JPH0360404A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH0360404A JPH0360404A JP1203883A JP20388389A JPH0360404A JP H0360404 A JPH0360404 A JP H0360404A JP 1203883 A JP1203883 A JP 1203883A JP 20388389 A JP20388389 A JP 20388389A JP H0360404 A JPH0360404 A JP H0360404A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、Ｙ、Ｌｌａ２Ｃｕ３０Ｘ（以下、ｙｏｃｏ
とする）などの酸化物超電導組成体である薄膜やバルク
材を超電導体とする熱処理方法に関するものである。
とする）などの酸化物超電導組成体である薄膜やバルク
材を超電導体とする熱処理方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、Ｙｌ）ＧＯなどの酸化物超電導組成体を超電導体
とする方法は、１気圧の酸素ガス中で、超電導組成体を
加熱・保持した後、ゆっくり冷却する方法が一般的であ
る（例えば、Ｄｏｎｇｌｕ Ｓｈｉ ｅｔ ａｌ：八ｐ
ｐ１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、５：］、Ｎｏ、２，１５
９．（１９８８）や［１，八ｓａｎ。
とする方法は、１気圧の酸素ガス中で、超電導組成体を
加熱・保持した後、ゆっくり冷却する方法が一般的であ
る（例えば、Ｄｏｎｇｌｕ Ｓｈｉ ｅｔ ａｌ：八ｐ
ｐ１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、５：］、Ｎｏ、２，１５
９．（１９８８）や［１，八ｓａｎ。
ｃｔ ａｌ：Ｊ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、２７．Ｎ
ｏ、８，１１４８７．（１９８８）など）。即ち、超電
導構造を晶出させる温度は、焼結体などでは９００℃以
上、数ミクロンの薄膜などでは８８０℃付近で、その保
持時間は、数時間から数十時間となっている。また、超
電導構造体に酸素を吸収させることを目的として、１０
０℃／ｈｒ程度のゆっくりとした冷却とともに６００℃
付近の温度で数時間の保持が行なわれている。
ｏ、８，１１４８７．（１９８８）など）。即ち、超電
導構造を晶出させる温度は、焼結体などでは９００℃以
上、数ミクロンの薄膜などでは８８０℃付近で、その保
持時間は、数時間から数十時間となっている。また、超
電導構造体に酸素を吸収させることを目的として、１０
０℃／ｈｒ程度のゆっくりとした冷却とともに６００℃
付近の温度で数時間の保持が行なわれている。
しかしなから、従来法の酸素雰囲気中の熱処理（以下、
酸素アニール処理とする）は、複雑な装置を必要としな
い利点を持っているが、酸素アニール処理に長時間を要
するなどの欠点をもっている。
酸素アニール処理とする）は、複雑な装置を必要としな
い利点を持っているが、酸素アニール処理に長時間を要
するなどの欠点をもっている。
また、超電導デバイス製造には、従来法の酸素アニール
処理温度では高く低温化が、またドライブロセス工程で
の超電導体製造を考えると従来法よりもガス圧の低ＦＥ
化が必要となっている。
処理温度では高く低温化が、またドライブロセス工程で
の超電導体製造を考えると従来法よりもガス圧の低ＦＥ
