JPH0358480A - 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 - Google Patents
半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極Info
- Publication number
- JPH0358480A JPH0358480A JP1193607A JP19360789A JPH0358480A JP H0358480 A JPH0358480 A JP H0358480A JP 1193607 A JP1193607 A JP 1193607A JP 19360789 A JP19360789 A JP 19360789A JP H0358480 A JPH0358480 A JP H0358480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- electrode
- type
- silicon film
- semiconductor diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
- H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
- H10D64/0114—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors to diamond, semiconducting diamond-like carbon or graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、ダイオード、トランジスタ、センサ等の各
種半導体ダイヤモンドデバイスに使用される半導体ダイ
ヤモンドのオーミック接続電極に関する。
種半導体ダイヤモンドデバイスに使用される半導体ダイ
ヤモンドのオーミック接続電極に関する。
ダイヤモンドは広い禁制帯幅（５．５ｅＶ ）と大きな
キャリャ移動度（ ２０００ｃ■”／Ｖｓ）を有し、熱
的、化学的に安定である。ダイヤモンドは通常は絶縁体
であるが、不純物を添加することによって比較的低抵抗
の半導体とすることができる。 半導体ダイヤモンドはこのような性質のため、耐環境、
高速、パワー用デバイス或は青色発光素子材料として期
待されている。 半導体ダイヤモンドには、天然パルク、高圧合成パルク
、および気相合成薄膜がある。 ｐ型ダイヤモンドはホウ素（Ｂ）をドープすることによ
って得られる。 ｎ型ダイヤモンドはリン（Ｐ）、リチウム（Ｌｌ）をド
ープすることによって得られる。しかし現状では低抵抗
のｎ型ダイヤモンドは得られていない。 半導体ダイヤモンドデバイスに関しては現在、タングス
テン（Ｗ）とｐ型ダイヤモンドの接合を利用したシタッ
トキーダイオードやトランジスタが試作されている。 半導体デバイスをつくるには、オーミック接続電極が重
要である。発光素子のアノード、カソード電極や、電界
効果トランジスタのソース、ドレイン等の電極はオーミ
ック接続電極でなければならない。オーミック接続とい
うのは、電流電圧の関係が順逆方向に対称で線形である
ということである。しかも低抵抗であることが強く望ま
れる。 ｐ型あるいはｎ型のダイヤモンドへの表面に、ＴＩ、Ａ
ｕＴＩ、ＡｕＴａ等の金属を蒸着等の手段で電極に形成
することにより、一応のオーミック接続電極が得られる
ということが知られている。
キャリャ移動度（ ２０００ｃ■”／Ｖｓ）を有し、熱
的、化学的に安定である。ダイヤモンドは通常は絶縁体
であるが、不純物を添加することによって比較的低抵抗
の半導体とすることができる。 半導体ダイヤモンドはこのような性質のため、耐環境、
高速、パワー用デバイス或は青色発光素子材料として期
待されている。 半導体ダイヤモンドには、天然パルク、高圧合成パルク
、および気相合成薄膜がある。 ｐ型ダイヤモンドはホウ素（Ｂ）をドープすることによ
って得られる。 ｎ型ダイヤモンドはリン（Ｐ）、リチウム（Ｌｌ）をド
ープすることによって得られる。しかし現状では低抵抗
のｎ型ダイヤモンドは得られていない。 半導体ダイヤモンドデバイスに関しては現在、タングス
テン（Ｗ）とｐ型ダイヤモンドの接合を利用したシタッ
トキーダイオードやトランジスタが試作されている。 半導体デバイスをつくるには、オーミック接続電極が重
要である。発光素子のアノード、カソード電極や、電界
効果トランジスタのソース、ドレイン等の電極はオーミ
ック接続電極でなければならない。オーミック接続とい
うのは、電流電圧の関係が順逆方向に対称で線形である
ということである。しかも低抵抗であることが強く望ま
れる。 ｐ型あるいはｎ型のダイヤモンドへの表面に、ＴＩ、Ａ
ｕＴＩ、ＡｕＴａ等の金属を蒸着等の手段で電極に形成
することにより、一応のオーミック接続電極が得られる
ということが知られている。
