JPH036120A - Simultaneous conduction prevention circuit for power transistor circuit - Google Patents

Simultaneous conduction prevention circuit for power transistor circuit

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JPH036120A
JPH036120A JP13987789A JP13987789A JPH036120A JP H036120 A JPH036120 A JP H036120A JP 13987789 A JP13987789 A JP 13987789A JP 13987789 A JP13987789 A JP 13987789A JP H036120 A JPH036120 A JP H036120A
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power transistor
gate
signal
transistor
control
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Hiroki Endo
広樹 遠藤
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Aisan Industry Co Ltd
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Aisan Industry Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent destruction due to an overcurrent from occurring by connecting a logic circuit which interrupts a state where a power transistor for charge control and a power transistor for discharge control are turned on simultaneously to a switching control circuit. CONSTITUTION:When a pulse shape signal S1 is applied on a control signal input terminal 8 from the outside as a control signal to perform the charge/ discharge control of a piezoelectric element 1, the rise and fall timing of the output signal S2 of a NOT gate 9 for that of the signal S1 are delayed for a time Td since few response delay exists in the NOT gate 9. Therefore, the output signal S3 of an exclusive OR gate 7 goes to logic L within the range of the response delay time Td of the NOT gate 9. When the output signal S4 of two-input AND gate 5 is set at logic H, a switching transistor 4 is turned on. Meanwhile, the output signal S5 of the two-input AND gate goes to the logic L, and the power transistor 3 for discharge control is turned off.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野J 本発明は、例えば圧電素子等を充放電制御することによ
り圧電素子等を伸縮駆動するためのパワートランジスタ
回路に係り、詳しくは、充電制御用パワートランジスタ
と放電制御用パワートランジスタとを交互にスイッチン
グ制御するとき、上記両トランジスタが瞬時的にも同時
にオンにならないようにυ制御するための何時通電防止
回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field J] The present invention relates to a power transistor circuit for expanding and contracting a piezoelectric element, etc. by controlling charging and discharging of the piezoelectric element. The present invention relates to a constant conduction prevention circuit for performing υ control so that when a power transistor and a discharge control power transistor are alternately controlled to switch, both transistors are not turned on at the same time even momentarily.

[従来の技Ifi] 従来、例えば特開昭59−58129号公報に開示され
ている燃料噴射装置のニードル弁を開閉駆動するための
圧電素子を充放電υ110するパワートランジスタ回路
は、第6図に示すようにPNP型パワートランジスタQ
2のコレクタとNPN型パワートランジスタQ4のコレ
クタとが接続され、この両コレクタの接続点とアース間
には圧電素子120が接続されている。また、PNP型
パワートランジスタQ2のエミッタには図示していない
fil源回路からの電圧VDDが印加されている一方、
NPN型パワートランジスタQ4のエミッタはアースに
接続されている。従って、PNP型パワートランジスタ
Q2がオンに制御され、NPN型パワートランジスタQ
4がオフに制御されると、圧電素子120に対して前記
電圧VDDが印加され、充電される。一方、PNP型パ
ワートランジスタQ2がオフに制御され、NPNPNP
パワートランジスタQ4ンに制御されると、圧電素子1
20に充電された電荷はNPN型パワー]・ランジスタ
Q4を介して放電される。即ち上記のような充放電制御
が行われた場合、圧電素子120は上記充放電に同期し
て伸縮する。以上のようにPNP型パワートランジスタ
Q2は充電制御用パワートランジスタとしての機能を有
し、NPN型パワートランジスタQ4は放電制御用パワ
ートランジスタとしての機能を有している。
[Conventional Technique Ifi] A conventional power transistor circuit for charging and discharging a piezoelectric element υ110 for driving the opening and closing of a needle valve of a fuel injection device disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-58129 is shown in FIG. As shown, PNP power transistor Q
The collector of NPN power transistor Q4 is connected to the collector of NPN power transistor Q4, and a piezoelectric element 120 is connected between the connection point of both collectors and ground. Further, while a voltage VDD from a fil source circuit (not shown) is applied to the emitter of the PNP power transistor Q2,
The emitter of NPN power transistor Q4 is connected to ground. Therefore, the PNP type power transistor Q2 is controlled to be turned on, and the NPN type power transistor Q2 is controlled to be turned on.
4 is turned off, the voltage VDD is applied to the piezoelectric element 120, and the piezoelectric element 120 is charged. On the other hand, the PNP type power transistor Q2 is controlled off, and the
When controlled by the power transistor Q4, the piezoelectric element 1
The charges charged in the transistor Q20 are discharged through the NPN power transistor Q4. That is, when the above charge/discharge control is performed, the piezoelectric element 120 expands and contracts in synchronization with the above charge/discharge. As described above, the PNP type power transistor Q2 has a function as a charge control power transistor, and the NPN type power transistor Q4 has a function as a discharge control power transistor.

