JPH035876B2 - - Google Patents
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- JPH035876B2 JPH035876B2 JP6526082A JP6526082A JPH035876B2 JP H035876 B2 JPH035876 B2 JP H035876B2 JP 6526082 A JP6526082 A JP 6526082A JP 6526082 A JP6526082 A JP 6526082A JP H035876 B2 JPH035876 B2 JP H035876B2
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- JP
- Japan
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- sludge
- tank
- gas
- aeration
- concentration
- Prior art date
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W10/00—Technologies for wastewater treatment
- Y02W10/10—Biological treatment of water, waste water, or sewage
Landscapes
- Activated Sludge Processes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は廃水処理プラントにおける沈殿池の排
泥制御方法に係り、特に沈殿池内汚泥の沈降性悪
化を防止する沈殿池の制御装置に関する。
泥制御方法に係り、特に沈殿池内汚泥の沈降性悪
化を防止する沈殿池の制御装置に関する。
下水処理プラントの沈殿池では、汚泥界面を一
定に制御したり、又は、引き抜き汚泥濃度を一定
に制御にする方法が知られている。ところが、沈
殿池内で汚泥沈降性が悪化する場合がある。例え
ば、最初沈殿池や濃縮槽内で汚泥沈降性が悪化す
ると固液分離性能が低下して、汚水処理及び汚泥
処理に悪影響を与える。例えば、濃縮槽内で汚泥
が浮上すると、分離液中に汚泥が混入して最初沈
殿池へ返送され、再度最初沈殿池内汚泥の沈降性
を悪化させるという悪循環が起る。このため、最
初沈殿池内の汚泥からBOD（生物化学的酸素要求
量）成分や窒素、リン成分が溶出して、汚水処理
の負荷となり、汚水処理機能を低下させたり、ま
た汚水処理コストが増大する。さらに、濃縮槽か
ら引き抜かれる汚泥濃度が結果的に低くなるため
に汚泥容積が減少せず、汚泥処理コストが増大す
る。
定に制御したり、又は、引き抜き汚泥濃度を一定
に制御にする方法が知られている。ところが、沈
殿池内で汚泥沈降性が悪化する場合がある。例え
ば、最初沈殿池や濃縮槽内で汚泥沈降性が悪化す
ると固液分離性能が低下して、汚水処理及び汚泥
処理に悪影響を与える。例えば、濃縮槽内で汚泥
が浮上すると、分離液中に汚泥が混入して最初沈
殿池へ返送され、再度最初沈殿池内汚泥の沈降性
を悪化させるという悪循環が起る。このため、最
初沈殿池内の汚泥からBOD（生物化学的酸素要求
量）成分や窒素、リン成分が溶出して、汚水処理
の負荷となり、汚水処理機能を低下させたり、ま
た汚水処理コストが増大する。さらに、濃縮槽か
ら引き抜かれる汚泥濃度が結果的に低くなるため
に汚泥容積が減少せず、汚泥処理コストが増大す
る。
本発明の目的は、最初沈殿池や濃縮槽などの沈
殿池において汚泥が浮上するのを防止し、さらに
濃縮汚泥濃度を安定かつ高く維持できる沈殿池の
排泥制御装置を提供することにある。
殿池において汚泥が浮上するのを防止し、さらに
濃縮汚泥濃度を安定かつ高く維持できる沈殿池の