オーミック接続形成技術は半導体デバイスを製作する上
で不可欠の技術である。 しかし現在行われているＴｉ， ＡｕＴａ等によるオー
ミック接続電極はその接触抵抗が１０ｃＩＩ＋２以上で
大き過ぎる。 従って従来の方法で電極を製作したデバイスに電圧を印
加しても、オーミック接続電極部で無視できない電圧降
下が生ずる。このためデバイスに係る実効印加電圧が小
さくなって、十分な特性が得られていない。またオーミ
ック接続電極部での発熱という問題も生ずる。 通常の電子デバイスを製作するためには、オーミック接
続において１０−４Ωｃｍ”以下の低い接触抵抗が要求
される。 まして高速、高周波のデバイスではさらに低い接触抵抗
が必要である。 ｐ型あるいはｎ型は半導体ダイヤモンドに於で、低接触
抵抗の電極を与えることが本発明の目的である。
で不可欠の技術である。 しかし現在行われているＴｉ， ＡｕＴａ等によるオー
ミック接続電極はその接触抵抗が１０ｃＩＩ＋２以上で
大き過ぎる。 従って従来の方法で電極を製作したデバイスに電圧を印
加しても、オーミック接続電極部で無視できない電圧降
下が生ずる。このためデバイスに係る実効印加電圧が小
さくなって、十分な特性が得られていない。またオーミ
ック接続電極部での発熱という問題も生ずる。 通常の電子デバイスを製作するためには、オーミック接
続において１０−４Ωｃｍ”以下の低い接触抵抗が要求
される。 まして高速、高周波のデバイスではさらに低い接触抵抗
が必要である。 ｐ型あるいはｎ型は半導体ダイヤモンドに於で、低接触
抵抗の電極を与えることが本発明の目的である。
本発明の半導体ダイヤモンドのオーミック接統電極は、
半導体ダイヤモンド上の電極として、ｐ３或はｎ＋の多
結晶シリコン膜或は微結晶シリコン相を含むシリコン膜
を用いる事を 特徴とするものである。 本発明はｐ型、ｎ型のダイヤモンドの両方に適用できる
。 多結晶シリコン膜は、ＬＰＧＶＤ１プラズマエンハンス
メントＣＶＤ （ＰＥＣＶＤ） 、分子線エビタキンー
（ＭＢＥ）等の方法によって形成できる。 微結晶シリコン相を含むアモルファスシリコン膜は例え
ばプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。 多結晶シリコン膜、微結晶シリコンを含むシリコン膜電
極は形成後アニールナるのが望ましい。
結晶シリコン膜或は微結晶シリコン相を含むシリコン膜
を用いる事を 特徴とするものである。 本発明はｐ型、ｎ型のダイヤモンドの両方に適用できる
。 多結晶シリコン膜は、ＬＰＧＶＤ１プラズマエンハンス
メントＣＶＤ （ＰＥＣＶＤ） 、分子線エビタキンー
（ＭＢＥ）等の方法によって形成できる。 微結晶シリコン相を含むアモルファスシリコン膜は例え
ばプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。 多結晶シリコン膜、微結晶シリコンを含むシリコン膜電
極は形成後アニールナるのが望ましい。
ダイヤモンドの仕事関数が大きいため、半導体ダイヤモ
ンドと金属、金属化合物との接触において、高い障壁が
形成される。 従ってダイヤモンドの表面に金属、金属化合物を付ける
だけではオーミック接続が得られない。 たとえオーミック接続になったとしても接触抵抗が大き
くなり過ぎる。 しかし、半導体ダイヤモンド上の電極として、ｐ０或は
ｎ“の多結晶シリコン模或は微結晶シリコン相を含むシ
リコン膜を用いることとした本発明によれば十分に小さ
い接触抵抗のオーミック接続電極が得られる。 現在のところ本発明によってなぜ接触抵抗の小さいオー
ミック接続電極が得られるのか明らかでない。理由とし
て次のよろなことが考えられる。 （１）■ｐ” − ｐｏｌｙｓｌ、ｐ ” 一μｃＳ１
をｐ型ダイヤモンドの上に形成した場合（ｐｏｌｙは多
結晶、μＣは微結晶を意味する） ｐ”−ｐｏｌｙｓＩ１ｐ”一μｃＳ１の仕事関数が大き
いためｐ型ダイヤモンドにとっては障壁は低くなり、オ
ーミック接続電極になった、と考えられる。 ■ｎ ’ − ｐ０１ｙｓＩ、ｎ ” 一μｃｓｉをｎ
型ダイヤモンドの上に形成した場合 ｎ ” − ｐｏｌｙｓＩ， ｎ ”一μｃｓＩの仕事
関数が大きいためにｎ型ダイヤモンドにとっては障壁が
低くなり、オーミック接続電極になったと考えられる。 （ ２ ）ｐｏｌｙ−５１１ｕ Ｃ−Ｓｔ形成時に、ｐ
ｏｌｙ − Ｓｔ１μｃＳ１とダイヤモンドの界面に多
数の再結合中心が導入される。この再結合中心よって流
れる再結合電流によりオーミック接続が実現される。 （ ３ ） ｐｏｌｙ−Ｓｌｉ Ｉｔ ｃ−Ｓｉと接す
るダイヤモンド表面において、電極形成時に拡故により
、、高濃度にドープされた層が形成される。これにより
ショットキー障壁の幅が薄くなり、電子、あるいは正孔
がトンネル現象により空乏層を通過し、電流が流れ易く
なり、オーミック接続になる。 このような推論が可能であるが、いずれが正しいかは分
からない。
ンドと金属、金属化合物との接触において、高い障壁が
