JPH0362515A - 真空加熱処理装置 - Google Patents
真空加熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0362515A JPH0362515A JP1197748A JP19774889A JPH0362515A JP H0362515 A JPH0362515 A JP H0362515A JP 1197748 A JP1197748 A JP 1197748A JP 19774889 A JP19774889 A JP 19774889A JP H0362515 A JPH0362515 A JP H0362515A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- vacuum chamber
- heating
- chamber
- substrates
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、真空加熱処理装置に関し、特にＣｖＤ （Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖ ａｐｏｒ Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）装置等の真空反応装置における予備加熱室等に
好適に適用できる真空加熱処理装置に関するものである
。
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖ ａｐｏｒ Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）装置等の真空反応装置における予備加熱室等に
好適に適用できる真空加熱処理装置に関するものである
。
従来の技術
例えば、真空排気した反応室内に被処理物を加熱して保
持し、この反応室内に形成すべき薄膜の組成元素を含む
化合物ガスを供給することによって被処理物表面に薄膜
を形成するＣＶＤ装置においては、通常反応室内を真空
状態に保持したまま被処理物を搬入、搬出できるように
真空排気可能なロードロック室と呼ばれる予備室が設け
られ、反応室で処理中にこのロードロック室と外部との
間で被処理物の受は渡しを行った後真空状態にしておき
、反応室内での処理が終わると反応室と予備室との間で
被処理物の受は渡しを行って直ちに処理を再開できるよ
うに構成されている。更に、ロードロツタ室にも加熱手
段を配設して被処理物をロードロック室内において予備
加熱し、反応室内での加熱時間を少なくするようにした
ものも知られている。
持し、この反応室内に形成すべき薄膜の組成元素を含む
化合物ガスを供給することによって被処理物表面に薄膜
を形成するＣＶＤ装置においては、通常反応室内を真空
状態に保持したまま被処理物を搬入、搬出できるように
真空排気可能なロードロック室と呼ばれる予備室が設け
られ、反応室で処理中にこのロードロック室と外部との
間で被処理物の受は渡しを行った後真空状態にしておき
、反応室内での処理が終わると反応室と予備室との間で
被処理物の受は渡しを行って直ちに処理を再開できるよ
うに構成されている。更に、ロードロツタ室にも加熱手
段を配設して被処理物をロードロック室内において予備
加熱し、反応室内での加熱時間を少なくするようにした
ものも知られている。
このような加熱手段を備えたロードロック室の構成とし
ては、例えば第３図に示すように、被処理物としての基
板３０を載置する載置台３２を口−ドロック室３１内に
設置するとともにこの載置台３２にシーズヒータ３３を
内蔵させ、加熱された載置台３２にて基板３０を伝熱加
熱するようにしている。なお、第３図において、３４は
反応室３５．３６は反応室３４とロードロック室３１の
間及びロードロツタ室３１と外部との間に設けられたゲ
ート、３７は外部からロードロック室３１に基板３０を
挿入する移載手段であり、ロードロック室３１から反応
室３４に基板３０を移載する手段（図示せず）も設けら
れている。又、シーズヒータ３３の代わりに加熱ランプ
等の輻射加熱する加熱手段を用いたものもある。
ては、例えば第３図に示すように、被処理物としての基
板３０を載置する載置台３２を口−ドロック室３１内に
設置するとともにこの載置台３２にシーズヒータ３３を
内蔵させ、加熱された載置台３２にて基板３０を伝熱加
熱するようにしている。なお、第３図において、３４は
反応室３５．３６は反応室３４とロードロック室３１の
間及びロードロツタ室３１と外部との間に設けられたゲ
ート、３７は外部からロードロック室３１に基板３０を
挿入する移載手段であり、ロードロック室３１から反応
室３４に基板３０を移載する手段（図示せず）も設けら
れている。又、シーズヒータ３３の代わりに加熱ランプ
等の輻射加熱する加熱手段を用いたものもある。
一方、第４図に示すように、ロードロック室３１の真空
排気と大気圧復帰の回数を少なくするために、複数の基
板３０を載置したトレイ３８をロードロック室３１と外
部との間で搬入、搬出可能に構威し、ロードロツタ室３
１内に搬入された基板３０に対してその上方に配設した
加熱手段３９にて輻射加熱するようにしたものがある。