化が必要となっている。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、上記課題を解決しプラズマ酸化による超７じ
導構込体への酸素源カロ、酸素アニール処理にプラズマ
酸化を活用し、酸素アニール時間の短縮、デバイス製造
上必要なアニール温度の低温化、さらには酸素圧の低圧
化によるドライプロセス超電導体製造工程への適用を可
能とする超電導体製造方法を提供することを目的とする
。
導構込体への酸素源カロ、酸素アニール処理にプラズマ
酸化を活用し、酸素アニール時間の短縮、デバイス製造
上必要なアニール温度の低温化、さらには酸素圧の低圧
化によるドライプロセス超電導体製造工程への適用を可
能とする超電導体製造方法を提供することを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
密閉容器内の酸素を含む電離ガス中に少なくとも一対の
酸化物超電導組成体と対極を配置し、前記一対の間に酸
化物Ｍ電導組成体をＤＯＶ以−１５００Ｖ以下のマイナ
スまたは！００ ＶＨｉ５００ Ｖ以下のプラスの直流
電圧の印加し、または、マイナス６０Ｖ以上５００ｖ以
下とプラス１００Ｖ超５００ｖ以下のプラスの直流電圧
を組合せ印加し、前記酸化物超電導組成体を酸素圧がＯ
，Ｉｚ １００ Ｔｏｒｒで、３８０℃から融点までの
所望の温度に加熱し、超電導特性に優れたＭ？ｔｔ導体
を得ようとするものである。
酸化物超電導組成体と対極を配置し、前記一対の間に酸
化物Ｍ電導組成体をＤＯＶ以−１５００Ｖ以下のマイナ
スまたは！００ ＶＨｉ５００ Ｖ以下のプラスの直流
電圧の印加し、または、マイナス６０Ｖ以上５００ｖ以
下とプラス１００Ｖ超５００ｖ以下のプラスの直流電圧
を組合せ印加し、前記酸化物超電導組成体を酸素圧がＯ
，Ｉｚ １００ Ｔｏｒｒで、３８０℃から融点までの
所望の温度に加熱し、超電導特性に優れたＭ？ｔｔ導体
を得ようとするものである。
以下酸化物超電導組成体を用いた例をもとに、本発明の
超電導体の製造方法について図面に基すいて説明する。
超電導体の製造方法について図面に基すいて説明する。
第２図は、本発明の製造方法を説明するための基本構成
を示したもので、酸素を含む電離ガス中に少なくとも一
対の超電導組成体と対極を配置した状態で超電導組成体
と対極間に電圧を印加し、超電導組成体を所望の温度に
加熱し超電導特性に優れた超電導体を得ようとするもの
である。
を示したもので、酸素を含む電離ガス中に少なくとも一
対の超電導組成体と対極を配置した状態で超電導組成体
と対極間に電圧を印加し、超電導組成体を所望の温度に
加熱し超電導特性に優れた超電導体を得ようとするもの
である。
本製造方法の装置は、発明者が既に特開昭６３−１７０
９２３号公報において開示している装置構成に基すいて
なされたものであり、第２図中の１および２は、密閉容
器３内の雰囲気および圧力を制御するためのガス導入［
１、ガス流出口であり、４および５は電離ガスを発生さ
せる放電電極を、７．８は放電用電極の間に適当な間隔
を置き設置された超電導組成体および対極、３はそれら
を収納し、内部の雰囲気圧力を任意の状態に調節できる
密閉容器、１０は放電極に印加する高圧電源、９は超電
導組成体および対極との間に印加する電圧電源、６は超
電導組成体を所望の温度に加熱する加熱機構である。
９２３号公報において開示している装置構成に基すいて
なされたものであり、第２図中の１および２は、密閉容
器３内の雰囲気および圧力を制御するためのガス導入［
１、ガス流出口であり、４および５は電離ガスを発生さ
せる放電電極を、７．８は放電用電極の間に適当な間隔
を置き設置された超電導組成体および対極、３はそれら
を収納し、内部の雰囲気圧力を任意の状態に調節できる
