JPH0361631B2 - - Google Patents

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JPH0361631B2
JPH0361631B2 JP60249361A JP24936185A JPH0361631B2 JP H0361631 B2 JPH0361631 B2 JP H0361631B2 JP 60249361 A JP60249361 A JP 60249361A JP 24936185 A JP24936185 A JP 24936185A JP H0361631 B2 JPH0361631 B2 JP H0361631B2
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JP
Japan
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melt
crystal
seed
band
shaped
Prior art date
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Expired
Application number
JP60249361A
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English (en)
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JPS62108797A (ja
Inventor
Mitsuo Iida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP60249361A priority Critical patent/JPS62108797A/ja
Publication of JPS62108797A publication Critical patent/JPS62108797A/ja
Publication of JPH0361631B2 publication Critical patent/JPH0361631B2/ja
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は例えば帯状シリコン結晶等の帯状結晶
の製造装置に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 底部に2個の小孔のあいたるつぼに、シリコン
融液を収容し、またこの小孔それぞれに結晶端支
持材を配置し、種子を、支持材同志間のシリコン
融液及び支持材に接触させた後、種子を引上げる
ことによる帯状シリコン結晶の製造方法で、帯状
シリコン結晶を引上げる際に、帯状シリコン結晶
が平坦にならず、うねりが発生することがある。
うねり発生を防止するには、帯状シリコン結晶を
2板の平坦な板で挾み、その間隙を通して引上げ
を行えば良い。
以後この様な結晶のゆれ防止機構をリミツタと
称することとする。リミツタ4はカーボン板より
なり第3図に示す様に引上げ駆動部3の下部の開
閉機構部に取付けられ、リミツタ4の間隙0〜10
mmの範囲で調整出来る構造になつている。一方種
子1の形状は厚さ0.76mm、幅100mm、長さ1200mm
のカーボンフオイルを使用し、この種子1の先端
部をシリコン融液2の中に浸漬させ良くなじませ
た後、るつぼ6の下部よりシリコン融液2内を貫
通してある2本のカーボン糸を各々種子1の両端
に固着させた後、所定の速度で引上げ駆動部3に
より種子1を引上げ帯状シリコン結晶を成長させ
る。5は加熱ヒータである。しかし実際に、この
ような構成を用いて帯状シリコン結晶を引上げて
見た所、不都合が発生した。引上げ開始時点の帯
状シリコン結晶は部厚く(t=5〜7mm)なる。
従つてリミツタ4の間隙をこれ以上広げない限り
帯状シリコン結晶はリミツタ4内を通過せず、広
げた状態でのリミツタ4の間隔では以後の正常な
厚さの帯状シリコン結晶に対しては、ゆれ防止の
機能は発揮できず帯状シリコン結晶に、うねりが
発生することがある。
従来技術において結晶引上げ開始時の帯状シリ
コン結晶が部厚くなる理由は種子先端のみならず
種子の平坦な壁面にまで、シリコン融液が種子引
上げにより持ち上げられ冷却固化して帯状シリコ
ン結晶の部厚い部分を形成する。この様子は第4
図に示される。即ち、第4図に於て1はカーボン
フオイルを用いた種子、2はシリコン融液であ
り、7は引上げられた部厚い結晶部よりなる種子
付け部の断面図である。これを避けるには種々の
方法が考えられる。第一には種子にシリコン融液
と同材質のものを用いる。この先端はシリコン融
液中で融解するため種子先端がシリコン融液中に
侵入した形とはならずに、第5図の種子付け部7
に示す如く種子1の先端のみがシリコン融液2と
接触した形となる。この方法は既知であるが長尺
の結晶質の種子自体を用意しなければならないと
言う欠点を持つている。結晶質はもろく取扱いが
困難であり長尺の種子結晶となると更にこれが著
しい。第二の方法は種子の側面には撥液性の処理
を施し先端部のみがシリコン融液との濡れ性を保
つようにする事である。しかしこれはあまり容易
でない。撥液性処理として、そのような物質で種
子先端壁面を被覆することがあげられるが、高温
時にはがれやすい。
[発明の目的] 本発明は前述した従来に於ける欠陥を排除し、
帯状結晶引上げ開始時に於ても帯状結晶が部厚く
ならない様な種子を用いることにより、リミツタ
間隙を十分に狭くすることができ、帯状結晶の振
れが防止され平坦な帯状結晶が作成され得る。帯
状結晶製造装置を提供することを目的とする。
[発明の概要] 本発明は結晶種子としてカーボン糸等の融液に
濡れ、かつ融液によつて変形することのない材料
によつて作られた糸状体を用いるもので、糸状体
の長手方向が水平になる様に他の構造物により保
持し全体を一度に融液中になじませる様に融液に
浸し垂直方向に引上げた場合、引上げ開始部分の
結晶が部厚くなるのを防ぐものである。