排気と大気圧復帰の回数を少なくするために、複数の基
板３０を載置したトレイ３８をロードロック室３１と外
部との間で搬入、搬出可能に構威し、ロードロツタ室３
１内に搬入された基板３０に対してその上方に配設した
加熱手段３９にて輻射加熱するようにしたものがある。
この輻射加熱手段としてはシーズヒータを内蔵したもの
や加熱ランプ等が用いられている。
や加熱ランプ等が用いられている。
発明が解決しようとする課題
ところが、第３図の構成では、ロードロック室３１に対
して一度に搬入、搬出される基板３０の数が少なく、そ
の度にロードロック室３１の真空排気と大気圧復帰を行
わなければならないために能率が悪いという問題がある
。また、ロードロツタ室３１に収容できる基板３０の枚
数を増加しようとすると、ｉ−ドロック室３１の面積が
大きくなり、大きなスペースが必要となり、かつ容積が
基板数に略比例的に増加して真空排気に多くの時間がか
かり、本質的な問題解消策にはなり得ないという問題が
ある。又、輻射加熱方式を採用すると、熱効率も悪いと
いう問題があった。
して一度に搬入、搬出される基板３０の数が少なく、そ
の度にロードロック室３１の真空排気と大気圧復帰を行
わなければならないために能率が悪いという問題がある
。また、ロードロツタ室３１に収容できる基板３０の枚
数を増加しようとすると、ｉ−ドロック室３１の面積が
大きくなり、大きなスペースが必要となり、かつ容積が
基板数に略比例的に増加して真空排気に多くの時間がか
かり、本質的な問題解消策にはなり得ないという問題が
ある。又、輻射加熱方式を採用すると、熱効率も悪いと
いう問題があった。
また、第４図の構成でも、ロードロツタ室３１の面積が
大きくなって同様の問題があり、また基板３０の移載手
段としてトレイ３８の搬送手段が必要となるが真空加熱
室に適用できる搬送手段は加熱時のトレイ３８の熱変形
を考慮に入れる必要からその構成が非常に複雑となり、
搬送の信頼性が低下するという問題があった。また輻射
方式の加熱手段を採用せざるを得ないので熱効率も悪い
という問題がある。
大きくなって同様の問題があり、また基板３０の移載手
段としてトレイ３８の搬送手段が必要となるが真空加熱
室に適用できる搬送手段は加熱時のトレイ３８の熱変形
を考慮に入れる必要からその構成が非常に複雑となり、
搬送の信頼性が低下するという問題があった。また輻射
方式の加熱手段を採用せざるを得ないので熱効率も悪い
という問題がある。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、被処理物の収容数を
設置スペース及び容積を著しく増加させることなく増や
すことができ、真空排気効率及び熱効率のよい真空加熱
処理装置を提供することを目的とする。
設置スペース及び容積を著しく増加させることなく増や
すことができ、真空排気効率及び熱効率のよい真空加熱
処理装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、所定の真空状態に
排気可能な真空室と、この真空室内に上下方向に互いに
間隔を設けて配設された複数段の加熱プレートと、これ
ら加熱プレートの昇降駆動手段とを備えたことを特徴と
する。
排気可能な真空室と、この真空室内に上下方向に互いに
間隔を設けて配設された複数段の加熱プレートと、これ
ら加熱プレートの昇降駆動手段とを備えたことを特徴と
する。
又、好ましくは各加熱プレートに加熱手段としてシーズ
ヒータを内蔵し、その外管に対して真空シール状態で接
続されるとともに真空室外に導出された導管と、導管内
に挿通されたヒータへの電力供給線とを備えている。
ヒータを内蔵し、その外管に対して真空シール状態で接
続されるとともに真空室外に導出された導管と、導管内
に挿通されたヒータへの電力供給線とを備えている。
作 用
本発明によると、真空室内に被処理物を載置する加熱プ
レートを上下方向に複数段配設しているので、被処理物
の収容数を増加できるとともに、設置スペースは増加せ
ず、真空室の容積の増加も少なくて済むため真空排気効
率が高く、かつこれら加熱プレートを昇降させるように
しているので、被処理物の移載手段も簡単な構成のもの
を適用でき、また被処理物を加熱プレートにて伝熱方式
で加熱するために加熱効率も良い。
レートを上下方向に複数段配設しているので、被処理物
の収容数を増加できるとともに、設置スペースは増加せ
ず、真空室の容積の増加も少なくて済むため真空排気効
率が高く、かつこれら加熱プレートを昇降させるように
しているので、被処理物の移載手段も簡単な構成のもの
を適用でき、また被処理物を加熱プレートにて伝熱方式
で加熱するために加熱効率も良い。
又、加熱手段としてのシーズヒータの外管を真空室外に
導出された導管に接続してこの導管を通して電力を供給
するようにしているので、真空室においてもシーズヒー
タ内は大気に連通されているため放電を生じず、シーズ
ヒータを加熱手段として用いることにより精度の良い加
熱制御が可能である。
導出された導管に接続してこの導管を通して電力を供給
するようにしているので、真空室においてもシーズヒー
タ内は大気に連通されているため放電を生じず、シーズ
ヒータを加熱手段として用いることにより精度の良い加
熱制御が可能である。
