JPH0357542A - 溶融金属の電磁鋳造法とその装置 - Google Patents

溶融金属の電磁鋳造法とその装置

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JPH0357542A
JPH0357542A JP19209089A JP19209089A JPH0357542A JP H0357542 A JPH0357542 A JP H0357542A JP 19209089 A JP19209089 A JP 19209089A JP 19209089 A JP19209089 A JP 19209089A JP H0357542 A JPH0357542 A JP H0357542A
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渕上 裕
Muneo Tagami
田上 宗男
Eiichi Takeuchi
栄一 竹内
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、溶融金属を連続鋳造により製造する設備にお
いて、鋳型外周部に電磁コイルを設け、その電磁力を鋳
型内の溶融金属に作用させてメニスカスを良好な形状に
保持させる場合の前記電磁コイルの励磁周波数を選定す
る方法、およびこの電磁コイルが最適な励磁周波数を得
られるように構成した装置に関するものである。
[従来の技術] 連続鋳造用鋳型の外周部に設置した電磁コイルにより、
鋳型内の溶融金属に電磁力を作用させてメニスカス部分
を湾曲させ、鋳型内壁面と鋳造鋼との間にモールドフラ
ックス(潤滑剤)を円滑に流入させて凝固後の鋳片の表
面性状を改善させる方法は、特公昭57−21408号
公報により知られている。
第1図はこのような鋳造装置を示す模式図で、鋳型lの
内部に注入された溶融金属2を包囲ずる電磁コイル3を
設IJ1この電磁コイル3に交番電流を与えて鋳型の内
側に時間的に変化する磁場を生じさせると、このときに
誘起される渦電流の作用で溶融金属2が矢印Fで示ずよ
うに中心に向かって絞られ、メニスカス4を」二向きの
凸状に湾曲させて外周部が低くなり、鋳型1の内周辺に
モールドフラックス5を楔状に深く流入させることがで
きる。
このような電磁鋳造においては、一般に、電磁コイルに
流れる電流値を300〜7000アンベア、電磁場を3
0〜1000ガウス、使用周波数を50〜+0000ザ
イクルの範囲で使用しており、この電磁力は、たとえば
鋳型の材質か電気抵抗率一閃、比透磁率−1である場合
は、コイルの励磁周波数を大きくするにしたがって電磁
力が増大し、周波数一ので収束する。
[本発明が解決しようと4る課拉] しかるに、鋳型内電磁鋳造における溶融金属に電磁力を
作用させる場合は、鋳型での磁束減衰を考慮する必要が
あり、この磁束減衰は励磁周波数に依存するため鋳型の
電気抵抗率を非常に小さくすると、励磁周波数を」二げ
るにしたがって鋳型での磁束減衰が大きくなり、」一述
の電磁力と周波数との関係が成立しなくなる。
このため、理論解析により電磁力を最大にするための最
適周波数を計算することになるが、解析上種々の仮定を
導入するため計算結果に対する信頼性が疑わしく、多く
の労力と時間をかけて理論解析を行一)だにもかかわら
4゛、尖用的な数値を見いだせないことになる欠点があ
った。
3 本発明は、前記欠点を排除し鋳型内電磁鋳造分野におい
て簡単に最適周波数による電磁力を与え得るようにした
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段] このため本発明は、鋳型の内径D[mlと厚さt[ml
および電気抵抗率P[Ω・m]により、f=A X(0
 . I t /.rF)−”ただし、A=3 8 ×
D−087 B=0.4 s×D−’!′’ で算出した値の周波r/.fを用いて徂磁コイルを励磁
するようにしている。
また、前記励磁周波数fの算出値が20〜+00r{z
になるように、内径Dを0.15〜0.3m,厚さtを
0.0 0 5〜0.0 1 5m,電気抵抗率Pを1
.9x10”6〜10×10−8Ω・mの範囲内で選択
して構成した鋳型を用いることが望ましい。
[作用] したがって電磁鋳造装置の鋳型に応じて電磁コイルにM
 適な周波数の励磁を与えることができ、また、鋳型の
形状、材質を定められた範囲内での4 組み合わせで構成することにより、簡単な計算により最
適周波数を選定でき,溶融金属のメニスカス部に大きな
電磁力を作用させ、メニスカス形状を良好な状態に保持
させる。
[実施例] 内径150mm,厚さ8mm,長さ600mmの鋳型を
用い、この鋳型の底を塞いで内部に低融点の溶融金属を
注入し、鋳型に設けた電磁コイルに200アンペアの交
流電流を流して電磁力を作用させると、第1図に示すよ
うに溶融金属の鋳型に接触している部分と中心部との間
にレベル差I−1を生じるが、このレベル差I4は励磁
周波数を徐々に上げるにしたがって増大し、第2図の曲
線aで示すように励磁周波数70〜801{zで電磁力
が最大となり、さらに励磁周波数を上げると徐々に低下
することが明らかになった。すなわち、励磁周波数75
Hzで最も大きな電磁力が得られる。
なお、鋳型の電気抵抗率を実測したところ、全長の平均
値が7,1μΩ・cmであった。
これに対し、本発明の計算式 f−ハx(0.1 t/JP)−’ を用いて算出した最適周波数は、 #75I−1z となり実験の結果と合致している。
つぎに、内径250mm,厚さI/1mm、長さ600
mm,電気抵抗率3 7μΩ・cmの鋳型を用いて前記
と同様にして電磁力によるレベル差I1を測定した結果
、第2図の曲線bに示すように約301{zで電磁ノJ
が最大になった。
これに対し、本発明の計算式に当てはめて算出すると 与29Hz となり、実測による値とほぼ等しい周波数値が得られた
なお、連続鋳造で製造される金属生成物の一般的な外径
勺法は150〜300mmであり、鋳型の電気抵抗率?