形成される。 従ってダイヤモンドの表面に金属、金属化合物を付ける
だけではオーミック接続が得られない。 たとえオーミック接続になったとしても接触抵抗が大き
くなり過ぎる。 しかし、半導体ダイヤモンド上の電極として、ｐ０或は
ｎ“の多結晶シリコン模或は微結晶シリコン相を含むシ
リコン膜を用いることとした本発明によれば十分に小さ
い接触抵抗のオーミック接続電極が得られる。 現在のところ本発明によってなぜ接触抵抗の小さいオー
ミック接続電極が得られるのか明らかでない。理由とし
て次のよろなことが考えられる。 （１）■ｐ” − ｐｏｌｙｓｌ、ｐ ” 一μｃＳ１
をｐ型ダイヤモンドの上に形成した場合（ｐｏｌｙは多
結晶、μＣは微結晶を意味する） ｐ”−ｐｏｌｙｓＩ１ｐ”一μｃＳ１の仕事関数が大き
いためｐ型ダイヤモンドにとっては障壁は低くなり、オ
ーミック接続電極になった、と考えられる。 ■ｎ ’ − ｐ０１ｙｓＩ、ｎ ” 一μｃｓｉをｎ
型ダイヤモンドの上に形成した場合 ｎ ” − ｐｏｌｙｓＩ， ｎ ”一μｃｓＩの仕事
関数が大きいためにｎ型ダイヤモンドにとっては障壁が
低くなり、オーミック接続電極になったと考えられる。 （ ２ ）ｐｏｌｙ−５１１ｕ Ｃ−Ｓｔ形成時に、ｐ
ｏｌｙ − Ｓｔ１μｃＳ１とダイヤモンドの界面に多
数の再結合中心が導入される。この再結合中心よって流
れる再結合電流によりオーミック接続が実現される。 （ ３ ） ｐｏｌｙ−Ｓｌｉ Ｉｔ ｃ−Ｓｉと接す
るダイヤモンド表面において、電極形成時に拡故により
、、高濃度にドープされた層が形成される。これにより
ショットキー障壁の幅が薄くなり、電子、あるいは正孔
がトンネル現象により空乏層を通過し、電流が流れ易く
なり、オーミック接続になる。 このような推論が可能であるが、いずれが正しいかは分
からない。
【 実 施 例Ｉ（ｐ型ダイヤモンド）】４種類のダイ
ヤモンドについて、本発明の手法により電極を形成し、
オーミック接続であるかどうかということ、および接触
抵抗を測定した。 使用したダイヤモンドは、 ■天然ｎｂ型（Ｂがドーブされたｐ型）■高圧合成ｎｂ
型 ■気相合成ｐ型薄膜（気相合成法により高圧合成Ｉｂ型
ダイヤモンド上にホモエピタキシャル成長させたホウ素
Ｂをドープしたｐ型）■気相合成ｎ型薄Ｍ（気相合成法
により高圧合成Ｉｂ型ダイヤモンド上にホモエビタキシ
ャル成長させたリンＰをドープしたｎ型） の４種類である。気相合或薄膜はＣＩ１４ 、Ｈ２、お
よびＢ２■８ガスを用いてマイクロ波プラズマＣＶＤ法
で形成したものである。 半導体ダイヤモンドと電極の接触抵抗は次のようにして
求めた。メタルマスクを用いて第１図に示すような電極
パターンをダイヤモンド上に形成し、電極パターンの各
電極間の抵抗を測定する。 そして抵抗と電極間距離とから、伝送線路モデルを用い
て接触抵抗を求めた。 ここでは■〜■の３類のｐ型ダイヤモンドを測定した。 電極は、 ■．基板温度６００℃テ、ｓＩＨ４ガスと８２Ｈ８カＸ
とを用いて、ＬＰＧＶＤにより形成した、０．２ｊ■の
厚みのＢドープｐ型多結晶シリコン膜（抵抗率０．５×
１０引ΩＣ■） ■．基板温度１５０℃で、５１｝［，ガスと８２１１．
ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した、０．
２１鵬の厚みの微結晶シリコン相を含むＢドープｐ型ア
モルファスシリコン膜（抵抗率１０ＣＩ）の２種類であ
る。 測定結果を第１表に示す。 第ｌ表 ｐ型ダイヤモンドの種類とシリコン電極の接触抵抗第１
表から分かるように、Ｂドープｐ型多結晶シリコン膜、
あるいは微結晶シリコン相を含むｐ型アモルファスシリ
コン膜は３種類のｐ型ダイヤモンドのいずれに対しても
オーミック接続電極となり、その接触抵抗は１０−３〜
１０−’Ωｃｍ２台という従来より２〜５桁低い値を示
す。 この時電極形成時に適度のアニールを行うことが有効で
ある。アニールにより接触抵抗が一層低下する。最適の
アニールの温度と時間は用いる電極材料により異なるが
、６００℃〜１０００℃の範囲で、不活性ガス（Ｎ２、
▲ｒ） 、１１２ガスあるいは真空中でのアニールが望
ましい。 微結晶シリコン相を含むアモルファスシリコン膜はアニ
ールにつれて膜全体で多結晶化するものの、長時間アニ
ールはかえって欠陥を発生させるので望ましくない。
ヤモンドについて、本発明の手法により電極を形成し、
オーミック接続であるかどうかということ、および接触
抵抗を測定した。 使用したダイヤモンドは、 ■天然ｎｂ型（Ｂがドーブされたｐ型）■高圧合成ｎｂ
型 ■気相合成ｐ型薄膜（気相合成法により高圧合成Ｉｂ型
ダイヤモンド上にホモエピタキシャル成長させたホウ素
Ｂをドープしたｐ型）■気相合成ｎ型薄Ｍ（気相合成法
により高圧合成Ｉｂ型ダイヤモンド上にホモエビタキシ
ャル成長させたリンＰをドープしたｎ型） の４種類である。気相合或薄膜はＣＩ１４ 、Ｈ２、お
よびＢ２■８ガスを用いてマイクロ波プラズマＣＶＤ法
で形成したものである。 半導体ダイヤモンドと電極の接触抵抗は次のようにして
