JPH0354844B2 - - Google Patents
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- JPH0354844B2 JPH0354844B2 JP3907785A JP3907785A JPH0354844B2 JP H0354844 B2 JPH0354844 B2 JP H0354844B2 JP 3907785 A JP3907785 A JP 3907785A JP 3907785 A JP3907785 A JP 3907785A JP H0354844 B2 JPH0354844 B2 JP H0354844B2
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- melting point
- low melting
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、過電圧制限素子の破壊による周辺
への悪影響を防止するようにした過電圧制限装置
に関するものである。
への悪影響を防止するようにした過電圧制限装置
に関するものである。
一般に、サイリスタを使用した高電圧の電力変
換装置においては、通常の動作電圧を考慮して素
子の直列個数が決定される。そして、散発的に印
加される雷インパルスや、開閉サージ等はアレス
タで所定の電圧に制限している。
換装置においては、通常の動作電圧を考慮して素
子の直列個数が決定される。そして、散発的に印
加される雷インパルスや、開閉サージ等はアレス
タで所定の電圧に制限している。
従来のものは、第３図に示すように、各サイリ
スタ素子T1，T2，T3に、アレスタA1，A2，A3
及びスナバー回路S1，S2，S3が並列に接続されて
いる。
スタ素子T1，T2，T3に、アレスタA1，A2，A3
及びスナバー回路S1，S2，S3が並列に接続されて
いる。
この場合、各サイリスタ素子T1，T2，T3には
外部から雷インパルス等の過電圧が印加された場
合も、並列に接続されたアレスターA1，A2，A3
及びスナバー回路S1，S2，S3により、制限された
電圧VMしか印加されないため、各サイリスタ素
子T1，T2，T3は保護される。
外部から雷インパルス等の過電圧が印加された場
合も、並列に接続されたアレスターA1，A2，A3
及びスナバー回路S1，S2，S3により、制限された
電圧VMしか印加されないため、各サイリスタ素
子T1，T2，T3は保護される。
しかし、各サイリスタT1，T2，T3に導通指令
が出たとき、点弧回路の故障によつて、サイリス
タ素子T1のみが導通しなかつたとすると、サイ
リスタ素子T1を残した他のサイリスタ素子T2，
T3が導通し、サイリスタ素子T1と並列に接続さ
れたアレスターA1には、外部の回路条件で決定
される負荷電流が強制的に流れ、その端子電圧は
アレスターA1の電圧−電流特性によつて決定さ
れる値となる。
が出たとき、点弧回路の故障によつて、サイリス
タ素子T1のみが導通しなかつたとすると、サイ
リスタ素子T1を残した他のサイリスタ素子T2，
T3が導通し、サイリスタ素子T1と並列に接続さ
れたアレスターA1には、外部の回路条件で決定
される負荷電流が強制的に流れ、その端子電圧は
アレスターA1の電圧−電流特性によつて決定さ
れる値となる。
通常、アレスタは負荷電流のような過大な電流
を長時間流す能力をもつていないので、過電圧制
限要素は最終的に破壊する。
を長時間流す能力をもつていないので、過電圧制
限要素は最終的に破壊する。
その時、飛散した破片で周辺の部品を損傷した
り、持続的なアークの発生により電力変換装置内
に悪影響を与えることがあるので、第４図に示す
ように、あるいは特開昭59−37679号の発明のよ
うに過電圧制限要素が破壊したら、ただちにアレ
スタの両端を電気的に短絡するように構成された
ものが提案されている。
り、持続的なアークの発生により電力変換装置内
に悪影響を与えることがあるので、第４図に示す
ように、あるいは特開昭59−37679号の発明のよ
うに過電圧制限要素が破壊したら、ただちにアレ
スタの両端を電気的に短絡するように構成された
ものが提案されている。
すなわち、第４図では、酸化亜鉛形アレスタな
どの過電圧制限要素１に半田などの低融点金属２
を当接させ、一対の電極３，４間に過電圧制限要
素１と低融点金属２とを電気的に直列接続し、ば
ね５で一方の電極３に押圧し、他方の電極４とは
シヤント６で接続し、溶融した低融点金属２で両
通電部３ａ，４ａが電気的に接続されるように、
対向した両通電部３ａ，４ａが低融点金属２の下
部に配置してある。絶縁性容器７は一対の電極
３，４を保持している。
どの過電圧制限要素１に半田などの低融点金属２
を当接させ、一対の電極３，４間に過電圧制限要
素１と低融点金属２とを電気的に直列接続し、ば
ね５で一方の電極３に押圧し、他方の電極４とは
シヤント６で接続し、溶融した低融点金属２で両
通電部３ａ，４ａが電気的に接続されるように、
