JPH0362013B2 - - Google Patents
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- JPH0362013B2 JPH0362013B2 JP59091740A JP9174084A JPH0362013B2 JP H0362013 B2 JPH0362013 B2 JP H0362013B2 JP 59091740 A JP59091740 A JP 59091740A JP 9174084 A JP9174084 A JP 9174084A JP H0362013 B2 JPH0362013 B2 JP H0362013B2
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- JP
- Japan
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- mark
- photoelectric detector
- magnification error
- objects
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- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
- H10P72/53—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、位置合せ装置に関し、例えば半導体
焼付装置等においてマスクパターンをウエハに焼
付ける際に、両者の位置識別マークであるアライ
メントマーク同志の間隔を効率良くかつ正確に測
定して高精度の位置合せを行なう位置合せ方法に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an alignment device, for example, when printing a mask pattern on a wafer in a semiconductor printing device, etc. The present invention relates to an alignment method that performs highly accurate alignment by efficiently and accurately measuring intervals.
このマスクとウエハとの位置合せは、例えばマ
スクおよびウエハのそれぞれに予め描かれた自動
位置合せ用のアライメントマーク上をレーザビー
ムで走査し、マークエツジの散乱回折光を位置合
せ情報に使用している。この場合、受光部で光学
的に直接反射光を除去した後に、それぞれの位置
合せアライメントマークのエツジからの散乱回折
光の強度を光電変換して電気的パルスに変え、こ
のパルス位置をクロツク計数器等で測定してアラ
イメントマーク同志の間隔、即ち偏位を求めるこ
とが一般に行われている。
This alignment between the mask and the wafer is achieved by, for example, scanning alignment marks for automatic alignment drawn in advance on each of the mask and wafer with a laser beam, and using scattered diffraction light from the mark edges as alignment information. . In this case, after optically removing the directly reflected light in the light receiving section, the intensity of the scattered and diffracted light from the edge of each alignment mark is photoelectrically converted into an electrical pulse, and this pulse position is determined by a clock counter. Generally, the distance between the alignment marks, that is, the deviation, is determined by measuring the distance between the alignment marks.
具体的には、第1図aに示すようなアライメン
トマークMをマスクに、bに示すようなマークW
をウエハに描いて、第2図に示すような構成の装
置により、マスク1とウエハ2のアライメントマ
ークM,W上をレーザビームLで走査して各マー
ク同志の偏位を求め、この偏位に応じてマスク1
またはウエハ2のいずれかを動かして、第1図c
に示す状態にマスク1とウエハ2の相対的な位置
合せを行なつている。 Specifically, using an alignment mark M as shown in FIG. 1a as a mask, a mark W as shown in FIG.
is drawn on the wafer, the alignment marks M and W on the mask 1 and the wafer 2 are scanned with a laser beam L using a device configured as shown in FIG. 2, and the deviation of each mark is determined. Mask 1 according to
Or move either of the wafers 2 and
The mask 1 and the wafer 2 are relatively aligned in the state shown in FIG.
第2図は、半導体焼付装置における位置合せシ
ステムの1例を示す。同図において、1はマス
ク、2はウエハ、3は移動ステージ、4はマスク
1のパターンをウエハ2上に転写するための投影
レンズである。また、7はモータ6によつて回転
するポリゴンミラーで、レーザ光源例えばレーザ
チユーブ5から出射されたレーザ光は、ポリゴン
ミラー7、ミラー8、ビームスプリツタ11、対
物レンズ10、ミラー9を経てマスク1およびウ
エハ2上のアライメントマークM,W上をスキヤ
ンする。該アライメントマークM,Wからの散乱
光はミラー9、対物レンズ10、ビームスプリツ
タ11を通り、光電検出器12に入る。 FIG. 2 shows an example of an alignment system in a semiconductor printing apparatus. In the figure, 1 is a mask, 2 is a wafer, 3 is a moving stage, and 4 is a projection lens for transferring the pattern of the mask 1 onto the wafer 2. Further, 7 is a polygon mirror rotated by a motor 6, and the laser light emitted from a laser light source, for example, a laser tube 5, passes through a polygon mirror 7, a mirror 8, a beam splitter 11, an objective lens 10, and a mirror 9, and then passes through a mask. The alignment marks M and W on the wafer 1 and the wafer 2 are scanned. Scattered light from the alignment marks M and W passes through a mirror 9, an objective lens 10, and a beam splitter 11, and enters a photoelectric detector 12.