排泥制御装置を提供することにある。
まず、本発明の基本的な考え方を説明する。
最初沈殿池及び濃縮槽で汚泥が浮上する原因は
池内及び槽内の汚泥が嫌気性菌の作用により分解
してガスを生成することにある。すなわち、沈殿
汚泥が、池内及び槽内に長時間滞留すると、嫌気
性状態となり、嫌気性菌が汚泥中有機物を分解し
て、BOD成分、窒素及びリンが溶出すると共に、
ガスを生成する。また、水温が高い時期には、下
水処理場へ流入する時点ですでに、汚泥が分解
し、ガスを生成し始めている。このガスが汚泥フ
ロツクに付着して汚泥を浮上させる。このガス
は、炭酸ガス、メタンガス、硫化水素ガス、水素
ガス、亜酸化窒素ガス及び窒素ガス等である。
池内及び槽内の汚泥が嫌気性菌の作用により分解
してガスを生成することにある。すなわち、沈殿
汚泥が、池内及び槽内に長時間滞留すると、嫌気
性状態となり、嫌気性菌が汚泥中有機物を分解し
て、BOD成分、窒素及びリンが溶出すると共に、
ガスを生成する。また、水温が高い時期には、下
水処理場へ流入する時点ですでに、汚泥が分解
し、ガスを生成し始めている。このガスが汚泥フ
ロツクに付着して汚泥を浮上させる。このガス
は、炭酸ガス、メタンガス、硫化水素ガス、水素
ガス、亜酸化窒素ガス及び窒素ガス等である。
したがつて、これらのガス濃度を検出すれば、
嫌気性の度合や汚泥沈降性の良否を判定すること
ができる。これらの生成したガスの汚泥中ガス濃
度はオンラインで直接計測することは難しい。し
かし、汚泥を曝気すると汚泥中からこれらのガス
が放散するのでこの曝気排ガス中のガス濃度を計
測すれば汚泥沈降性を判定する指標として使うこ
とができる。そのためには、沈殿池から排出され
た汚泥を曝気する汚泥曝気槽を設置し、曝気排ガ
ス中ガス濃度を計測する必要がある。
嫌気性の度合や汚泥沈降性の良否を判定すること
ができる。これらの生成したガスの汚泥中ガス濃
度はオンラインで直接計測することは難しい。し
かし、汚泥を曝気すると汚泥中からこれらのガス
が放散するのでこの曝気排ガス中のガス濃度を計
測すれば汚泥沈降性を判定する指標として使うこ
とができる。そのためには、沈殿池から排出され
た汚泥を曝気する汚泥曝気槽を設置し、曝気排ガ
ス中ガス濃度を計測する必要がある。
沈殿池から汚泥曝気槽に流入した汚泥中のガス
濃度と、曝気排ガス中ガス濃度との間には次の関
係がある。
濃度と、曝気排ガス中ガス濃度との間には次の関
係がある。
Cei＝〔Qg m／ａ＋Qg／Qe〕・Cg ……(1)
ここで、Cei：汚泥曝気槽に流入する汚泥中の
ガス濃度、Cg：曝気排ガス中に汚泥中から放散
されたガス濃度、Qg：曝気風量、Qe：汚泥流量、
ａ：定数、ｍ：定数である。
ガス濃度、Cg：曝気排ガス中に汚泥中から放散
されたガス濃度、Qg：曝気風量、Qe：汚泥流量、
ａ：定数、ｍ：定数である。
(1)式から、汚泥曝気槽に流入する汚泥すなわち
沈殿池からの引き抜き汚泥中のガス濃度Ceiは曝
気排ガス中ガス濃度Cgと曝気風量Qgと汚泥流量
Qeとから計算できることがわかる。
沈殿池からの引き抜き汚泥中のガス濃度Ceiは曝
気排ガス中ガス濃度Cgと曝気風量Qgと汚泥流量
Qeとから計算できることがわかる。
Qg及びQeが一定の条件下では、(1)式は次式で
表すことができる。
表すことができる。
Cei＝ｋ・Cg ……(2)
ここで、ｋは定数である。この場合、曝気排ガ
ス中ガス濃度Cgを検出することにより、沈殿池
の引き抜き汚泥中のガス濃度Ceiを計算できる。
以上のように、(1)式又は(2)式を用いれば、沈殿池
内汚泥中のガス濃度Cei、つまり汚泥の沈降性の
良否を知ることができる。
ス中ガス濃度Cgを検出することにより、沈殿池
の引き抜き汚泥中のガス濃度Ceiを計算できる。
以上のように、(1)式又は(2)式を用いれば、沈殿池
内汚泥中のガス濃度Cei、つまり汚泥の沈降性の
