JPH0358463A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0358463A JPH0358463A JP1193461A JP19346189A JPH0358463A JP H0358463 A JPH0358463 A JP H0358463A JP 1193461 A JP1193461 A JP 1193461A JP 19346189 A JP19346189 A JP 19346189A JP H0358463 A JPH0358463 A JP H0358463A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型の半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第3図(a)及び(b)
にそれぞれ平面図とそのc−c線断面図を示すように、
リードフレーム1のアイランド2上に半導体素子3を搭
載してロー材4で固定し、リードフレーム1のインナー
リード5と半導体素子3の電極3aとを細い導線6で接
続する.そして、これらをトランスファー威型装置にセ
ットし、図外の封入金型のゲートから封入される樹脂8
で封止してパッケージを構成している. 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体装置は、多数の端子が必要とされ
るパッケージの場合、インナーリードのピッチ寸法の制
限から、細い導線6の長さが通常の半導体装置のものよ
りもかなり長く設計されている.このような半導体装置
を樹脂封止すると、封入金型のゲートから封入される樹
脂の封入圧力Fによって、細い導線6の一部6Aが第3
図(a)のように流されて大きく曲げられる。したがっ
て、この曲げられた細い導線6Aが隣接する導線やイン
ナーリード等に接触し、短絡が生じて不良を発生するこ
とがあるという問題がある。
にそれぞれ平面図とそのc−c線断面図を示すように、
リードフレーム1のアイランド2上に半導体素子3を搭
載してロー材4で固定し、リードフレーム1のインナー
リード5と半導体素子3の電極3aとを細い導線6で接
続する.そして、これらをトランスファー威型装置にセ
ットし、図外の封入金型のゲートから封入される樹脂8
で封止してパッケージを構成している. 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の半導体装置は、多数の端子が必要とされ
るパッケージの場合、インナーリードのピッチ寸法の制
限から、細い導線6の長さが通常の半導体装置のものよ
りもかなり長く設計されている.このような半導体装置
を樹脂封止すると、封入金型のゲートから封入される樹
脂の封入圧力Fによって、細い導線6の一部6Aが第3
図(a)のように流されて大きく曲げられる。したがっ
て、この曲げられた細い導線6Aが隣接する導線やイン
ナーリード等に接触し、短絡が生じて不良を発生するこ
とがあるという問題がある。
本発明は樹脂封入時における細い導線の曲がりによる短
絡を防止して不良を未然に防止する半導体装置を提供す
ることを目的とする, 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置は、リードフレームのインナーリー
ドにプリコート材を滴下し、このプリコート材でインナ
ーリードと半導体素子とを電気接続する細い導線のイン
ナーリード接続部位及びその近傍部位を被覆している。
絡を防止して不良を未然に防止する半導体装置を提供す
ることを目的とする, 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置は、リードフレームのインナーリー
ドにプリコート材を滴下し、このプリコート材でインナ
ーリードと半導体素子とを電気接続する細い導線のイン
ナーリード接続部位及びその近傍部位を被覆している。
この構或では、プリコート材によって細い導線のインナ
ーリード接続部位を保持し、樹脂封入時における細い導
線のこの接続部位の曲がりを防止し、隣接する導線やイ
ンナーリードとの短絡を防止する。
ーリード接続部位を保持し、樹脂封入時における細い導
線のこの接続部位の曲がりを防止し、隣接する導線やイ
ンナーリードとの短絡を防止する。
次に、本発明を図面を参照して説明する.第1図(a)
及び(b)はそれぞれ本発明の第1実施例の平面図及び
そのA−A線断面図である。
及び(b)はそれぞれ本発明の第1実施例の平面図及び
そのA−A線断面図である。
これらの図において、リードフレーム1のアイランド2
に半導体素子3を搭載し、ロー材4で固定する。また、
半導体素子3の電極3aとインナーリード5とを細い導
線6で接続する。更に、インナーリ一ド5において、こ
の細い導線6の接続部にプリコート材7をボッティング
等により塗布し、かつキュアして導線6を覆っている. しかる上で、トランスファー戒型装置にセットし、金型
内に樹脂を封入して樹脂8で戒型している。
に半導体素子3を搭載し、ロー材4で固定する。また、
半導体素子3の電極3aとインナーリード5とを細い導
線6で接続する。更に、インナーリ一ド5において、こ
の細い導線6の接続部にプリコート材7をボッティング
等により塗布し、かつキュアして導線6を覆っている. しかる上で、トランスファー戒型装置にセットし、金型
内に樹脂を封入して樹脂8で戒型している。
なお、プリコート材7と樹脂8の熱膨張係数は略等しい
もの(約2 XIO−bmni/ ”c以内の差)を使
用することが好ましく、これにより樹脂8封止後に熱膨
張及び収縮が繰り返されても導線6の切断が防止できる
。
もの(約2 XIO−bmni/ ”c以内の差)を使
用することが好ましく、これにより樹脂8封止後に熱膨
張及び収縮が繰り返されても導線6の切断が防止できる
。
この構戒によれば、細い導線6はインナーリード5の上
でプリコート材7で固定されているため、この固定部分
及びその近傍部位の強度が高められる。したがって、図
に矢印で示す戒型時の樹脂封入圧力Fによってもこの部