密閉容器、１０は放電極に印加する高圧電源、９は超電
導組成体および対極との間に印加する電圧電源、６は超
電導組成体を所望の温度に加熱する加熱機構である。
第３図は、前述の原理による製造方法を説明すための模
式図を示したもので、この模式図に基ずいて製造方法を
説明する。本発明に適用てきる酸化物超電４４組成体と
しては、ＹＩＩＣＯ系、Ｂ１Ｃａ５ｒＣｕ系むどの酸化
物超電導組成体を挙げることができる。
式図を示したもので、この模式図に基ずいて製造方法を
説明する。本発明に適用てきる酸化物超電４４組成体と
しては、ＹＩＩＣＯ系、Ｂ１Ｃａ５ｒＣｕ系むどの酸化
物超電導組成体を挙げることができる。
まず、密閉容器内の放電極の間に超電導組成体および対
極を適当な間隔をとって設置する。その後密閉容器３内
を真空状態にしたのち、ガス導入ＩＩ １をあけ、密封
容器内の圧力を所望の圧力に調節した後、放電電極４．
５に電圧を印加し、ｈ交電ＴＥ Ｋ１間に放電を発生さ
せ、放電電極間のガスを電離イオン化する。
極を適当な間隔をとって設置する。その後密閉容器３内
を真空状態にしたのち、ガス導入ＩＩ １をあけ、密封
容器内の圧力を所望の圧力に調節した後、放電電極４．
５に電圧を印加し、ｈ交電ＴＥ Ｋ１間に放電を発生さ
せ、放電電極間のガスを電離イオン化する。
本発明による製造方法において、超電導特性に優れた超
電導体を得るためには、真空容器内の酸素圧は、０．Ｉ
Ｔｏｒｒ以にが、また安定な放電状態を得るためには
、ＩＱＱ Ｔｏｒｒ以）−であることが必要である。
電導体を得るためには、真空容器内の酸素圧は、０．Ｉ
Ｔｏｒｒ以にが、また安定な放電状態を得るためには
、ＩＱＱ Ｔｏｒｒ以）−であることが必要である。
放電電極間に発生させる放電用電源には、特別な制約は
ない。従来、放電用電源として、高周波が通常使用され
ているが家庭用交流電源（５０〜６０］ＩＺ）でもよい
。むしろ家庭用交流電源使用で、高周波′ｒｆ、源より
も電気的なノイズが少なくなり超電導組成体の温度ｆｔ
＋ｌＪ御が容易となる。安定な放電を放電電極間に発生
させた後、電源９で発生させた所望の電圧を超電導組成
体７と対極８に作力１１’ｌ−る。
ない。従来、放電用電源として、高周波が通常使用され
ているが家庭用交流電源（５０〜６０］ＩＺ）でもよい
。むしろ家庭用交流電源使用で、高周波′ｒｆ、源より
も電気的なノイズが少なくなり超電導組成体の温度ｆｔ
＋ｌＪ御が容易となる。安定な放電を放電電極間に発生
させた後、電源９で発生させた所望の電圧を超電導組成
体７と対極８に作力１１’ｌ−る。
本発明は、超電導組成体とともに対極を放電極から独立
させ超電導組成体に印加する電圧を安定化させた。
させ超電導組成体に印加する電圧を安定化させた。
本発明で、印加する電圧の大きさは、ガス圧、ガス種、
超電導組成体と対極の電極間距離および超電導組成体と
対極の表面積比などにより選択するが、Ｍｉｉ導特性に
優れた超電導体を得るには超電導組成体を６０Ｖ以上５
００Ｖ以下のマイナスまたは１００ ＶＭｉ５００ Ｖ
以下のプラスの直流電圧の印加、または、マイナス６０
Ｖ以上５００■以下とプラス１００ Ｖ！５００ Ｖ以
下のプラスの直流電圧の組合せ印加が望ましい。
超電導組成体と対極の電極間距離および超電導組成体と
対極の表面積比などにより選択するが、Ｍｉｉ導特性に
優れた超電導体を得るには超電導組成体を６０Ｖ以上５
００Ｖ以下のマイナスまたは１００ ＶＭｉ５００ Ｖ
以下のプラスの直流電圧の印加、または、マイナス６０
Ｖ以上５００■以下とプラス１００ Ｖ！５００ Ｖ以
下のプラスの直流電圧の組合せ印加が望ましい。
プラスの印加電圧が１００ｖより低くても電圧印加効果