対向した両通電部３ａ，４ａが低融点金属２の下
部に配置してある。絶縁性容器７は一対の電極
３，４を保持している。
上記構成において、過電圧制限要素１に過大な
電流が流れる場合、電極３→過電圧制限要素１→
低融点金属２→シヤント６→電極４の回路を通
る。これによつて、過電圧制限要素１の破壊時に
は、アーク熱により低融点金属２が溶融して両通
電部３ａ，４ａ間に落下し、両電極３，４間が電
気的に接続される。
電流が流れる場合、電極３→過電圧制限要素１→
低融点金属２→シヤント６→電極４の回路を通
る。これによつて、過電圧制限要素１の破壊時に
は、アーク熱により低融点金属２が溶融して両通
電部３ａ，４ａ間に落下し、両電極３，４間が電
気的に接続される。
したがつて、過電圧制限要素１に流れていた電
流は、両通電部３ａ，４ａ間に落下した低融点金
属２を経由して流れるようになるので、過電圧制
限要素１の破壊による周辺への悪影響を除去でき
る。また、前記特開昭59−37679号の発明では、
上記第４図の構成における低融点金属２の部分が
他方の電極であり、低融点金属は１対の電極の間
の上方に保持されたものであるが、動作は第４図
のものと実質的に同一である。
流は、両通電部３ａ，４ａ間に落下した低融点金
属２を経由して流れるようになるので、過電圧制
限要素１の破壊による周辺への悪影響を除去でき
る。また、前記特開昭59−37679号の発明では、
上記第４図の構成における低融点金属２の部分が
他方の電極であり、低融点金属は１対の電極の間
の上方に保持されたものであるが、動作は第４図
のものと実質的に同一である。
しかしながら、低融点金属２の溶融量が少ない
場合、低融点金属２によつて形成された短絡路
は、かなり高い抵抗値を有する。このため、その
後連続的に流れる負荷電流によつて短絡路が発熱
することになる。
場合、低融点金属２によつて形成された短絡路
は、かなり高い抵抗値を有する。このため、その
後連続的に流れる負荷電流によつて短絡路が発熱
することになる。
実験結果によれば、短絡路の温度上昇は、低融
点金属２の融点近くまで達するケースがあること
が確認された。電圧制限要素１の通常のサージ処
理を考慮すると、低融点金属２の融点をあまり低
く設定することができないので、一般に短絡路の
温度上昇値は、最高130℃近くになる。
点金属２の融点近くまで達するケースがあること
が確認された。電圧制限要素１の通常のサージ処
理を考慮すると、低融点金属２の融点をあまり低
く設定することができないので、一般に短絡路の
温度上昇値は、最高130℃近くになる。
このような温度上昇が、電力変換装置内のサイ
リスタ素子T1，T2，T3や過電圧制限要素A2，A3
やスナバー回路S1，S2，S3用部品等に悪影響を与
えることは明らかである。
リスタ素子T1，T2，T3や過電圧制限要素A2，A3
やスナバー回路S1，S2，S3用部品等に悪影響を与
えることは明らかである。
従来の以上のような過電圧制限装置において、
抵抗値の小さな短絡路を形成するためには、まず
第１に、大量の低融点金属２を瞬間的に溶融させ
る必要があるが、負荷電流が小さな場合は困難で
ある。
抵抗値の小さな短絡路を形成するためには、まず
第１に、大量の低融点金属２を瞬間的に溶融させ
る必要があるが、負荷電流が小さな場合は困難で
ある。
即ち、過電圧制限要素１の負荷電流による温度
上昇の過程で、たとえ微量であつても、溶融した
低融点金属２によつて短絡路が形成された瞬間
に、過電圧制限要素１の温度上昇が停止し、それ
以後低融点金属２の溶融がとまるからである。
上昇の過程で、たとえ微量であつても、溶融した
低融点金属２によつて短絡路が形成された瞬間
に、過電圧制限要素１の温度上昇が停止し、それ
以後低融点金属２の溶融がとまるからである。
この発明の目的は上記のような問題点を解消す
るために、負荷電流が小さな場合でも、抵抗値の
きわめて小さな短絡路を形成する過電圧制限装置
を提供するものである。
るために、負荷電流が小さな場合でも、抵抗値の
きわめて小さな短絡路を形成する過電圧制限装置
を提供するものである。
この発明に係る過電圧制限装置は、過電圧制限
要素を挾持する一対の電極に、融点の異なる第
１、第２の低融点金属を埋込み、融点の高い第１
の低融点金属で融点の低い第２の低融点金属を覆
うようにしたものである。
要素を挾持する一対の電極に、融点の異なる第
１、第２の低融点金属を埋込み、融点の高い第１
の低融点金属で融点の低い第２の低融点金属を覆
うようにしたものである。
この発明における過電圧制限装置は、過電圧制
限要素の破壊時に第１の低融点金属を溶融させて
一対の電極間を短絡させ、負荷電流による短絡路
の温度上昇によつて、第２の低融点金属を溶融さ
せて短絡路の抵抗値を下げる。
限要素の破壊時に第１の低融点金属を溶融させて
一対の電極間を短絡させ、負荷電流による短絡路
の温度上昇によつて、第２の低融点金属を溶融さ
せて短絡路の抵抗値を下げる。
