JPH0358228B2 - - Google Patents

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JPH0358228B2
JPH0358228B2 JP59146965A JP14696584A JPH0358228B2 JP H0358228 B2 JPH0358228 B2 JP H0358228B2 JP 59146965 A JP59146965 A JP 59146965A JP 14696584 A JP14696584 A JP 14696584A JP H0358228 B2 JPH0358228 B2 JP H0358228B2
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JP
Japan
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block
storage means
capacitors
switching transistors
image reading
Prior art date
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JP59146965A
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English (en)
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JPS6126365A (ja
Inventor
Katsumi Nakagawa
Toshuki Komatsu
Shinichi Kyofuji
Katsunori Hatanaka
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to DE19853525395 priority patent/DE3525395A1/de
Priority to FR858510881A priority patent/FR2568077B1/fr
Priority to GB08518018A priority patent/GB2163316B/en
Publication of JPS6126365A publication Critical patent/JPS6126365A/ja
Priority to US07/073,309 priority patent/US4827345A/en
Publication of JPH0358228B2 publication Critical patent/JPH0358228B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は画像読取装置に係り、特に入射した光
の情報を蓄積する手段を有する画像読取装置に関
する。
本発明はフアクシミリ等の画像読取部に適用さ
れる。
[従来技術] 第3図は従来の画像読取装置の回路図である。
ただし、ここでは9個の光センサを有する光セン
サアレイの場合を一例として取り上げる。
同図において、光センサE1〜E9は、3個で
1ブロツクを構成し、3ブロツクで光センサアレ
イを構成している。光センサE1〜E9に各々対
応しているコンデンサC1〜C9、スイツチング
トランジスタT1〜T9も同様である。
各光センサE1〜E9の一方の電極(共通電
極)は電源101に接続され、他方の電極(個別
電極)は各々コンデンサC1〜C9を介して接地
されている。
また、光センサE1〜E9の各ブロツク内で同
一順番を有する個別電極は、各々スイツチングト
ランジスタT1〜T9を介して、共通線102〜
104のひとつに接続されている。
詳細に言えば、各ブロツクの第1のスイツチン
グトランジスタT1,T4,T7が共通線102
に、各ブロツクの第2のスイツチングトランジス
タT2,T5,T8が共通線103に、そして各
ブロツクの第3のスイツチングトランジスタT
3,T6,T9が共通線104に、それぞれ接続
されている。
共通線102〜104は、各々スイツチングト
ランジスタT10〜T12を介して、アンプ10
5に接続されている。
またスイツチングトランジスタT1〜T9のゲ
ート電極はブロツク毎に共通に接続され、それぞ
れシフトレジスタ106の並列出力端子に接続さ
れている。シフトレジスタ106の並列出力端子
からは所定のタイミングで順次ハイレベルが出力
されるから、スイツチングトランジスタT1〜T
9はブロツク毎に順次オン状態となる。
また、スイツチングトランジスタT10〜T1
2の各ゲート電極はシフトレジスタ107の並列
出力端子に接続され、この並列出力端子からハイ
レベルが所定のタイミングで順次出力されること
で、スイツチングトランジスタT10〜T12が
順次オン状態となる。
さらに、スイツチングトランジスタT10〜T
12の共通に接続された端子は放電用のスイツチ
ングトランジスタT13を介して接地され、スイ
ツチングトランジスタT13のゲート電極は端子
108に接続されている。
