JPH0355736A - 線状熱陰極 - Google Patents
線状熱陰極Info
- Publication number
- JPH0355736A JPH0355736A JP1191973A JP19197389A JPH0355736A JP H0355736 A JPH0355736 A JP H0355736A JP 1191973 A JP1191973 A JP 1191973A JP 19197389 A JP19197389 A JP 19197389A JP H0355736 A JPH0355736 A JP H0355736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- thin film
- tungsten
- wire
- barium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空管、CRT、蛍光表示管等に使用する
線状熱陰極に関するものである.〔従来の技術〕 線状熱陰極を利用する機器は従来種々提案されており、
例えば平板型表示装置として特開昭60一84744号
に開示されている如きものがある.第2図はかかる従来
の平板型表示装置を示す模式的断面図であり、この表示
装置には、絶縁性基板1上に一定の間隔で設けた複数の
金属製係止部2上にかけ渡して、所定の間隔で電子放射
物質を保持させ陰極4を形威した陰極ワイヤー3が設け
られている.各陰極4と対応させ、上記絶縁性基仮l上
に制御電極5を配設すると共に、陰極ワイヤー3の上方
には各陰極4と対応した位置に貫通孔6aを備えたグリ
ッド電極6、及びこのグリノド電極6の上方に上記各陰
極4に対応した位置に蛍光体7を塗布したアノード8が
夫々上,下方向に所要の間隔を隔てて配設されている。
線状熱陰極に関するものである.〔従来の技術〕 線状熱陰極を利用する機器は従来種々提案されており、
例えば平板型表示装置として特開昭60一84744号
に開示されている如きものがある.第2図はかかる従来
の平板型表示装置を示す模式的断面図であり、この表示
装置には、絶縁性基板1上に一定の間隔で設けた複数の
金属製係止部2上にかけ渡して、所定の間隔で電子放射
物質を保持させ陰極4を形威した陰極ワイヤー3が設け
られている.各陰極4と対応させ、上記絶縁性基仮l上
に制御電極5を配設すると共に、陰極ワイヤー3の上方
には各陰極4と対応した位置に貫通孔6aを備えたグリ
ッド電極6、及びこのグリノド電極6の上方に上記各陰
極4に対応した位置に蛍光体7を塗布したアノード8が
夫々上,下方向に所要の間隔を隔てて配設されている。
前記陰極ワイヤー3はタングステン製であり、また陰極
4は、陰極ワイヤー3の表面に電着法、或いは塗布法な
どによりバリウム、ストロンチウム、カルシウムの三元
炭酸塩( (Ba.Sr,Ca) Cow)を付着させ
、表示装置容器内を真空に排気する過程でこれを加熱分
解し、上記炭酸塩を酸化物( (Ba,Sr,Ca)
0 )に変換してある.なお、この際、上記陰極ワイヤ
ー3のタングステンが、以下のような反応で電子放射物
質中のBaOを還元して過剰8aを住成する。この8a
は拡散時に陰極表面へ移動し、BaO中でドナーを形成
し工砧7ションに寄与する。
4は、陰極ワイヤー3の表面に電着法、或いは塗布法な
どによりバリウム、ストロンチウム、カルシウムの三元
炭酸塩( (Ba.Sr,Ca) Cow)を付着させ
、表示装置容器内を真空に排気する過程でこれを加熱分
解し、上記炭酸塩を酸化物( (Ba,Sr,Ca)
0 )に変換してある.なお、この際、上記陰極ワイヤ
ー3のタングステンが、以下のような反応で電子放射物
質中のBaOを還元して過剰8aを住成する。この8a
は拡散時に陰極表面へ移動し、BaO中でドナーを形成
し工砧7ションに寄与する。
6 BaO + W −+ BaJO,, + 3 8
a次に動作について説明する。陰極ワイヤー3をその両
端に給電して約700’Cに加熱すると陰極4表面から
電子が放射される。このときグリソド電極6及びアノー
ド8に正の電極を印加すれば電子ビームは貫通孔6aを
通して蛍光体7に導かれ、蛍光体7を励起せしめる。一
方制in TFi極5に負の電圧を印加すると陰極4周
辺の電界が陰極4bに対して負となり、陰極4からの電
子放射を停止せしめ得るから、例えば制御電極5に正の
パルス電圧を印加することにより電子ビームの放射を制
御できることになる。
a次に動作について説明する。陰極ワイヤー3をその両
端に給電して約700’Cに加熱すると陰極4表面から
電子が放射される。このときグリソド電極6及びアノー
ド8に正の電極を印加すれば電子ビームは貫通孔6aを
通して蛍光体7に導かれ、蛍光体7を励起せしめる。一
方制in TFi極5に負の電圧を印加すると陰極4周
辺の電界が陰極4bに対して負となり、陰極4からの電
子放射を停止せしめ得るから、例えば制御電極5に正の
パルス電圧を印加することにより電子ビームの放射を制
