JPH0358033A - 導波路型光デバイス - Google Patents
導波路型光デバイスInfo
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- JPH0358033A JPH0358033A JP19267989A JP19267989A JPH0358033A JP H0358033 A JPH0358033 A JP H0358033A JP 19267989 A JP19267989 A JP 19267989A JP 19267989 A JP19267989 A JP 19267989A JP H0358033 A JPH0358033 A JP H0358033A
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- Japan
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- refractive index
- optical
- waveguide
- thin film
- optical waveguide
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はスイッチングや変調機能を有する導波路型光デ
バイスに関する。
バイスに関する。
［従来の技術コ
導波路型光デバイスは強誘電体や半導体材料からなる基
板に光導波路となる屈折率の高い部分を形成し，この光
導波路の上部または近傍に電極を形或し，外部から電圧
を印加することによりスイッチングや光変調を行う光デ
バイスである。
板に光導波路となる屈折率の高い部分を形成し，この光
導波路の上部または近傍に電極を形或し，外部から電圧
を印加することによりスイッチングや光変調を行う光デ
バイスである。
第２図は従来のこの種の光デバイスの一例を示したもの
であって．電気光学効果を有する強誘電体であるＬｉＨ
ｂＯ，基板１に導波路パターンをＴｉで形成し．これを
熱拡散して光導波路２を形成した後，さらにこの光導波
路２の上部あるいは近傍に金属膜により電極４を設け，
上記の機能をもたせた導波路型光デバイスがすでに数多
く研究・開発されている。
であって．電気光学効果を有する強誘電体であるＬｉＨ
ｂＯ，基板１に導波路パターンをＴｉで形成し．これを
熱拡散して光導波路２を形成した後，さらにこの光導波
路２の上部あるいは近傍に金属膜により電極４を設け，
上記の機能をもたせた導波路型光デバイスがすでに数多
く研究・開発されている。
これらの導波路型光デバイスは光導波路の上部または近
傍に設けられた電極に電圧を印加し，光導波路に電界を
発生させ，基板のもつ電気光学効果により光導波路の屈
折率を変化させることにより，導波光の伝播定数や位相
を変化させ，所望のスイッチングや光変調機能を得るも
のである。このとき，一般には光導波路の屈折率変化は
基板の電気光学定数により定まり，これは基板の結晶軸
の方向と発生電界により異なる。
傍に設けられた電極に電圧を印加し，光導波路に電界を
発生させ，基板のもつ電気光学効果により光導波路の屈
折率を変化させることにより，導波光の伝播定数や位相
を変化させ，所望のスイッチングや光変調機能を得るも
のである。このとき，一般には光導波路の屈折率変化は
基板の電気光学定数により定まり，これは基板の結晶軸
の方向と発生電界により異なる。
このため，従来，導波路型光デバイスを設計する場合，
同じ電界強度に対して最も大きく屈折率が変化するよう
に基板の結晶軸と電圧を印加したときの電界発生方向を
定め，これに合わせて導波光の偏波方向が所望の偏光状
態になるように半導体レーザからの直線偏光を定偏波光
ファイバなどを用いて保存して，これをそのまま光導波
路に入射し，導波路基板内でスイッチングや光変調させ
ていた。
同じ電界強度に対して最も大きく屈折率が変化するよう
に基板の結晶軸と電圧を印加したときの電界発生方向を
定め，これに合わせて導波光の偏波方向が所望の偏光状
態になるように半導体レーザからの直線偏光を定偏波光
ファイバなどを用いて保存して，これをそのまま光導波
路に入射し，導波路基板内でスイッチングや光変調させ
ていた。
例えば，２板Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ ｓを用いたＴ１拡散
導波路型光スイッチでは．基板表面（全反射面）に光の
電界成分が垂直な導波光（ＴＭモード光）に対して基板
表面に垂直な方向に電界を発生させると，このときの電
気光学定数はＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏ ｓ結晶がもつ最も大
きい値となり（ｒｉ３−２。７〜３．１）．低電圧でス
イッチング動作をさせることができる。
導波路型光スイッチでは．基板表面（全反射面）に光の
電界成分が垂直な導波光（ＴＭモード光）に対して基板
表面に垂直な方向に電界を発生させると，このときの電
気光学定数はＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏ ｓ結晶がもつ最も大