また、前述したような充放電制御をするため、前記PN
P型パワートランジスタQ2とNPN型パワートランジ
スタQ4をスイッチングするためのスイッチング制御回
路が設けられている。同図に示すようにスイッチング制
御回路には、外部からの制御信号を入力し、この信号を
反転させて出力するノットゲートICIと、このノット
ゲートIC1の出力信号が抵抗R1とR2とで分圧され
た信号をベースに入力するNPN型スイッチングトラン
ジスタQ1と、ノッ]・ゲートICIの出力信号が抵抗
R5とR6とで分圧された信号をベースに入力するPN
P型スイッチングトランジスタQ3とが設けられている
。尚、NPN型スイッチング]・ランジスタQ1、及び
PNP型スイッチングトランジスタQ3は、前記PNP
型パワートランジスタQ2、及びNPN型パワートラン
ジスタQ4をドライブするために設けられたもので、前
記ノットゲーh I C1の出力信号は出力電流が極め
て小さいことから、直接上記パワートランジスタQ2、
Q4をドライブできないため、NPN型スイッチングト
ランジスタQ1、及びPNP型スイッチングトランジス
タQ3で増幅したあとの信号によりパワートランジスタ
Q2、Q4をドライブするものである。
In addition, in order to perform charge/discharge control as described above, the PN
A switching control circuit is provided for switching the P-type power transistor Q2 and the NPN-type power transistor Q4. As shown in the figure, the switching control circuit includes a not gate ICI which inputs an external control signal, inverts this signal and outputs it, and divides the output signal of this not gate IC1 by resistors R1 and R2. An NPN switching transistor Q1 inputs a signal obtained by dividing the output signal of the gate ICI into its base.
A P-type switching transistor Q3 is provided. Note that the NPN switching transistor Q1 and the PNP switching transistor Q3 are
It is provided to drive the NPN type power transistor Q2 and the NPN type power transistor Q4, and since the output signal of the not game h I C1 has an extremely small output current, it is directly connected to the above power transistor Q2,
Since Q4 cannot be driven, the power transistors Q2 and Q4 are driven by the signal amplified by the NPN switching transistor Q1 and the PNP switching transistor Q3.

【発明が解決しようとする課題] 上記従来のパワートランジスタ回路において、外部から
ノットゲートICIに入力された制御信号aが、第7図
(1)に示すようなパルス信号である場合、例えばNP
N型スイッチングトランジスタQ1、及びPNP型スイ
ッチングトランジスタQ3に応答性の違いなどがあると
、第7図(2)と(3)に示すように、前記PNP型パ
ワートランジスタQ2のベースに印加される信号すと、
前記NPN型パワートランジスタQ4のベースに印加さ
れる信号Cとの間にタイミングのずれが生じる。
Problems to be Solved by the Invention] In the conventional power transistor circuit described above, if the control signal a input from the outside to the NOT gate ICI is a pulse signal as shown in FIG.
If there is a difference in response between the N-type switching transistor Q1 and the PNP-type switching transistor Q3, the signal applied to the base of the PNP-type power transistor Q2 will change as shown in FIG. 7 (2) and (3). Then,
A timing difference occurs between the signal C and the signal C applied to the base of the NPN power transistor Q4.

