JPH0362577A - 太陽電池装置の製造方法 - Google Patents
太陽電池装置の製造方法Info
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- JPH0362577A JPH0362577A JP2196585A JP19658590A JPH0362577A JP H0362577 A JPH0362577 A JP H0362577A JP 2196585 A JP2196585 A JP 2196585A JP 19658590 A JP19658590 A JP 19658590A JP H0362577 A JPH0362577 A JP H0362577A
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S20/00—Supporting structures for PV modules
- H02S20/20—Supporting structures directly fixed to an immovable object
- H02S20/22—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
- H02S20/23—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings specially adapted for roof structures
- H02S20/25—Roof tile elements
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、基板裏面に太陽電池を形成した太陽電池装置
の製造方法の改良に関するものである。
の製造方法の改良に関するものである。
(ロ)従来の技術
光エネルギを電気エネルギに変換して利用するための太
陽電池の開発が進められているが、この太陽電池によっ
て家庭用電力をまかなう場合、太陽電池を広い範囲にわ
たって設置する必要があり、この方法として、屋根瓦を
利用することが試みられる。即ち、屋根瓦本体として透
光性、絶縁性を備えた材料を用いて形成し、その裏面に
太陽電池を形成するが、この太陽電池の形成をレーザパ
ターニングによって行う場合、屋根瓦本体の裏面にレー
ザビームの焦点を合わせた状態で、このレーザビームを
移動させる必要がある。しかし、屋根瓦本体は、雨水へ
の対策上湾曲しており、しかも屋根瓦本体の加工精度が
比較的低いこともあって、レーザ発生装置の浅い焦点深
度内に納まらないために、焦点を加工位置に合わせてプ
ログラム制御する方式では加工不良を発生しやすい。
陽電池の開発が進められているが、この太陽電池によっ
て家庭用電力をまかなう場合、太陽電池を広い範囲にわ
たって設置する必要があり、この方法として、屋根瓦を
利用することが試みられる。即ち、屋根瓦本体として透
光性、絶縁性を備えた材料を用いて形成し、その裏面に
太陽電池を形成するが、この太陽電池の形成をレーザパ
ターニングによって行う場合、屋根瓦本体の裏面にレー
ザビームの焦点を合わせた状態で、このレーザビームを
移動させる必要がある。しかし、屋根瓦本体は、雨水へ
の対策上湾曲しており、しかも屋根瓦本体の加工精度が
比較的低いこともあって、レーザ発生装置の浅い焦点深
度内に納まらないために、焦点を加工位置に合わせてプ
ログラム制御する方式では加工不良を発生しやすい。
この対策として、レーザビーム発生器から屋根瓦本体の
面に光を投射し、この反射光を受光器で捉える変位測定
装置を用いて、発光器及び受光器と屋根瓦本体との上下
方向の距離の変化を受光器中のセンサにて水平方向の位
置として検出し、この距離が常時レーザ発生装置の焦点
距離に一致するように屋根瓦位置を調節する方式が有力
視されている。
面に光を投射し、この反射光を受光器で捉える変位測定
装置を用いて、発光器及び受光器と屋根瓦本体との上下