きい値となり（ｒｉ３−２。７〜３．１）．低電圧でス
イッチング動作をさせることができる。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の導波路型光デバイスは，光導波路の導波
光が所望の偏光状態となるように９半導体レーザからの
光を第２図に示すように定偏波光ファイバ７で偏波方向
を保存し．定偏波光ファイバ７の偏波保存方向を光導波
路２の偏波方向に合わせて光学的に結合させている。
光が所望の偏光状態となるように９半導体レーザからの
光を第２図に示すように定偏波光ファイバ７で偏波方向
を保存し．定偏波光ファイバ７の偏波保存方向を光導波
路２の偏波方向に合わせて光学的に結合させている。
ところが，こうした方法だけで光導波路の導波光の偏光
状態を定めようとすると，定偏波光ファイバの偏波消光
比（主軸を伝播する直線偏光と主紬と直交紬を伝播する
光の割合）が低かったり．また．定偏波光ファイバの偏
波消光比が高くても，定偏波光ファイバの偏波保存方向
と光導波路の偏波方向との角度にずれが生じていると，
光導波路の導波先に所望の偏光と直交する偏光が保存す
ることになり，スイッチング特性や光変調特性が劣化し
てしまうという欠点がある。
状態を定めようとすると，定偏波光ファイバの偏波消光
比（主軸を伝播する直線偏光と主紬と直交紬を伝播する
光の割合）が低かったり．また．定偏波光ファイバの偏
波消光比が高くても，定偏波光ファイバの偏波保存方向
と光導波路の偏波方向との角度にずれが生じていると，
光導波路の導波先に所望の偏光と直交する偏光が保存す
ることになり，スイッチング特性や光変調特性が劣化し
てしまうという欠点がある。
すなわち，光スイッチにおいては所望の偏光状態をもつ
導波光は完全にスイッチングされるが，直交する偏光は
完全にスイッチングされないので，その分がクロストー
クとなる。また．光変調器においては，所望の偏光状態
と直交する偏光は発生電界により完全には動作しないた
め，変調時の消光比が劣化してしまう。例えば，先述の
２板Ｌ ｉ Ｈ ｂ ０ ３を用いたＴｉ拡散導波路型
光スイッチでは，基板表面゜に電界成分が水平な偏光状
態の導波光（ＴＥモード光）に対しては．電気光学定数
がｒ ｓｓ− １．１ 〜１．４となり，ＴＭモード光
に対するスイッチング電圧では十分なスイッチングがな
されず，この分がクロストークとなる。
導波光は完全にスイッチングされるが，直交する偏光は
完全にスイッチングされないので，その分がクロストー
クとなる。また．光変調器においては，所望の偏光状態
と直交する偏光は発生電界により完全には動作しないた
め，変調時の消光比が劣化してしまう。例えば，先述の
２板Ｌ ｉ Ｈ ｂ ０ ３を用いたＴｉ拡散導波路型
光スイッチでは，基板表面゜に電界成分が水平な偏光状
態の導波光（ＴＥモード光）に対しては．電気光学定数
がｒ ｓｓ− １．１ 〜１．４となり，ＴＭモード光
に対するスイッチング電圧では十分なスイッチングがな
されず，この分がクロストークとなる。
本発明は従来のもののこのような課題を解決し，ストロ
ークを低減し消光比を高めた導波路型光デバイスを提供
するものである。
ークを低減し消光比を高めた導波路型光デバイスを提供
するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の導波路型光デバイスは，光導波路の入力側には
光導波路基板表面の光導波路端と電極が形成された部分
の間に光導波路よりも屈折率の低い第１層の薄膜が被膜
され，さらに第１層の薄膜の上面に光導波路よりも屈折
率の高い第２層の薄膜が光導波路の幅よりも広い幅で形
成されていることを特徴としている。
光導波路基板表面の光導波路端と電極が形成された部分
の間に光導波路よりも屈折率の低い第１層の薄膜が被膜
され，さらに第１層の薄膜の上面に光導波路よりも屈折
率の高い第２層の薄膜が光導波路の幅よりも広い幅で形
成されていることを特徴としている。
これは．定偏波光ファイバから光導波路に光を入射する
際に，定偏波光ファイバの偏波消光比が低かったり．あ
るいは定偏波光ファイバの偏波保存方向と光導波路の全
反射面の間に角度ずれが生じ，所望の偏光状態でない光
が光導波路に入射されても，光導波路と上記のｊＮ２層
の薄膜との間に′１ｓ１層を介して位相整合による結合
を不要光に対してのみ起こさせ，この不要光を第２層に
逃がすことができる。ここで．第２層の薄膜の幅を光導
波路の幅よりも広くしておけば、いったん第２層の薄膜
に結合した光は薄膜内で横方向に広がり再び光導波路に
結合することは′ない。
際に，定偏波光ファイバの偏波消光比が低かったり．あ
るいは定偏波光ファイバの偏波保存方向と光導波路の全
反射面の間に角度ずれが生じ，所望の偏光状態でない光
が光導波路に入射されても，光導波路と上記のｊＮ２層
の薄膜との間に′１ｓ１層を介して位相整合による結合
を不要光に対してのみ起こさせ，この不要光を第２層に
逃がすことができる。ここで．第２層の薄膜の幅を光導
波路の幅よりも広くしておけば、いったん第２層の薄膜