良否を知ることができる。
ガス濃度Ceiが大きいときには、汚泥中のみか
け上の密度が小さいので汚泥沈降性は悪い。最初
沈殿池及び濃縮槽で汚泥沈降性が悪いときには、
最初沈殿池内に汚泥が多量に滞留して、汚泥中に
ガスが生成しているか、又は流入汚水中の汚泥が
すでにガス気泡を含んでいるかである。したがつ
てこの様な場合には、最初沈殿池内の汚泥は出来
るだけ滞留しないように引き抜いて濃縮槽へ供給
して早く処理する必要がある。逆に、汚泥中ガス
濃度が低い場合には、最初沈殿池からの汚泥引き
抜き量は少なくて良い。また、濃縮槽内汚泥の沈
降性が悪い時には、同様に、濃縮汚泥を早く引き
抜いた方が良い。逆に、沈降性が良好な時には、
濃縮汚泥引き抜き量は少なくて良い。
け上の密度が小さいので汚泥沈降性は悪い。最初
沈殿池及び濃縮槽で汚泥沈降性が悪いときには、
最初沈殿池内に汚泥が多量に滞留して、汚泥中に
ガスが生成しているか、又は流入汚水中の汚泥が
すでにガス気泡を含んでいるかである。したがつ
てこの様な場合には、最初沈殿池内の汚泥は出来
るだけ滞留しないように引き抜いて濃縮槽へ供給
して早く処理する必要がある。逆に、汚泥中ガス
濃度が低い場合には、最初沈殿池からの汚泥引き
抜き量は少なくて良い。また、濃縮槽内汚泥の沈
降性が悪い時には、同様に、濃縮汚泥を早く引き
抜いた方が良い。逆に、沈降性が良好な時には、
濃縮汚泥引き抜き量は少なくて良い。
この様に操作することで、最初沈殿池及び濃縮
槽における汚泥沈降性の悪化を未然に防止するこ
とができる。
槽における汚泥沈降性の悪化を未然に防止するこ
とができる。
最初沈殿池の排泥量を操作することは、濃縮槽
への汚泥供給量を操作することに等しい。汚泥が
嫌気性菌による分解作用を受け、みかけの密度が
低下する前に、汚泥を濃縮槽に供給し、また、濃
縮槽内汚泥の沈降性が悪化する前に濃縮汚泥を引
き抜くことで、濃縮汚泥濃度を高くすることがで
きる。
への汚泥供給量を操作することに等しい。汚泥が
嫌気性菌による分解作用を受け、みかけの密度が
低下する前に、汚泥を濃縮槽に供給し、また、濃
縮槽内汚泥の沈降性が悪化する前に濃縮汚泥を引
き抜くことで、濃縮汚泥濃度を高くすることがで
きる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明す
る。まず、最初沈殿池の排泥量を制御する実施例
について説明する。
る。まず、最初沈殿池の排泥量を制御する実施例
について説明する。
流入下水は最初沈殿池１、エアレーシヨンタン
ク２を経て処理される。一方、最初沈殿池内の汚
泥は汚泥ポンプ３により排出され、汚泥輸送管４
により汚泥曝気槽５に供給される。汚泥曝気槽５
へは、曝気用ブロワー６、ガス管７及び散気装置
８によりガス（例えば空気）が供給され、汚泥が
曝気される。曝気後、汚泥は濃縮槽９へ供給さ
れ、ここで汚泥が沈降濃縮されて濃縮汚泥とな
る。濃縮汚泥は濃縮汚泥ポンプ１０により引き抜
かれ、一方、分離液は最初沈殿池に返送される。
曝気排ガスは、ガス濃度計１１により汚泥中から
放散されたガス濃度が計測される。検出するガス
は量的に多い炭酸ガスが好適である。また、曝気
に使用したガスの成分濃度も変動するのでこの成
分濃度でも良い。例えば空気を曝気に使用すれ
ば、窒素及び酸素濃度を検出する。ガス濃度計と
しては、赤外式、プロセスガスクロ膜電極式及び
半導体式等が利用できる。ガス濃度計としては以
下、炭酸ガス濃度計を使用する場合を説明する。
炭酸ガス濃度計１１の計測値信号は、演算装置１
２に送られ、ここで汚泥中炭酸ガス濃度Ceiが演
算される。演算式は(2)式である。汚泥ポンプ３に
よる汚泥輸送が連続的な場合には、(2)式はそのま
ま適用できる。一方、間欠的な場合には、排ガス
中炭酸ガス濃度Cgは時間的に変動するので、一
定時間内の平均値を用いれば良い。計算式は例え
ば次式で表される。