が認められるものの優れた超電導特性は得られす、５０
０■よりも高い印加電圧ではＭｉ重重織組成体表面泪傷
が発生し易くデハーｆスなどの製造には灯ましくない。
が認められるものの優れた超電導特性は得られす、５０
０■よりも高い印加電圧ではＭｉ重重織組成体表面泪傷
が発生し易くデハーｆスなどの製造には灯ましくない。
マイナスの印加’Ｃ圧が６０Ｖより低くても電圧印加効
果かｊａｂめられるちのの優れたＭｉｉ導特性は得られ
ず、５００■よりも高い印加電圧ではＭｉｉ導組成体表
面に損傷か発生し易くデバイスなどの製造には奸ましく
ない。また、マイナスの印加電圧では、臨界温度がプラ
スの印加電圧に比べ若干劣るものの、超電導結晶構造体
か一方向に揃い晶出する。
果かｊａｂめられるちのの優れたＭｉｉ導特性は得られ
ず、５００■よりも高い印加電圧ではＭｉｉ導組成体表
面に損傷か発生し易くデバイスなどの製造には奸ましく
ない。また、マイナスの印加電圧では、臨界温度がプラ
スの印加電圧に比べ若干劣るものの、超電導結晶構造体
か一方向に揃い晶出する。
マイナス６０Ｖ以上５００ｖ以下とプラス１００Ｖ［５
００Ｖ以下の直流電圧の組合せ印加では、例えば、マイ
ナスの電圧印加により超電導結晶構造体を一方向に揃わ
せ、プラスの電圧印加により臨界塩度を高めることがで
きる。なお、プラスとマイナス直流電圧印加の組合せに
は特別な制約はない。
００Ｖ以下の直流電圧の組合せ印加では、例えば、マイ
ナスの電圧印加により超電導結晶構造体を一方向に揃わ
せ、プラスの電圧印加により臨界塩度を高めることがで
きる。なお、プラスとマイナス直流電圧印加の組合せに
は特別な制約はない。
また、印加する電圧波形には特別な制約はなく直流また
は交流あるいは直流に交流を重畳してもよい。
は交流あるいは直流に交流を重畳してもよい。
超電導組成体と対極の表面積比には特別な制約はないが
、表面積は超電導組成体よりも対極の表面積を大きくす
ることが望ましい。
、表面積は超電導組成体よりも対極の表面積を大きくす
ることが望ましい。
次に、加熱機構６によって所望の加熱履歴で超電導組成
体の温度を加熱制御する。本発明において、加熱温度の
範囲は超電導体構造、１１．出が前提であり、３８０℃
以下の温度では超電導体構造の晶出か難しく、また超電
導組成体の加熱温度のト限は、Ｍ ｊＭ導組成体の融点
以下であることが必要である。
体の温度を加熱制御する。本発明において、加熱温度の
範囲は超電導体構造、１１．出が前提であり、３８０℃
以下の温度では超電導体構造の晶出か難しく、また超電
導組成体の加熱温度のト限は、Ｍ ｊＭ導組成体の融点
以下であることが必要である。
本発明の加熱方式には特別な制約はないが、加熱による
不純ガス成分の混入などの少ない赤外加熱方式などが適
している。
不純ガス成分の混入などの少ない赤外加熱方式などが適
している。
［実施例コ
第３図に示した超電導体製造Ｊｆ法に基ずく装置を用い
１Ｍ電導組成体から超電導特性に優れた超電導体を製造
した。
１Ｍ電導組成体から超電導特性に優れた超電導体を製造
した。
第４図は、超電導組成体の加熱パターンを示す。横軸は
時間、縦軸は温度で第４図中のａは昇温速度を、ｂは冷
却速度を、Ｔは温度を示す。本製造７去による超電導体
製造にあたっては、図中のａを４４０ （”Ｃ／ ｌ＋
ｒ ）、ｂを２００ （’Ｃ／ ｍ１ｎ）、 Ｔの温度
範囲を３８０〜９５０℃とし、この温度（Ｔ）での保持
階間を５ ｍｉｎとした。
時間、縦軸は温度で第４図中のａは昇温速度を、ｂは冷
却速度を、Ｔは温度を示す。本製造７去による超電導体
製造にあたっては、図中のａを４４０ （”Ｃ／ ｌ＋
ｒ ）、ｂを２００ （’Ｃ／ ｍ１ｎ）、 Ｔの温度