求めた。メタルマスクを用いて第１図に示すような電極
パターンをダイヤモンド上に形成し、電極パターンの各
電極間の抵抗を測定する。 そして抵抗と電極間距離とから、伝送線路モデルを用い
て接触抵抗を求めた。 ここでは■〜■の３類のｐ型ダイヤモンドを測定した。 電極は、 ■．基板温度６００℃テ、ｓＩＨ４ガスと８２Ｈ８カＸ
とを用いて、ＬＰＧＶＤにより形成した、０．２ｊ■の
厚みのＢドープｐ型多結晶シリコン膜（抵抗率０．５×
１０引ΩＣ■） ■．基板温度１５０℃で、５１｝［，ガスと８２１１．
ガスとを用いてプラズマＣＶＤ法により形成した、０．
２１鵬の厚みの微結晶シリコン相を含むＢドープｐ型ア
モルファスシリコン膜（抵抗率１０ＣＩ）の２種類であ
る。 測定結果を第１表に示す。 第ｌ表 ｐ型ダイヤモンドの種類とシリコン電極の接触抵抗第１
表から分かるように、Ｂドープｐ型多結晶シリコン膜、
あるいは微結晶シリコン相を含むｐ型アモルファスシリ
コン膜は３種類のｐ型ダイヤモンドのいずれに対しても
オーミック接続電極となり、その接触抵抗は１０−３〜
１０−’Ωｃｍ２台という従来より２〜５桁低い値を示
す。 この時電極形成時に適度のアニールを行うことが有効で
ある。アニールにより接触抵抗が一層低下する。最適の
アニールの温度と時間は用いる電極材料により異なるが
、６００℃〜１０００℃の範囲で、不活性ガス（Ｎ２、
▲ｒ） 、１１２ガスあるいは真空中でのアニールが望
ましい。 微結晶シリコン相を含むアモルファスシリコン膜はアニ
ールにつれて膜全体で多結晶化するものの、長時間アニ
ールはかえって欠陥を発生させるので望ましくない。
本発明のオーミック接統電極はｎ型ダイヤモンドにも勿
論適用できる。前記■の気相合ｔｃｎ型ダイヤモンド薄
膜について同様に、多結晶シリ゜コン、ｌｌ結晶シリコ
ンを含むアモルファスシリコン電極を形成し、接触抵抗
を測定した。 電極は、 工．基板温度６５０℃で、ＳＩＨ４ガスとＰｌｌ４ガス
を用いたＬＰＣＶＤ法による、０−２ａｍ厚みのＰドー
ブｐ型多結晶シリコン薄膜（１０°Ωｃｍ）の電極■．
基板温度３００℃でＳＩＨ４ガスとＰｌ１，ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法による％ ０． ２ｊｍ厚みの微結
晶シリコン相を含むｐ型アモルファスシリコン膜の電極
。 の２ｉｌ類の電極を形成した。測定結果を第２表に示す
。 第２表 ｎ型ダイヤモンド上に設けたシリコン電極の接
触抵抗第２表から分かるように、Ｐドープｎ型多結晶シ
リコン膜あるいは微結晶シリコン膜を含むｎ型アモルフ
ァスシリコン膜はｎ型ダイヤモンドに対してもオーミッ
ク接続電極となり、その接触抵抗も１０−３ΩＣ一台と
なり、従来より小さい値を示す。 ｐ型ダイヤモンド上の電極形成の場合と同じよつに、ｎ
型ダイヤモンド上の電極形成に於いてもアニールが有効
である。 以上二つの実施例を示した。 電極材料として用いるｐ型あるいはｎ型の多結晶シリコ
ン膜、ｐ型あるいはｎ型の微結晶シリコン相を含むアモ
ルファスシリコン膜はＢある′いはＰ等のドーピング量
、成膜温度等の形成条件あるいはアニール条件により、
種々の抵抗率を取りつる。 いずれの型のダイヤモンドに対しても、接触抵抗の小さ
いオーミック接続を得る為には、抵抗率が多くとも１０
°ΩＣＩ１以下になるように形成条件、あるいはアニー
ル条件を選ぶことが望ましい。 また実施例においては、多結晶シリコンの製法として、
ＬＰＧＶＤによるものを取り上げたが、平滑な面の得易
いプラズマエンハンスメントＣｖＤ法（ＰＥＣＶＤ）法
で作製してもよい。 また分子線エビタキシー法（ＭＢＥ）により、ドーパン
トとシリコンを蒸着により形成した多結晶シリコンを用
いることもできる。
論適用できる。前記■の気相合ｔｃｎ型ダイヤモンド薄
膜について同様に、多結晶シリ゜コン、ｌｌ結晶シリコ
ンを含むアモルファスシリコン電極を形成し、接触抵抗
を測定した。 電極は、 工．基板温度６５０℃で、ＳＩＨ４ガスとＰｌｌ４ガス
を用いたＬＰＣＶＤ法による、０−２ａｍ厚みのＰドー
ブｐ型多結晶シリコン薄膜（１０°Ωｃｍ）の電極■．
基板温度３００℃でＳＩＨ４ガスとＰｌ１，ガスを用い
たプラズマＣＶＤ法による％ ０． ２ｊｍ厚みの微結
晶シリコン相を含むｐ型アモルファスシリコン膜の電極
。 の２ｉｌ類の電極を形成した。測定結果を第２表に示す
。 第２表 ｎ型ダイヤモンド上に設けたシリコン電極の接
触抵抗第２表から分かるように、Ｐドープｎ型多結晶シ
リコン膜あるいは微結晶シリコン膜を含むｎ型アモルフ
ァスシリコン膜はｎ型ダイヤモンドに対してもオーミッ
ク接続電極となり、その接触抵抗も１０−３ΩＣ一台と
なり、従来より小さい値を示す。 ｐ型ダイヤモンド上の電極形成の場合と同じよつに、ｎ
型ダイヤモンド上の電極形成に於いてもアニールが有効
である。 以上二つの実施例を示した。 電極材料として用いるｐ型あるいはｎ型の多結晶シリコ
ン膜、ｐ型あるいはｎ型の微結晶シリコン相を含むアモ
