JPH0357932A - 極低温測定装置 - Google Patents
極低温測定装置Info
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- JPH0357932A JPH0357932A JP1192705A JP19270589A JPH0357932A JP H0357932 A JPH0357932 A JP H0357932A JP 1192705 A JP1192705 A JP 1192705A JP 19270589 A JP19270589 A JP 19270589A JP H0357932 A JPH0357932 A JP H0357932A
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野[
この発明は、極低温領域の温度を高い分解能でiIIl
l定する際に有用な極低温用水晶センサに関するもので
ある。
l定する際に有用な極低温用水晶センサに関するもので
ある。
[発明の概要]
本発明の極低温用水晶センサは水晶振動子に対し、温度
によって抵抗値が変化するような抵抗と、コイル並列、
または直列に接続したインピーダンス素子を付加してい
るので、該インピーダンス素子により水晶温度センサの
周波数変化率がポ気的に引き起こされ、周波数変化率が
拡大し、特に、絶対温度が極めて低い極低温領域の温度
を高い精度で測定することができる。
によって抵抗値が変化するような抵抗と、コイル並列、
または直列に接続したインピーダンス素子を付加してい
るので、該インピーダンス素子により水晶温度センサの
周波数変化率がポ気的に引き起こされ、周波数変化率が
拡大し、特に、絶対温度が極めて低い極低温領域の温度
を高い精度で測定することができる。
また、本発明によれば極低温領域において、温度による
周波数変化を示さない圧電素子においても、大きな周波
数変化を得ることが可能になり、圧電素子を温度センサ
として利用することが可能になる。
周波数変化を示さない圧電素子においても、大きな周波
数変化を得ることが可能になり、圧電素子を温度センサ
として利用することが可能になる。
[従来の技術]
極低温領域である例えば4K〜25Kの温度を測定する
温度センサとしては、例えば温度によって抵抗が変化す
る白金や半導体が知られているが、これらの材料からな
る温度センサは、極低温領域において抵抗変化が極めて
小さくなるため,高い分解能で温度変化を測定すること
が困難になる。
温度センサとしては、例えば温度によって抵抗が変化す
る白金や半導体が知られているが、これらの材料からな
る温度センサは、極低温領域において抵抗変化が極めて
小さくなるため,高い分解能で温度変化を測定すること
が困難になる。
また、これらの材料は抵抗変化を検出するために外部か
ら電流、または電圧を加え、基準の電圧値と比較する必
要があるため、測定装置が大型になり、 極低温領域の
温度測定を困難にするという問題がある。
ら電流、または電圧を加え、基準の電圧値と比較する必
要があるため、測定装置が大型になり、 極低温領域の
温度測定を困難にするという問題がある。
そこで本出願人は、先に短冊上の小型水晶振動子を使用
して、極低温領域でもクリスタルインピーダンス(CI
値)が急変することなく、安定した振動姿態を示す温度
センサを・提案・した。
して、極低温領域でもクリスタルインピーダンス(CI
値)が急変することなく、安定した振動姿態を示す温度
センサを・提案・した。
(特願昭63−291092号)
第7図は上記温度センサの極低温領域における周波数温
度特性の一例を示したもので、縦軸は水晶温度センサの
周波数変化率Δf/fをPPMの単位で示し、横軸は絶
対温度Kを示している。
度特性の一例を示したもので、縦軸は水晶温度センサの
周波数変化率Δf/fをPPMの単位で示し、横軸は絶
対温度Kを示している。
[発明が解決しようとする問題点1
上記周波数変化率一温度特性図によると、極低温領域で
ある5〜20K付近でも安定した周波数変化が認められ
、温度センサの周波数変化を例えば、電磁波として送信
し、その受信周波数変化をカウンタ等により計数するこ
とによって、遠隔的に極低温領域の温度の測定が可能に
なる。
ある5〜20K付近でも安定した周波数変化が認められ
、温度センサの周波数変化を例えば、電磁波として送信
し、その受信周波数変化をカウンタ等により計数するこ
とによって、遠隔的に極低温領域の温度の測定が可能に
なる。
しかしながら、極低温領域である4〜25K付近では周
波数変化率がきわめて小さいため、この付近の温度を高
い精度で検出することができないという問題が残る。
波数変化率がきわめて小さいため、この付近の温度を高
い精度で検出することができないという問題が残る。
〔問題点を解決するための千段1
本発明は、かかる問題点にかんがみてなされたもので、