範囲を３８０〜９５０℃とし、この温度（Ｔ）での保持
階間を５ ｍｉｎとした。
本製造法による超電導体製造にあたっては、超電導組成
体の厚さ〔ｌ、５μの薄膜および１．０ｍｍのバルク材
・ＹＢＣＯ系構造未晶出超７’Ｌ導組成体を用いた。
体の厚さ〔ｌ、５μの薄膜および１．０ｍｍのバルク材
・ＹＢＣＯ系構造未晶出超７’Ｌ導組成体を用いた。
超定導体化条件として、酸素圧５．ＯＴｏｒｒ、酸素電
離化には、５０）ｌｚの交流で４Ｗの重力を投入し、超
′、Ｈ導釦成体と対梅間には、超電導組成体にプラスま
たはマイナスとし直流電圧を印加、または、プラスとマ
イナスの直流電圧を組合せ印加し、赳′−宣導組成体に
第４図に示す熱履歴を与えた。
離化には、５０）ｌｚの交流で４Ｗの重力を投入し、超
′、Ｈ導釦成体と対梅間には、超電導組成体にプラスま
たはマイナスとし直流電圧を印加、または、プラスとマ
イナスの直流電圧を組合せ印加し、赳′−宣導組成体に
第４図に示す熱履歴を与えた。
なお、本製造法の効果を確認するために、酸素圧７６０
および５ Ｔｏｒｒの雰囲気で、ＹＢＣＯ系構造未晶出
赳電導組成体に軍４図に示す熱履歴を与え超電導特性を
調べた。
および５ Ｔｏｒｒの雰囲気で、ＹＢＣＯ系構造未晶出
赳電導組成体に軍４図に示す熱履歴を与え超電導特性を
調べた。
笛１図は、＋ｌＡ Ｊｒｌ ｏ 、 ５μの所収につい
て木製造方法（酸素圧５．ＯＴｏｒｒ）で、第４図中の
Ｔを８００℃とした場合の超電導組成体と対極間に超電
導組成体をマイナスまたはプラスとして直流重圧印加に
よる超電導体の臨界温度変化を示す。第１図の横軸は直
流電圧値を示し、縦軸は超電導体の臨界温度を示す。印
加電圧がマイナスの領域では、約６０Ｖから５００■の
範囲の印加電圧で８０Ｋ Ｍの臨界温度を示した。また
、印加電圧がプラスの領域では、約１００ｖから５００
Ｖの範囲の印加電圧で臨界電流がマイナスの印加電圧領
域に比べて約１０に高い９０Ｋをンバした。
て木製造方法（酸素圧５．ＯＴｏｒｒ）で、第４図中の
Ｔを８００℃とした場合の超電導組成体と対極間に超電
導組成体をマイナスまたはプラスとして直流重圧印加に
よる超電導体の臨界温度変化を示す。第１図の横軸は直
流電圧値を示し、縦軸は超電導体の臨界温度を示す。印
加電圧がマイナスの領域では、約６０Ｖから５００■の
範囲の印加電圧で８０Ｋ Ｍの臨界温度を示した。また
、印加電圧がプラスの領域では、約１００ｖから５００
Ｖの範囲の印加電圧で臨界電流がマイナスの印加電圧領
域に比べて約１０に高い９０Ｋをンバした。
第５図は、膜厚０．５μの薄膜について本製造方法（酸
素圧５．０ Ｔｏｒｒ）で、第４図中のＴを８００℃と
した場合の超電導組成体と対極間に超電導組成体をマイ
ナスとプラスの直流電圧組合せ印加とプラス直流電圧の
みの印加の場合での印加電圧による臨界電流密度変化を
示す。第５図の横軸はプラスの直流電圧値を示し、縦軸
は臨界電流密度を示す。
素圧５．０ Ｔｏｒｒ）で、第４図中のＴを８００℃と
した場合の超電導組成体と対極間に超電導組成体をマイ
ナスとプラスの直流電圧組合せ印加とプラス直流電圧の
みの印加の場合での印加電圧による臨界電流密度変化を
示す。第５図の横軸はプラスの直流電圧値を示し、縦軸
は臨界電流密度を示す。
曲線Ｉは、プラス直流電圧のみの印加による臨！ｌ１ｌ
Ｌ布流密度変化を示す。曲線Ｊは、マイナスの直流印加
′−゛江圧を１００ｖに固定し、プラスとマイナスの直
流７ｆ Ｈ組合せ印加による臨界電流密度変化をツバす
。
Ｌ布流密度変化を示す。曲線Ｊは、マイナスの直流印加
′−゛江圧を１００ｖに固定し、プラスとマイナスの直
流７ｆ Ｈ組合せ印加による臨界電流密度変化をツバす
。