分が曲げられることが抑制でき、隣接する細い導線やイ
ンナーリードとの短絡を防止することが可能となる。
でプリコート材7で固定されているため、この固定部分
及びその近傍部位の強度が高められる。したがって、図
に矢印で示す戒型時の樹脂封入圧力Fによってもこの部
分が曲げられることが抑制でき、隣接する細い導線やイ
ンナーリードとの短絡を防止することが可能となる。
第2図(a)及び(b)はそれぞれ本発明の第2実施例
の平面図及びそのB−B線断面図である.この実施例は
、撓みが大きい領域の細い導線6、即ち図外の金型のゲ
ートに対して直交する方向に接続されている領域の細い
導線6、ここではリードフレーム1の対角位置のインナ
ーリード5上にのみブリコート材7をボッティング形成
して細い導線6の端部を覆っている。
の平面図及びそのB−B線断面図である.この実施例は
、撓みが大きい領域の細い導線6、即ち図外の金型のゲ
ートに対して直交する方向に接続されている領域の細い
導線6、ここではリードフレーム1の対角位置のインナ
ーリード5上にのみブリコート材7をボッティング形成
して細い導線6の端部を覆っている。
この構戒においても、細い導線6の顕著な撓みを防止し
、隣接する導線やインナーリードとの短絡を防止して不
良の発生を防止することができる。
、隣接する導線やインナーリードとの短絡を防止して不
良の発生を防止することができる。
この構戒では、ポッティングするプリコート材7が少な
くでき、ブリコート材の供給時間,キュア時間を短縮で
き、生産性を向上できる効果も得られる。
くでき、ブリコート材の供給時間,キュア時間を短縮で
き、生産性を向上できる効果も得られる。
以上説明したように本発明は、滴下したブリコート材で
インナーリードと半導体素子とを電気接続する細い導線
のインナーリード接続部位及びその近傍部位を被覆して
いるので、このプリコート材によって細い導線のインナ
ーリード接続部位を保持し、樹脂封入時の圧力によって
も導線のこの部位における曲げが防止でき、隣接する導
線やインナーリードとの短絡を防止し、不良の発生を未
然に防止できる.また、これにより導線の長さの上限値
を従来よりも緩和でき、半導体装置の設計の自由度が向
上できる。
インナーリードと半導体素子とを電気接続する細い導線
のインナーリード接続部位及びその近傍部位を被覆して
いるので、このプリコート材によって細い導線のインナ
ーリード接続部位を保持し、樹脂封入時の圧力によって
も導線のこの部位における曲げが防止でき、隣接する導
線やインナーリードとの短絡を防止し、不良の発生を未
然に防止できる.また、これにより導線の長さの上限値
を従来よりも緩和でき、半導体装置の設計の自由度が向
上できる。
第1図は本発明の第l実施例を示し、同図(a)は平面
図、同図(b)はそのA−A線断面図、第2図は本発明
の第2実施例を示し、同図(a)は平面図、同図(b)
はそのB−B線断面図、第3図は従来の構造の一例を示
し、同図(a)は平面図、同図(b)はそのC−C線断
面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3・・
・半導体素子、4・・・ロー材、5・・・インナーリー
ド、6・・・細い導線、7・・・ブリコート材、8・・
・樹脂。 第 1 図 (b) (b)
図、同図(b)はそのA−A線断面図、第2図は本発明
の第2実施例を示し、同図(a)は平面図、同図(b)
はそのB−B線断面図、第3図は従来の構造の一例を示
し、同図(a)は平面図、同図(b)はそのC−C線断
面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3・・
・半導体素子、4・・・ロー材、5・・・インナーリー
ド、6・・・細い導線、7・・・ブリコート材、8・・
・樹脂。 第 1 図 (b) (b)
Claims (1)
- 1、リードフレームのアイランドに半導体素子を搭載し
、該リードフレームのインナーリードと半導体素子の電
極とを細い導線で接続し、かつこれらを樹脂で封止して
なる半導体装置において、樹脂封止前の前記インナーリ
ードにプリコート材を滴下し、このプリコート材で前記
細い導線のインナーリード接続部位及びその近傍部位を
被覆したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193461A JPH0358463A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193461A JPH0358463A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358463A true JPH0358463A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16308392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193461A Pending JPH0358463A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358463A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025096454A (ja) * | 2018-07-20 | 2025-06-26 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1193461A patent/JPH0358463A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025096454A (ja) * | 2018-07-20 | 2025-06-26 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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