ルファスシリコン膜はＢある′いはＰ等のドーピング量
、成膜温度等の形成条件あるいはアニール条件により、
種々の抵抗率を取りつる。 いずれの型のダイヤモンドに対しても、接触抵抗の小さ
いオーミック接続を得る為には、抵抗率が多くとも１０
°ΩＣＩ１以下になるように形成条件、あるいはアニー
ル条件を選ぶことが望ましい。 また実施例においては、多結晶シリコンの製法として、
ＬＰＧＶＤによるものを取り上げたが、平滑な面の得易
いプラズマエンハンスメントＣｖＤ法（ＰＥＣＶＤ）法
で作製してもよい。 また分子線エビタキシー法（ＭＢＥ）により、ドーパン
トとシリコンを蒸着により形成した多結晶シリコンを用
いることもできる。
本発明によれば、ｐ”あるいはｎ０の多結晶シリコン膜
あるいは微結晶シリコン相を含むアモルファスシリコン
膜を半導体ダイヤモンドの電極とする。これにより接触
抵抗の十分低いオーミック接続電極を得る事ができる。 オーミック接続電極は半導体ダイヤモンドデバイスを製
作するうえに不可欠であるから、あらゆるデバイス形成
に於いて極めて有効である。
あるいは微結晶シリコン相を含むアモルファスシリコン
膜を半導体ダイヤモンドの電極とする。これにより接触
抵抗の十分低いオーミック接続電極を得る事ができる。 オーミック接続電極は半導体ダイヤモンドデバイスを製
作するうえに不可欠であるから、あらゆるデバイス形成
に於いて極めて有効である。
第１図は半導体ダイヤモンドと電極の接触抵抗を測定す
るために用いる電極パターンの平面・図。 斜線を付した部分が電極である。 発 明 者 石 井 正
之木 本 恒 暢 中 釜 詳 治 富 川 唯 司 藤 田 順 彦
るために用いる電極パターンの平面・図。 斜線を付した部分が電極である。 発 明 者 石 井 正
之木 本 恒 暢 中 釜 詳 治 富 川 唯 司 藤 田 順 彦
Claims (1)
- （１）半導体ダイヤモンド上の電極として、ｐ＾＋或は
ｎ＾＋の多結晶シリコン膜或は微結晶シリコン相を含む
シリコン膜を用いる事を特徴とする半導体ダイヤモンド
のオーミック接続電極。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193607A JPH0358480A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 |
| US07/556,722 US5075757A (en) | 1989-07-26 | 1990-07-25 | Ohmic contact electrodes for semiconductor diamonds |
| EP90114352A EP0410444B1 (en) | 1989-07-26 | 1990-07-26 | Ohmic contact electrodes for semiconductor diamonds |
| DE69026767T DE69026767T2 (de) | 1989-07-26 | 1990-07-26 | Elektrode mit ohmschem Kontakt für Halbleiterdiamanten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193607A JPH0358480A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358480A true JPH0358480A (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16310761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193607A Pending JPH0358480A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075757A (ja) |
| EP (1) | EP0410444B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0358480A (ja) |
| DE (1) | DE69026767T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757032A (en) * | 1994-08-17 | 1998-05-26 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Semiconductor diamond device having improved metal-diamond contact for excellent operating stability at elevated temperature |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223721A (en) * | 1989-11-22 | 1993-06-29 | The Tokai University Juridical Foundation | Diamond n-type semiconductor diamond p-n junction diode |