に結合した光は薄膜内で横方向に広がり再び光導波路に
結合することは′ない。
位相整合による結合の条件は，光導波路２第１，２層の
それぞれの屈折率と第１．２各層の薄膜に依存し、導波
光の偏光状態によって異なるので９これらの条件を適当
に設定することにより，不要光のみを除去することがで
きる。
それぞれの屈折率と第１．２各層の薄膜に依存し、導波
光の偏光状態によって異なるので９これらの条件を適当
に設定することにより，不要光のみを除去することがで
きる。
［実施例］
次に，本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明を２×２導波路型光スイッチに適用した
ときの一実施例の斜視図で，１は強誘電体であるＬｉＮ
ｂＯ３のＺ板であり，図に示すような方向性結合器のパ
ターンをＴｉ膜により形或し．これを１０５０℃，８時
間熱拡散し，光導波路２を形成する。Ｚ板ＬｉＮｂＯ，
基板を用いた光スイッチや光変調器では．光導波路への
入射光の偏光状態を，その電界成分が基板表面に対して
垂直になるようにし，（ＴＭモード光）光導波路に外部
から電界を発生させて動作させたとき．最も基板のもつ
電気光学効果が大きくなり，低電圧でスイッチングや光
変調などの動作を行うことができる。
ときの一実施例の斜視図で，１は強誘電体であるＬｉＮ
ｂＯ３のＺ板であり，図に示すような方向性結合器のパ
ターンをＴｉ膜により形或し．これを１０５０℃，８時
間熱拡散し，光導波路２を形成する。Ｚ板ＬｉＮｂＯ，
基板を用いた光スイッチや光変調器では．光導波路への
入射光の偏光状態を，その電界成分が基板表面に対して
垂直になるようにし，（ＴＭモード光）光導波路に外部
から電界を発生させて動作させたとき．最も基板のもつ
電気光学効果が大きくなり，低電圧でスイッチングや光
変調などの動作を行うことができる。
このとき１光導波路に電界を発生させるための電極４を
直線光導波路上部に設けると電極を構成な金属膜による
吸収が起き９導波光の損失が大きくなるので，これを防
ぐため，通常導波路基板１の表面にＬｉＮｂ０３より屈
折率の低いＳｔ０２膜をバッファ層３として，該バッフ
ァ層３を介して電極４を形威する。ここでは，導波路基
板１のらなるバッファ層３を被膜し，その上面にＣｒＡ
ｕにより電極４を形成している。
直線光導波路上部に設けると電極を構成な金属膜による
吸収が起き９導波光の損失が大きくなるので，これを防
ぐため，通常導波路基板１の表面にＬｉＮｂ０３より屈
折率の低いＳｔ０２膜をバッファ層３として，該バッフ
ァ層３を介して電極４を形威する。ここでは，導波路基
板１のらなるバッファ層３を被膜し，その上面にＣｒＡ
ｕにより電極４を形成している。
一方．導波路基板１の端面ば研磨されており．光導波路
２の入出力端面には，光ファイバが光学的に光導波路２
と結合，固着されている。ここで，光スイッチの入力側
（光源側）は半導体レーザからの偏光状態を保持し，光
導波路２の導波光の偏光状態をＴＭモード光とするため
定偏波光ファイバ７が用いられており．光導波路２との
結合の際も偏波保存方向が導波路基板１の表面と垂直に
なるよウに角度調整されている。以上述べた光スイッチ
の構成は従来の光スイッチの構成と共通している。
２の入出力端面には，光ファイバが光学的に光導波路２
と結合，固着されている。ここで，光スイッチの入力側
（光源側）は半導体レーザからの偏光状態を保持し，光
導波路２の導波光の偏光状態をＴＭモード光とするため
定偏波光ファイバ７が用いられており．光導波路２との
結合の際も偏波保存方向が導波路基板１の表面と垂直に
なるよウに角度調整されている。以上述べた光スイッチ
の構成は従来の光スイッチの構成と共通している。
本発明の光スイッチでは，上述の導波路基板１の定偏波
光ファイバ７が固着された入力側端面と、電極４が形成
されている部分の間の基板表面の領域全体（約５關長）
に，光導波路よりも屈折率の低いＳｉｎ．薄１１５と，
光導波路よりも屈折率の高いＳＬ薄膜６を被膜している
。ここでこのＳｉｎ．とＳｉの薄膜を被膜した領域で，
本実施例では，光導波路２を伝播する導波光（ＴＭモー
ド）と直交する偏光状態をもつＴＥモード光（電界成分
が基板表面に平行な導波光）を減衰させる必要がある。
光ファイバ７が固着された入力側端面と、電極４が形成
されている部分の間の基板表面の領域全体（約５關長）
に，光導波路よりも屈折率の低いＳｉｎ．薄１１５と，
光導波路よりも屈折率の高いＳＬ薄膜６を被膜している
。ここでこのＳｉｎ．とＳｉの薄膜を被膜した領域で，
本実施例では，光導波路２を伝播する導波光（ＴＭモー
ド）と直交する偏光状態をもつＴＥモード光（電界成分
が基板表面に平行な導波光）を減衰させる必要がある。
Ｓｉｎ．とＳ１の薄膜のそれぞれの膜厚εＴＥモードの
減衰量との関係は第３図に示されるとおりである。ここ
ではＴＥモードのみを十分減衰させ，ＴＭモードに対し
ては減衰しない次に，従来の光スイッチと本発明の構成
を用いた光スイッチのスイッチング特性評優結果につい
て説明する。第４図（ａ） （ｂ）はそれぞれ従来の光
スイッチと本発明による光スイッチのスイッチング特性
