JPH0353738B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353738B2 JPH0353738B2 JP56016146A JP1614681A JPH0353738B2 JP H0353738 B2 JPH0353738 B2 JP H0353738B2 JP 56016146 A JP56016146 A JP 56016146A JP 1614681 A JP1614681 A JP 1614681A JP H0353738 B2 JPH0353738 B2 JP H0353738B2
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- JP
- Japan
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- film
- rays
- target
- beams
- ray
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 3
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は量子線照射によるＸ線発生装置及びＸ
線照射方法に関する。
線照射方法に関する。
従来この種のＸ線装置では一般にレーザー光線
等の量子線をAl等からなるターゲツトに照射し、
ターゲート材料のプラズマ化により励起された
Al等の原子が平衡状態に戻る時に発生するＸ線
を用い、直接あるいはBe等の窓を通して被照射
物にＸ線照射するのが通例である。
等の量子線をAl等からなるターゲツトに照射し、
ターゲート材料のプラズマ化により励起された
Al等の原子が平衡状態に戻る時に発生するＸ線
を用い、直接あるいはBe等の窓を通して被照射
物にＸ線照射するのが通例である。
第１図に従来のレーザー光線によるＸ線発生装
置の断面構造図を示す。
置の断面構造図を示す。
このような従来のＸ線装置においては、真空雰
囲気内のAlターゲツト１に照射されたパルス状
レーザー光線２によりAlターゲツトが熔け、Al
プラズマ３が発生すると共に、このプラズマ部分
からＸ線４が発生すると同時にAl蒸発粒子５が
発生し、被照射物６の表面にＸ線が照射されると
共にAl蒸着膜７が形成される。このため、Ｘ線
照射後に被照射物等の表面の蒸着Al膜を除去す
る必要があつたり、多重にＸ線を照射する場合に
照射回毎にAl蒸着膜が厚くなり、Ｘ線量が減少
するという様な不都合が生じる。
囲気内のAlターゲツト１に照射されたパルス状
レーザー光線２によりAlターゲツトが熔け、Al
プラズマ３が発生すると共に、このプラズマ部分
からＸ線４が発生すると同時にAl蒸発粒子５が
発生し、被照射物６の表面にＸ線が照射されると
共にAl蒸着膜７が形成される。このため、Ｘ線
照射後に被照射物等の表面の蒸着Al膜を除去す
る必要があつたり、多重にＸ線を照射する場合に
照射回毎にAl蒸着膜が厚くなり、Ｘ線量が減少
するという様な不都合が生じる。
この発明は、Ｘ線照射量が安定な量子線照射型
Ｘ線源を有するＸ線発生装置及びＸ線照射方法を
提供することを目的とするものである。
Ｘ線源を有するＸ線発生装置及びＸ線照射方法を
提供することを目的とするものである。
第２図にこのＸ線発生の一実施例を示す。第２
図において、１１はAlターゲツト、１２はレー
ザー光線、１３はAlプラズマであり、１４はＸ
線、１５はAl蒸発粒子であり、１６は被照射物、
１７はBe等からなる捕獲膜１８上に形成された
Al蒸着膜である。
図において、１１はAlターゲツト、１２はレー
ザー光線、１３はAlプラズマであり、１４はＸ
線、１５はAl蒸発粒子であり、１６は被照射物、
１７はBe等からなる捕獲膜１８上に形成された
Al蒸着膜である。
ターゲツト部より放出されたＸ線は捕獲膜１８
がＸ線透過能下なる材料で形成されているため、
捕獲膜を通過し、被照射物１６に達するのに対
し、ターゲツト部より放出されたAl蒸発粒子は
捕獲膜１８により捕獲され、被照射物表面に蒸着
することはない。しかも、この捕獲膜１８を照射
毎あるいは連続的に回転操作等により更新するこ
とにより、多重照射時のＸ線減少を防ぐことがで
きる。
がＸ線透過能下なる材料で形成されているため、
捕獲膜を通過し、被照射物１６に達するのに対
し、ターゲツト部より放出されたAl蒸発粒子は
捕獲膜１８により捕獲され、被照射物表面に蒸着
することはない。しかも、この捕獲膜１８を照射
毎あるいは連続的に回転操作等により更新するこ
とにより、多重照射時のＸ線減少を防ぐことがで
きる。
なお、上述した実施例では被照射物をターゲツ
ト及び捕獲膜が設置されたと同一の真空雰囲内に
設置される構成としたが、捕獲膜と被照射物との
間に今一つBe膜等による窓を設け、被照射物を