いずれのプラス直流電圧においても、曲線Ｊは＋ｌｂ線
【よりも高い臨界′Ｓ流密度値を示している。
【よりも高い臨界′Ｓ流密度値を示している。
これは、マイナスの電圧印加により超電導結晶構込体の
晶出か−・方向に揃うことによる効果と思われる。
晶出か−・方向に揃うことによる効果と思われる。
笛６図は、１漠）５０ 、５μの薄膜について、従来法
（酸素圧７６０ Ｔｏｒｒ）と本製造方法（酸素圧５．
０’ｒｏｒｒ、印加電圧１５０Ｖ）での第４図中のＴで
示した最高加熱温度による臨界温度変化を示す。第６図
の横軸は最高加熱温度を示し、縦軸は臨界温度を示し、
図中の曲線Ａは本製造方法（酸素圧５．０Ｔｏｒｒ、印
加電圧１５０Ｖ）の場合を、曲線Ｂは従来法（酸素圧７
６０ Ｔｏｒｒ）の場合を示す。８０に以上の臨界温度
は、曲線Ｂよりも曲線Ａの方が低い加熱温度から認めら
れる。
（酸素圧７６０ Ｔｏｒｒ）と本製造方法（酸素圧５．
０’ｒｏｒｒ、印加電圧１５０Ｖ）での第４図中のＴで
示した最高加熱温度による臨界温度変化を示す。第６図
の横軸は最高加熱温度を示し、縦軸は臨界温度を示し、
図中の曲線Ａは本製造方法（酸素圧５．０Ｔｏｒｒ、印
加電圧１５０Ｖ）の場合を、曲線Ｂは従来法（酸素圧７
６０ Ｔｏｒｒ）の場合を示す。８０に以上の臨界温度
は、曲線Ｂよりも曲線Ａの方が低い加熱温度から認めら
れる。
第７図は、１．０ｍｍバルク材について、従来法（酸素
圧７６０ Ｔｏｒｒ）と本製造方法（酸素圧５，０Ｔｏ
ｒｒ、印加電圧１５０Ｖ）での第４図中のＴで示した最
高加熱温度による臨界温度変化を示す。第７図の横軸は
最高加熱温度を示し、縦軸は臨界温度を示し、図中の曲
線Ｃは本製造方法（酸素圧５．０Ｔｏｒｒ、印加電圧１
５０Ｖ）の場合を、曲線りは従来広（酸素圧７６０ Ｔ
ｏｒｒ）の場合を示す。８０に以上の臨界４度は、曲線
りよりも曲線Ｃの方が低い加熱温度から認められる。
圧７６０ Ｔｏｒｒ）と本製造方法（酸素圧５，０Ｔｏ
ｒｒ、印加電圧１５０Ｖ）での第４図中のＴで示した最
高加熱温度による臨界温度変化を示す。第７図の横軸は
最高加熱温度を示し、縦軸は臨界温度を示し、図中の曲
線Ｃは本製造方法（酸素圧５．０Ｔｏｒｒ、印加電圧１
５０Ｖ）の場合を、曲線りは従来広（酸素圧７６０ Ｔ
ｏｒｒ）の場合を示す。８０に以上の臨界４度は、曲線
りよりも曲線Ｃの方が低い加熱温度から認められる。
第８図は、膜厚０．５μの薄膜について、酸素圧５．０
Ｔｏｒｒでの従来法と本製造方法（印加電圧１５０Ｖ
）による超電導特性を示す。第８図の横軸は温度を示し
、縦軸は比抵抗を示す。第８図中の曲線Ｅは従来法の場
合を、曲線Ｆは本製造方法の場合を示す。また、第８図
中の曲線Ｅの臨界温度をＴ１、ｌＴｏ線Ｆの臨界温度を
Ｔ２で示ず。曲線Ｆの臨界温度Ｔ２は、曲線Ｅの臨界温
度Ｔ１よりも高い。
Ｔｏｒｒでの従来法と本製造方法（印加電圧１５０Ｖ
）による超電導特性を示す。第８図の横軸は温度を示し
、縦軸は比抵抗を示す。第８図中の曲線Ｅは従来法の場
合を、曲線Ｆは本製造方法の場合を示す。また、第８図
中の曲線Ｅの臨界温度をＴ１、ｌＴｏ線Ｆの臨界温度を
Ｔ２で示ず。曲線Ｆの臨界温度Ｔ２は、曲線Ｅの臨界温
度Ｔ１よりも高い。
第９図は、１．ｏｍｎ＋バルク材について、酸素圧５、
ＯＴｏｒｒでの従来法と本製造方法（印加電圧１５０■
）による超電４特性を示す。第９図の横軸は温度を示し
、縦軸は比抵抗を示す。第９図中の曲線Ｇは従来法の場
合を、曲線Ｈは本製造方法の場合を示す。また、第９図
中の曲線Ｇの臨界温度をＴ３ 、 ＋Ｉｂ線Ｈの臨界温
度をＴ４で示す。ｔｕｂ線Ｈの臨界温度Ｔ４は５曲線Ｇ
の臨界温度Ｔ３よりも高い。
ＯＴｏｒｒでの従来法と本製造方法（印加電圧１５０■