実施例
以下、本発明をＣＶＤ装置のロードロック室に適用した
一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明する。
一実施例を第１図及び第２図に基づいて説明する。
ｌは、反応室２に対して基板を搬入、搬出するためのロ
ードロック室としての真空室であり、外部との間で基［
３０を受は渡す開口と反応室との間で基板３０を受は渡
す開口がその両側壁に形成され、それぞれに真空状態を
保持できるように密閉可能なゲート３．４が設けられて
いる。この真空室１には、図示しない真空排気手段に接
続された排気口５、Ｈ！等の還元ガスを導入するガス導
入口６が設けられている。
ードロック室としての真空室であり、外部との間で基［
３０を受は渡す開口と反応室との間で基板３０を受は渡
す開口がその両側壁に形成され、それぞれに真空状態を
保持できるように密閉可能なゲート３．４が設けられて
いる。この真空室１には、図示しない真空排気手段に接
続された排気口５、Ｈ！等の還元ガスを導入するガス導
入口６が設けられている。
真空室１内には、複数の加熱プレート７ａ〜７ｄが上下
方向に互いに間隔を設けて配設されている。８は加熱プ
レー）７ａ〜７ｄを互いに連結保持する連結部材である
。最下段の加熱プレート７ａから下方にこれら加熱プレ
ー）７ａ〜７ｄを支持する支持軸９が垂下され、真空室
１の底面に形成された通孔１０を貫通し、下部可動板１
１に固着されている。この下部支持板１１は、モータ１
２にて回転駆動される送りねじ軸１３に螺合された昇降
体１４から戒る昇降駆動手段１５にて昇降駆動可能に構
成されている。下部可動板１１と真空室１の底壁の通孔
１０周縁部とはベローズ管１６にて接続され、真空室１
の真空状態が保持されている。
方向に互いに間隔を設けて配設されている。８は加熱プ
レー）７ａ〜７ｄを互いに連結保持する連結部材である
。最下段の加熱プレート７ａから下方にこれら加熱プレ
ー）７ａ〜７ｄを支持する支持軸９が垂下され、真空室
１の底面に形成された通孔１０を貫通し、下部可動板１
１に固着されている。この下部支持板１１は、モータ１
２にて回転駆動される送りねじ軸１３に螺合された昇降
体１４から戒る昇降駆動手段１５にて昇降駆動可能に構
成されている。下部可動板１１と真空室１の底壁の通孔
１０周縁部とはベローズ管１６にて接続され、真空室１
の真空状態が保持されている。
各加熱プレー）７ａ〜７ｄには、シーズヒータ１７が内
蔵されており、このシーズヒータ１７の接続端における
外管に、第２図に示すように、真空シール可能なコネク
タ１８を介して導管１９が接続されている。導管１９は
、真空室１の土壁に形成された通孔２０を貫通するよう
に上方に延出され、上部可動板２１に固着されるととも
にこれを貫通して外部の大気に開放されている。この導
管１９に挿通されたリード線２２が、シーズヒータ１７
の外管内の電熱線に接続されている。上部可動板２１と
真空室１の上壁の通孔２０の周縁部とはベローズ管２３
にて接続され、真空室１の真空状態が保持されている。
蔵されており、このシーズヒータ１７の接続端における
外管に、第２図に示すように、真空シール可能なコネク
タ１８を介して導管１９が接続されている。導管１９は
、真空室１の土壁に形成された通孔２０を貫通するよう
に上方に延出され、上部可動板２１に固着されるととも
にこれを貫通して外部の大気に開放されている。この導
管１９に挿通されたリード線２２が、シーズヒータ１７
の外管内の電熱線に接続されている。上部可動板２１と
真空室１の上壁の通孔２０の周縁部とはベローズ管２３
にて接続され、真空室１の真空状態が保持されている。
２４は、外部と真空室ｌとの間で基板３０を受は渡す移
載手段で、送りねし機構２５等にて往復移動可能なアー
ム２６にて構成されている。
載手段で、送りねし機構２５等にて往復移動可能なアー
ム２６にて構成されている。
次に、作用を説明する。
真空室ｌと外部の間で基板３０を受は渡しする際には、
ゲート４を閉じた状態で真空室１内を大気圧に戻してゲ
ート３を開き、昇降駆動手段１５にて各加熱プレー）７
ａ〜７ｄの高さ位置を調整して移載手段２４のアーム２
６の高さに位置合わせし、移載手段２４にて各加熱プレ
ー）？ａ〜７ｄとの間で基板３０の受は渡しを行う、こ
のように加熱プレー）？ａ〜７ｄが上下方向に複数段積
層して配設されているので、比較的小さい真空室ｌにて
多くの基板３０を収容することができる。
ゲート４を閉じた状態で真空室１内を大気圧に戻してゲ
ート３を開き、昇降駆動手段１５にて各加熱プレー）７
ａ〜７ｄの高さ位置を調整して移載手段２４のアーム２
６の高さに位置合わせし、移載手段２４にて各加熱プレ
ー）？ａ〜７ｄとの間で基板３０の受は渡しを行う、こ
のように加熱プレー）？ａ〜７ｄが上下方向に複数段積
層して配設されているので、比較的小さい真空室ｌにて
多くの基板３０を収容することができる。
また、加熱プレー）７ａ〜７ｄの高さ位置を移載手段２
４に合わせて位置調整するので、移載手段２４として構
成の簡単なものを用いることができる。
４に合わせて位置調整するので、移載手段２４として構
成の簡単なものを用いることができる。
加熱プレー）？ａ〜７ｄに対する基板３０の受は渡しが
