JPH0356967Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0356967Y2 JPH0356967Y2 JP1986173867U JP17386786U JPH0356967Y2 JP H0356967 Y2 JPH0356967 Y2 JP H0356967Y2 JP 1986173867 U JP1986173867 U JP 1986173867U JP 17386786 U JP17386786 U JP 17386786U JP H0356967 Y2 JPH0356967 Y2 JP H0356967Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- insulating layer
- flat cable
- conductors
- cable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Insulated Conductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、熱可塑性樹脂フイルム間に複数の
離間並置した導体を挾持する形式のフラツトケー
ブルに関する。この種のフラツトケーブルは、近
年高度化の一途にある電子装置間の接続用とし
て、高伝送速度高密度化の傾向にある。
離間並置した導体を挾持する形式のフラツトケー
ブルに関する。この種のフラツトケーブルは、近
年高度化の一途にある電子装置間の接続用とし
て、高伝送速度高密度化の傾向にある。
樹脂フイルム間に複数の導体を離間配置して挾
持するフラツトケーブルとして、例えば実開昭61
−48513号公報に記載のものが提案されている。
このように、テープラミネート形式のフラツトケ
ーブルは、テープないしはフイルムを導体に沿わ
せて接着或いは熱融着等によつて絶縁フイルムを
接合して導体を挾持するものであるため、導体と
テープまたはフイルムとの間に横断面三角状の空
〓を生じ、これが絶縁不良の原因となることがあ
る。
持するフラツトケーブルとして、例えば実開昭61
−48513号公報に記載のものが提案されている。
このように、テープラミネート形式のフラツトケ
ーブルは、テープないしはフイルムを導体に沿わ
せて接着或いは熱融着等によつて絶縁フイルムを
接合して導体を挾持するものであるため、導体と
テープまたはフイルムとの間に横断面三角状の空
〓を生じ、これが絶縁不良の原因となることがあ
る。
特に、導体中心間ピツチが1.27mm或いは0.635
mm程度のこの種のフラツトケーブルにあつては、
両端部導体部におけるこの種の横断面三角状の空
〓が絶縁不良の原因となることが多かつた。
mm程度のこの種のフラツトケーブルにあつては、
両端部導体部におけるこの種の横断面三角状の空
〓が絶縁不良の原因となることが多かつた。
そこでこの考案は、上記従来の問題点を解決
し、絶縁層と導体との間に空〓を生ぜず、導体外
周に絶縁層が隅なく密着する構造のフラツトケー
ブルを提供することを目的とする。
し、絶縁層と導体との間に空〓を生ぜず、導体外
周に絶縁層が隅なく密着する構造のフラツトケー
ブルを提供することを目的とする。
このためこの考案によれば、離間並置された複
数の導体と、この複数の導体を挾持する熱可塑性
樹脂フイルムよりなる絶縁層とからなり、前記絶
縁層は、導体位置の一定幅にわたり原フイルム厚
をほぼ維持する原形維持部と、導体位置に隣接し
た厚み方向とともに導体方向に圧接成形されたほ
ぼ凹円弧状の薄肉部とを備えるフラツトケーブル
を構成する。
数の導体と、この複数の導体を挾持する熱可塑性
樹脂フイルムよりなる絶縁層とからなり、前記絶
縁層は、導体位置の一定幅にわたり原フイルム厚
をほぼ維持する原形維持部と、導体位置に隣接し
た厚み方向とともに導体方向に圧接成形されたほ
ぼ凹円弧状の薄肉部とを備えるフラツトケーブル
を構成する。
導体位置に隣接した絶縁層は、ほぼ凹円弧状の
薄肉部に圧接成形され、この際の導体方向の力に
よつて変形して空〓部を埋めるため、各導体は絶
縁層によつて密接封止される。これにより、導体
に隣接する空〓が無くなり、ケーブル端末から浸
入する気中物質や導電生成物質による導電路もし
くは半導電路の形成が無くなる。
薄肉部に圧接成形され、この際の導体方向の力に
よつて変形して空〓部を埋めるため、各導体は絶
縁層によつて密接封止される。これにより、導体
に隣接する空〓が無くなり、ケーブル端末から浸
入する気中物質や導電生成物質による導電路もし
くは半導電路の形成が無くなる。
また、導体に隣接する空間が無くなる分だけフ
イルムの導体密接面積が広くなり、振動や変形等
の外部応力による側端部絶縁層のはがれが無くな
る。
イルムの導体密接面積が広くなり、振動や変形等
の外部応力による側端部絶縁層のはがれが無くな
る。
また、導体間に絶縁層を圧接成形するものであ
るから、各導体は所定位置に確実に収まり、導体
位置精度が高くなる。また、導体位置の絶縁層は
原形を維持した平行部とすることができ、接続端