）による超電４特性を示す。第９図の横軸は温度を示し
、縦軸は比抵抗を示す。第９図中の曲線Ｇは従来法の場
合を、曲線Ｈは本製造方法の場合を示す。また、第９図
中の曲線Ｇの臨界温度をＴ３ 、 ＋Ｉｂ線Ｈの臨界温
度をＴ４で示す。ｔｕｂ線Ｈの臨界温度Ｔ４は５曲線Ｇ
の臨界温度Ｔ３よりも高い。
以上のように、本発明の製造方法を適用することにより
、バルク材はもとより、薄膜超電導組成体から従来法よ
りも低い酸素圧、低い加熱温度で、かつ短い時間で超電
導特性に優れた超電導体が得られる。
、バルク材はもとより、薄膜超電導組成体から従来法よ
りも低い酸素圧、低い加熱温度で、かつ短い時間で超電
導特性に優れた超電導体が得られる。
［発明の効果］
本発明により、バルク材はもとより薄膜超電導組成体か
ら従来法よりも低い酸素圧、低い加熱温度で、かつ短い
時間で超電導特性に優れた超電導体が得られることから
、本発明は焼結超電導体等の製造はもとより、超電導デ
バイス製造にも有効である。
ら従来法よりも低い酸素圧、低い加熱温度で、かつ短い
時間で超電導特性に優れた超電導体が得られることから
、本発明は焼結超電導体等の製造はもとより、超電導デ
バイス製造にも有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、直流印加電圧をマイナスおよびプラスに変え
ることによる超電導体の臨界温度変化を示す図、第２図
は、本発明の製造方法の基本構成を示す説明図、第３図
は、製造方法を説明するための模式図、第４図は超電導
組成体の加熱パターンを示す図、第５図は、臨界電流密
度におよぼすプラスとマイナスの直流電圧組合せ印加と
プラス直流電圧のみの印加の効果を示す図、ｖＪＢ図は
、膜厚の薄膜について、従来法と本製造方法での最高加
熱温度による臨界温度変化を示す図、第７図は、バルク
材について、従来法と本製造方法での最高加熱温度によ
る臨界温度変化を示す図、第８図は、薄膜について、従
来法と本製造方法によるＭ１電導特性を示す図、′！Ｊ
Ｊ９図は、バルク材について、従来法と本製造方法によ
る超電導特性を示す図である。 １．２：ガス導入口、ガス流出口、３；密閉容器、４，
５；放電電極、６；加熱機構、７；超電導組成体、８；
対極、９；電圧電源、ＩＯ；放電用高圧電源、１１；ガ
ス流量制御機構、＋２；真空排気機構、 ３ １４； 導線。 特Ｉ「出願人
ることによる超電導体の臨界温度変化を示す図、第２図
は、本発明の製造方法の基本構成を示す説明図、第３図
は、製造方法を説明するための模式図、第４図は超電導
組成体の加熱パターンを示す図、第５図は、臨界電流密
度におよぼすプラスとマイナスの直流電圧組合せ印加と
プラス直流電圧のみの印加の効果を示す図、ｖＪＢ図は
、膜厚の薄膜について、従来法と本製造方法での最高加
熱温度による臨界温度変化を示す図、第７図は、バルク
材について、従来法と本製造方法での最高加熱温度によ
る臨界温度変化を示す図、第８図は、薄膜について、従
来法と本製造方法によるＭ１電導特性を示す図、′！Ｊ
Ｊ９図は、バルク材について、従来法と本製造方法によ
る超電導特性を示す図である。 １．２：ガス導入口、ガス流出口、３；密閉容器、４，
５；放電電極、６；加熱機構、７；超電導組成体、８；
対極、９；電圧電源、ＩＯ；放電用高圧電源、１１；ガ
ス流量制御機構、＋２；真空排気機構、 ３ １４； 導線。 特Ｉ「出願人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、密閉容器内の酸素を含む電離ガス中に少なくとも一
対の物質と対極を配置し、前記物質を処理する方法にお
いて、前記物質が酸化物超電導組成体であり、前記酸化
物超電導組成体の加熱温度が３８０℃から融点以下の範