| JPH05299635A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Kobe Steel Ltd | 耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法 |
| US5371382A (en) * | 1992-04-27 | 1994-12-06 | Kobe Steel Usa, Inc. | Amorphous silicon rectifying contact on diamond and method for making same |
| US5382808A (en) * | 1993-05-14 | 1995-01-17 | Kobe Steel, Usa Inc. | Metal boride ohmic contact on diamond and method for making same |
| US5597762A (en) * | 1994-09-27 | 1997-01-28 | Nonophase Diamond Technologies, Inc. | Field-enhanced diffusion using optical activation |
| US6614082B1 (en) * | 1999-01-29 | 2003-09-02 | Micron Technology, Inc. | Fabrication of semiconductor devices with transition metal boride films as diffusion barriers |
| US7402835B2 (en) * | 2002-07-18 | 2008-07-22 | Chevron U.S.A. Inc. | Heteroatom-containing diamondoid transistors |
| US7224532B2 (en) * | 2002-12-06 | 2007-05-29 | Chevron U.S.A. Inc. | Optical uses diamondoid-containing materials |
| US20050019955A1 (en) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Dahl Jeremy E. | Luminescent heterodiamondoids as biological labels |
| US9605359B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-03-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Thermal diffusion doping of diamond |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145134A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| US4972250A (en) * | 1987-03-02 | 1990-11-20 | Microwave Technology, Inc. | Protective coating useful as passivation layer for semiconductor devices |
| JP2671259B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1997-10-29 | 住友電気工業株式会社 | ショットキー接合半導体装置 |
| US5002899A (en) * | 1988-09-30 | 1991-03-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrical contacts on diamond |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1193607A patent/JPH0358480A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-25 US US07/556,722 patent/US5075757A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-26 EP EP90114352A