を示している。第４図からわかるように。従来の光スイ
ッチでは入力側の定偏光ファイバ７のもつ偏波消光比が
約１５〜２０ｄＢであり，また光導波路２と定偏波光フ
ァイバ７の結合や固着時の偏波方向の角度合わせのずれ
（約１度）から，光導波路２を伝播する導波光のＴＭ／
ＴＥ偏波消光比は１０〜１５ｄＢ程度となり，電極４に
電圧を印加しスイッチングさせたとて，ＴＭモード光は
約５．５ｖの電圧印加時でも約２０ｄＢ程度しかクロス
トークを低下させることができない。これは約５．５ｖ
電圧印加時でもＴＥモードに対する電気光学的効果が小
さいため（ ｒ ｓ３＝（ＬＩ８）４ ｓｓ”） ．
Ｔ Ｅモードがほとんどスイッチング動作しておらず．
しかも導波光の偏波消光比が約１０〜１５ｄＢと低いた
めに十分なスイッチングをしていない。ＴＥ七−ドの影
響を受けこれがクロストーク分となるからである。
減衰量との関係は第３図に示されるとおりである。ここ
ではＴＥモードのみを十分減衰させ，ＴＭモードに対し
ては減衰しない次に，従来の光スイッチと本発明の構成
を用いた光スイッチのスイッチング特性評優結果につい
て説明する。第４図（ａ） （ｂ）はそれぞれ従来の光
スイッチと本発明による光スイッチのスイッチング特性
を示している。第４図からわかるように。従来の光スイ
ッチでは入力側の定偏光ファイバ７のもつ偏波消光比が
約１５〜２０ｄＢであり，また光導波路２と定偏波光フ
ァイバ７の結合や固着時の偏波方向の角度合わせのずれ
（約１度）から，光導波路２を伝播する導波光のＴＭ／
ＴＥ偏波消光比は１０〜１５ｄＢ程度となり，電極４に
電圧を印加しスイッチングさせたとて，ＴＭモード光は
約５．５ｖの電圧印加時でも約２０ｄＢ程度しかクロス
トークを低下させることができない。これは約５．５ｖ
電圧印加時でもＴＥモードに対する電気光学的効果が小
さいため（ ｒ ｓ３＝（ＬＩ８）４ ｓｓ”） ．
Ｔ Ｅモードがほとんどスイッチング動作しておらず．
しかも導波光の偏波消光比が約１０〜１５ｄＢと低いた
めに十分なスイッチングをしていない。ＴＥ七−ドの影
響を受けこれがクロストーク分となるからである。
一方本発明の構成の光スイッチでは。Ｓｉ０２，Ｓｉ薄
膜を被膜した５ｕの長さの領域でＴＥモードが約１０ｄ
Ｂの減衰をしているため． ５．５ Ｖ電圧印加時にＴ
Ｅモードが十分スイッチングしていなくても，導波光の
偏波消光比が２０〜２５ｄＢと改善されているため，ス
イッチング動作時のクロストークは３０ｄＢと大幅に低
下している。
膜を被膜した５ｕの長さの領域でＴＥモードが約１０ｄ
Ｂの減衰をしているため． ５．５ Ｖ電圧印加時にＴ
Ｅモードが十分スイッチングしていなくても，導波光の
偏波消光比が２０〜２５ｄＢと改善されているため，ス
イッチング動作時のクロストークは３０ｄＢと大幅に低
下している。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明は．導波路型光デバイスの基
板表面の入力側端面と電極が形成されている部分との間
に，光導波路よりも屈折率の低い第１層の薄膜とその上
面に光導波路よりも屈折率が高くかつ光導波路の幅より
も広い範囲にわたって第２層の薄膜を被膜することによ
り．実際に光導波路基板内でスイッチングや光変調を行
う所望の偏光状態をもつ導波光以外の導波光を減衰させ
，クロストークを低減したり消光比を高めたりできる効
果がある。
板表面の入力側端面と電極が形成されている部分との間
に，光導波路よりも屈折率の低い第１層の薄膜とその上
面に光導波路よりも屈折率が高くかつ光導波路の幅より
も広い範囲にわたって第２層の薄膜を被膜することによ
り．実際に光導波路基板内でスイッチングや光変調を行
う所望の偏光状態をもつ導波光以外の導波光を減衰させ
，クロストークを低減したり消光比を高めたりできる効
果がある。
第１図は本発明の導波路型光デバイスの一実施例の斜視
図．第２図は従来の導波路型光デバイスの一例の斜視図
．第３図は導波路基板上面に被膜した２層の薄膜にＳ１
０２とＳｔを用いた場合の膜厚と導波光の減衰との関係
を示す図，第４図（ａ） （ｂ）は従来の導波路型デバ
イスと本発明による光スイッチのスイッチング特性を示
す図である。 記号の説明：１・・・導波路基板、２・・・光導波路，
３・・・バッファ層，４・・・電極，５・・・Ｓｉｎ２
薄膜，６・・・Ｓｔ薄膜，７・・・定偏波光ファイバ、
８・・・シングルモード光ファイバ。 第１図 １１Ｍ路屡板 第２図 第３図 Ｓｊ膜厚（Ａ） 第４図
図．第２図は従来の導波路型光デバイスの一例の斜視図
．第３図は導波路基板上面に被膜した２層の薄膜にＳ１
０２とＳｔを用いた場合の膜厚と導波光の減衰との関係
を示す図，第４図（ａ） （ｂ）は従来の導波路型デバ
イスと本発明による光スイッチのスイッチング特性を示
す図である。 記号の説明：１・・・導波路基板、２・・・光導波路，
３・・・バッファ層，４・・・電極，５・・・Ｓｉｎ２
薄膜，６・・・Ｓｔ薄膜，７・・・定偏波光ファイバ、
８・・・シングルモード光ファイバ。 第１図 １１Ｍ路屡板 第２図 第３図 Ｓｊ膜厚（Ａ） 第４図
Claims (1)