終了すると、ゲート３を閉じ、ガス導入口６から還元ガ
スを導入するとともに、排気口５から排気することによ
って真空室１内を還元性雰囲気で所定の真空状態にする
。このとき、真空室１は基板３０の収容枚数に比してそ
の容積が太きくないため、比較的短時間で所定の真空状
態とすることができ、真空排気効率が高い。また、加熱
プレート７ａ〜７ｄのシーズヒータ１７にリード線２２
を通して通電し、各加熱プレー１−７ａ〜７ｄ上の基板
３０を予備加熱する。その際、基板３０を加熱プレー）
７ａ〜７ｄ上で伝熱方式で加熱するので効率良く加熱す
ることができる。また、シーズヒータ１７を用いて制御
性良く加熱できるとともに、シーズヒータ１７内が大気
に連通しているので、その電熱線と外管との間で放電を
生ずることもない。
終了すると、ゲート３を閉じ、ガス導入口６から還元ガ
スを導入するとともに、排気口５から排気することによ
って真空室１内を還元性雰囲気で所定の真空状態にする
。このとき、真空室１は基板３０の収容枚数に比してそ
の容積が太きくないため、比較的短時間で所定の真空状
態とすることができ、真空排気効率が高い。また、加熱
プレート７ａ〜７ｄのシーズヒータ１７にリード線２２
を通して通電し、各加熱プレー１−７ａ〜７ｄ上の基板
３０を予備加熱する。その際、基板３０を加熱プレー）
７ａ〜７ｄ上で伝熱方式で加熱するので効率良く加熱す
ることができる。また、シーズヒータ１７を用いて制御
性良く加熱できるとともに、シーズヒータ１７内が大気
に連通しているので、その電熱線と外管との間で放電を
生ずることもない。
その後、反応室２内での薄膜形成処理が終了すると、ゲ
ート４を開いて図示しない移載手段にて反応室２内の処
理済の基板３ｏを取り出すとともに加熱プレー）７ａ〜
７ｄ上の基板を反応室２内に挿入する。このとき、昇降
駆動手段１５にて対応する加熱プレー）７ａ〜７ｄを移
載手段に合わせて高さ位置を調整する。こうして、反応
室２と真空室１との間で基板３０の搬入、搬出が終了す
ると、ゲート４を閉じることによって反応室２内では直
ちに薄膜形成処理を再開することができる。また、以上
の動作を繰り返して真空室１内のすべての基板３０の処
理が終了すると、上記のように真空室１と外部との間で
一度に基板３０の受は渡しを行う。
ート４を開いて図示しない移載手段にて反応室２内の処
理済の基板３ｏを取り出すとともに加熱プレー）７ａ〜
７ｄ上の基板を反応室２内に挿入する。このとき、昇降
駆動手段１５にて対応する加熱プレー）７ａ〜７ｄを移
載手段に合わせて高さ位置を調整する。こうして、反応
室２と真空室１との間で基板３０の搬入、搬出が終了す
ると、ゲート４を閉じることによって反応室２内では直
ちに薄膜形成処理を再開することができる。また、以上
の動作を繰り返して真空室１内のすべての基板３０の処
理が終了すると、上記のように真空室１と外部との間で
一度に基板３０の受は渡しを行う。
発明の効果
本発明によれば、真空室内に被処理物を載置する加熱プ
レートを上下方向に複数段配設しているので、被処理物
の収容数を増加できるとともに、設置スペースは増加せ
ず、容積の増加も少なくて済むため真空排気効率が高く
、かつこれら加熱プレートを昇降させるようにしている
ので、被処理物の移載手段も簡単な構成のものを適用で
き、また被処理物を加熱プレートにて伝熱方式で加熱す
るために加熱効率も良い。
レートを上下方向に複数段配設しているので、被処理物
の収容数を増加できるとともに、設置スペースは増加せ
ず、容積の増加も少なくて済むため真空排気効率が高く
、かつこれら加熱プレートを昇降させるようにしている
ので、被処理物の移載手段も簡単な構成のものを適用で
き、また被処理物を加熱プレートにて伝熱方式で加熱す
るために加熱効率も良い。
又、シーズヒータの外管を真空室外に導出された導管に
接続してこの導管を通して電力を供給するようにしてい
るので、真空室においてもシーズヒータ内が大気に連通
されているため放電を生じず、シーズヒータを加熱手段
として用いることにより精度の良い加熱制御できる等、
大なる効果を発揮する。
接続してこの導管を通して電力を供給するようにしてい
るので、真空室においてもシーズヒータ内が大気に連通
されているため放電を生じず、シーズヒータを加熱手段
として用いることにより精度の良い加熱制御できる等、
大なる効果を発揮する。
第１図及び第２図は本発明をＣＶＤ装置のロードロック
室に適用した一実施例を示し、第１図は縦断面図、第２
図は要部の斜視図、第３図、第４図は従来例の概略構成
図である。 １・・・・・・真空室、７ａ〜７ｄ・・・・・・加熱プ
レート、１５・・・・・・昇降駆動手段、１７・・・・
・・シーズヒータ、１９・・・・・・導管、２２・・・
・・・リード線、２４・・・・・・移載手段。
室に適用した一実施例を示し、第１図は縦断面図、第２
図は要部の斜視図、第３図、第４図は従来例の概略構成
図である。 １・・・・・・真空室、７ａ〜７ｄ・・・・・・加熱プ
レート、１５・・・・・・昇降駆動手段、１７・・・・
・・シーズヒータ、１９・・・・・・導管、２２・・・
・・・リード線、２４・・・・・・移載手段。
Claims (2)
- （１）所定の真空状態に排気可能な真空室と、この真空
室内に上下方向に互いに間隔を設けて配設された複数段