上記PNP型パワートランジスタQ2がオンになるタイ
ミングは、上記信号すが論理rLJの状態のときであり
、NPN型パワートランジスタQ4がオンになるタイミ
ングは、上記信号Cが論理r HJの状態のときである
。従って第7図(4)に示すように上記信号すが論理r
LJであり、且つ上記信@Cが論理rHJのタイミング
のとき、前記PNP型パワートランジスタQ2と、NP
N型パワートランジスタQ4は共にオンとなり、電源か
らの大きな電流が直接PNP型パワートランジスタQ2
とNPN型パワートランジスタQ4とを通してアースに
流れてしまうため、PNP型パワートランジスタQ2と
NPN型パワーI・ランジスタQ4とが破壊してしまう
という問題があった。
The timing at which the PNP power transistor Q2 is turned on is when the signal C is in the logic rLJ state, and the timing at which the NPN power transistor Q4 is turned on is when the signal C is in the logic rHJ state. be. Therefore, as shown in FIG. 7(4), the above signal is logically r
LJ and when the signal @C is at the logic rHJ timing, the PNP type power transistor Q2 and the NP
Both N-type power transistors Q4 are turned on, and a large current from the power supply is directly applied to the PNP-type power transistor Q2.
Since the current flows to the ground through the NPN power transistor Q4, there is a problem in that the PNP power transistor Q2 and the NPN power I transistor Q4 are destroyed.

この問題は、前述したような接合型PNP、及びNPN
パワートランジスタに限らず、MO8型電界効果パワー
トランジスタ(MOSFET)についても同様に発生す
る。
This problem occurs in the junction type PNP and NPN as described above.
This problem occurs not only in power transistors but also in MO8 field effect power transistors (MOSFETs).

そこで本発明では、スイッチング制御回路あるいは充放
電制御用パワートランジスタに多少の応答特性のずれが
あったとしても、上記パワー1−ランジスタが同時にオ
ンの状態になることを阻止し、過大な電流による破壊を
防止することを解決すべき技術的課題とするものである
Therefore, in the present invention, even if there is a slight deviation in the response characteristics of the switching control circuit or the charge/discharge control power transistor, the power 1 transistor is prevented from being turned on at the same time, and damage caused by excessive current is prevented. The technical problem to be solved is to prevent this.

[11題を解決するための手段] 上記課題解決のための技術的手段は、充電制御用パワー
トランジスタをオンに制御したとき、この充電制御用パ
ワートランジスタに接続された負荷に対してTi源から
の充電電流を通電したあと、上記充電制御用パワートラ
ンジスタをオフに制御した状態で放電制御用パワートラ
ンジスタをオンに制御したとき前記負荷から放電電流を
通電させるというパワートランジスタ回路において、外
部からの制御信号に従って前記充電制御用パワートラン
ジスタと前記放電制御用パワートランジスタを交互にオ
ンオフさせる!ζめのスイッチング制御回路に、前記充
電制御用パワートランジスタと前記放電制御用パワート
ランジスタが同時にオンになる状態を阻止するための論
理回路を接続することである。
[Means for Solving Problem 11] The technical means for solving the above problem is that when the charging control power transistor is controlled to be turned on, the load connected to the charging control power transistor is In a power transistor circuit in which a discharge current is passed from the load when the charge control power transistor is turned off and the discharge control power transistor is turned on after a charging current is passed, The charge control power transistor and the discharge control power transistor are turned on and off alternately according to the signal! A logic circuit for preventing the charging control power transistor and the discharging control power transistor from being turned on simultaneously is connected to the ζth switching control circuit.

[作 用] 上記パワートランジスタ回路において、外部からの制御
信号に従って前記充電制御用パワートランジスタと前記
放電制御用パワートランジスタを交互にオンオフさける
ためのスイッチング制御回路に接続された論理回路によ
り、充電制御用パワートランジスタと前記放電制御用パ
ワートランジスタが同時にオンになる状態が阻止され、
電源からの過大な電流による充電制御用パワートランジ
スタと放電制御用パワートランジスタの破壊が防止され
る。
[Function] In the above power transistor circuit, a logic circuit connected to a switching control circuit for alternately turning on and off the charging control power transistor and the discharging control power transistor according to an external control signal controls the charge control power transistor circuit. The power transistor and the discharge control power transistor are prevented from being turned on at the same time,
Destruction of the charge control power transistor and the discharge control power transistor due to excessive current from the power source is prevented.

[実施例] 次に、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。[Example] Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は”、MOSFET (メタルオキサイドセミコ
ンダクタ型電界効果トランジスタ)を用いた第1実施例
の圧電素子制御回路である。この圧電素子1は、例えば
燃料噴射装置のニードル弁を駆動するためのもので、充
放電制御により圧電素子1を伸縮させることにより図示
していないニードル弁を駆動するものである。即ち、圧
電素子1は充電状態に応じて伸びる一方、充電電荷が放
電されたときは放電状態に応じて縮むような特性を備え
ている。
FIG. 1 shows a piezoelectric element control circuit of the first embodiment using a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor). This piezoelectric element 1 is used to drive a needle valve of a fuel injection device, for example. A needle valve (not shown) is driven by expanding and contracting the piezoelectric element 1 through charging and discharging control.In other words, the piezoelectric element 1 expands depending on the state of charge, and when the charged charge is discharged, it is discharged. It has the characteristic of shrinking depending on the condition.