以下この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図はこの発明に係る過電圧制限装置の一
実施例を示す側断面図であり、第２図は第１図の
部分の拡大図である。第１図及び第２図におい
て、過電圧制限要素１は例えば酸化亜鉛素子で構
成されている。一対の電極９，１０は過電圧制限
要素１を挾持するもので、それぞれ相対するよう
に第１、第２の低融点金属１１，１２を埋込む円
形に設けられた溝９ａ，１０ａと、溝９ａ，１０
ａの外周に設けられ第１、第２の低融点金属１
１，１２の溶融により短絡路を形成する通電部９
ｂ，１０ｂと、溝９ａ，１０ａ内から外周表面に
貫通して設けられ第１、第２の低融点金属１１，
１２の溶融時に発生するガスを外部に排出するガ
ス流通口９ｃ，１０ｃとを備えている。第１、第
２の低融点金属１１，１２は例えばＵアロイ（大
阪アサヒメタル工場製の商品の名称）である。同
商品の中には融点が47℃〜183℃の各種のものが
市販されている。第１の低融点金属１１として
は、例えば過電圧制限要素１の通常のサージ処理
時の最高許容温度以上の高い融点に設定されてい
る。第２の低融点金属１２としては短絡路が形成
された後の負荷電流通電時の最高許容温度の融点
に設定されており、この融点は第１の低融点金属
のそれより低い。第１の低融点金属１１は第２の
低融点金属１２を覆うようにされ、両者が二層に
溝９ａ，１０ａ内に埋込まれている。一対の主電
極３Ａ，４Ａと例えば筒状の絶縁体７Ａとで容器
を形成し、一対の電極９，１０に挾持された過電
圧制限要素１を収納している。ばね５Ａは電極１
０と主電極４Ａ間に装着され、電極９を主電極３
Ａに圧接している。シヤント６Ａは電極１０と主
電極４Ａとを接続するものである。
る。第１図はこの発明に係る過電圧制限装置の一
実施例を示す側断面図であり、第２図は第１図の
部分の拡大図である。第１図及び第２図におい
て、過電圧制限要素１は例えば酸化亜鉛素子で構
成されている。一対の電極９，１０は過電圧制限
要素１を挾持するもので、それぞれ相対するよう
に第１、第２の低融点金属１１，１２を埋込む円
形に設けられた溝９ａ，１０ａと、溝９ａ，１０
ａの外周に設けられ第１、第２の低融点金属１
１，１２の溶融により短絡路を形成する通電部９
ｂ，１０ｂと、溝９ａ，１０ａ内から外周表面に
貫通して設けられ第１、第２の低融点金属１１，
１２の溶融時に発生するガスを外部に排出するガ
ス流通口９ｃ，１０ｃとを備えている。第１、第
２の低融点金属１１，１２は例えばＵアロイ（大
阪アサヒメタル工場製の商品の名称）である。同
商品の中には融点が47℃〜183℃の各種のものが
市販されている。第１の低融点金属１１として
は、例えば過電圧制限要素１の通常のサージ処理
時の最高許容温度以上の高い融点に設定されてい
る。第２の低融点金属１２としては短絡路が形成
された後の負荷電流通電時の最高許容温度の融点
に設定されており、この融点は第１の低融点金属
のそれより低い。第１の低融点金属１１は第２の
低融点金属１２を覆うようにされ、両者が二層に
溝９ａ，１０ａ内に埋込まれている。一対の主電
極３Ａ，４Ａと例えば筒状の絶縁体７Ａとで容器
を形成し、一対の電極９，１０に挾持された過電
圧制限要素１を収納している。ばね５Ａは電極１
０と主電極４Ａ間に装着され、電極９を主電極３
Ａに圧接している。シヤント６Ａは電極１０と主
電極４Ａとを接続するものである。
次に動作を説明する。過電圧制限要素１に所定
以上の過大な電流が流れると、過電圧制限要素１
が破壊し、アークが発生する。そのアークは溝９
ａ，１０ａ内の表面の第１の低融点金属１１を溶
融させて、一対の電極９，１０の下部の通電部９
ｂ，１０ｂ間に短絡路を形成する。第１の低融点
金属１１の溶融量が少なく短絡路の抵抗値の高い
場合は、負荷電流によつて短絡路の温度は上昇し
続けるが、その温度が溝９ａ，１０ａ内の内側の
第２の低融点金属１２の融点に達した時、第２の
低融点金属１２は液状化し、第１の低融点金属１
１の１部が溶融すると溶融部より第２の低融点金
属１２が流出する。
以上の過大な電流が流れると、過電圧制限要素１
が破壊し、アークが発生する。そのアークは溝９
ａ，１０ａ内の表面の第１の低融点金属１１を溶
融させて、一対の電極９，１０の下部の通電部９
ｂ，１０ｂ間に短絡路を形成する。第１の低融点
金属１１の溶融量が少なく短絡路の抵抗値の高い
場合は、負荷電流によつて短絡路の温度は上昇し
続けるが、その温度が溝９ａ，１０ａ内の内側の
第２の低融点金属１２の融点に達した時、第２の
低融点金属１２は液状化し、第１の低融点金属１
１の１部が溶融すると溶融部より第２の低融点金
属１２が流出する。
この時、一対の電極９，１０の上部に設けられ
たガス流通口９ｃ，１０ｃから、第２の低融点金
属１２の溶融時に発生するガスが、外部に排出さ
れる。このため、第２の低融点金属１２の流出圧
力は、自重によつて与えられる。従つて、短絡路
の最高温度は、最悪、第２の低融点金属１２の融
点に抑制される。
たガス流通口９ｃ，１０ｃから、第２の低融点金