光電検出器12の出力信号は、第1図eに示す
様なアナログ信号であり、この信号中mはマスク
1上のマークMからの散乱光による信号、Wはウ
エハ2上のマークWからの散乱光による信号であ
る。これらの信号は、制御回路13中のコンパレ
ータ14によつて2値化され、第1図fの様なパ
ルス列となる。これらのパルス間隔を、計測クロ
ツク発振器15およびパルス間隔測定用カウンタ
16で計測する。17はCPUで、該カウンタ1
6の値を読み出し、この値より、マスク1とウエ
ハ2との相対的なずれ量を求めて、マスクとウエ
ハが正しい位置関係となるようにモータ15,1
6を回し、移動ステージ13を駆動する。 The output signal of the photoelectric detector 12 is an analog signal as shown in FIG. This is a signal caused by scattered light. These signals are binarized by the comparator 14 in the control circuit 13 and become a pulse train as shown in FIG. 1(f). These pulse intervals are measured by a measurement clock oscillator 15 and a pulse interval measurement counter 16. 17 is the CPU and the counter 1
6 is read out, and from this value, the relative displacement amount between the mask 1 and the wafer 2 is determined, and the motors 15 and 1 are operated so that the mask and the wafer are in the correct positional relationship.
6 to drive the moving stage 13.
この時、一般に、計測クロツクの周波数はレー
ザビームのウエハ面上のスキヤン速度と対応して
おり、例えば、クロツクの1周期は、レーザビー
ムがウエハ面上を0.1μmスキヤンする時間と同じ
にしてある。 At this time, the frequency of the measurement clock generally corresponds to the scanning speed of the laser beam on the wafer surface; for example, one cycle of the clock is set to be the same as the time it takes for the laser beam to scan the wafer surface by 0.1 μm. .
この時のウエハとマスクのずれ量の測定の分解
能は、0.1μmという事になる。しかし、実際に
は、レーザビームの光路中の光学系、例えば対物
レンズ10等の倍率の誤差等により実際にウエハ
面上をスキヤンするレーザビームの速度と計測ク
ロツクとの間には誤差が生じる。 At this time, the resolution for measuring the amount of misalignment between the wafer and the mask is 0.1 μm. However, in reality, an error occurs between the speed of the laser beam actually scanning over the wafer surface and the measurement clock due to an error in the magnification of the optical system in the optical path of the laser beam, such as the objective lens 10, etc.
この誤差は、直接マスクとウエハのずれ量測定
の誤差となりマスクとウエハの位置合わせ精度を
低下させるものである。 This error becomes an error in directly measuring the amount of deviation between the mask and the wafer, and reduces the accuracy of alignment between the mask and the wafer.
従つて従来は、装置組み立て時にこの誤差を測
定して装置ごとにその値を入力しておき、ウエハ
とマスクのずれ量の計算時にソフトにて前記誤差
を補正して計算する、ということを行なつてい
た。 Therefore, conventional methods have been to measure this error when assembling the equipment, enter the value for each equipment, and use software to correct the error when calculating the amount of misalignment between the wafer and the mask. I was getting used to it.
しかし、このような方法においては、装置の組
立て、調整時に複雑且つ精密な調整、測定の工程
が必要となり、また何らかの原因で完成後の装置
の光学系(例えばレンズ)を交換したり、再調整
をした場合は、前記倍率誤差の測定、入力のため
の工程が必ず必要となるといつた問題点があつ
た。
However, this method requires complex and precise adjustment and measurement processes when assembling and adjusting the device, and for some reason, the optical system (e.g. lens) of the device must be replaced or readjusted after completion. In this case, there was a problem in that a process for measuring and inputting the magnification error was always required.
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み
てなされたもので、組立・調整時の精密・複雑な
倍率誤差の測定工程を不要とし、かつ計時的変化
にも対処し得る位置合せ方法を提供することを目
的とする。 The present invention has been made in view of the problems in the conventional example described above, and provides an alignment method that eliminates the need for precise and complicated measurement steps for magnification errors during assembly and adjustment, and that can also cope with changes in time measurement. The purpose is to provide.
