JPH0356672A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0356672A JPH0356672A JP1190981A JP19098189A JPH0356672A JP H0356672 A JPH0356672 A JP H0356672A JP 1190981 A JP1190981 A JP 1190981A JP 19098189 A JP19098189 A JP 19098189A JP H0356672 A JPH0356672 A JP H0356672A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film forming
- film thickness
- thickness sensor
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、成膜時の膜厚を膜厚センサーを用いて、精度
良く制御する薄膜形成装置に関するものである。
良く制御する薄膜形成装置に関するものである。
従来の技術
以下、従来の薄膜形成装置について図面を参照して説明
する。第4図は従来のスバッタ装置の構成図である。同
図において、1は真空槽、2はターゲット3より飛んで
くる成膜材料をカバーする可動式のシャッターである。
する。第4図は従来のスバッタ装置の構成図である。同
図において、1は真空槽、2はターゲット3より飛んで
くる成膜材料をカバーする可動式のシャッターである。
4は基板ヘッド5に保持された基板、6はターゲット3
より飛んできた成膜材料を測定する膜厚センサーである
。
より飛んできた成膜材料を測定する膜厚センサーである
。
以上のように構成されたスパッタ装置について、以下そ
の動作について説明する。
の動作について説明する。
ターゲット3より飛んでくる成膜材料がシャッター2を
開放(ターゲット3と対間しない位置に移動)すること
により、基板4に成膜材料がスパッタされる。
開放(ターゲット3と対間しない位置に移動)すること
により、基板4に成膜材料がスパッタされる。
そして、膜厚センサー6に付着する成膜材料の膜厚を測
定することにより、基板4に形成された膜厚を検出して
いた。
定することにより、基板4に形成された膜厚を検出して
いた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、膜厚センサー6の
位置が基板4とターゲット2の間ではなく、横にずれた
位置で固定されている。そのため、実際基板4に飛んで
いる膜厚が測定できなく、その分を較正する方法で膜厚
を制御しなければならない。その結果、ターゲット3の
減少によりばらつきが生じたり、膜厚センサー6の取付
角度や位置についても交換などした場合に再現性をとる
のが非常に困難である。更に、成膜中は常にターゲット
3より飛んでくる成膜材料が付着するため寿命も短いと
いうような課題を有していた。
位置が基板4とターゲット2の間ではなく、横にずれた
位置で固定されている。そのため、実際基板4に飛んで
いる膜厚が測定できなく、その分を較正する方法で膜厚
を制御しなければならない。その結果、ターゲット3の
減少によりばらつきが生じたり、膜厚センサー6の取付
角度や位置についても交換などした場合に再現性をとる
のが非常に困難である。更に、成膜中は常にターゲット
3より飛んでくる成膜材料が付着するため寿命も短いと
いうような課題を有していた。
そこで本発明はこの課題を解決するため、基板の膜厚が
精度よく制御でき、かつセンサーの寿命にも問題のない
薄膜形成装置を提供することを目的とするものである。
精度よく制御でき、かつセンサーの寿命にも問題のない
薄膜形成装置を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するため、本発明の第1の発明は、膜厚
センサーを可動式の支持物に取付け、成膜時に基板と成
膜材料の間に配置したものである。
センサーを可動式の支持物に取付け、成膜時に基板と成
膜材料の間に配置したものである。
また、本発明の第2の発明は、基板全体を覆う大きさの
膜厚センサーを可動式シャッターに取付け、成膜時に基
板と成膜材料の間に配置できる真空薄膜形成装置である
。
膜厚センサーを可動式シャッターに取付け、成膜時に基
板と成膜材料の間に配置できる真空薄膜形成装置である
。
更に、本発明の第3の発明は、膜厚センサーと基板ヘッ
ドを回転機構を有する支持物で保持され、成膜時に基板
と成膜材料の間に配置できる真空薄1摸形成装置である
。
ドを回転機構を有する支持物で保持され、成膜時に基板
と成膜材料の間に配置できる真空薄1摸形成装置である
。
作 用
本発明の第lの発明によれば、膜厚センサーを可動式の
支持物に取付け、成膜時に基板と成膜材料の間に配置で
きるため、膜厚精度が向上し、必要な時のみ使用できる
ため寿命も伸びる。
支持物に取付け、成膜時に基板と成膜材料の間に配置で
きるため、膜厚精度が向上し、必要な時のみ使用できる
ため寿命も伸びる。
又、本発明の第2の発明によれば、膜厚センサーを可動
式シャッターの一部に取付け、成膜時に基板と成膜材料
の間でしかも基板面積の範囲内に配置できるため、膜厚
精度が向上し、必要な時のみ使用できるため寿命も伸び
るとともに、膜厚測定中基板を遮ぎることか可能である
。
式シャッターの一部に取付け、成膜時に基板と成膜材料
の間でしかも基板面積の範囲内に配置できるため、膜厚
精度が向上し、必要な時のみ使用できるため寿命も伸び