属１２の溶融時に発生するガスが、外部に排出さ
れる。このため、第２の低融点金属１２の流出圧
力は、自重によつて与えられる。従つて、短絡路
の最高温度は、最悪、第２の低融点金属１２の融
点に抑制される。
以上のように、この発明によれば、短絡路が最
終的にサージ処理時の最高許容温度以下の融点を
有する第２の低融点金属によつて形成されるため
に、短絡路作時の第１の低融点金属皮膜の溶融量
がわずかであつても、短絡路の温度上昇値をきわ
めて低くすることができる効果がある。
終的にサージ処理時の最高許容温度以下の融点を
有する第２の低融点金属によつて形成されるため
に、短絡路作時の第１の低融点金属皮膜の溶融量
がわずかであつても、短絡路の温度上昇値をきわ
めて低くすることができる効果がある。
第１図はこの発明に係る過電圧制限装置の一実
施例を示す側断面図、第２図は第１図の部分の
拡大図、第３図は一般的な電力変換装置を示す電
気結線図、第４図は従来の過電圧制限装置を示す
側断面図である。 図において、１は過電圧制限要素、９，１０は
一対の電極、９ｂ，１０ｂは通電部、９ｃ，１０
ｃはガス流通口、１１，１２は第１、第２の低融
点金属である。なお、各図中同一符号は同一また
は相当部分を示す。
施例を示す側断面図、第２図は第１図の部分の
拡大図、第３図は一般的な電力変換装置を示す電
気結線図、第４図は従来の過電圧制限装置を示す
側断面図である。 図において、１は過電圧制限要素、９，１０は
一対の電極、９ｂ，１０ｂは通電部、９ｃ，１０
ｃはガス流通口、１１，１２は第１、第２の低融
点金属である。なお、各図中同一符号は同一また
は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 過電圧制限要素を挾持する一対の電極、及び
前記一対の電極に二層に埋込まれ前記過電圧制限
要素の破壊時に溶融して前記一対の電極間を短絡
する第１、第２の低融点金属、第１の低融点金属
に覆われて設けられ第１の低融点金属より融点の
低い第２の低融点金属、を具備することを特徴と
する過電圧制限装置。 ２ 一対の電極は、第１、第２の低融点金属の溶
融時に短絡する通電部を備えている特許請求の範
囲第１項記載の過電圧制限装置。 ３ 一対の電極は、第１、第２の低融点金属の溶
融時に発生するガスを外部に排出するガス流通口
を備えている特許請求の範囲第１項または第２項
記載の過電圧制限装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3907785A JPS61198701A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 過電圧制限装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3907785A JPS61198701A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 過電圧制限装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198701A JPS61198701A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0354844B2 true JPH0354844B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=12543046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3907785A Granted JPS61198701A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 過電圧制限装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198701A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7433169B2 (en) * | 2005-12-15 | 2008-10-07 | Raycap Corporation | Overvoltage protection devices including wafer of varistor material |
| US8743525B2 (en) | 2012-06-19 | 2014-06-03 | Raycap Intellectual Property, Ltd | Overvoltage protection devices including wafer of varistor material |
| US9906017B2 (en) | 2014-06-03 | 2018-02-27 | Ripd Research And Ip Development Ltd. | Modular overvoltage protection units |