御できることになる。
ところでかかる線状熱陰極は、上記炭酸塩を酸化物に替
える過程、或いは表示装置の初期動作時に蛍光体7.係
止部2等から放出される不純ガスの影響により、初朋工
珈ソション電流が低くなり、表示装置の輝度が低くなっ
たり、表示装置の製造排気工程に長時間を要するなどの
問題点があった.先に発明者等は上記のような問題を解
決するものとして、0.2〜20重量%の希土類金属酸
化物と、酸化バリウムを含んだアルカリ土類金属酸化物
とを含む混合物であって、希土類金属酸化物に対する酸
化バリウムの重量比を0.4〜60とした電子放射物質
を線状の耐熱性金属表面に保持した線状熱陰極を提案し
多大の或果を収めた(特願昭62 − 122053号
)。
える過程、或いは表示装置の初期動作時に蛍光体7.係
止部2等から放出される不純ガスの影響により、初朋工
珈ソション電流が低くなり、表示装置の輝度が低くなっ
たり、表示装置の製造排気工程に長時間を要するなどの
問題点があった.先に発明者等は上記のような問題を解
決するものとして、0.2〜20重量%の希土類金属酸
化物と、酸化バリウムを含んだアルカリ土類金属酸化物
とを含む混合物であって、希土類金属酸化物に対する酸
化バリウムの重量比を0.4〜60とした電子放射物質
を線状の耐熱性金属表面に保持した線状熱陰極を提案し
多大の或果を収めた(特願昭62 − 122053号
)。
そして継続してかかる線状熱陰極に関して研究開発を行
っていたところ、上記反応式により生成するBasWO
*は、経時的に耐熱金属及び電子放射物質の界面に蓄積
されて両者を隔てることにもなり、その結果過剰Baの
生威を妨げる恐れがあり、又一方、上記Ba3WO.の
生威抑制は他方で上記反応式におけるTi離Baの発生
をも減少させてしまうことになり、いづれにしても寿命
特性を低下させる一つの原因になることが確認された. ここに発明者等はかかる問題に鑑み鋭意検討を重ねた結
果この発明に到達したのである。
っていたところ、上記反応式により生成するBasWO
*は、経時的に耐熱金属及び電子放射物質の界面に蓄積
されて両者を隔てることにもなり、その結果過剰Baの
生威を妨げる恐れがあり、又一方、上記Ba3WO.の
生威抑制は他方で上記反応式におけるTi離Baの発生
をも減少させてしまうことになり、いづれにしても寿命
特性を低下させる一つの原因になることが確認された. ここに発明者等はかかる問題に鑑み鋭意検討を重ねた結
果この発明に到達したのである。
〔課題を解決するための手段)
この発明の線状熱陰極は、線状のタングステン金属上に
還元剤としてシリコン,マグネシウムを含むニフケル薄
膜を被着形戒し、その上に少なくともバリウムを含むア
ルカリ土類金属酸化物に酸化スカンジウムを混合した電
子放射物質を被着したことを特徴とするものである。
還元剤としてシリコン,マグネシウムを含むニフケル薄
膜を被着形戒し、その上に少なくともバリウムを含むア
ルカリ土類金属酸化物に酸化スカンジウムを混合した電
子放射物質を被着したことを特徴とするものである。
〔作 用]
この発明においては、基体のタングステン金属層上にニ
ノケル薄膜が被着形威され、電子放射物質層との直接接
触を回避しているので両者間の界面における上記Bal
WOiなどの中間層生戒が抑制される.そして上述のB
a=WO,の生戒反応時のBa生戊!its少はニッケ
ル薄膜中の還元性シリコン又はマグネシウムの還元作用
で補うものであり、結局前述した寿命特性の低下を回避
するものと推定される。
ノケル薄膜が被着形威され、電子放射物質層との直接接
触を回避しているので両者間の界面における上記Bal
WOiなどの中間層生戒が抑制される.そして上述のB
a=WO,の生戒反応時のBa生戊!its少はニッケ
ル薄膜中の還元性シリコン又はマグネシウムの還元作用
で補うものであり、結局前述した寿命特性の低下を回避
するものと推定される。
以下実施例によりこの発明を具体的に説明する。
第1図はこの発明の一実施例による線状熱陰極を用いた
表示装置の要部を示す模式的断面図であり、図中1はガ
ラス板,セラミソク板等で構威した絶縁性基板、2は主
として金属製の突起又はリブ等として形成される係止部
、3はシリコン.マグネシウムを含むニッケル′iR)
1!9が被着されたタングステン陰極ワイヤー 4は陰
極ワイヤー3にその長手方向に所要の間隔で形威された
陰極、5は制御電極、6はグリソド電極、8はアノード
を夫々示している. 上記絶縁性基板1上に一定間隔で復敗の係止部2を設け
、この各係止部2に渡す態様で陰極ワイヤー3が、これ
に形威した陰極4が相隣する係止部2.2間に位置する
よう張架されている。絶縁性基板1上には前記各陰極4
と対向する位置に制御電極5を配設し、また、陰極ワイ
ヤー3の上方には前記陰極4と対向する位置に貫通孔6
aを開口したグリッド電極6が、更にその上には前記陰
極4と対向する位置に蛍光体7を付したアノード8が夫
々上下方向に間隔をおいて配設されていろ。