このような構成を有する従来の画像読取装置の
動作を簡単に説明する。
光センサE1〜E9に光が入射すると、その強
度に応じて電源101からコンデンサC1〜C9
に電荷が蓄積される。
続いて、シフトレジスタ106および107か
らそれぞれのタイミングで順次ハイレベルが出力
されるが、いま両レジスタの第1の並列出力端子
からハイレベルが出力されたとする。
すると、第1のブロツクのスイツチングトラン
ジスタT1〜T3と共通線102に接続されたス
イツチングトランジスタT10がオン状態とな
り、コンデンサC1に蓄積されている電荷が、ス
イツチングトランジスタT1、共通線102、そ
してスイツチングトランジスタT10を通つて、
アンプ105へ入力し、画像情報として出力され
る。
コンデンサC1に蓄積されている電荷が読み出
されると、端子108にハイレベルが印加され、
スイツチングトランジスタT13がオン状態とな
る。これによつて、コンデンサC1の残留電荷
は、スイツチングトランジスタT1、共通線10
2、スイツチングトランジスタT10、そしてス
イツチングトランジスタT13を通して完全に放
電される。
続いて、シフトレジスタ106の第1の並列出
力をハイレベルにしたままで、シフトレジスタ1
07を順次シフトさせスイツチングトランジスタ
T11,T12を順にオン状態とする。これによ
つて、コンデンサC2およびC3に関して上記の
読み出しおよび放電動作を行ない、それらに蓄積
されている情報を順次読み出す。
こうして、第1ブロツクの情報の読み出しが終
了すると、シフトレジスタ106を順次シフトさ
せ、第2そして第3ブロツクの情報の読み出しを
上記と同様に行なう。
このように、コンデンサC1〜C9に蓄積され
た情報はシリアルに読み出され、アンプ105か
ら画像情報として出力される。
第3図に示される従来の画像読取装置は、電荷
蓄積用のコンデンサを有しているために、出力信
号を大きくすることができる。
また、光センサE1〜E9、コンデンサC1〜
C9およびスイツチングトランジスタT1〜T9
を、薄膜半導体によつて同一基板上に形成した場
合、外部回路との接続点の数を少なくすることが
できる等の利点を有している。
しかしながら、薄膜トランジスタ(TFT)は
オン状態での抵抗が高い、という特性を有してい
る。そのために、コンデンサC1〜C9の容量と
それに対応するスイツチングトランジスタT1〜
T9の抵抗値によつて決定される時定数が大きく
なり、さらに共通線102〜104およびスイツ
チングトランジスタT10〜T13の寄生容量や
抵抗等によつて、コンデンサC1〜C9の放電時
間がながくなる。したがつて、このような従来の
画像読取装置では、情報の読み取り動作に時間が
かかる、いう問題点を有していた。
さらに、従来の画像読取装置は、コンデンサC
1〜C9の各々について、その都度、読み取り後
の放電動作を必要とするために、十分な高速動作
が行なえないという問題点も有していた。
[発明の目的] 本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたもの
であり、その目的は高速で動作させることがで
き、且つ外部回路との接続点の少ない画像読取装
置を提供することにある。
[発明の概要] 上記目的を達成するために、本発明は、複数の
光電変換素子と、 該複数の光電変換素子の夫々に電気的に接続さ
れ前記光電変換素子の各出力信号に応じた電荷を
蓄積する複数の第1の蓄積手段と、 該第1の蓄積手段を所望数ずつ1ブロツクとし
該第1の蓄積手段に蓄積された電荷をブロツク毎
に同時に取り出すための第1のスイツチ手段とを
有し、 前記第1の蓄積手段は該第1のスイツチ手段を
介して各ブロツクの同一順番にあるものが各々同
じ共通線に接続された画像読取装置であつて、 前記第1の蓄積手段に電気的に接続され前記ブ
ロツク毎に前記第1の蓄積手段の残留電荷を放電
するための第1の放電用のスイツチ手段と、 前記第1のスイツチ手段によつて取り出された
前記電荷を蓄積するため前記共通線に接続された
複数の第2の蓄積手段と、 前記第2の蓄積手段に電気的に接続され前記ブ
ロツク毎に同時に前記第2の蓄積手段の残留電荷
を放電するための第2の放電用のスイツチ手段
と、 を備えたことを特徴とする。
より具体的には、本発明は第1のコンデンサに
蓄積された光情報をブロツク毎に一旦別個のコン
デンサに転送し、それらのコンデンサから順次読
み出した後、第1のコンデンサおよび別個のコン
デンサを各々独立に放電することを特徴とする。
[発明の実施例] 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。
第1図は、本発明による画像読取装置の一実施
例の回路図である。
ただし、本実施例では、光センサE1〜E9、
コンデンサC1〜C9、スイツチングトランジス
タT1〜T12、およびシフトレジスタ106,
107等の構成は、第3図に示される従来例と同
様であるから、その説明は省略する。
第1図において、光電変換素子たる光センサE
1〜E9の個別電極の各々第1の放電用のスイツ