方向の距離の変化を受光器中のセンサにて水平方向の位
置として検出し、この距離が常時レーザ発生装置の焦点
距離に一致するように屋根瓦位置を調節する方式が有力
視されている。
ところが、このような方式を採る場合、従来の屋根瓦本
体は、反射損失を少なくすべく、その裏面が滑らかに形
成されているため、変位測定装置の発光器から屋根瓦本
体に投射した光が、湾曲部では受光器に捉えられない場
合が発生するという問題があった。
体は、反射損失を少なくすべく、その裏面が滑らかに形
成されているため、変位測定装置の発光器から屋根瓦本
体に投射した光が、湾曲部では受光器に捉えられない場
合が発生するという問題があった。
第7図(イ)、(ロ)及び(ハ)は屋根瓦本体裏面から
の反射光を捉えて、その変位を計測する変位測定部の光
学系を示す模式図であり、図中1は変位測定部を溝底す
る発光器、2は受光器、3は屋根瓦本体の裏面を示して
いる。いま発光器1から発せられた光は屋根瓦本体に入
射され、一部は透過するが、残部は反射され、第7図(
イ)に示す如く屋根瓦本体における入射点での鉛直線が
発光器1と受光器2との光軸の2等分線に一致する場合
には受光器2に捉えられるが、一致しない場合には第7
図(ロ)又は(ハ)に示す如く反射光が受光器2に達せ
ず、正確な距離調節ができず、また距離を誤認し、信頼
性にかけることがあった。
の反射光を捉えて、その変位を計測する変位測定部の光
学系を示す模式図であり、図中1は変位測定部を溝底す
る発光器、2は受光器、3は屋根瓦本体の裏面を示して
いる。いま発光器1から発せられた光は屋根瓦本体に入
射され、一部は透過するが、残部は反射され、第7図(
イ)に示す如く屋根瓦本体における入射点での鉛直線が
発光器1と受光器2との光軸の2等分線に一致する場合
には受光器2に捉えられるが、一致しない場合には第7
図(ロ)又は(ハ)に示す如く反射光が受光器2に達せ
ず、正確な距離調節ができず、また距離を誤認し、信頼
性にかけることがあった。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明は、斯る問題に鑑み威されたものであって、その
目的とするところは屋根瓦本体における太陽電池を形成
すべき面を光の乱反射面として形成し、屋根瓦本体から
の反射光を受光器が正確に捉えて、焦点を自動的に調節
でき、加工精度の向上を図り得るように屋根瓦の裏面上
に光の乱反射面を形成することである。
目的とするところは屋根瓦本体における太陽電池を形成
すべき面を光の乱反射面として形成し、屋根瓦本体から
の反射光を受光器が正確に捉えて、焦点を自動的に調節
でき、加工精度の向上を図り得るように屋根瓦の裏面上
に光の乱反射面を形成することである。
(ニ)課題を解決するための手段
透光性及び絶縁性を有する湾曲した基板の裏面側に、そ
の湾曲方向と直交する方向に対して平行に太陽電池素子
を複数個、分離配置形成するにあたり、照射光を前記基
板裏面に対して照射させて前記基板裏面の変位を測定し
ながら、その測定値に基づいてエネルギビームを前記太
FJ%電池素子に照射させて、前記素子を分離させる太
陽電池装置の製造方法において、前記照射光が乱反射す
る乱反射面を前記基板の裏面上に形成することを特徴と
する。
の湾曲方向と直交する方向に対して平行に太陽電池素子
を複数個、分離配置形成するにあたり、照射光を前記基
板裏面に対して照射させて前記基板裏面の変位を測定し
ながら、その測定値に基づいてエネルギビームを前記太
FJ%電池素子に照射させて、前記素子を分離させる太
陽電池装置の製造方法において、前記照射光が乱反射す
る乱反射面を前記基板の裏面上に形成することを特徴と
する。
(ホ)作 用
太陽電池装置のレーザパターニング時、その太陽電池装
置の基板裏面上に光が入射されたとき、その裏面に形成
されている凹凸面によって乱反射される結果、変位測定
装置の発光器から光が入射されたとき、その光の一部は
乱反射され、常に受光器に正確に捉えられる。