末部において接触面積が大きくなるので、コネク
タ内での据わりが良くなるとともにケーブルに加
わる外力を広い面積の絶縁層で支持する構造とな
るので、導体への応力集中を避けることができ、
振動、腐食、断線等による接続不良を生ずること
が無くなる。
るから、各導体は所定位置に確実に収まり、導体
位置精度が高くなる。また、導体位置の絶縁層は
原形を維持した平行部とすることができ、接続端
末部において接触面積が大きくなるので、コネク
タ内での据わりが良くなるとともにケーブルに加
わる外力を広い面積の絶縁層で支持する構造とな
るので、導体への応力集中を避けることができ、
振動、腐食、断線等による接続不良を生ずること
が無くなる。
第1図は、この考案によるフラツトケーブルの
部分的横断面図である。
部分的横断面図である。
このフラツトケーブル1は、等間隔に離間配置
した複数の導体2を、上下二枚の熱可塑性樹脂フ
イルムよりなる絶縁層3によつて挾持するもの
で、特にこの絶縁層3は、導体位置の一定幅にわ
たり原樹脂フイルム厚をほぼ維持する原形維持部
4と、この原形維持部4即ち導体位置に隣接して
原樹脂フイルム厚より薄くなるように厚み方向と
ともに導体方向に圧接成形したほぼ凹円弧状の薄
肉部5を交互に形成するようになされている。
した複数の導体2を、上下二枚の熱可塑性樹脂フ
イルムよりなる絶縁層3によつて挾持するもの
で、特にこの絶縁層3は、導体位置の一定幅にわ
たり原樹脂フイルム厚をほぼ維持する原形維持部
4と、この原形維持部4即ち導体位置に隣接して
原樹脂フイルム厚より薄くなるように厚み方向と
ともに導体方向に圧接成形したほぼ凹円弧状の薄
肉部5を交互に形成するようになされている。
ここで、導体2は、例えばAWG(アメリカン
ワイヤゲージ)30(直径0.254mm)を導体間ピツチ
0.635mmで離間並置して用い、この場合絶縁層3
として例えば厚さ0.25mmの四弗化エチレン樹脂フ
イルムが用いられる。整列された複数の導体2を
両側から挾持する絶縁層3は、両側から断面形状
がほぼ円弧状の突出部を円周にわたり設け、かつ
これを複数所定位置に配した加熱ロールによつて
加熱圧接されて、導体2間位置で凹円弧状の薄肉
部5が形成される。この過程で絶縁層3は、軟化
変形して薄肉になるとともに、押しやられて各導
体2の外周に密接し、導体2の近傍に空〓を形成
することが無くなる。この際の両絶縁層3の結合
は、熱融着や接着等で行なうことができる。
ワイヤゲージ)30(直径0.254mm)を導体間ピツチ
0.635mmで離間並置して用い、この場合絶縁層3
として例えば厚さ0.25mmの四弗化エチレン樹脂フ
イルムが用いられる。整列された複数の導体2を
両側から挾持する絶縁層3は、両側から断面形状
がほぼ円弧状の突出部を円周にわたり設け、かつ
これを複数所定位置に配した加熱ロールによつて
加熱圧接されて、導体2間位置で凹円弧状の薄肉
部5が形成される。この過程で絶縁層3は、軟化
変形して薄肉になるとともに、押しやられて各導
体2の外周に密接し、導体2の近傍に空〓を形成
することが無くなる。この際の両絶縁層3の結合
は、熱融着や接着等で行なうことができる。
このように形成したこの考案によるフラツトケ
ーブル1によれば、導体2と絶縁層3とは〓間無
く密接して、空〓を形成することが無いので、こ
の空〓を介して浸入する気中物質や導電生成物質
によつて導電路や半導電路を形成することが無く
なり、更に絶縁層3間に空〓が無いので、ケーブ
ル側端部7等において振動や変形などの機械的応
力による層間はがれを生ぜず、充分な絶縁が確保
できる。
ーブル1によれば、導体2と絶縁層3とは〓間無
く密接して、空〓を形成することが無いので、こ
の空〓を介して浸入する気中物質や導電生成物質
によつて導電路や半導電路を形成することが無く
なり、更に絶縁層3間に空〓が無いので、ケーブ
ル側端部7等において振動や変形などの機械的応
力による層間はがれを生ぜず、充分な絶縁が確保
できる。
これに対し、第2図に部分的横断面図を示した
従来のフラツトケーブル10においては、単に導
体11に沿うように絶縁層12を配しているだけ
のため、導体11と両絶縁層12間に横断面三角
状の空〓13が生ずる。
従来のフラツトケーブル10においては、単に導
体11に沿うように絶縁層12を配しているだけ
のため、導体11と両絶縁層12間に横断面三角
状の空〓13が生ずる。
そのため、この空〓13を介して導電路もしく
は半導電路を形成する物質が浸入したり、ケーブ
ル側端部14は振動や変形等の機械的応力によつ
てこの空〓13が広がり、絶縁層12間にはがれ
を生じ、絶縁確保のうえで問題となつていた。
は半導電路を形成する物質が浸入したり、ケーブ
ル側端部14は振動や変形等の機械的応力によつ
てこの空〓13が広がり、絶縁層12間にはがれ
を生じ、絶縁確保のうえで問題となつていた。
この考案によるフラツトケーブル1によれば、
このような従来の問題を解決したうえ導体位置精
度を高くでき、また絶縁層の接触表面積を多くで
き、ケーブルに加わる外力の多くを絶縁層で支持