チ手段たるスイツチングトランジスタST1〜ST
9を介して接地されている。すなわち、スイツチ
ングトランジスタST1〜ST9の各々は、第1の
蓄積手段たるコンデンサC1〜C9と並列に接続
される。
スイツチングトランジスタST1〜ST9のゲー
ト電極は、第1のスイツチ手段たるスイツチング
トランジスタT1〜T9のゲート電極と同様に、
ブロツク毎に共通接続され、ブロツク毎にシフト
レジスタ201の並列出力端子に接続されてい
る。
したがつて、シフトレジスタ201のシフトタ
イミングによつて、スイツチングトランジスタ
ST1〜ST9はブロツク毎に順次オン状態とな
る。
また、第1図において、共通線102〜104
は、それぞれ第2の蓄積手段たるコンデンサC1
0〜C12を介して接地され、且つ第2の放電用
のスイツチ手段たるスイツチングトランジスタ
CT1〜CT3を介して接地されている。
コンデンサC10〜C12の容量はコンデンサ
C1〜C9のそれよりも十分大きくとつておく。
スイツチングトランジスタCT1〜CT3の各ゲ
ート電極は共通に接続され、端子108に接続さ
れている。すなわち、端子108にハイレベルが
印加されることで、スイツチングトランジスタ
CT1〜CT3は同時にオン状態となり、共通線1
02〜104が接地されることになる。
次に、このような構成を有する本実施例の動作
を、第2図に示すスイツチングトランジスタT1
〜T12、CT1〜CT3およびST1〜ST9のタ
イミングチヤートを用いて説明する。ただし、第
2図では、各スイツチングトランジスタがオン状
態となるタイミングを示しているが、むろんこの
タイミングはシフトレジスタ106,107およ
び201から出力されるハイレベルのタイミング
でもある。
まず、光センサE1〜E9に光が入射すると、
その強度に応じて電源101からコンデンサC1
〜C9に電荷が蓄積される。
そして、まずシフトレジスタ106の第1の並
列端子からハイレベルが出力され、スイツチング
トランジスタT1〜T3がオン状態になる[第2
図a]。
スイツチングトランジスタT1〜T3がオン状
態となることで、コンデンサC1〜C3に蓄積さ
れていた電荷が、それぞれコンデンサC10〜C
12へ転送される。
続いて、シフトレジスタ107から出力される
ハイレベルがシフトして、スイツチングトランジ
スタT10〜T12が順次オン状態となる[第2
図d〜f]。
これによつて、コンデンサC10〜C12に転
送され蓄積された第1ブロツクの光情報がアンプ
105を通つて順次読み出される。
第1ブロツクの情報が読み出されると、端子1
08にハイレベルが印加され、スイツチングトラ
ンジスタCT1〜CT3は同時にオン状態となる
[第2図g]。
これによつて、コンデンサC10〜C12の残
留電荷が完全に放電される。
コンデンサC10〜C12の残留電荷が完全に
放電された時点で、シフトレジスタ106がシフ
トし、第2図の並列端子からハイレベルが出力さ
れる。これによつて、スイツチングトランジスタ
T4〜T6がオン状態になり[第2図b]、第2
ブロツクのコンデンサC4〜C6に蓄積されてい
る電荷がコンデンサC10〜C12へ転送され
る。
同時点において、シフトレジスタ201の第1
の並列端子からハイレベルが出力され、スイツチ
ングトランジスタST1〜ST3がオン状態となり
[第2図h]、コンデンサC1〜C3の残留電荷が
完全に放電される。
このように、第1ブロツクのコンデンサC1〜
C3の放電動作と、第2ブロツクのコンデンサC
4〜C6に蓄積されている電荷がコンデンサC1
0〜C12へ転送される転送動作とが並行して行
なわれる。
そして、第1ブロツクの場合と同様に、シフト
レジスタ107のシフトにより、スイツチングト
ランジスタT10〜T12が順次オン状態とな
り、コンデンサC10〜C12に蓄積されている
第2ブロツクの光情報が順次読み出される[第2
図d〜f]。
第3ブロツクの場合も同様に、転送動作[第2
図c]と並行して、第2ブロツクのコンデンサC
4〜C6の放電動作が行なわれ[第2図i]、以
下同様に、上記動作がブロツク毎に繰返される。
このように、コンデンサC1〜C9に蓄積され
た情報の転送をブロツク毎に行なうことで、従来
は各々について9回必要であつた転送および放電
動作を、本実施例では、3回に削減することがで
き、全体として読み取り時間を短縮することがで
きる。
また、次のブロツクの情報をコンデンサC10
〜C12へ転送する動作と並行して、読み出しが
終了したブロツクのコンデンサを放電させること
ができ、全体として動作時間をさらに短縮するこ
とができる。
なお、本実施例では、9個の光センサを3つの
ブロツクに分けて説明したが、これに限定される
ものではない。所望の個数の光センサを所望の数
のブロツクに分けて構成することは、本実施例か
ら容易に行なうことができる。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明による画像
読取装置は、 電荷蓄積用の第1の蓄積手段と並列に第1の放
電用スイツチ手段と、さらに第1の蓄積手段から
転送されてきた情報を蓄積する転送電荷蓄積用の