置の基板裏面上に光が入射されたとき、その裏面に形成
されている凹凸面によって乱反射される結果、変位測定
装置の発光器から光が入射されたとき、その光の一部は
乱反射され、常に受光器に正確に捉えられる。
(へ)実施例
第1図は本発明に係わる太陽電池装置の裏面の模式図で
あり、図中10はガラス等の透光性、絶縁性材料にて形
成された屋根瓦本体、11は屋根瓦本体10を基板とし
て、その裏面に形成された太陽電池を示している。各太
陽電池11は具体的には示していないが、透明電極、ア
モルファスシリコン層、裏面電極をこの順序で積層形成
して溝底されており、屋根瓦本体10を透過した光が太
陽電池11のアモルファスシリコン層に入射することに
より発生した電子、正孔が各透明電極、裏面電極、更に
は隣接する他の太陽電池11における透明電極、裏面電
極同士で集電され、重畳されて電気的に相加された電力
が取り出されるようになっている。
あり、図中10はガラス等の透光性、絶縁性材料にて形
成された屋根瓦本体、11は屋根瓦本体10を基板とし
て、その裏面に形成された太陽電池を示している。各太
陽電池11は具体的には示していないが、透明電極、ア
モルファスシリコン層、裏面電極をこの順序で積層形成
して溝底されており、屋根瓦本体10を透過した光が太
陽電池11のアモルファスシリコン層に入射することに
より発生した電子、正孔が各透明電極、裏面電極、更に
は隣接する他の太陽電池11における透明電極、裏面電
極同士で集電され、重畳されて電気的に相加された電力
が取り出されるようになっている。
ところで、上記の如き太陽電池11をレーザパターニン
グによって形成する場合、屋根瓦本体10には第2図に
示すように、その裏面全面(又は−部)に細かい凹状、
凸状が屋根瓦本体10の湾曲方向と直交する方向に多数
、平行に形成され、太陽電池11を形成すべき屋根瓦本
体10の裏面を滑らかな凹凸曲面からなる光の乱反射面
10aに形成しである。
グによって形成する場合、屋根瓦本体10には第2図に
示すように、その裏面全面(又は−部)に細かい凹状、
凸状が屋根瓦本体10の湾曲方向と直交する方向に多数
、平行に形成され、太陽電池11を形成すべき屋根瓦本
体10の裏面を滑らかな凹凸曲面からなる光の乱反射面
10aに形成しである。
上記凹状、凸状・の形成ピッチは、数10〜100μm
程度であり、またその形状はサインカーブ、その他円弧
を組み合わせたものであって、変位測定装置における発
光器1からの光が第3図に示す如く屋根瓦本体10の裏
面で乱反射し、この反射光の少なくとも一部が受光器2
に確実に捉えられるようになっている。例えば、変位測
定装置の発光器1、受光器2が屋根瓦本体IO面への垂
直線に対し対称な角度で配置されている場合には、凹状
、凸状が少なくともその一部において水平面10cを有
するように設定すればよい。勿論、この凹状、凸状の形
成ピッチ、形状については特に上記のものに限定するも
のではなく、屋根瓦本体10の発光器1から投射した光
が、屋根瓦本体10で反射してその少なくとも一部が常
に受光器2に捉えられる態様であればどのようなもので
もあってもよい。ただ、屋根瓦本体10に入射した太陽
光が可及的に低反射率で太陽電池11に入射するよう、
凹状、凸状の裏面は可及的に滑らかとするのが望ましい
。
程度であり、またその形状はサインカーブ、その他円弧
を組み合わせたものであって、変位測定装置における発
光器1からの光が第3図に示す如く屋根瓦本体10の裏
面で乱反射し、この反射光の少なくとも一部が受光器2
に確実に捉えられるようになっている。例えば、変位測
定装置の発光器1、受光器2が屋根瓦本体IO面への垂
直線に対し対称な角度で配置されている場合には、凹状
、凸状が少なくともその一部において水平面10cを有
するように設定すればよい。勿論、この凹状、凸状の形
成ピッチ、形状については特に上記のものに限定するも
のではなく、屋根瓦本体10の発光器1から投射した光