する構造となるので、導体への応力負担が軽くな
り、接続断線不良の生じにくいフラツトケーブル
となる。
このような従来の問題を解決したうえ導体位置精
度を高くでき、また絶縁層の接触表面積を多くで
き、ケーブルに加わる外力の多くを絶縁層で支持
する構造となるので、導体への応力負担が軽くな
り、接続断線不良の生じにくいフラツトケーブル
となる。
尚この考案は上記の実施例に限定されるもので
は無く、この考案の思想の範囲内で種々変更実施
することが可能である。
は無く、この考案の思想の範囲内で種々変更実施
することが可能である。
以上の通りこの考案によれば、離間並置された
複数の導体と、この複数の導体を挾持する熱可塑
性樹脂フイルムよりなる絶縁層とからなり、前記
絶縁層は、導体位置の一定幅にわたり原フイルム
厚をほぼ維持する原形維持部と、導体位置に隣接
した厚み方向とともに導体方向に圧接成形された
ほぼ凹円弧状の薄肉部とを備えるフラツトケーブ
ルを構成することにより、絶縁層相互を偶なく密
接させて導体と絶縁層との間の空〓を皆無とした
ので、導電もしくは半導電物質のケーブル端末か
らの浸入が無く、ケーブル側端部のはがれを生ず
ることも無い絶縁不良の生じにくいフラツトケー
ブルを提供することができ、更に、導体位置精度
が高く、導体への応力負担が軽く振動、腐食、断
線等による接続不良を起こさないフラツトケーブ
ルが得られる効果がある。
複数の導体と、この複数の導体を挾持する熱可塑
性樹脂フイルムよりなる絶縁層とからなり、前記
絶縁層は、導体位置の一定幅にわたり原フイルム
厚をほぼ維持する原形維持部と、導体位置に隣接
した厚み方向とともに導体方向に圧接成形された
ほぼ凹円弧状の薄肉部とを備えるフラツトケーブ
ルを構成することにより、絶縁層相互を偶なく密
接させて導体と絶縁層との間の空〓を皆無とした
ので、導電もしくは半導電物質のケーブル端末か
らの浸入が無く、ケーブル側端部のはがれを生ず
ることも無い絶縁不良の生じにくいフラツトケー
ブルを提供することができ、更に、導体位置精度
が高く、導体への応力負担が軽く振動、腐食、断
線等による接続不良を起こさないフラツトケーブ
ルが得られる効果がある。
第1図はこの考案の一実施例によるフラツトケ
ーブルの部分的横断面図、第2図は従来のフラツ
トケーブルの部分的横断面図である。 1……フラツトケーブル、2……導体、3……
絶縁層、4……原形維持部、5……薄肉部。
ーブルの部分的横断面図、第2図は従来のフラツ
トケーブルの部分的横断面図である。 1……フラツトケーブル、2……導体、3……
絶縁層、4……原形維持部、5……薄肉部。
Claims (1)
- 離間並置された複数の導体と、この複数の導体
を挾持する熱可塑性樹脂フイルムよりなる絶縁層
とからなり、前記絶縁層は、導体位置の一定幅に
わたり原フイルム厚をほぼ維持する原形維持部
と、導体位置に隣接した厚み方向とともに導体方
向に圧接成形されたほぼ凹円弧状の薄肉部とを備
えるフラツトケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986173867U JPH0356967Y2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986173867U JPH0356967Y2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379011U JPS6379011U (ja) | 1988-05-25 |
| JPH0356967Y2 true JPH0356967Y2 (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=31111731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986173867U Expired JPH0356967Y2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0356967Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149717A (en) * | 1980-04-19 | 1981-11-19 | Sumitomo Electric Industries | Method of manufacturing single-core porous ethylene tetrafluoride resin insulated wire |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP1986173867U patent/JPH0356967Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6379011U (ja) | 1988-05-25 |
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