第1図に示すように、圧電素子1の一方の端子には、圧
電素子1に充電電流を通電させるための充電制御用パワ
ートランジスタ2CPチヤンネルMO8FET)のドレ
インDと、圧電素子1に充電された電荷を放電させると
きの放電電流を通電させるための放電制御用パワートラ
ンジスタ3(Nチャンネル間O8FET)のドレインD
とが接続されている。また、圧電素子1の他方の端子は
接地されている。充電制御用パワーi−ランジスタ2の
ソースSとサブストレイトSUとに図示していない電源
からの駆動電源電圧VDDが印加されている。一方、放
電制御用パワートランジスタ3のソースSとサブストレ
イトSUは接地されている。上述したように、充71 
i、ll Ill用パワートランジスタ2はPチャンネ
ルMO8FETであり、放電制御用パワートランジスタ
3はNチャンネル間O8FETである。従って充電制御
用パワートランジスタ2は、ゲートGに印加される信号
が論理rLJである場合にオンの状態になる一方、放電
制御用パワートランジスタ3は、ゲートGに印加される
信号が論理rHJである場合にオンの状態になる。
As shown in FIG. 1, one terminal of the piezoelectric element 1 is connected to the drain D of a charging control power transistor 2CP channel MO8FET for supplying a charging current to the piezoelectric element 1, and Drain D of the discharge control power transistor 3 (N-channel O8FET) for passing a discharge current when discharging charges
are connected. Further, the other terminal of the piezoelectric element 1 is grounded. A drive power supply voltage VDD from a power supply (not shown) is applied to the source S and substrate SU of the power i-transistor 2 for charge control. On the other hand, the source S and substrate SU of the discharge control power transistor 3 are grounded. As mentioned above, 71
i, ll The Ill power transistor 2 is a P-channel MO8FET, and the discharge control power transistor 3 is an N-channel O8FET. Therefore, the charge control power transistor 2 is turned on when the signal applied to the gate G is logic rLJ, while the discharge control power transistor 3 is turned on when the signal applied to the gate G is logic rHJ. It turns on when

上記充電制御用パワートランジスタ2をドライブするた
めのスイッチングトランジスタ4のトレインDが、抵抗
5Aを介して充電制御用パワートランジスタ2のゲート
Gに接続されている。そしてスイッチングトランジスタ
4のソースSとサブストレイトSUは接地されている。
A train D of switching transistors 4 for driving the charge control power transistor 2 is connected to the gate G of the charge control power transistor 2 via a resistor 5A. The source S and substrate SU of the switching transistor 4 are grounded.

また、充電制御用パワートランジスタ2のゲートGには
、抵抗5Bを介して前記駆動電源電圧VDDが印加され
ている。尚、スイッチングトランジスタ4はNチャンネ
ル間O8FETであり、従ってゲートGに印加される信
号が論理rHJである場合にオンの状態になる。
Further, the drive power supply voltage VDD is applied to the gate G of the charging control power transistor 2 via a resistor 5B. Note that the switching transistor 4 is an N-channel O8FET, and therefore turns on when the signal applied to the gate G is logic rHJ.