囲で、酸素圧が０．１〜１００Ｔｏｒｒであるとともに
前記一対の対極と酸化物超電導組成体間に、前記酸化物
超電導組成体をプラスとして１００Ｖ超５００Ｖ以下の
直流電圧を印加することを特徴とする酸化物超電導体の
製造方法。 ２、対極と酸化物超電導組成体間に、前記酸化物超電導
組成体をマイナスとして６０Ｖ以上５００Ｖ以下の直流
電圧を印加することを特徴とする請求項１記載の酸化物
超電導体の製造方法。 ３、密閉容器内の酸素を含む電離ガス中に少なくとも一
対の物質と対極を配置し、前記物質を処理する方法にお
いて、前記物質が酸化物超電導組成体であり、前記酸化
物超電導組成体の加熱温度が３８０℃から融点以下の範
囲で、酸素圧が０．１〜１００Ｔｏｒｒであるとともに
前記一対の対極と酸化物超電導組成体間に、前記酸化物
超電導組成体にマイナス６０Ｖ以上５００Ｖ以下とプラ
ス１００Ｖ超５００Ｖ以下の直流電圧を組合せ印加する
ことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203883A JP2815621B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-08-08 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169889 | 1989-04-24 | ||
| JP1-101698 | 1989-04-24 | ||
| JP1203883A JP2815621B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-08-08 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360404A true JPH0360404A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2815621B2 JP2815621B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=26442525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203883A Expired - Lifetime JP2815621B2 (ja) | 1989-04-24 | 1989-08-08 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815621B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153520A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | Nkk Corp | 超電導材の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1203883A patent/JP2815621B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153520A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | Nkk Corp | 超電導材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815621B2 (ja) | 1998-10-27 |
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