極低温領域における水晶温度センサの周波数変化率(Δ
f/f)を大きくするために、水晶振動子に対して温度
により抵抗値が変化する抵抗と、コイルの並列、または
直列接続回路をインピーダンス素子として付加したもの
である。
極低温領域における水晶温度センサの周波数変化率(Δ
f/f)を大きくするために、水晶振動子に対して温度
により抵抗値が変化する抵抗と、コイルの並列、または
直列接続回路をインピーダンス素子として付加したもの
である。
〔作用1
本発明の極低温用水晶センサは、水晶振動子と温度によ
って変化するインピーダンス素子により温度センサが構
成されているため、極低温領域の周波数変化率が従来の
水晶単体の温度センサに比較して大きくなり、温度測定
を高い精度で行うことができる。
って変化するインピーダンス素子により温度センサが構
成されているため、極低温領域の周波数変化率が従来の
水晶単体の温度センサに比較して大きくなり、温度測定
を高い精度で行うことができる。
〔実施例]
第1図は本発明の極低温領域における温度測定用の水晶
渦度センサの電気回路を示したもので、lは水晶振動子
、2は後述するように温度によって抵抗値が変化する抵
抗であって、例えば、力一ボン皮膜抵抗、またはゲルマ
ニ・ユームに金をドープした抵抗等が使用されている。
渦度センサの電気回路を示したもので、lは水晶振動子
、2は後述するように温度によって抵抗値が変化する抵
抗であって、例えば、力一ボン皮膜抵抗、またはゲルマ
ニ・ユームに金をドープした抵抗等が使用されている。
3はインダクタンスLを呈するコイルを示し、前記抵抗
2と並列に接続されている。そして、このコイル3と抵
抗2の並列回路素子が前記水晶振動子lに直列に接続さ
れ、水晶温度センサを構成している。
2と並列に接続されている。そして、このコイル3と抵
抗2の並列回路素子が前記水晶振動子lに直列に接続さ
れ、水晶温度センサを構成している。
この第l図の■、■を2端子とするインピーダンス回路
は、よく知られているように第2図に示す等価回路で表
すことができる。
は、よく知られているように第2図に示す等価回路で表
すことができる。
この回路においてC。は水晶振動子を誘電体としたとき
の並列容量、L.C.R.は水晶の弾性常数、圧電常数
、振動姿態および、その支持方法等によって定まる機械
的なインピーダンス常数を小している。
の並列容量、L.C.R.は水晶の弾性常数、圧電常数
、振動姿態および、その支持方法等によって定まる機械
的なインピーダンス常数を小している。
なお、C./C,は容量比γと呼び、この値は振動子の
結晶に対する切断方位角で決められる常数である。
結晶に対する切断方位角で決められる常数である。
第3図は付加された抵抗2、コイル3の並列インピーダ
ンスZを等価的なコンデンサCLと抵抗rによって置き
換えた回路である。
ンスZを等価的なコンデンサCLと抵抗rによって置き
換えた回路である。
この第3図の等価回路ではコンデンサCLの容量は前記
並列インピーダンスZを としたとき、その虚数部に着目すると 1/jωCL=jωLR”7 (n2+ω2L2)とな
るから、 CL=−(R2+ω2L2/ω2tn21・・・・・・
・・filとなる負の容量値を示すことになる。
並列インピーダンスZを としたとき、その虚数部に着目すると 1/jωCL=jωLR”7 (n2+ω2L2)とな
るから、 CL=−(R2+ω2L2/ω2tn21・・・・・・
・・filとなる負の容量値を示すことになる。
また、第3図の等価回路によって水晶温度センサが共振
する共振周波数をf。,水晶振動子lの直列共振周波数
をfとすると、周波数変化率を示すr。−f/f=Δf
/fは、 Δf/f=C./2γ(C.+CL)−−−121とな
り、結局 示される。
する共振周波数をf。,水晶振動子lの直列共振周波数
をfとすると、周波数変化率を示すr。−f/f=Δf
/fは、 Δf/f=C./2γ(C.+CL)−−−121とな
り、結局 示される。
第4図(a)は常温で100Ωのカーボン抵抗Rの温度
特性を示したものである。
特性を示したものである。
また第4図(b)は、ゲルマニュウムの極低温領域にお
ける抵抗値の変化特性を示したものである。
ける抵抗値の変化特性を示したものである。
本発明は、例えば上記ような極低温領域で大きな抵抗変
化を示す抵抗をRとし、この抵抗(特に前記したゲルマ
ニュウムによる半導体抵抗)とコイルを並列(または直
列)に接続したインピーダンス素子を水晶振動子に付加
することによって極低温領域で周波数変化が大きくなる
ようにしたものである。
化を示す抵抗をRとし、この抵抗(特に前記したゲルマ
ニュウムによる半導体抵抗)とコイルを並列(または直
列)に接続したインピーダンス素子を水晶振動子に付加
することによって極低温領域で周波数変化が大きくなる
ようにしたものである。
第5図は上式の計算値の一例として水晶振動子の周波数
を一定とし、抵抗(R)が第4図に示すような変化をし