| US10319545B2 (en) | 2016-11-30 | 2019-06-11 | Iskra Za{hacek over (s)}{hacek over (c)}ite d.o.o. | Surge protective device modules and DIN rail device systems including same |
| US10707678B2 (en) | 2016-12-23 | 2020-07-07 | Ripd Research And Ip Development Ltd. | Overvoltage protection device including multiple varistor wafers |
| US10447026B2 (en) | 2016-12-23 | 2019-10-15 | Ripd Ip Development Ltd | Devices for active overvoltage protection |
| US10340110B2 (en) | 2017-05-12 | 2019-07-02 | Raycap IP Development Ltd | Surge protective device modules including integral thermal disconnect mechanisms and methods including same |
| US10685767B2 (en) | 2017-09-14 | 2020-06-16 | Raycap IP Development Ltd | Surge protective device modules and systems including same |
| US11223200B2 (en) | 2018-07-26 | 2022-01-11 | Ripd Ip Development Ltd | Surge protective devices, circuits, modules and systems including same |
| US11862967B2 (en) | 2021-09-13 | 2024-01-02 | Raycap, S.A. | Surge protective device assembly modules |
| US11723145B2 (en) | 2021-09-20 | 2023-08-08 | Raycap IP Development Ltd | PCB-mountable surge protective device modules and SPD circuit systems and methods including same |
| US11990745B2 (en) | 2022-01-12 | 2024-05-21 | Raycap IP Development Ltd | Methods and systems for remote monitoring of surge protective devices |
| US12506334B2 (en) | 2022-01-24 | 2025-12-23 | Raycap IP Development Ltd | Surge protective device modules and assemblies |
| US12199412B2 (en) | 2022-06-02 | 2025-01-14 | Ripd Ip Development Ltd. | Surge protective devices, circuits, modules and systems including same |
| US12206234B2 (en) | 2022-09-20 | 2025-01-21 | Ripd Ip Development Ltd | Overvoltage protection device modules |
| US12437906B2 (en) | 2022-10-18 | 2025-10-07 | Raycap, S.A. | Surge protective devices |
| US12580381B2 (en) | 2023-12-04 | 2026-03-17 | Ripd Ip Development Ltd | Overvoltage protection device modules and sheath bonding systems including same |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3907785A patent/JPS61198701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61198701A (ja) | 1986-09-03 |
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