この目的を達成するために、本発明は、対物レ
ンズを介して第1物体上に形成されている第1マ
ークと第2物体上に形成されている第2マークを
光電検出器により光電検出し、光電検出器からの
第1マークに応じた第1マーク信号と第2マーク
に応じた第2マーク信号間の間隔に基づいて第1
及び第2マーク間のずれデータを算出し、ずれデ
ータに応じて第1及び第2物体を移動ステージに
より相対的に移動することにより、第1及び第2
物体の相対的な位置関係を調整する位置合せ方法
において、第1及び第2物体間に配置されている
投影レンズの鏡筒に対して一体的に設けられた、
または移動ステージ上の基準板に形成されている
寸法が既知の基準マークを対物レンズを介して光
電検出器により光電検出し、光電検出器からの基
準マークに応じた基準マーク信号から求められた
基準マークの測定寸法と基準マークの実寸法を用
いて対物レンズを含む観察系の倍率誤差に応じた
倍率誤差データを決定し、倍率誤差データをメモ
リ内に記憶しておくことにより、第1及び第2マ
ークを光電検出器で光電検出して第1及び第2物
体の相対的な位置関係を調整する際、倍率誤差デ
ータを用いて倍率誤差分だけ補正されたずれデー
タに応じて第1及び第2物体を相対的に移動して
いる。
In order to achieve this object, the present invention photoelectrically detects a first mark formed on a first object and a second mark formed on a second object through an objective lens using a photoelectric detector. , based on the interval between the first mark signal corresponding to the first mark from the photoelectric detector and the second mark signal corresponding to the second mark.
and the second mark, and relatively move the first and second objects using the moving stage according to the deviation data.
In an alignment method for adjusting the relative positional relationship of objects, a projection lens provided integrally with the lens barrel of a projection lens disposed between the first and second objects;
Alternatively, a reference mark with known dimensions formed on a reference plate on a moving stage is photoelectrically detected by a photoelectric detector through an objective lens, and a reference is determined from a reference mark signal corresponding to the reference mark from the photoelectric detector. The first and second When adjusting the relative positional relationship between the first and second objects by photoelectrically detecting two marks with a photoelectric detector, the first and second marks are adjusted according to the displacement data corrected by the magnification error using the magnification error data. Two objects are moving relative to each other.
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。なお、従来例と共通または対応する部分につ
いては同一の符合で表わす。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that parts common to or corresponding to those of the conventional example are indicated by the same reference numerals.
第3図は、本発明の一実施例に係る位置合せ装
置の概略の構成を示す。同図の装置は第2図のも
のに対し、投影レンズ4の鏡筒の脇に第4図に示
す様な基準マークを刻み込んだガラス板18を取
付けるとともに、レチクル1上の部分aを素通し
にしてレチクル1上方よりこの素通し部分aを通
して前記ガラス板18上のマークを観察すること
ができるようにしたものである。また、ミラー9
は、図示しないモータによつてレチクル1上を任
意の位置へ移動できるようにしている。 FIG. 3 shows a schematic configuration of an alignment device according to an embodiment of the present invention. The device shown in the same figure is different from the one shown in FIG. 2 by attaching a glass plate 18 with a reference mark engraved thereon as shown in FIG. The marks on the glass plate 18 can be observed from above the reticle 1 through this transparent portion a. Also, mirror 9
can be moved to any desired position on the reticle 1 by a motor (not shown).
次に、この様に構成された位置合せ装置の動作
を説明する。 Next, the operation of the alignment device configured in this manner will be explained.
制御回路13は、レチクル1とウエハ2の位置
合せに先立つて、先ず、ミラー9をレチクル1の
素通し部分aの上方へ移動する。この状態でポリ
ゴンミラー7を回転してレーザビームによりガラ
ス板18の基準マーク上をスキヤンし、ガラス板
18上のマークにより第4図のc部分の寸法を測
定する。第4図中のbはレーザビームのスキヤン
方向を示す。この基準マークの寸法測定は、装置
の納入時、定期点検時または必要に応じて行な
う。または、装置を始動する度に行なうようにし
てもよい。 Prior to aligning the reticle 1 and the wafer 2, the control circuit 13 first moves the mirror 9 above the transparent portion a of the reticle 1. In this state, the polygon mirror 7 is rotated to scan the reference mark on the glass plate 18 with a laser beam, and the dimension of the portion c in FIG. 4 is measured using the mark on the glass plate 18. b in FIG. 4 indicates the scanning direction of the laser beam. The dimensions of this reference mark shall be measured at the time of equipment delivery, periodic inspection, or as needed. Alternatively, the process may be performed each time the device is started.
以上の様にして測定した寸法が例えばc′であつ
たとすると、この光学系の倍率誤差はc/c′であ
ることが分る。 Assuming that the dimension measured in the above manner is, for example, c', the magnification error of this optical system is found to be c/c'.
制御回路13は、この値をCPU17のメモリ
に記憶し、以後、ウエハ2およびレチクル1の位
置合せ時にウエハ2およびレチクル1の位置合せ
用マークの位置計測データにc/c′を乗ずること
により観察用光学系の倍率誤差を自動的に補正す
ることができる。 The control circuit 13 stores this value in the memory of the CPU 17, and thereafter observes it by multiplying the position measurement data of the alignment marks on the wafer 2 and reticle 1 by c/c' when aligning the wafer 2 and reticle 1. The magnification error of the optical system can be automatically corrected.