た場合のセンサの周波数変化をコイル(L)の値をパラ
メータとして示したものである。
を一定とし、抵抗(R)が第4図に示すような変化をし
た場合のセンサの周波数変化をコイル(L)の値をパラ
メータとして示したものである。
この図から分かるように、本発明の水晶温度センサは極
低温領域の範囲における周波数変化を大きくすることが
でき、温度の測定を高精度、高分解能で行うことが可能
になる。
低温領域の範囲における周波数変化を大きくすることが
でき、温度の測定を高精度、高分解能で行うことが可能
になる。
すなわち、前記第7図の従来の特性と比較すると、例え
ば、5K−10K付近では従来の水晶温度センサの感度
は、約0.5PPM/Kであるのに対し、本発明の温度
センサの感度は、約5.8PPM/Kとなり、従来のも
のに対し約11倍の高分解能で温度測定を行うことが実
現された。
ば、5K−10K付近では従来の水晶温度センサの感度
は、約0.5PPM/Kであるのに対し、本発明の温度
センサの感度は、約5.8PPM/Kとなり、従来のも
のに対し約11倍の高分解能で温度測定を行うことが実
現された。
このような感度の向上による有効性は、測定時間の短縮
となり、ハイレスポンスの測定を可能にするものである
。
となり、ハイレスポンスの測定を可能にするものである
。
第6図(a)は本発明の極低温用水晶温度センサの一実
施例を示している。
施例を示している。
この図で、IOは水晶基盤l1の一方の面にカーボン皮
膜l2を付け抵抗体を構成し、他方の面にスパイラル状
の導体を蒸着、またはプリントしたコイルl3を設け、
これらを端子14A,14B間で並列に接続した付加イ
ンピーダンス素子、20は電極21A、21Bが円形の
水晶片22の両面に張り付けられている水晶振動子であ
る。
膜l2を付け抵抗体を構成し、他方の面にスパイラル状
の導体を蒸着、またはプリントしたコイルl3を設け、
これらを端子14A,14B間で並列に接続した付加イ
ンピーダンス素子、20は電極21A、21Bが円形の
水晶片22の両面に張り付けられている水晶振動子であ
る。
付加インピーダンス素子lOと水晶振動子20は、内部
が気密状態に保持されているカン30内に密封され各リ
ード端子14A.14Bおよび23A、23Bが前記第
3図の回路を構成するように接続されている。
が気密状態に保持されているカン30内に密封され各リ
ード端子14A.14Bおよび23A、23Bが前記第
3図の回路を構成するように接続されている。
第6図(b)は本発明の他の実施例を示したものである
。
。
この実廁例では抵抗l2をコイルl3と分離としてバル
ク素子とされているものを使用し、水晶振動子20とし
て、短@型に切りだしたものが使用されている。そして
,水晶振動子20の一方の電極23Bと、インピーダン
ス素子10を形成する一方の電極が共通電1423Cと
されているが、他の記号は第6図(a)と同一機能を示
すものである。
ク素子とされているものを使用し、水晶振動子20とし
て、短@型に切りだしたものが使用されている。そして
,水晶振動子20の一方の電極23Bと、インピーダン
ス素子10を形成する一方の電極が共通電1423Cと
されているが、他の記号は第6図(a)と同一機能を示
すものである。
このような極低温用水晶センサは、半導体能動素子とと
もに発振回路を構成すると、その発振出力を外部のアン
テナによって受信し、カウンタ等によって周波数を計数
することにより、極低温領域の温度を精度良く測定する
ことができる。
もに発振回路を構成すると、その発振出力を外部のアン
テナによって受信し、カウンタ等によって周波数を計数
することにより、極低温領域の温度を精度良く測定する
ことができる。
また 本出願人が先に提案しているように、温度センサ
のリード端子(2端子■、■)31A、31Bに小さな
アンテナを接続し、外部から電波を照射して極低温用水
晶センサを励振する。
のリード端子(2端子■、■)31A、31Bに小さな
アンテナを接続し、外部から電波を照射して極低温用水
晶センサを励振する。
そして極低温用水晶センサが共振したときのエコー波を
受信することによって極低温領域の温度を遠隔的に測定
することも出来るようになる。
受信することによって極低温領域の温度を遠隔的に測定
することも出来るようになる。
第8図は上記した水晶振動片による温度測定法の一例の
概要をブロック図としたものであって、101は基準の
クロック信号を出力する基準信号源、102は所定の計
数値でリセットされるカウンタ回路、103はカウンタ
回路の計算値を出力レベルに変換するD−A変換器、1
04は人力信号レベルによって発振周波数が変化する電
圧可変発振器(VCO)、105は送信装置、106は
スイッチ回路、107は外部アンテナを示す。
概要をブロック図としたものであって、101は基準の
クロック信号を出力する基準信号源、102は所定の計