表示装置の要部を示す模式的断面図であり、図中1はガ
ラス板,セラミソク板等で構威した絶縁性基板、2は主
として金属製の突起又はリブ等として形成される係止部
、3はシリコン.マグネシウムを含むニッケル′iR)
1!9が被着されたタングステン陰極ワイヤー 4は陰
極ワイヤー3にその長手方向に所要の間隔で形威された
陰極、5は制御電極、6はグリソド電極、8はアノード
を夫々示している. 上記絶縁性基板1上に一定間隔で復敗の係止部2を設け
、この各係止部2に渡す態様で陰極ワイヤー3が、これ
に形威した陰極4が相隣する係止部2.2間に位置する
よう張架されている。絶縁性基板1上には前記各陰極4
と対向する位置に制御電極5を配設し、また、陰極ワイ
ヤー3の上方には前記陰極4と対向する位置に貫通孔6
aを開口したグリッド電極6が、更にその上には前記陰
極4と対向する位置に蛍光体7を付したアノード8が夫
々上下方向に間隔をおいて配設されていろ。
以上のような構或は、実質的には陰極ワイヤー3に上記
ニソケル薄膜9が被着されていることを除き第2図の従
来品と略同一である。
ニソケル薄膜9が被着されていることを除き第2図の従
来品と略同一である。
陰極ワイヤーとしてはタングステンが用いられるが、こ
のタングステンワイヤーには、ニンケル薄膜が被着され
る.該ニッケル薄膜としては、般的な蒸着法により蒸着
される。ニンケル中には、還元作用を示すシリコン,又
はマグネシウムあるいは両者を重量比0.05〜5%含
有させる。
のタングステンワイヤーには、ニンケル薄膜が被着され
る.該ニッケル薄膜としては、般的な蒸着法により蒸着
される。ニンケル中には、還元作用を示すシリコン,又
はマグネシウムあるいは両者を重量比0.05〜5%含
有させる。
上記シリコン又はマグネシウムのニソケル中の含有量は
、厳格な限定ではないが、その下限以下ではその作用が
乏しくなり又上限を超えるとニッムケル被膜形戒が困難
になりいづれも好ましくない. 次に陰極としては、少なくとも酸化バリウムを含むバリ
ウム、ストロンチウム、カルシウムなどアルカリ土類金
属化合物からなり、酸化スカンジウムを含有させた電子
放射物質による電着液を用いる.具体的には、Bad:
6 4, SrO: 3 2, CaO:4各重量%
のものに、酸化スカンジウムを全量に対して0.2〜2
0重量%含有させた.これを従来と同様の電着法により
膜厚8μで陰極ワイヤー3上に保持させ各陰極を形成し
た。
、厳格な限定ではないが、その下限以下ではその作用が
乏しくなり又上限を超えるとニッムケル被膜形戒が困難
になりいづれも好ましくない. 次に陰極としては、少なくとも酸化バリウムを含むバリ
ウム、ストロンチウム、カルシウムなどアルカリ土類金
属化合物からなり、酸化スカンジウムを含有させた電子
放射物質による電着液を用いる.具体的には、Bad:
6 4, SrO: 3 2, CaO:4各重量%
のものに、酸化スカンジウムを全量に対して0.2〜2
0重量%含有させた.これを従来と同様の電着法により
膜厚8μで陰極ワイヤー3上に保持させ各陰極を形成し
た。
次にこれを表示装置の排気過程において加熱し、炭酸塩
(Ba,Sr,Ca) COs Scz(COs)*
を(8aSr, Ca) O−SCzOtに変え組或比
の異る陰極を有する表示装置を作成した。
(Ba,Sr,Ca) COs Scz(COs)*
を(8aSr, Ca) O−SCzOtに変え組或比
の異る陰極を有する表示装置を作成した。
上記のシリコン又はマグネシウムを含むニッケル薄膜が
、タングステンワイヤーと陰極の電子放射物質層間に介
在していることにより、例えば次式 BaO + St−4Ba + SiOBaO + M
g−4Ha + MgOの如く電子放射物質中のBaO
が還元されてBaが遊離しBaを充分に供給し得るので
ある。
、タングステンワイヤーと陰極の電子放射物質層間に介
在していることにより、例えば次式 BaO + St−4Ba + SiOBaO + M
g−4Ha + MgOの如く電子放射物質中のBaO
が還元されてBaが遊離しBaを充分に供給し得るので
ある。
そしてタングステンワイヤーと電子放射物質との直接接
触がないので上述の中間層11aJO.の生成による問
題が除去されるのである. 実際に、上述の構戒の表示装置において、タングステン
ワイーヤーに対し0.1重量%のシリコン(又はマグネ
シウム)を含むニッケル金属層を蒸着法により10μ厚
M着した。そしてこの上に、上記組戒のBa+Sr,C
a炭酸塩からなる電子放射物質に対し5重量%酸化スカ
ンジウムを配合させたものを電@塗布したもの(実施例
品》、及び上記ニッケル金属層を省いたもの(比較例品
)について、それら表示装置の高輝度特性維持時間を測
定した.その結果、本発明実施例品は約10000時間
であったのに対し、比較例品は7000時間であった。
触がないので上述の中間層11aJO.の生成による問
題が除去されるのである. 実際に、上述の構戒の表示装置において、タングステン