上述の実施例においては、レンズ鏡筒の脇に設
けたガラス板のマークを倍率測定に用いている
が、これは、例えば、レチクルをレンズ上の所定
の位置へ合せるためのマークと共用するようにし
てもよい。また、寸法変化の少ない(許容範囲内
に入つていることが明らかな)ガラスウエハ等の
上に設けたマーク等を基準マークとして用いるよ
うにしてもよい。後者の場合は、投影レンズをも
含めた光学系の倍率を総合的に補正することがで
きる。但し、この場合は、オペレータが基準ウエ
ハを装置にセツトし、倍率測定を行なうべく装置
に支持し、装置はこの倍率測定のためマスクとウ
エハとの位置合せのためのものとは別個に設けら
れた特別のシーケンスを起動する必要がある。
In the above embodiment, a mark on the glass plate provided on the side of the lens barrel is used to measure the magnification, but this may also be used, for example, as a mark for aligning the reticle to a predetermined position on the lens. You can also do this. Alternatively, a mark provided on a glass wafer or the like with little dimensional change (clearly within an allowable range) may be used as the reference mark. In the latter case, the magnification of the optical system including the projection lens can be comprehensively corrected. However, in this case, the operator sets the reference wafer in the apparatus and supports it in order to perform magnification measurement, and the apparatus is provided separately from the one for aligning the mask and wafer for this magnification measurement. A special sequence needs to be activated.
従つて、本発明によれば、装置の組立て調整時
には精密且つ複雑な倍率の測定は不要となり、ま
た途中で観察(光学)系を交換したとしても、前
述のような倍率誤差を事前に測定して手動操作に
より入力するといつた行程を不要とすることがで
きる。
Therefore, according to the present invention, precise and complicated measurements of magnification are not required when assembling and adjusting the device, and even if the observation (optical) system is replaced midway through, the magnification error as described above can be measured in advance. If you enter the information manually, you can eliminate the need for the previous steps.
第1図は、マスクおよびウエハの整合用マーク
を説明する図、第2図は、半導体焼付け装置に適
用された従来の位置合せ装置の概略構成図、第3
図は、半導体焼付け装置に適用した本発明に係る
位置合せ装置の概略構成図、第4図は、本発明の
倍率補正用の基準マークの1例を示す図である。
図中、1はマスク、2はウエハ、3は移動ステ
ージ、4は投影レンズ、5はレーザ光源、6はモ
ータ、7はポリゴンミラー、8,9はミラー、1
0は対物レンズ、11はビームスプリツタ、12
は光電検出器、13は制御回路、15,16はモ
ータ、17はCPU、18は倍率測定用マークが
刻まれたガラス板である。
FIG. 1 is a diagram illustrating alignment marks on masks and wafers, FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a conventional alignment device applied to a semiconductor printing device, and FIG.
The figure is a schematic configuration diagram of an alignment device according to the present invention applied to a semiconductor printing apparatus, and FIG. 4 is a diagram showing an example of a reference mark for magnification correction of the present invention. In the figure, 1 is a mask, 2 is a wafer, 3 is a moving stage, 4 is a projection lens, 5 is a laser light source, 6 is a motor, 7 is a polygon mirror, 8 and 9 are mirrors, 1
0 is the objective lens, 11 is the beam splitter, 12
13 is a photoelectric detector, 13 is a control circuit, 15 and 16 are motors, 17 is a CPU, and 18 is a glass plate with marks for measuring magnification.