が、屋根瓦本体10で反射してその少なくとも一部が常
に受光器2に捉えられる態様であればどのようなもので
もあってもよい。ただ、屋根瓦本体10に入射した太陽
光が可及的に低反射率で太陽電池11に入射するよう、
凹状、凸状の裏面は可及的に滑らかとするのが望ましい
。
而してこのように槽底された屋根瓦本体10の裏面は第
4図に示す如く光が入射されたとき、その裏面に形成さ
れている凹凸面によって乱反射される結果、第5図に示
す如く変位測定装置の発光器1から光が入射されたとき
、その光の一部は乱反射され、受光器2に常に正確に捉
えられることになる。
4図に示す如く光が入射されたとき、その裏面に形成さ
れている凹凸面によって乱反射される結果、第5図に示
す如く変位測定装置の発光器1から光が入射されたとき
、その光の一部は乱反射され、受光器2に常に正確に捉
えられることになる。
第6図は本発明に係わる屋根瓦本体10の裏面に形成す
る太陽電池形成過程においてレーザパターニング加工を
施している態様を示す模式図であり、21はX軸方向、
即ち上下方向への移動テーブル、22はX軸方向、即ち
左、右方向への移動テーブル、23はY軸方向、即ち前
後方向への移動テーブル、24はレーザ発生装置、25
は変位測定装置を示している。
る太陽電池形成過程においてレーザパターニング加工を
施している態様を示す模式図であり、21はX軸方向、
即ち上下方向への移動テーブル、22はX軸方向、即ち
左、右方向への移動テーブル、23はY軸方向、即ち前
後方向への移動テーブル、24はレーザ発生装置、25
は変位測定装置を示している。
屋根瓦本体10は、例えばその裏面の透明電極上に形成
されたアモルファスシリコン層を各単位太FJ%電池を
構成する部分毎に分割形成すべく、移動テーブル21上
に裏面を上方に向けて載置されている。この移動テーブ
ル21には変位測定装置25が屋根瓦本体10上に対向
して、又レーザ発生装置24は前記変位測定装置25の
発光器1、受光器2間の中央上方に垂直下向きにし、且
つ焦点を屋根瓦本体10上のアモルファスシリコン層の
面に一致せしめた状態で配設されている。26は、X軸
方向駆動制御部、27は、X、Y軸方向駆動制御部であ
り、アモルファスシリコン層に対し、パターニングを施
すためのレーザビームの屋根瓦本体10の裏面における
軌跡は予め設定されており、レーザパタニング開始信号
に基づき、テーブル22.23を移動し、レーザビーム
を屋根瓦本体10のアモルファスシリコン層上を移動せ
しめて、基板の裏面側に、その湾曲方向と直交する方向
と平行にアモルファスシリコン層を分割形成する。
されたアモルファスシリコン層を各単位太FJ%電池を
構成する部分毎に分割形成すべく、移動テーブル21上
に裏面を上方に向けて載置されている。この移動テーブ
ル21には変位測定装置25が屋根瓦本体10上に対向
して、又レーザ発生装置24は前記変位測定装置25の
発光器1、受光器2間の中央上方に垂直下向きにし、且
つ焦点を屋根瓦本体10上のアモルファスシリコン層の
面に一致せしめた状態で配設されている。26は、X軸
方向駆動制御部、27は、X、Y軸方向駆動制御部であ
り、アモルファスシリコン層に対し、パターニングを施
すためのレーザビームの屋根瓦本体10の裏面における
軌跡は予め設定されており、レーザパタニング開始信号
に基づき、テーブル22.23を移動し、レーザビーム
を屋根瓦本体10のアモルファスシリコン層上を移動せ
しめて、基板の裏面側に、その湾曲方向と直交する方向
と平行にアモルファスシリコン層を分割形成する。
一方、変位測定装@25の発光器1からは屋根瓦本体1
0の裏面のアモルファスシリコン層面に光が投射され、
その裏面がら乱反射光を受光器2にて捉え、受光器2の
一次元センサへの受光位置の変化に対応する信号が出力
され、増幅器28にて増幅され、屋根瓦本体10の変化
量としてX軸方向駆動制御部26へ入力される。
0の裏面のアモルファスシリコン層面に光が投射され、