ク２を経て処理される。一方、最初沈殿池内の汚
泥は汚泥ポンプ３により排出され、汚泥輸送管４
により汚泥曝気槽５に供給される。汚泥曝気槽５
へは、曝気用ブロワー６、ガス管７及び散気装置
８によりガス（例えば空気）が供給され、汚泥が
曝気される。曝気後、汚泥は濃縮槽９へ供給さ
れ、ここで汚泥が沈降濃縮されて濃縮汚泥とな
る。濃縮汚泥は濃縮汚泥ポンプ１０により引き抜
かれ、一方、分離液は最初沈殿池に返送される。
曝気排ガスは、ガス濃度計１１により汚泥中から
放散されたガス濃度が計測される。検出するガス
は量的に多い炭酸ガスが好適である。また、曝気
に使用したガスの成分濃度も変動するのでこの成
分濃度でも良い。例えば空気を曝気に使用すれ
ば、窒素及び酸素濃度を検出する。ガス濃度計と
しては、赤外式、プロセスガスクロ膜電極式及び
半導体式等が利用できる。ガス濃度計としては以
下、炭酸ガス濃度計を使用する場合を説明する。
炭酸ガス濃度計１１の計測値信号は、演算装置１
２に送られ、ここで汚泥中炭酸ガス濃度Ceiが演
算される。演算式は(2)式である。汚泥ポンプ３に
よる汚泥輸送が連続的な場合には、(2)式はそのま
ま適用できる。一方、間欠的な場合には、排ガス
中炭酸ガス濃度Cgは時間的に変動するので、一
定時間内の平均値を用いれば良い。計算式は例え
ば次式で表される。
Cg＝１／t2−t1∫t2 t1Cg（ｔ）dt ……(3)
ここで、g：Cgの平均値、t1：平均値を計算す
る開始時間、t2：平均値を計算する終了時間であ
る。この場合、ガス濃度Ceiは次式で計算する。
る開始時間、t2：平均値を計算する終了時間であ
る。この場合、ガス濃度Ceiは次式で計算する。
Cei＝ｋg ……(4)
これら(2)式又は(4)式で汚泥中炭酸ガス濃度Cei
を演算する。演算値Ceiは制御装置１３に送信さ
れる。制御装置１３はCeiに応じて汚泥ポンプ３
を操作し最初沈殿池１から沈殿汚泥を引き抜く。
を演算する。演算値Ceiは制御装置１３に送信さ
れる。制御装置１３はCeiに応じて汚泥ポンプ３
を操作し最初沈殿池１から沈殿汚泥を引き抜く。
次に、制御装置１３の具体的動作の一例を第２
図及び第３図を用いて説明する。
図及び第３図を用いて説明する。
演算装置１２で演算された汚泥中炭酸ガス濃度
Ceiを信号ｃとし、一方設定器で与えるCeiの目標
値をC*とする。そして、ＣとC*との差分ΔC＝Ｃ
−C*が計算される。ここで、ΔCは汚泥中炭酸ガ
ス濃度Cei（信号ｃ）が大きい程大きくなる。次に
信号ΔCは変換回路１０２に送られ、ここで汚泥
ポンプ３の作動時間TONに変換される。変換方法
の一例を第３図に示す。ΔC＞０において、ΔCが
大きい程、TONは長い。またΔCが零であつても、
最初沈殿池内に汚泥は沈殿しているので、汚泥は
ある程度引き抜くことが望しい。この時の汚泥ポ
ンプの作動時間はT′ONである。変換回路１０２か
ら送信する信号TONはタイマー回路１０３におい
て所定時間だけ駆動信号ｄを駆動回路１０４に送
る。駆動回路１０４は所定時間汚泥ポンプ３を作
動させる。
Ceiを信号ｃとし、一方設定器で与えるCeiの目標
値をC*とする。そして、ＣとC*との差分ΔC＝Ｃ
−C*が計算される。ここで、ΔCは汚泥中炭酸ガ
ス濃度Cei（信号ｃ）が大きい程大きくなる。次に
信号ΔCは変換回路１０２に送られ、ここで汚泥
ポンプ３の作動時間TONに変換される。変換方法
の一例を第３図に示す。ΔC＞０において、ΔCが
大きい程、TONは長い。またΔCが零であつても、
最初沈殿池内に汚泥は沈殿しているので、汚泥は
ある程度引き抜くことが望しい。この時の汚泥ポ
ンプの作動時間はT′ONである。変換回路１０２か
ら送信する信号TONはタイマー回路１０３におい
て所定時間だけ駆動信号ｄを駆動回路１０４に送
る。駆動回路１０４は所定時間汚泥ポンプ３を作
動させる。
この動作により、汚泥中炭酸ガス濃度が高い