大気中等外部雰囲気に設置してもよい。
ト及び捕獲膜が設置されたと同一の真空雰囲内に
設置される構成としたが、捕獲膜と被照射物との
間に今一つBe膜等による窓を設け、被照射物を
大気中等外部雰囲気に設置してもよい。
また、量子線はレーザー光線のみならず、電子
線、イオン線等の他の量子線としてもよい。
線、イオン線等の他の量子線としてもよい。
さらには、この発明の捕獲膜はBe膜の他、合
成樹脂膜、si膜、雲母膜等のＸ線透過能の大なる
膜を用いてもよい。
成樹脂膜、si膜、雲母膜等のＸ線透過能の大なる
膜を用いてもよい。
以上説明したように、この発明は蒸発したター
ゲツト材が捕獲膜で捕獲され、かつ捕獲膜が更新
可能なため、安定なＸ線源を有するＸ線発生装置
及びＸ線照射方法をができる利点がある。
ゲツト材が捕獲膜で捕獲され、かつ捕獲膜が更新
可能なため、安定なＸ線源を有するＸ線発生装置
及びＸ線照射方法をができる利点がある。
第１図は従来のＸ線装置の一例を示す要部の概
略構成を示す図、第２図はこの発明の一実施例を
示す要部の概略構成を示す図である。 図中、１，１１は回転ターゲツト、２，１２は
量子線、３，１３はプラズマ、４，１４はＸ線、
５，１５は蒸発粒子、６，１６は被照射物、７，
１７は蒸着膜、１８は捕獲膜である。
略構成を示す図、第２図はこの発明の一実施例を
示す要部の概略構成を示す図である。 図中、１，１１は回転ターゲツト、２，１２は
量子線、３，１３はプラズマ、４，１４はＸ線、
５，１５は蒸発粒子、６，１６は被照射物、７，
１７は蒸着膜、１８は捕獲膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レーザー光線、イオン線、電子線等の量子線
をターゲツトへ照射することにより、Ｘ線が発生
されるＸ線源部、前記Ｘ線源部とそのＸ線源部か
ら発生するＸ線が照射される被照射物との間に存
在し、前記Ｘ線源部から発生するＸ線とともに放
出される前記ターゲツトの蒸発物質を捕獲するＸ
線透過能の大なるBe膜、合成樹脂膜、雲母膜ま
たはSi膜等の捕獲膜を有することを特徴とするＸ
線発生装置。 ２ レーザー光線、イオン線、電子線等の量子線
をターゲツトへ照射することによりＸ線が発生さ
れると供に、前記ターゲツトの蒸発物質が放出さ
れ、Ｘ線透過能の大なるBe膜、合成樹脂膜、雲
母膜またはSi膜等の捕獲膜で、前記Ｘ線を透過さ
せると共に、前記蒸発物質を捕獲して、前記捕獲
膜を透過した前記Ｘ線を被照射物へ照射すること
を特徴とするＸ線照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56016146A JPS57130350A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | X-ray device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56016146A JPS57130350A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | X-ray device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17033992A Division JPH0721950A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | Ｘ線発生装置及びｘ線照射方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130350A JPS57130350A (en) | 1982-08-12 |
| JPH0353738B2 true JPH0353738B2 (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=11908353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56016146A Granted JPS57130350A (en) | 1981-02-05 | 1981-02-05 | X-ray device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57130350A (ja) |
-
1981
- 1981-02-05 JP JP56016146A patent/JPS57130350A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130350A (en) | 1982-08-12 |
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