patent/EP0410444B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-26 DE DE69026767T patent/DE69026767T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5757032A (en) * | 1994-08-17 | 1998-05-26 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Semiconductor diamond device having improved metal-diamond contact for excellent operating stability at elevated temperature |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5075757A (en) | 1991-12-24 |
| EP0410444A2 (en) | 1991-01-30 |
| EP0410444B1 (en) | 1996-05-01 |
| DE69026767T2 (de) | 1996-09-19 |
| EP0410444A3 (en) | 1992-03-11 |
| DE69026767D1 (de) | 1996-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2542448B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2775903B2 (ja) | ダイヤモンド半導体素子 | |
| US3961997A (en) | Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates | |
| KR100650343B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH03133176A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
| EP0809863B1 (en) | Hot carrier transistors and their manufacture | |
| JPH0358480A (ja) | 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極 | |
| KR840001605B1 (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| US4387387A (en) | PN Or PIN junction type semiconductor photoelectric conversion device | |
| US5099296A (en) | Thin film transistor | |
| US4710786A (en) | Wide band gap semiconductor alloy material | |
| JPH0770695B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| US5464795A (en) | Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices | |
| CN117497591A (zh) | 一种集成双续流通道的SiC MOSFET及制备方法 | |
| JP2523679B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| TW202239014A (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| KR20000074449A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH0728024B2 (ja) | 炭化けい素を用いた半導体素子 | |
| EP0292278A1 (en) | Bipolar transistor and method for producing same | |
| CN1063235C (zh) | 硅－立方氮化硼薄膜的类p－n结电子器件材料及其制作方法 | |
| JPH0358481A (ja) | 半導体ダイヤモンドのオーミツク接続電極とその形成方法 | |
| JPS5978580A (ja) | 薄膜ダイオ−ド | |
| JP2919583B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0435019A (ja) | 薄膜トランジスター | |
| JP2681148B2 (ja) | 薄膜接合電界効果素子の製造方法 |