ワイーヤーに対し0.1重量%のシリコン(又はマグネ
シウム)を含むニッケル金属層を蒸着法により10μ厚
M着した。そしてこの上に、上記組戒のBa+Sr,C
a炭酸塩からなる電子放射物質に対し5重量%酸化スカ
ンジウムを配合させたものを電@塗布したもの(実施例
品》、及び上記ニッケル金属層を省いたもの(比較例品
)について、それら表示装置の高輝度特性維持時間を測
定した.その結果、本発明実施例品は約10000時間
であったのに対し、比較例品は7000時間であった。
即ちこの発明による寿命特性の向上は従来品に対し約4
割にも達した. 〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明の陰極は、表示装置の高輝
度化及び電子管装置などの高性能化を長期に維持する等
長寿命化に優れた効果を奏するものである.
割にも達した. 〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明の陰極は、表示装置の高輝
度化及び電子管装置などの高性能化を長期に維持する等
長寿命化に優れた効果を奏するものである.
第l図は本発明品を用いた表示装置の模式的断面図、第
2図は従来の表示装置を示す模式的断面図である. 1・・・絶縁性基仮、2・・・係止部、3・・・陰極タ
ングステンワイヤー 4・・・陰極、5・・・制御ii
8i、6・・・グリッド電極・7・・・蛍光体、8・・
・アノード、9・・・シリコン.マグネシウム含有ニッ
ケルfjlllW。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す.
2図は従来の表示装置を示す模式的断面図である. 1・・・絶縁性基仮、2・・・係止部、3・・・陰極タ
ングステンワイヤー 4・・・陰極、5・・・制御ii
8i、6・・・グリッド電極・7・・・蛍光体、8・・
・アノード、9・・・シリコン.マグネシウム含有ニッ
ケルfjlllW。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す.
Claims (1)
- 線状のタングステン金属上に還元剤としてシリコン、
マグネシウムを含むニッケル薄膜を被着形成し、その上
に少なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物に
酸化スカンジウムを混合した電子放射物質を被着したこ
とを特徴とする線状熱陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191973A JPH0355736A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 線状熱陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191973A JPH0355736A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 線状熱陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355736A true JPH0355736A (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=16283520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191973A Pending JPH0355736A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 線状熱陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0355736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0560324A1 (en) | 1992-03-11 | 1993-09-15 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning fluid for semiconductor substrate |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1191973A patent/JPH0355736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0560324A1 (en) | 1992-03-11 | 1993-09-15 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning fluid for semiconductor substrate |
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