上記スイッチングトランジスタ4のゲートGは、2人力
アンドゲート5の出力端子と接続されており、前記放電
ill all用パワートランジスタ3のゲートGは、
2人力アンドゲート6の出力端子と接続されている。上
記2人カアンドゲート5と2人力アンドゲート6それぞ
れの一方の入力端子が直接接続されており、この接続点
にはエクスクル−シブオアゲート7の出力端子が接続さ
れている。また、エクスクル−シブオアゲート7の2入
力端子のそれぞれは、前記2人カアンドゲート5と2人
力アンドゲート6それぞれの入力端子と接続されている
。そしてエクスクル−シブオアゲート7の一方の入力端
子は、外部からの制御信号が入力される制御信号入力端
子8と接続されており、エクスクルーシブオアゲ−1−
7の他方の入力端子は、ノットゲート9の出力端子に接
続されている。また、このノットゲ−1・9の入力端子
は上記制卸信号入力端子8と接続されている。
The gate G of the switching transistor 4 is connected to the output terminal of the two-power AND gate 5, and the gate G of the discharge ill all power transistor 3 is connected to the output terminal of the two-power AND gate 5.
It is connected to the output terminal of the two-man power AND gate 6. One input terminal of each of the two-person AND gate 5 and the two-person AND gate 6 is directly connected, and the output terminal of the exclusive-OR gate 7 is connected to this connection point. Further, each of the two input terminals of the exclusive OR gate 7 is connected to the input terminals of the two-person AND gate 5 and the two-person AND gate 6, respectively. One input terminal of the exclusive OR gate 7 is connected to a control signal input terminal 8 into which an external control signal is input.
The other input terminal of 7 is connected to the output terminal of knot gate 9. Further, the input terminals of the not games 1 and 9 are connected to the control signal input terminal 8.

以上のように接続された圧電素子制御回路において、第
2図(1)に示すようなパルス状の信qS1が圧電素子
1を充放電制御するための制御信号として外部から制御
信号入力端子8に印加されると、ノットゲート9の出力
信号S2は第2図(2)に示すような信号になる。この
際、ノットゲート9に多少の応答遅れが有るため、信号
S1の立ち上り、及び立ら下りタイミングに対して信号
S2の立ち下り、及び立ち上りそれぞれのタイミングが
時間Tdだけ遅れることになる。
In the piezoelectric element control circuit connected as described above, a pulse-like signal qS1 as shown in FIG. When applied, the output signal S2 of the knot gate 9 becomes a signal as shown in FIG. 2(2). At this time, since there is some response delay in the not gate 9, the timings of the falling and rising edges of the signal S2 are delayed by the time Td relative to the timings of rising and falling edges of the signal S1.

一方、エクスクル−シブオアゲート7は、第3図に示す
ように二つの入力端子に印加される信号が共に論理「H
」、あるいは共に論理rLJの場合に出力信号が論理r
LJとなるため、エクスクル−シブオアゲート7の出力
信号S3は、第2図(3)に示すようにノットゲート−
9の応答遅れ時間Tdの範囲で論理rLJとなる。従っ
て2人力アンドゲート5と2人力アンドゲート6それぞ
れの一方の入力端子にはエクスクル−シブオアゲート7
の出力信号S3が印加されるため、2人力アンドゲート
5の出力信号S4は、第2図(4)に示すようになり、
2人力アンドゲート6の出力信号S5は、第2図(5)
に示すようになる。
On the other hand, in the exclusive OR gate 7, as shown in FIG.
”, or if both are logic rLJ, the output signal is logic r
Therefore, the output signal S3 of the exclusive OR gate 7 becomes a NOT gate as shown in FIG. 2 (3).
The logic rLJ occurs within the response delay time Td of 9. Therefore, one input terminal of each of the two-man power AND gate 5 and the two-man power AND gate 6 has an exclusive OR gate 7.
Since the output signal S3 of is applied, the output signal S4 of the two-man powered AND gate 5 becomes as shown in FIG. 2 (4),
The output signal S5 of the two-man power AND gate 6 is shown in FIG. 2 (5).
It becomes as shown in .

2人力アンドゲー1〜5の出力信号S4が論理IN−I
Jの状態のとき、スイッチングトランジスタ4がオンの
状態になり、その結果、充電制御用パワートランジスタ
2のゲートGは論理rLJになり、同トランジスタ2は
オンの状態になって圧電素子1に充電電流が通電される
The output signal S4 of the two-man power AND game 1 to 5 is the logic IN-I
When in the state J, the switching transistor 4 is in the on state, and as a result, the gate G of the charge control power transistor 2 becomes the logic rLJ, the transistor 2 is in the on state, and a charging current is applied to the piezoelectric element 1. is energized.

一方、2人カアンドゲート6の出力信号S5は、論1!
t! rLJの状態になっているため、f11電制御用
パワートランジスタ3はオフの状態になっている。
On the other hand, the output signal S5 of the two-man AND gate 6 is logic 1!
T! Since it is in the rLJ state, the f11 power control power transistor 3 is in the off state.