および鋳型の厚さLは、一般的に7 F=1.9−10μΩ・cmSl:=5〜1 5mmの
ものか用いられている。
このような条件で電磁力を最犬にするための励磁周波数
は、鋳型内径300mm、厚さ15mmq鋳型の電気抵
抗率か1.9μΩ・cmで最低値20I−1 zとなり
、鋳型内径150mm,鋳型の厚さ5mm、鋳型の電気
抵抗率10μΩ・cmの条件で最大値132I−1zで
あった。
また、上記の条件でそれぞれの組み合わせを変えて実験
を行った結果、電磁力を最犬にするための周波数値は2
0〜132Hzの範囲内であることが確認され、とくに
20〜I O O Hzか適している。このため、前記
の式による算出値が20〜1001{zになるように鋳
型の径Dや厚さLおよび7H気1氏抗率Pを前記の範囲
内て選択することにより有効な電磁鋳造装置が得られる
[本発明の効果] このように、本発明によれば鋳型内電磁鋳造において、
電磁コイルに付与される交番電流の最適周波数を簡単な
計算式によって選定することかで8 き、また、電磁力を大きくして溶融金属のメニスカスの
形状を良好に保ち鋳込鋳片の品質を向」ニさせ得る効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を用いる電磁鋳造装置におけるメニスカ
スの形状を示す模式図、第2図は励磁周波数と電磁力の
関係を示す実測値の特性曲線である。 1は鋳型、2は溶融金属、3は電磁コイル、4はメニス
カス、5はモールドフラックス、Hはレヘル差である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 連続鋳造用の鋳型外周部に設置され、鋳型内の溶融
    金属に電磁力を作用させてメニスカス形状を調整する電
    磁コイルをそなえた電磁鋳造において、前記鋳型を内径
    Dが0.15〜0.3m、厚さtが0.005〜0.0
    15m、電気抵抗率ρが1.9×10^−^8〜10×
    10^−^8Ω・mの範囲内で構成し、前記電磁コイル
    の励磁周波数fを f=A×(0.1t/■ρ)^−^B[Hz]ただしA
    =38×D^−^0^.^8^7 B=0.48×D^−^0^.^3^2 により算出することを特徴とする溶融金属の電磁鋳造法
    。 2 連続鋳造用の鋳型外周部に設置され、鋳型内の溶融
    金属に電磁力を作用させてメニスカス形状を調整する電
    磁コイルをそなえた電磁鋳造において、前記鋳型の内径
    D[m]、厚さをt[m]、電気抵抗率ρ[Ω・m]に
    より、 f=A×(0.1t/■ρ)^−^B[Hz]ただしA
    =38×D^−^0^.^8^7 B=0.48×D^−^0^.^3^2 で算出した周波数fによって励磁される電磁コイルを設
    け、この算出励磁周波数fが20〜100Hzになるよ
    うに、内径Dを0.15〜0.3m、厚さをを0.00
    5〜0.015m、電気抵抗率を1.9×10^−^8
    〜10×10^−^8Ω・mの範囲内で選択して構成し
    た鋳型をそなえたことを特徴とする溶融金属の電磁鋳造
    装置。
JP19209089A 1989-07-24 1989-07-24 溶融金属の電磁鋳造法とその装置 Expired - Lifetime JP2940942B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392684B1 (en) 1999-06-29 2002-05-21 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Image forming apparatus and image forming method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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