[発明の実施例] 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。
即ち、シリコン融液が収容されるたるつぼの底
部に成長すべき帯状シリコン結晶の幅と略等間隔
にあけられた小孔より、シリコン融液を通してシ
リコン融液面と垂直に一対の結晶端持材を配置
し、この一対の結晶端支持材間のシリコン融液及
び結晶端支持材に種子を接触させ、この種子を引
上げることによつて帯状シリコン結晶を製造する
装置において、第1図に示すように、種子はシリ
コン融液に濡れ、かつシリコン融液によつて変形
することのない材料によつて作られた糸状体例え
ばカーボン糸8であり、このカーボン糸8は引上
げ方向と直角な他の構造物例えばカーボンフオイ
ル101の両端先端突出部9a,9bに張設され
て保持される。
この様な構成をとることによつて、カーボン糸
8は水平に張られることになる。この構成をとつ
た種子を用いて引上げた場合、その両端先端突出
部9a,9bでの引上げ開始部分の結晶は部厚く
なり避けることは出来ない。しかしこれには第2
図a,bに示すようなリミツタを用いればリミツ
タ振れ防止の効果は十分発揮され、実質上困るこ
とはない。第2図aはリミツタ正面図であり、第
2図bはこの第2図aのA−A′線断面図である。
第2図a,bの如くリミツタを構成する2枚の板
401,402は端部が薄く中央部を厚くする。
これによりリミツタ間隔は中央部が狭く、部厚い
結晶が通過する両端部は広くする。この結果結晶
の振れは中央部で制限され平坦な結晶が得られ
る。
なおカーボンフオイル101をより大きくし
て、突出部9a,9bの内側の間隔が帯状シリコ
ン結晶の幅と同等になるようにした場合は、2枚
の板401,402の厚くなつた部分の幅を引上
げられる帯状シリコン結晶とほぼ同等な長さにす
ることが可能となり、帯状結晶の振れ防止はより
完全なものになる。
[発明の効果] 本発明は帯状結晶のうねりを防止する目的でな
されたものであり、十分その効果は認められる
が、それ以外に以下の効果のある事が判つた。ま
ず帯状結晶純度に関しては、不純物の主流である
カーボンフオイルが融液に接する部分をごく少く
出来るため純度低下もごく少い。カーボン糸はフ
オイルよりも純度が高い。カーボン材の純度向上
のためには、これをハロゲン系ガス下で高温処理
し、金属成分を揮発性化合物として追い出す事が
一般的であるが、フオイル状のものよりは糸状の
ものの方がその効果は高く、しかもコンパクトで
処理が容易であるからである。
次なる効果は温度制御が容易になることであ
る。第1図に示す如き種子を融液に接触させる事
は、単なる一枚の板状の種子を融液に接する場合
よりも融液温度変化が少ない。そのため温度制御
が容易であり、引上げも容易となる。種子を伝導
する上方向への熱の逃げが少なくなるためであ
る。前述の如く本発明は帯状結晶引上げの上で数
多くの利点を持つものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る種子の一例を示す正面
図、第2図aは本発明に係るリミツタの一例を示
す正面図、第2図bは同図aのA−A′断面図、
第3図は帯状結晶製造装置の一例を示す断面図、
第4図及び第5図は従来の種子とシリコ融液との
関係を説明するための断面図である。 1……種子、2……融液、3……引上げ駆動
部、4……リミツタ、6……るつぼ、8……カー
ボン糸、101……カーボンフオイル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 融液が収容されたるつぼの底部に成長すべき
    帯状結晶の幅と略等間隔にあけられた小孔より、
    融液を通して融液面と垂直に一対の結晶端支持材
    を配置し、この一対の結晶端支持材間の融液及び
    結晶端支持材に種子を接触させ、この種子をリミ
    ツタの間〓を通過させながら引上げることによつ
    て帯状結晶を製造する装置において、前記種子は
    融液に濡れ、かつ融液によつて変形することのな
    い材料によつて作られた糸状体であり、この糸状
    体は引上げ方向と直角に他の構造物により保持さ
    れることを特徴とする帯状結晶製造装置。 2 種子として、カーボンフオイル先端に水平に
    張られたカーボン糸を用い、このカーボン糸を2
    枚のカーボン板の間を通過させるようにしたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の帯状結
    晶製造装置。
JP60249361A 1985-11-07 1985-11-07 帯状結晶製造装置 Granted JPS62108797A (ja)

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JP60249361A JPS62108797A (ja) 1985-11-07 1985-11-07 帯状結晶製造装置

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JP60249361A JPS62108797A (ja) 1985-11-07 1985-11-07 帯状結晶製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62108797A JPS62108797A (ja) 1987-05-20
JPH0361631B2 true JPH0361631B2 (ja) 1991-09-20

Family

ID=17191879

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JP60249361A Granted JPS62108797A (ja) 1985-11-07 1985-11-07 帯状結晶製造装置

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JPS62108797A (ja) 1987-05-20

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