の加熱プレートと、これら加熱プレートの昇降駆動手段
とを備えたことを特徴とする真空加熱処理装置。 - （２）各加熱プレートに内蔵されたシーズヒータの外管
に対して真空シール状態で接続されるとともに真空室外
に導出された導管と、導管内に挿通されたシーズヒータ
への電力供給線とを備えたことを特徴とする請求項１記
載の真空加熱処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197748A JPH0362515A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 真空加熱処理装置 |
| KR1019900011498A KR930010481B1 (ko) | 1989-07-28 | 1990-07-27 | 진공가열 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197748A JPH0362515A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 真空加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362515A true JPH0362515A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16379688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1197748A Pending JPH0362515A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 真空加熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362515A (ja) |
| KR (1) | KR930010481B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05206554A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ出力制御装置 |
| JP2004111386A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置、発光装置、および有機化合物を含む層の作製方法 |
| EP1452624A3 (en) * | 2002-10-24 | 2006-06-21 | Goodrich Corporation | Process and apparatus for batch and continuous densification by chemical vapor infiltration (CVI) |
| KR100572304B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 증착설비 |
| US7820231B2 (en) | 2002-08-01 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1197748A patent/JPH0362515A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-27 KR KR1019900011498A patent/KR930010481B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| JPH05206554A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ出力制御装置 |
| KR100572304B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-08-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치 제조용 증착설비 |
| US7820231B2 (en) | 2002-08-01 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
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| EP1452624A3 (en) * | 2002-10-24 | 2006-06-21 | Goodrich Corporation | Process and apparatus for batch and continuous densification by chemical vapor infiltration (CVI) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910003346A (ko) | 1991-02-27 |
| KR930010481B1 (ko) | 1993-10-25 |
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