るとともに、膜厚測定中基板を遮ぎることか可能である
。
更に、本発明の第3の発明によれば、膜厚センサーと基
板ヘッドを回転機構を有する支持物で保持され成膜時に
基板と成膜材料の間でしかも基板面積の範囲内に配置で
きるため、膜厚精度が向上し、必要な時のみ使用できる
ため寿命も伸び、膜厚センサーと基板を成膜材料から同
一距離に配置することにより、より測定精度が向上し、
膜厚管J{ヒが容易になる。
板ヘッドを回転機構を有する支持物で保持され成膜時に
基板と成膜材料の間でしかも基板面積の範囲内に配置で
きるため、膜厚精度が向上し、必要な時のみ使用できる
ため寿命も伸び、膜厚センサーと基板を成膜材料から同
一距離に配置することにより、より測定精度が向上し、
膜厚管J{ヒが容易になる。
実 施 例
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
実施例1
第1図は本発明の第1の実施例におけるスパツタ装置を
示すものである。
示すものである。
同図において、7は真空槽、8はターゲット9より飛ん
でくる成膜村料をカバーする可動式のシャッターである
。10は基板ヘッド11に保持された基板でl2はター
ゲット9より飛んできた成膜材料を測定する膜厚センサ
ーで、可動式の支持体13上に載置されている。
でくる成膜村料をカバーする可動式のシャッターである
。10は基板ヘッド11に保持された基板でl2はター
ゲット9より飛んできた成膜材料を測定する膜厚センサ
ーで、可動式の支持体13上に載置されている。
以上のように構成された薄膜形成装置について、以下そ
の動作について説四する。
の動作について説四する。
ターゲット9より飛んでくる成膜材料がシャツター8を
開放することにより、基板10とターゲット9の間に配
置された膜厚センサー12に付着する膜冗(を測定する
。膜厚を測定する割合をイモ意に設定しておき、測定す
る時のみ膜厚センサー12を基板10の真下に配置する
。そして、是板10に膜形成する場合には支持体13を
開放する。
開放することにより、基板10とターゲット9の間に配
置された膜厚センサー12に付着する膜冗(を測定する
。膜厚を測定する割合をイモ意に設定しておき、測定す
る時のみ膜厚センサー12を基板10の真下に配置する
。そして、是板10に膜形成する場合には支持体13を
開放する。
以上のように本実施例によれば、膜厚センサー12を可
動式の支持体13に、取付け、成膜時に基板10とター
ゲット9との間でしかも基板面積の範囲内に配置できる
ため、膜厚情度が向上し、必要な時のみ使用できるため
寿命も伸び、l摸厚制御が容易になる。
動式の支持体13に、取付け、成膜時に基板10とター
ゲット9との間でしかも基板面積の範囲内に配置できる
ため、膜厚情度が向上し、必要な時のみ使用できるため
寿命も伸び、l摸厚制御が容易になる。
実施例2
第2図は本発明の第2の実施例における薄膜形成装置の
414成図である。
414成図である。
同図において、第1図と同一物には同一番号を付し、説
明を古略する。
明を古略する。
同図にわいて、第1図と異なる点は、膜厚センサーl4
を可動式シャッター15の一部に取付けた点である。
を可動式シャッター15の一部に取付けた点である。
従って、本実施によれば、実施例1の効果に加えて、膜
厚センサー15で成膜材料の膜厚を測定している間、基
板lOを可動式シャッター14で遮ぎることか可能なた
め、基板に威膜材料が形成されない。
厚センサー15で成膜材料の膜厚を測定している間、基
板lOを可動式シャッター14で遮ぎることか可能なた
め、基板に威膜材料が形成されない。
実施例3
第3図は本発明の第3の実施例における薄膜形成装置の
構成図である。
構成図である。
同図において、第I図と同一物には同一番号を付し、説
明を省略する。
明を省略する。
同図において、第1図と異なる点は、回転駆動部16を
有ずる支持物17で基板ヘッド1lを膜厚センヅー18
が保持した点である。
有ずる支持物17で基板ヘッド1lを膜厚センヅー18
が保持した点である。
本実施例において、基板10に威膜材料を形成したい時
はターゲット9の上方に基板ヘッド11を回転駆動部1
6を用いて配置させる。又、膜厚センサー18で膜厚を
測定する場合においては、膜厚センサー18をターゲッ
ト9の上方に配置する。
はターゲット9の上方に基板ヘッド11を回転駆動部1
6を用いて配置させる。又、膜厚センサー18で膜厚を
測定する場合においては、膜厚センサー18をターゲッ
ト9の上方に配置する。
従って、本実施例によれば、実施例lの効果に加えて、
基板と同し位置に膜厚センサーを配置できるため、より
測定精度が向上する。
基板と同し位置に膜厚センサーを配置できるため、より
測定精度が向上する。
なお、上記実施例においてはスパッタ装置を例にあげた
が、これはその他の真空薄膜形成装置において膜厚測定
をするものに応用できる。
が、これはその他の真空薄膜形成装置において膜厚測定
をするものに応用できる。
発明の効果
本発明の第1の発明によれば、膜厚セン→1−を可動式
の支持物に取付け、成膜時に基板と成膜材料の間でしか
も基板面積の範囲内に配置できるため、膜厚情度が向上
し、必要な時のみ、使用できるため寿命も伸び膜厚管理
が容易に通る。
の支持物に取付け、成膜時に基板と成膜材料の間でしか
も基板面積の範囲内に配置できるため、膜厚情度が向上
し、必要な時のみ、使用できるため寿命も伸び膜厚管理
が容易に通る。
また、本発明の第2の発明は、1模厚センサーを可動式
シャッターの一部に取付け、成膜時に基板と成膜材料の