第2図(4) 1.及び第2図(5)に示すように2人
力アンドゲート5の出力信号S4と2人カアンドゲー]
・6の出力信号85は共に論理rHJにならないため、
前記充電制御用パワートランジスタ2と前記放電制御用
パワートランジスタ3が共にオ。
Figure 2 (4) 1. and the output signal S4 of the two-person AND gate 5 and the two-person AND gate as shown in FIG. 2 (5)]
・Since the output signals 85 of 6 do not become logic rHJ,
Both the charge control power transistor 2 and the discharge control power transistor 3 are turned on.

ンの状態にならない。即ち充電制御用パワートランジス
タ2と放電制御用パワートランジスタ3が同時通電状態
となって破壊することがない。
not be in a blank state. That is, the power transistor 2 for charge control and the power transistor 3 for discharge control are not simultaneously energized and destroyed.

以上の説明においては、フッ1−ゲーi〜9の応答遅れ
を考慮した制御タイミングについて説明したが、実際に
は前記2人力アンドゲート5.2人力アンドゲート6、
及びエクスクル−シブオアゲート7にも応答遅れがある
。第2図(6)、第2図(7)、第2図(8)は、上記
2人力アンドゲート5.2人力アンドゲー1−6、及び
エクスクル−シブオアゲート7それぞれの応答Rれを前
回したタイミングチャートで、第2図(6)は、第2図
(3)に対応し、第2図(7)は、第2図(4)に、そ
して第2図(8)は、第2図(5)に対応する。この場
合でも2人力アンドゲート5及び2人力アンドゲート6
の間の応答特性のバラツキの差が時間Tdの範囲内であ
れば両アントゲ−1−5,6の出力信号S4゜S5が共
に論理rHJにはならない。従って充電制御用パワート
ランジスタ2と放電制titJ用パワートランジスタ3
が瞬時的にも同時通電状態となって破1!することがな
い。
In the above explanation, the control timing was explained in consideration of the response delay of the 1-game i to 9, but in reality, the 2-man-powered AND gate 5, 2-man-powered AND gate 6,
And the exclusive or gate 7 also has a response delay. Figure 2 (6), Figure 2 (7), and Figure 2 (8) are the timings at which the responses of the above 2-man-powered AND gate 5, 2-man-powered AND game 1-6, and exclusive or gate 7 were made last time. In the charts, Figure 2 (6) corresponds to Figure 2 (3), Figure 2 (7) corresponds to Figure 2 (4), and Figure 2 (8) corresponds to Figure 2 ( Corresponds to 5). In this case, two-manpower AND gate 5 and two-manpower AND gate 6
If the difference in response characteristic variation between them is within the range of time Td, both the output signals S4 and S5 of the two ant games 1-5 and 6 will not become logic rHJ. Therefore, the power transistor 2 for charge control and the power transistor 3 for discharge control titJ
It was instantaneous and the power was turned on at the same time, and it was a disaster! There's nothing to do.

尚、上記2人力アンドゲート5及び2人力アンドゲート
6は、−殻内に同−ICパッケージのものが使用される
ため、応答特性のバラツキの差が穫めて少ない。
Incidentally, since the two-man powered AND gate 5 and the two-man powered AND gate 6 have the same IC package inside the shell, the difference in variation in response characteristics is very small.

次に、本発明の第二実論例を説明する。Next, a second practical example of the present invention will be explained.

第4図は、第2実施例の圧電素子u1 tI11回路で
あり、第5図は、上記圧電素子制御回路のタイミングチ
ャートである。
FIG. 4 shows the piezoelectric element u1 tI11 circuit of the second embodiment, and FIG. 5 is a timing chart of the piezoelectric element control circuit.

第4図に示した圧電素子制御回路は、第1実施例で説明
した第1図の圧電素子制御回路における2人力アンドゲ
ート6を除いたもので、その他の使用素子は第1図の圧
電素子制御回路における使用素子と同一であり、使用素
子それぞれの説明番号は第1図と同じである。従ってノ
ットゲート9の出力信号は、第1実施例と同様にエクス
クルーシブオアゲート7の入力端子に印加される一方、
放電制御用パワー1−ランジスタ3のゲー1− Gに直
接印加されるようになっている。
The piezoelectric element control circuit shown in FIG. 4 is the same as the piezoelectric element control circuit shown in FIG. 1 explained in the first embodiment except for the two-manual AND gate 6, and the other elements used are the piezoelectric element shown in FIG. 1. The elements used are the same as those used in the control circuit, and the explanatory numbers of the respective elements used are the same as in FIG. Therefore, the output signal of the NOT gate 9 is applied to the input terminal of the exclusive OR gate 7 as in the first embodiment, while
The discharge control power 1 is applied directly to the gate 1-G of the transistor 3.

以上のように接続された圧電素子制御回路において、第
5図(1)に示すようなパルス状の信号S11が圧電素
子1を充tll電制御するための側聞信号として外部か
ら制御信号入力端子8に印加されると、ノットゲート9
の出力信号812は第5図(2)に示すような信号にな
る。この際、ノットゲート9に多少の応答遅れが有るた
め、信号811の立ち上り、及び立ち下りタイミングに
対して信号812の立ち下り、及び立ち上りそれぞれの
タイミングが時間Tdだけ遅れることになる。第5図(
3)はエクスクルーシブオアゲ−1〜7の出力信号S1
3のタイミングチャートであり、ノットゲート9の応答
遅れ時間Tdの間、エクスクル−シブオアゲート7の出
力信号813は、論1!I! rLJとなる。また、第
5図(4)は2人カアンドゲート5の出力信号814の
タイミングチャートであり、出力信号814は、前記信
号811とエクスクル−シブオアゲート7の出力信号8
13が共に論理rHJの状態のとき論理rHJになる。
In the piezoelectric element control circuit connected as described above, a pulse-like signal S11 as shown in FIG. When applied to 8, knot gate 9
The output signal 812 becomes a signal as shown in FIG. 5(2). At this time, since there is a slight response delay in the not gate 9, the timings of the falling and rising edges of the signal 812 are delayed by the time Td relative to the rising and falling timings of the signal 811. Figure 5 (
3) is the output signal S1 of exclusive or games 1 to 7.
3, during the response delay time Td of the NOT gate 9, the output signal 813 of the exclusive OR gate 7 is Logic 1! I! It becomes rLJ. FIG. 5(4) is a timing chart of the output signal 814 of the two-man AND gate 5, and the output signal 814 is composed of the signal 811 and the output signal 8 of the exclusive OR gate 7.
13 are both in the logic rHJ state, the logic rHJ occurs.

上記のような圧電素子制御回路において、充電側聞用パ
ワートランジスタ2と放電制御用パワートランジスタ3
が同時通電状1栗となって破壊するタイミングは、ノッ
トゲート9の出力信号812と2人カアンドゲート5の
出力信号814が共に論理rHJの状態のときであるが
、第5図(2)、第5図(4)から明らかなようにノッ
]・ゲート9の出力信号312と2人カアンドゲート5
の出力信号814が共に論理rHJの状態にならないよ
うに制御される。
In the piezoelectric element control circuit as described above, a charging side power transistor 2 and a discharging control power transistor 3 are used.
The timing at which the gate becomes simultaneously energized and destroyed is when the output signal 812 of the not gate 9 and the output signal 814 of the two-man AND gate 5 are both in the logic rHJ state, as shown in FIG. 5 (2). , as is clear from FIG. 5(4), the output signal 312 of the gate 9 and the two-person gate 5
The output signals 814 of both are controlled so that they do not go to the logic rHJ state.

尚、以上の説明においては、ノットゲート9の応答近れ
を考慮した制御タイミングについて説明したが、実際に
は前記2人カアンドゲート5、及びエクスクルーシブオ
アゲ−1〜7にも応答遅れがある。しかしながら2人カ
アンドゲート5、及びエクスクル−シブオアゲート7に
応答遅れがあっても第1実施例と同様に補償することが
できる。
In the above explanation, the control timing has been explained in consideration of the nearness of the response of the knot gate 9, but in reality, there is also a delay in the response of the two-player gate 5 and the exclusive or games 1 to 7. However, even if there is a response delay in the two-man AND gate 5 and the exclusive-OR gate 7, it can be compensated for in the same manner as in the first embodiment.