Claims (1)
いる第1マークと第2物体上に形成されている第
2マークを光電検出器により光電検出し、前記光
電検出器からの前記第1マークに応じた第1マー
ク信号と前記第2マークに応じた第2マーク信号
間の間隔に基づいて前記第1及び第2マーク間の
ずれデータを算出し、前記ずれデータに応じて前
記第1及び第2物体を移動ステージにより相対的
に移動することにより、前記第1及び第2物体の
相対的な位置関係を調整する位置合せ方法におい
て、前記第1及び第2物体間に配置されている投
影レンズの鏡筒に対して一体的に設けられた寸法
が既知の基準マークを前記対物レンズを介して前
記光電検出器により光電検出し、前記光電検出器
からの前記基準マークに応じた基準マーク信号か
ら求められた前記基準マークの測定寸法と前記基
準マークの実寸法を用いて前記対物レンズを含む
観察系の倍率誤差に応じた倍率誤差データを決定
し、前記倍率誤差データをメモリ内に記憶してお
くことにより、前記第1及び第2マークを前記光
電検出器で光電検出して前記第1及び第2物体の
相対的な位置関係を調整する際、前記倍率誤差デ
ータを用いて前記倍率誤差分だけ補正された前記
ずれデータに応じて前記第1及び第2物体を相対
的に移動することを特徴とする位置合せ方法。 2 対物レンズを介して第1物体上に形成されて
いる第1マークと第2物体上に形成されている第
2マークを光電検出器により光電検出し、前記光
電検出器からの前記第1マークに応じた第1マー
ク信号と前記第2マークに応じた第2マーク信号
間の間隔に基づいて前記第1及び第2マーク間の
ずれデータを算出し、前記ずれデータに応じて前
記第1及び第2物体を移動ステージにより相対的
に移動することにより、前記第1及び第2物体の
相対的な位置関係を調整する位置合せ方法におい
て、前記ステージ上の基準板に形成されている寸
法が既知の基準マークを前記対物レンズを介して
前記光電検出器により光電検出し、前記光電検出
器からの前記基準マークに応じた基準マーク信号
から求められた前記基準マークの測定寸法と前記
基準マークの実寸法を用いて前記対物レンズを含
む観察系の倍率誤差に応じた倍率誤差データを決
定し、前記倍率誤差データをメモリ内に記憶して
おくことにより、前記第1及び第2マークを前記
光電検出器で光電検出して前記第1及び第2物体
の相対的な位置関係を調整する際、前記倍率誤差
データを用いて前記倍率誤差分だけ補正された前
記ずれデータに応じて前記第1及び第2物体を相
対的に移動することを特徴とする位置合せ方法。[Scope of Claims] 1. A first mark formed on a first object and a second mark formed on a second object are photoelectrically detected through an objective lens by a photoelectric detector, and the photoelectric detector Calculate deviation data between the first and second marks based on an interval between a first mark signal corresponding to the first mark and a second mark signal corresponding to the second mark, and calculate the deviation data based on the deviation data. In the positioning method, the relative positional relationship between the first and second objects is adjusted by relatively moving the first and second objects using a moving stage according to the positioning method. A reference mark of known dimensions that is integrally provided with respect to the lens barrel of a projection lens disposed in is photoelectrically detected by the photoelectric detector through the objective lens, and the reference mark from the photoelectric detector is detected by the photoelectric detector. Determine magnification error data corresponding to the magnification error of the observation system including the objective lens using the measured dimension of the reference mark obtained from the reference mark signal corresponding to the reference mark and the actual dimension of the reference mark, and determine the magnification error data according to the magnification error of the observation system including the objective lens. By storing in the memory, when adjusting the relative positional relationship between the first and second objects by photoelectrically detecting the first and second marks with the photoelectric detector, the magnification error data is stored in the memory. An alignment method characterized in that the first and second objects are relatively moved in accordance with the displacement data corrected by the magnification error using . 2. A first mark formed on a first object and a second mark formed on a second object are photoelectrically detected by a photoelectric detector through an objective lens, and the first mark from the photoelectric detector is detected. The deviation data between the first and second marks is calculated based on the interval between the first mark signal corresponding to the second mark and the second mark signal corresponding to the second mark, and the deviation data between the first and second marks is calculated according to the deviation data. In the positioning method of adjusting the relative positional relationship between the first and second objects by relatively moving the second object using a moving stage, the dimensions formed on the reference plate on the stage are known. The reference mark is photoelectrically detected by the photoelectric detector through the objective lens, and the measured dimension of the reference mark and the actual value of the reference mark are determined from a reference mark signal corresponding to the reference mark from the photoelectric detector. By determining magnification error data according to the magnification error of the observation system including the objective lens using the dimensions and storing the magnification error data in a memory, the first and second marks are detected by the photoelectric detection. When adjusting the relative positional relationship between the first and second objects by photoelectric detection with a device, the first and second objects are adjusted according to the deviation data corrected by the magnification error using the magnification error data. An alignment method characterized by moving two objects relatively.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091740A JPS60236229A (en) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Alignment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091740A JPS60236229A (en) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Alignment method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236229A JPS60236229A (en) | 1985-11-25 |
| JPH0362013B2 true JPH0362013B2 (en) | 1991-09-24 |
Family
ID=14034914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091740A Granted JPS60236229A (en) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Alignment method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236229A (en) |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP59091740A patent/JPS60236229A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60236229A (en) | 1985-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |