信号端
子板33と接地端子板31.35間にエポキシ合威樹脂
からなる固体誘電体を介在させた構威では,50Ωの特
性インピーダンスを実現するには間隔Gを0.35mm
程度にすればよく,75Ωの特性インピーダンスを実現
するには間隔Gを0.9mm程度にすればよいことが分
かる。
子板33と接地端子板31.35間にエポキシ合威樹脂
からなる固体誘電体を介在させた構威では,50Ωの特
性インピーダンスを実現するには間隔Gを0.35mm
程度にすればよく,75Ωの特性インピーダンスを実現
するには間隔Gを0.9mm程度にすればよいことが分
かる。
従って,この構戒においても構威要素のばらつきや若干
大きい比誘電率を有するエポキシ合成樹脂を用いる場合
も考慮して,間隔GをQ.2mm〜1.5mmの範囲に
選定すればよい。
大きい比誘電率を有するエポキシ合成樹脂を用いる場合
も考慮して,間隔GをQ.2mm〜1.5mmの範囲に
選定すればよい。
このように,信号端子板33の両側に接地端子板31.
35を配置する第2の構或では,第lの構威に比べて同
一間隔Gでも特性インピーダンスが低くなるうえ,信号
端子板33や接地端子板3l,35の機械的強度を向上
させることが容易である. 本発明においては上述したようにリードフレーム17.
43から組立ても良いし,又は予め戊形加工した独立の
端子板を治具を使って組み立てることもできる。
35を配置する第2の構或では,第lの構威に比べて同
一間隔Gでも特性インピーダンスが低くなるうえ,信号
端子板33や接地端子板3l,35の機械的強度を向上
させることが容易である. 本発明においては上述したようにリードフレーム17.
43から組立ても良いし,又は予め戊形加工した独立の
端子板を治具を使って組み立てることもできる。
上述した実施例では超高速特性の得易いフラノトパッケ
ージを例にして説明したが.本発明では外部回路として
のプリント基板の取付孔に信号端子板と接地端子板を挿
入して半田付け接続するデュアル・インライン・パッケ
ージ(D I P)やシングル・インライン・パンケー
ジ(S I P)構造の場合でも実現可能である。
ージを例にして説明したが.本発明では外部回路として
のプリント基板の取付孔に信号端子板と接地端子板を挿
入して半田付け接続するデュアル・インライン・パッケ
ージ(D I P)やシングル・インライン・パンケー
ジ(S I P)構造の場合でも実現可能である。
以上説明したように本発明の第1の構成では本体基板か
ら略同一平面上にて間隔Gで信号端子板および接地端子
板を突出させ,それら信号端子板および接地端子板間に
固体誘電体を介在させるとともにその間隔GをQ,1m
m〜0.6mmに設定してなるので,それら信号端子板
および接地端子板では実用的な寸法関係で一般的な特性
インピーダンス値が得られ,超高速信号を減衰や反射な
く入出力することができる。
ら略同一平面上にて間隔Gで信号端子板および接地端子
板を突出させ,それら信号端子板および接地端子板間に
固体誘電体を介在させるとともにその間隔GをQ,1m
m〜0.6mmに設定してなるので,それら信号端子板
および接地端子板では実用的な寸法関係で一般的な特性
インピーダンス値が得られ,超高速信号を減衰や反射な
く入出力することができる。
従って.端子板に別途誘電体や接地電極等を形成する必
要がなく,何等の特殊部品を使用することなく良好な周
波数特性を得ることが可能であり,構造が簡素化される
うえ組立も容易で安価となる.また.本発明の第2の構
戒では.略同一平面上に間隔Gの空間又は固定誘電体を
介して信号端子板の両側に接地端子板を配列して本体基
板から突出させ,その間隔Gを0.1mm〜1mm又は
0.2mm−■.5mmに設定する構威では.第1の構
威による効果に加え.第1の構成の同し間隔Gに比べて
低い特性インピーダンスを容易に得ることが可能であり
,端子板の強度も良好となる。
要がなく,何等の特殊部品を使用することなく良好な周
波数特性を得ることが可能であり,構造が簡素化される
うえ組立も容易で安価となる.また.本発明の第2の構
戒では.略同一平面上に間隔Gの空間又は固定誘電体を
介して信号端子板の両側に接地端子板を配列して本体基
板から突出させ,その間隔Gを0.1mm〜1mm又は
0.2mm−■.5mmに設定する構威では.第1の構
威による効果に加え.第1の構成の同し間隔Gに比べて
低い特性インピーダンスを容易に得ることが可能であり
,端子板の強度も良好となる。
第1図は本発明に係る電子部品の端子構造の第lの構成
を示す要部分解斜視図,第2図および第3図は第1図の
電子部品の端子構造の縦断面図(第3図は第2図中のY
−Y間断面),第4図は第1図の端子板の製造方法を説
明する図,第5図は端子板と本体基板の接続構或を示す
図.第6図は第lの構威の完戒概観図,第7図は第1の
構威における端子板間の間隔と特性インピーダンスの関
係を示す特性図,第8図は本発明の第2の構戒を示す要
部分解斜視図.第9図は第8図の端子板の製造方法を説
明する図,第10図は第2の構成の完戒概観図,第11
図は第2の構威における端子板間の間隔と特性インピー
ダンスの関係を示す特性図である。 l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・本体基板3,3a・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・折り返
し線路5 a〜5 d, 2 7 a 〜2 7 f
・・・・・・・・・接続パターン 7a〜7d,29a〜29f・・・挿通孔9,13.3
3.39・・・・・・・・・信号端子板9 b〜15b
,3lb〜4lb ・・・・・・・・・外部接続片 11,15.31,35,37.41 ・・・・・・・・・接地端子板 17.43・−・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・リードフレーム1.9.45・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ケース
2l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・固体誘電体(充填剤)
を示す要部分解斜視図,第2図および第3図は第1図の
電子部品の端子構造の縦断面図(第3図は第2図中のY
−Y間断面),第4図は第1図の端子板の製造方法を説
明する図,第5図は端子板と本体基板の接続構或を示す
図.第6図は第lの構威の完戒概観図,第7図は第1の
構威における端子板間の間隔と特性インピーダンスの関
係を示す特性図,第8図は本発明の第2の構戒を示す要
部分解斜視図.第9図は第8図の端子板の製造方法を説
明する図,第10図は第2の構成の完戒概観図,第11
図は第2の構威における端子板間の間隔と特性インピー
ダンスの関係を示す特性図である。 l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・本体基板3,3a・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・折り返
し線路5 a〜5 d, 2 7 a 〜2 7 f
・・・・・・・・・接続パターン 7a〜7d,29a〜29f・・・挿通孔9,13.3
3.39・・・・・・・・・信号端子板9 b〜15b
,3lb〜4lb ・・・・・・・・・外部接続片 11,15.31,35,37.41 ・・・・・・・・・接地端子板 17.43・−・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・リードフレーム1.9.45・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ケース
2l・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・固体誘電体(充填剤)
Claims (3)
- (1)インピーダンス回路を形成した電子部品の本体基
板と, 一端部を前記インピーダンス回路に接続して前記本体基
板から突出された板状の信号端子板と,前記本体基板の
接地回路に一端部を接続して前記本体基板から突出され
,かつ前記信号端子板の片側にこれと略同一平面上に間
隔Gの空間を置いて配列された板状の接地端子板と, 前記信号端子板および接地端子板の各々の他端から前記
信号端子板および接地端子板より狭い幅で一体的に突設
された外部接続片と, 少なくとも前記信号端子板および接地端子板間に介在さ
れた固体誘電体と, を具備する電子部品の端子構造であって, 前記間隔Gが0.1mm〜0.6mmに設定されてなる
ことを特徴とする電子部品の端子構造。 - (2)インピーダンス回路を形成した電子部品の本体基
板と, 一端部を前記インピーダンス回路に接続して前記本体基
板から突出された板状の信号端子板と,前記本体基板の
接地回路に一端部を接続して前記本体基板から突出され
.かつ前記信号端子板と略同一平面上で間隔Gの空間を
置き前記信号端子板を挟んで両側に配列された2枚の板
状の接地端子板と, 前記信号端子板および接地端子板の各々の他端部から前
記信号端子板および接地端子板より狭い幅で一体的に突
設された外部接続部と, を具備する電子部品の端子構造であって, 前記間隔Gが0.1mm〜1mmに設定されてなること
を特徴とする電子部品の端子構造。 - (3)少なくとも前記信号端子板および接地端子板間に
固体誘電体が介在され,前記間隔Gが0.2mm〜1.
5mmに設定されてなる請求項2記載の電子部品の端子
構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189572A JPH0353703A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 電子部品の端子構造 |
| US07/554,888 US5053730A (en) | 1989-07-21 | 1990-07-20 | Terminal structure for electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189572A JPH0353703A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 電子部品の端子構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353703A true JPH0353703A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16243577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189572A Pending JPH0353703A (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 電子部品の端子構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5053730A (ja) |
| JP (1) | JPH0353703A (ja) |
Cited By (1)
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1989
- 1989-07-21 JP JP1189572A patent/JPH0353703A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-20 US US07/554,888 patent/US5053730A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS61234055A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04119108U (ja) * | 1991-04-10 | 1992-10-26 | 株式会社富士通ゼネラル | デイレーライン実装ソケツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5053730A (en) | 1991-10-01 |
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