[発明の効果] 以上のように本発明によれば、充電制御用パワートラン
ジスタをオンに制御したとき、この充電制御用パワート
ランジスタに接続された負荷に対して電源からの充電電
流を通電したあと、上記充電制御用パワーi−ランジス
タをオフに制御した状態で放電側聞用パワートランジス
タをオンに制御したとき前記負荷から放電電流を通電さ
せるというパワートランジスタ回路において、外部から
の制御信号に従って前記充電制御用パワートランジスタ
と前記放電制御用パワートランジスタを交互にオンオフ
さけるためのスイッチング制御回路に、前記充電制御用
パワートランジスタと前記放電制御用パワー1−ランジ
スタが同時にオンになる状態を阻止するための論理回路
を接続したため、上記充電制御用パワートランジスタと
放電制御用パワートランジスタとが同時通電状態になっ
て破壊してしまうことを防止することができるという効
果がある。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, when the charge control power transistor is controlled to be turned on, after the charge current from the power supply is applied to the load connected to the charge control power transistor, , in a power transistor circuit that causes a discharge current to flow from the load when the discharge side power transistor is controlled to be turned on while the charging control power i-transistor is controlled to be turned off, the charging is performed according to an external control signal. A switching control circuit for alternately turning on and off the control power transistor and the discharge control power transistor includes logic for preventing the charge control power transistor and the discharge control power 1-transistor from being turned on at the same time. Since the circuits are connected, it is possible to prevent the charge control power transistor and the discharge control power transistor from being simultaneously energized and destroyed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は電界効果型パワートランジスタを用いた第1実
施例の圧電素子制御回路図、第2図は第1図の圧電素子
制御回路のタイミングチャート図、第3図はエクスクル
ージ1オアゲートの入出力信号状態図、第4図は第2実
施例の圧電素子制御回路図、第5図は第4図の圧電素子
制御回路のタイミングチャート図、第6図は従来の圧電
素子制御回路図、第7図は第6図の圧電素子制御回路の
タイミングチャート図である。 1・・・圧電素子 2・・・充電制御用パワートランジスタ3・・・tli
l制電制御ワートランジスタ4・・・スイッチングトラ
ンジスタ 5・・・2人カアンドゲート 6・・・2人カアンドゲート 7・・・エクスクル−シブオアゲート 9・・・ノットゲート
Fig. 1 is a piezoelectric element control circuit diagram of the first embodiment using a field effect power transistor, Fig. 2 is a timing chart of the piezoelectric element control circuit of Fig. 1, and Fig. 3 is an input circuit diagram of the exclusion 1 OR gate. Output signal state diagram, FIG. 4 is a piezoelectric element control circuit diagram of the second embodiment, FIG. 5 is a timing chart diagram of the piezoelectric element control circuit of FIG. 4, and FIG. 6 is a conventional piezoelectric element control circuit diagram. FIG. 7 is a timing chart of the piezoelectric element control circuit of FIG. 6. 1...Piezoelectric element 2...Power transistor for charging control 3...tli
l Discharge control transistor 4... Switching transistor 5... Two-person AND gate 6... Two-person AND gate 7... Exclusive or gate 9... Not gate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 充電制御用パワートランジスタをオンに制御したとき、
この充電制御用パワートランジスタに接続された負荷に
対して電源からの充電電流を通電したあと、上記充電制
御用パワートランジスタをオフに制御した状態で放電制
御用パワートランジスタをオンに制御したとき前記負荷
から放電電流を通電させるというパワートランジスタ回
路において、外部からの制御信号に従つて前記充電制御
用パワートランジスタと前記放電制御用パワートランジ
スタを交互にオンオフさせるためのスイッチング制御回
路に、前記充電制御用パワートランジスタと前記放電制
御用パワートランジスタが同時にオンになる状態を阻止
するための論理回路を接続したことを特徴とするパワー
トランジスタ回路の同時通電防止回路。
When the charging control power transistor is turned on,
After applying a charging current from the power supply to the load connected to the charge control power transistor, when the discharge control power transistor is turned on while the charge control power transistor is turned off, the load In a power transistor circuit in which a discharge current is passed through a switching control circuit for alternately turning on and off the charging control power transistor and the discharging control power transistor according to an external control signal, the charging control power 1. A simultaneous energization prevention circuit for a power transistor circuit, characterized in that a logic circuit for preventing a transistor and the discharge control power transistor from being turned on at the same time is connected thereto.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5502414A (en) * 1993-01-21 1996-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Circuit for delaying data latching from a precharged bus and method
US6161816A (en) * 1999-04-15 2000-12-19 Rikenkaki Kogyo Kabushiki Kaisha Pantagraph-type jack, and process for producing the same
US6334605B1 (en) 2000-05-09 2002-01-01 Rikenkaki Kogyo Kabushiki Kaisha Pantagraph-type jack

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