数値でリセットされるカウンタ回路、103はカウンタ
回路の計算値を出力レベルに変換するD−A変換器、1
04は人力信号レベルによって発振周波数が変化する電
圧可変発振器(VCO)、105は送信装置、106は
スイッチ回路、107は外部アンテナを示す。
108は外部アンテナ107で受信した電波を効果的に
増幅する受信装置、109は受信電波の検波回路、11
0は例えば前記カウンタ回路102の計数出力でアドレ
スされ、前記検波回路109の出力によってそのアドレ
スのデータが読み出されるようなRAMテーブルである
。
増幅する受信装置、109は受信電波の検波回路、11
0は例えば前記カウンタ回路102の計数出力でアドレ
スされ、前記検波回路109の出力によってそのアドレ
スのデータが読み出されるようなRAMテーブルである
。
水晶温度センサCSは、例えば、強力な磁界を印加し、
ヘリュームガス等によって冷却することにより、超電導
状態を形成する極低温槽120内に挿入される。
ヘリュームガス等によって冷却することにより、超電導
状態を形成する極低温槽120内に挿入される。
そして、外部アンテナ107の電波が水晶温度センサC
Sに照射される。
Sに照射される。
外部アンテナ107から照射される電波TDは第9図に
示すように、スイッチ106によって期間T1だけ出力
されるように断続制御され,電波が照射されていない期
間T2で受信装置108が受信状態に切り変わるように
なされている。
示すように、スイッチ106によって期間T1だけ出力
されるように断続制御され,電波が照射されていない期
間T2で受信装置108が受信状態に切り変わるように
なされている。
照射電波TDの周波数fはVCO1 04に人力されて
いる信号レベルの段階波形に対応してクロック周期で段
階上に上昇(f,→f.−f3・・・・・)し、水晶温
度センサCSに照射される。
いる信号レベルの段階波形に対応してクロック周期で段
階上に上昇(f,→f.−f3・・・・・)し、水晶温
度センサCSに照射される。
ところで、水晶振動片はきわめて高いQ値を有するため
、照射された電波の周波数fと水晶振動片の共振周波数
が一致していないときは、水晶片が励振されない。
、照射された電波の周波数fと水晶振動片の共振周波数
が一致していないときは、水晶片が励振されない。
しかしながら、第9図に示したように、例えば照q:t
電波TDの周波数f4と水晶振動片の共振周波数f。が
一致すると、電波TDの送信が遮断されたあとでも、水
晶振動子はその高いQ特性によって振動を継続すること
になる。
電波TDの周波数f4と水晶振動片の共振周波数f。が
一致すると、電波TDの送信が遮断されたあとでも、水
晶振動子はその高いQ特性によって振動を継続すること
になる。
このような残響振動が生じると、水晶振動片のピエゾ効
果によって、送信電波が遮断された後に水晶温度センサ
CSのループアンテナから外部アンテナに残響振動波に
基づく電波RDが送信されることになり、この電波が受
信装置によって受信される。
果によって、送信電波が遮断された後に水晶温度センサ
CSのループアンテナから外部アンテナに残響振動波に
基づく電波RDが送信されることになり、この電波が受
信装置によって受信される。
RAMテーブル110にはカウンタ回路102で指定さ
れたときのデータが、そのときの■CO104の発振周
波数として記憶されているので、この受信状態を示す検
波信号edによってカウンタ回路102でその時にアド
レスされたデータを読み出すことによって、水晶温度セ
ンサの共振周波数を検知することができる。
れたときのデータが、そのときの■CO104の発振周
波数として記憶されているので、この受信状態を示す検
波信号edによってカウンタ回路102でその時にアド
レスされたデータを読み出すことによって、水晶温度セ
ンサの共振周波数を検知することができる。
以上は残響振動によって温度を測定する方法を示したが
、本発明の極低温用水晶センサは、一般に行われている
水晶振動子による温度測定法を抹用して温度を測定する
ように構成してもよい。
、本発明の極低温用水晶センサは、一般に行われている
水晶振動子による温度測定法を抹用して温度を測定する
ように構成してもよい。
1発明の効果]
以上説明したように、本発明の極低温用水晶温度センサ
は、極低温領域で周波数変化率が高くなるように構成さ
れているから、この極低温領域における温度測定が高い
精度で検出できるようになるという優れた効果がある。
は、極低温領域で周波数変化率が高くなるように構成さ
れているから、この極低温領域における温度測定が高い
精度で検出できるようになるという優れた効果がある。
第1図は本発明の一実旅例を示す水晶振動子の電気回路
図、 第2図は水晶振動子の等価回路図、 第3図は第2図の等価回路図、 第4図(a)(b)は抵抗の温度特性図第5図は本発明
の水晶温度センサの周波数変化特性図、 第6図(a)(b)は本発明の水晶温度センサの一例を