程、引き抜き汚泥量を多くできるので沈降性の悪
い汚泥が最初沈殿池に長時間滞留して、汚泥から
BOD成分、窒素及びリン成分が溶出することが
なく、かつ、濃縮槽内で汚泥が浮上するのを防止
することができる。
程、引き抜き汚泥量を多くできるので沈降性の悪
い汚泥が最初沈殿池に長時間滞留して、汚泥から
BOD成分、窒素及びリン成分が溶出することが
なく、かつ、濃縮槽内で汚泥が浮上するのを防止
することができる。
第４図に示す実施例は、曝気風量Qg及び汚泥
流量Qeの変動が大きい場合の実施例であり、第
１図の実施例とほぼ同等の効果が得られる実施例
である。第４図の実施例は第１図に示す実施例
に、曝気用ブロワー６の曝気風量Qgを検出する
流量計２０と、最初沈殿池１から引き抜く汚泥の
流量を検出する汚泥流量計２１を付加して構成さ
れる。流量計２０と汚泥流量計２１との検出値信
号は演算装置１２に送られ、(1)式に従つて汚泥中
炭酸ガス濃度Ceiが演算される。(1)式の定数ａは
あらかじめ設定する。ガス濃度Ceiを演算後の制
御装置内の具体的動作は、第１図で示した前実施
例の場合と同じである。
流量Qeの変動が大きい場合の実施例であり、第
１図の実施例とほぼ同等の効果が得られる実施例
である。第４図の実施例は第１図に示す実施例
に、曝気用ブロワー６の曝気風量Qgを検出する
流量計２０と、最初沈殿池１から引き抜く汚泥の
流量を検出する汚泥流量計２１を付加して構成さ
れる。流量計２０と汚泥流量計２１との検出値信
号は演算装置１２に送られ、(1)式に従つて汚泥中
炭酸ガス濃度Ceiが演算される。(1)式の定数ａは
あらかじめ設定する。ガス濃度Ceiを演算後の制
御装置内の具体的動作は、第１図で示した前実施
例の場合と同じである。
第５図に示す実施例は、濃縮槽の排泥量を制御
する実施例である。この実施例は第１図に示す実
施例の最初沈殿池が濃縮槽に置き変つた例であ
る。すなわち、濃縮槽９内の濃縮汚泥が濃縮汚泥
輸送管２２と濃縮汚泥ポンプ１０とにより排出さ
れて汚泥曝気槽５へ供給される。汚泥曝気槽９の
排ガス中炭酸ガス濃度を検出し第１図で示した実
施例と同様にして排泥量を操作する。ただし、第
５図の実施例では、操作端は濃縮汚泥ポンプ１０
である。
する実施例である。この実施例は第１図に示す実
施例の最初沈殿池が濃縮槽に置き変つた例であ
る。すなわち、濃縮槽９内の濃縮汚泥が濃縮汚泥
輸送管２２と濃縮汚泥ポンプ１０とにより排出さ
れて汚泥曝気槽５へ供給される。汚泥曝気槽９の
排ガス中炭酸ガス濃度を検出し第１図で示した実
施例と同様にして排泥量を操作する。ただし、第
５図の実施例では、操作端は濃縮汚泥ポンプ１０
である。
本実施例では、濃縮汚泥中炭酸ガス濃度が検出
されて濃縮汚泥の排泥量が操作されるので、濃縮
槽内汚泥の沈降性が悪化する前に濃縮汚泥が引き
抜かれる。
されて濃縮汚泥の排泥量が操作されるので、濃縮
槽内汚泥の沈降性が悪化する前に濃縮汚泥が引き
抜かれる。
本発明では、最初沈殿池内汚泥及び濃縮槽内汚
泥等が嫌気性状態で分解され、BOD成分、窒素
及びリン等が溶出する前に引き抜かれるので、汚
水処理に与える有機物負荷が小さく、このため汚
水処理機能が低下しない。また、嫌気性状態でガ
スが生成して汚泥沈降性が悪化する前に最初沈殿
池内汚泥及び濃縮槽内汚泥を引き抜くことができ
るので、濃縮槽内での汚泥浮上を防止できるとと
もに濃縮汚泥濃度を向上させることができる。
泥等が嫌気性状態で分解され、BOD成分、窒素
及びリン等が溶出する前に引き抜かれるので、汚
水処理に与える有機物負荷が小さく、このため汚
水処理機能が低下しない。また、嫌気性状態でガ
スが生成して汚泥沈降性が悪化する前に最初沈殿
池内汚泥及び濃縮槽内汚泥を引き抜くことができ
るので、濃縮槽内での汚泥浮上を防止できるとと