第2の蓄積手段と、その蓄積手段に並列に第2の
放電用スイツチ手段とを有するために、 放電動作と転送動作とを並行して行なうことが
でき、全体として動作速度を向上させることがで
きる。
また、放電用スイツチ手段を有するために、第
1および第2の蓄積手段をその都度完全放電させ
ることができ、蓄積、読み出し、そして放電の各
動作が確実となつて、画像読み取りの信頼性が向
上する。
さらに、第1の蓄積手段から第2の蓄積手段へ
の情報の転送をブロツク毎に行なうために、転送
に要する時間を短縮することができ、全体として
動作速度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による画像読取装置の一実施例
の回路図、第2図は本実施例の動作を説明するた
めのタイミングチヤート、第3図は従来の画像読
取装置の一例を示す回路図である。 E1〜E9……光センサ、C1〜C12……コ
ンデンサ、T1〜T12,CT1〜〜CT3,ST
1〜ST9……スイツチングトランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数の光電変換素子と、 該複数の光電変換素子の夫々に電気的に接続さ
    れ前記光電変換素子の各出力信号に応じた電荷を
    蓄積する複数の第1の蓄積手段と、 該第1の蓄積手段を所望数ずつ1ブロツクとし
    該第1の蓄積手段に蓄積された電荷をブロツク毎
    に同時に取り出すための第1のスイツチ手段とを
    有し、 前記第1の蓄積手段は該第1のスイツチ手段を
    介して各ブロツクの同一順番にあるものが各々同
    じ共通線に接続された画像読取装置であつて、 前記第1の蓄積手段に電気的に接続され前記ブ
    ロツク毎に前記第1の蓄積手段の残留電荷を放電
    するための第1の放電用のスイツチ手段と、 前記第1のスイツチ手段によつて取り出された
    前記電荷を蓄積するため前記共通線に接続された
    複数の第2の蓄積手段と、 前記第2の蓄積手段に電気的に接続され前記ブ
    ロツク毎に同時に前記第2の蓄積手段の残留電荷
    を放電するための第2の放電用のスイツチ手段
    と、 を備えたことを特徴とする画像読取装置。
JP14696584A 1984-07-17 1984-07-17 画像読取装置 Granted JPS6126365A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14696584A JPS6126365A (ja) 1984-07-17 1984-07-17 画像読取装置
DE19853525395 DE3525395A1 (de) 1984-07-17 1985-07-16 Bildlesevorrichtung
FR858510881A FR2568077B1 (fr) 1984-07-17 1985-07-16 Appareil de lecture d'image.
GB08518018A GB2163316B (en) 1984-07-17 1985-07-17 Image readout apparatus
US07/073,309 US4827345A (en) 1984-07-17 1987-07-13 Image readout apparatus

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JP14696584A JPS6126365A (ja) 1984-07-17 1984-07-17 画像読取装置

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JPS6126365A JPS6126365A (ja) 1986-02-05
JPH0358228B2 true JPH0358228B2 (ja) 1991-09-04

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JP14696584A Granted JPS6126365A (ja) 1984-07-17 1984-07-17 画像読取装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5797776A (en) * 1980-12-10 1982-06-17 Fuji Xerox Co Ltd Image pickup device for reading original
JPS58191565A (ja) * 1982-05-04 1983-11-08 Nec Corp 固体光電変換装置
JPS58195373A (ja) * 1982-05-10 1983-11-14 Nec Corp 固体光電変換装置

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JPS6126365A (ja) 1986-02-05

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