示す概要説明図、 第7図は従来の水晶温度センサ周波数変化特性図、 第8図は温度測定のための実旅例を示すブロック図、 第9図は第8図の動作を示す信号波形図である。 図中、lOはインピーダンス素子、l2は抵抗、l3は
コイル、20は水晶振動子、
図、 第2図は水晶振動子の等価回路図、 第3図は第2図の等価回路図、 第4図(a)(b)は抵抗の温度特性図第5図は本発明
の水晶温度センサの周波数変化特性図、 第6図(a)(b)は本発明の水晶温度センサの一例を
示す概要説明図、 第7図は従来の水晶温度センサ周波数変化特性図、 第8図は温度測定のための実旅例を示すブロック図、 第9図は第8図の動作を示す信号波形図である。 図中、lOはインピーダンス素子、l2は抵抗、l3は
コイル、20は水晶振動子、
Claims (1)
- 水晶振動子に温度によってその値が変化するインピーダ
ンス素子を付加することにより、前記水晶振動子の温度
に対する発振周波数を極低温領域で大きくしたことを特
徴とする極低温用水晶温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192705A JPH0830665B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 極低温測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192705A JPH0830665B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 極低温測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357932A true JPH0357932A (ja) | 1991-03-13 |
| JPH0830665B2 JPH0830665B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16295684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192705A Expired - Fee Related JPH0830665B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 極低温測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830665B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009229428A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Tokyo Denpa Co Ltd | シリコンウエハ多点温度測定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114826A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-16 | Seikosha Co Ltd | Sensor using piezoelectric oscillator |
| JPS5892908A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Seikosha Co Ltd | 圧電振動子を用いた検出装置 |
| JPS62192136A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-22 | 東洋通信機株式会社 | 生体内温度測定装置 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1192705A patent/JPH0830665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS62192136A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-22 | 東洋通信機株式会社 | 生体内温度測定装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009229428A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Tokyo Denpa Co Ltd | シリコンウエハ多点温度測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830665B2 (ja) | 1996-03-27 |
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