- １、基板表面に光導波路と該光導波路の上部または近傍
に電極が形成され、前記基板に形成された光導波路の入
出力端面には光ファイバが光学的に結合している導波路
型光デバイスにおいて、前記光導波路の入力側には光導
波路基板表面の光導波路端と前記電極が形成された部分
との間に光導波路よりも屈折率の低い第１層の薄膜が被
膜され、さらに第１層の薄膜の上面に前記光導波路より
も屈折率の高い第２層の薄膜が前記光導波路の幅よりも
広い幅で形成されていることを特徴とする導波路型光デ
バイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192679A JP2613942B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 導波路型光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1192679A JP2613942B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 導波路型光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358033A true JPH0358033A (ja) | 1991-03-13 |
| JP2613942B2 JP2613942B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=16295244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1192679A Expired - Lifetime JP2613942B2 (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 導波路型光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613942B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483609A (en) * | 1993-07-09 | 1996-01-09 | Nec Corporation | Optical device with mode absorbing films deposited on both sides of a waveguide |
| JPH0980364A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Nec Corp | 導波路型光デバイス |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5313198B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-10-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 導波路型偏光子 |
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| JPS5632601A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of illuminating stair and illuminator |
| JPS62133428A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1192679A patent/JP2613942B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPS5632601A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of illuminating stair and illuminator |
| JPS62133428A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光スイツチ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483609A (en) * | 1993-07-09 | 1996-01-09 | Nec Corporation | Optical device with mode absorbing films deposited on both sides of a waveguide |
| JPH0980364A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Nec Corp | 導波路型光デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613942B2 (ja) | 1997-05-28 |
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