もに濃縮汚泥濃度を向上させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２
図は第１図の制御装置の詳細構成図、第３図は信
号の変換方法を示す図、第４図及び第５図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す構成図である。 １……最初沈殿池、３……汚泥ポンプ、４……
汚泥輸送管、５……汚泥曝気槽、６……曝気用ブ
ロワー、９……濃縮槽、１１……ガス濃度計、１
２……演算装置、１３……制御装置。
図は第１図の制御装置の詳細構成図、第３図は信
号の変換方法を示す図、第４図及び第５図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す構成図である。 １……最初沈殿池、３……汚泥ポンプ、４……
汚泥輸送管、５……汚泥曝気槽、６……曝気用ブ
ロワー、９……濃縮槽、１１……ガス濃度計、１
２……演算装置、１３……制御装置。
Claims (1)
- １ 廃水中から懸濁質を沈降濃縮させる沈殿池
と、該沈殿池に沈降濃縮した汚泥を排出する汚泥
ポンプと、前記沈殿池から排出した汚泥を曝気す
る汚泥曝気装置と、該汚泥曝気装置の曝気排ガス
中に含有する特定成分のガス濃度を検出するガス
濃度計とを具備し、該ガス濃度計の検出値に応じ
て前記汚泥ポンプを操作することを特徴とする沈
殿池の排泥制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065260A JPS58183989A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 沈殿池の排泥制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57065260A JPS58183989A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 沈殿池の排泥制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58183989A JPS58183989A (ja) | 1983-10-27 |
| JPH035876B2 true JPH035876B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=13281763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57065260A Granted JPS58183989A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 沈殿池の排泥制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58183989A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4945110B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-06-06 | フジクリーン工業株式会社 | 水処理装置 |
| JP7005956B2 (ja) * | 2017-06-20 | 2022-01-24 | 栗田工業株式会社 | 汚泥処理の管理方法 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP57065260A patent/JPS58183989A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58183989A (ja) | 1983-10-27 |
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