間で、しかも基板面積の範囲内に配置できるため、膜厚
精度が向上し、必要な時のみ、使用できるため寿命も伸
び、膜厚管理が容易にむるとともに、膜厚測定時に基板
を遮ぎることか可能となり、基板への戊膜を防止できる
。
シャッターの一部に取付け、成膜時に基板と成膜材料の
間で、しかも基板面積の範囲内に配置できるため、膜厚
精度が向上し、必要な時のみ、使用できるため寿命も伸
び、膜厚管理が容易にむるとともに、膜厚測定時に基板
を遮ぎることか可能となり、基板への戊膜を防止できる
。
更に、本発明の第3の発明によれば、膜厚センサーと基
板ヘッドを回転機構を有する支持物で保持され成膜時に
基板と成膜材料の間でしかも基板面積の範囲内に配置で
きるため、膜厚精度が向上し、必要な時のみ使用できる
ため寿命も伸び、基板と同じ位置に膜厚センサーを配置
できるため、より測定精度が向上し、膜厚管理が容易に
なる。
板ヘッドを回転機構を有する支持物で保持され成膜時に
基板と成膜材料の間でしかも基板面積の範囲内に配置で
きるため、膜厚精度が向上し、必要な時のみ使用できる
ため寿命も伸び、基板と同じ位置に膜厚センサーを配置
できるため、より測定精度が向上し、膜厚管理が容易に
なる。
第1図は本発明の第1の実施例における薄膜形成装置の
構成図、第2図は本発明の第2の実施例における薄膜形
成装置の構成図、第3図は本発明の第3の実施例におけ
る薄膜形戊装置の構成図、第4図は従来の薄膜形成装置
の構成図である。 9・・・・・・ターゲット、10・・・・・・基板、l
2・・・・・・膜厚センサー、13・・・・・・支持体
。
構成図、第2図は本発明の第2の実施例における薄膜形
成装置の構成図、第3図は本発明の第3の実施例におけ
る薄膜形戊装置の構成図、第4図は従来の薄膜形成装置
の構成図である。 9・・・・・・ターゲット、10・・・・・・基板、l
2・・・・・・膜厚センサー、13・・・・・・支持体
。
Claims (4)
- (1)可動式の支持物に設けられた膜厚センサーを、成
膜時に基板とターゲットとの間に配置してなる薄膜形成
装置。 - (2)膜厚センサーを基板全体を覆う大きさの可動式シ
ャッターの一部に取付けた請求項1記載の薄膜形成装置
。 - (3)膜厚センサーと基板ヘッドを回転駆動部を有する
支持物で保持する請求項1記載の薄膜形成装置。 - (4)膜厚センサーと基板を成膜材料から同一距離に配
置されることを特徴とする請求項3記載の薄膜形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190981A JPH0356672A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1190981A JPH0356672A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0356672A true JPH0356672A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16266880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1190981A Pending JPH0356672A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0356672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7828929B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-11-09 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| US10363033B2 (en) | 2007-06-04 | 2019-07-30 | Ethicon Llc | Robotically-controlled surgical instruments |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1190981A patent/JPH0356672A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7828929B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-11-09 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| GB2421738B (en) * | 2004-12-30 | 2011-11-09 | Res Electro Optics Inc | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| US8182861B2 (en) | 2004-12-30 | 2012-05-22 | Research Electro-Optics, Inc. | Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing |
| US10363033B2 (en) | 2007-06-04 | 2019-07-30 | Ethicon Llc | Robotically-controlled surgical instruments |
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