その裏面がら乱反射光を受光器2にて捉え、受光器2の
一次元センサへの受光位置の変化に対応する信号が出力
され、増幅器28にて増幅され、屋根瓦本体10の変化
量としてX軸方向駆動制御部26へ入力される。
X軸方向駆動制御部26は、屋根瓦本体1oの上、下方
向変化量を解決すべく、移動テーブル21へ制御信号を
出力し、移動テーブル21を上下方向に移動して屋根瓦
本体10へのレーザビーム入射点を常時レーザ発生装置
24のレンズ焦点位置に一致せしめる。
向変化量を解決すべく、移動テーブル21へ制御信号を
出力し、移動テーブル21を上下方向に移動して屋根瓦
本体10へのレーザビーム入射点を常時レーザ発生装置
24のレンズ焦点位置に一致せしめる。
なお上記の実施例は、レーザパタニングを行う構成につ
き説明したが、例えば他に電子ビーム、イオンビーム等
の高エネルギビームをレーザ代わりに用いる場合も適用
し得ることは勿論である。
き説明したが、例えば他に電子ビーム、イオンビーム等
の高エネルギビームをレーザ代わりに用いる場合も適用
し得ることは勿論である。
また、本体の表面寸法、性状測定にも適用することも可
能である。
能である。
第8図は本発明の他の実施例を示す模式的断面図であり
、この屋根瓦本体10’にあっては、その湾曲部分にお
ける接線が水平となる部分、即ち湾曲部分の山頂部10
d′及び谷底部10e゛を除く部分を乱反射面10a’
に形成しである。これは凹凸面を形成するまでもなく、
この部分での反射光は変位測定装置25の対物レンズの
視野内に捉え得るがらであり、これによって屋根瓦本体
10’の透過率も向上し、光の反射損失を低減できる効
果がある。
、この屋根瓦本体10’にあっては、その湾曲部分にお
ける接線が水平となる部分、即ち湾曲部分の山頂部10
d′及び谷底部10e゛を除く部分を乱反射面10a’
に形成しである。これは凹凸面を形成するまでもなく、
この部分での反射光は変位測定装置25の対物レンズの
視野内に捉え得るがらであり、これによって屋根瓦本体
10’の透過率も向上し、光の反射損失を低減できる効
果がある。
なお、上記の実施例では屋根瓦本体10’の山頂部、谷
底部に乱反射面を形成しない槽底を説明したが、この乱
反射面を形成しない領域は何等上記の部分に限るもので
はなく、変位測定装置25の発光器1と受光器2との相
対位置に応じて発光rjr1からの光が確実に受光器2
に捉え得る部分では凹凸を小さく、または形成しないl
!!戊として良いことは勿論ある。
底部に乱反射面を形成しない槽底を説明したが、この乱
反射面を形成しない領域は何等上記の部分に限るもので
はなく、変位測定装置25の発光器1と受光器2との相
対位置に応じて発光rjr1からの光が確実に受光器2
に捉え得る部分では凹凸を小さく、または形成しないl
!!戊として良いことは勿論ある。
(ト)発明の効果
本発明によれば、透光性及び絶縁性を有する湾曲した基
板の裏面側に、その湾曲方向と直交する方向と平行に太
陽電池が複数個、分離配置形成するにあたり、その基板
の裏面上に光の乱反射面を形成する。そうすることによ
って、発光器からの入射した光の反射光を受光器が確実
に捉えて、屋根瓦本体の表面位置の変位を認識でき、加
工ビーム焦点を屋根瓦本体表面に正確に位置せしめ得る
ことが可能となり、屋根瓦本体の曲面、成形公差が大き
くても加工を容易に行い得、屋根瓦本体の製作も容易と
なって製品のコストダウンを図れるなど、本発明は優れ
た効果を奏するものである。
板の裏面側に、その湾曲方向と直交する方向と平行に太
陽電池が複数個、分離配置形成するにあたり、その基板
の裏面上に光の乱反射面を形成する。そうすることによ
って、発光器からの入射した光の反射光を受光器が確実
に捉えて、屋根瓦本体の表面位置の変位を認識でき、加
工ビーム焦点を屋根瓦本体表面に正確に位置せしめ得る
ことが可能となり、屋根瓦本体の曲面、成形公差が大き
くても加工を容易に行い得、屋根瓦本体の製作も容易と
なって製品のコストダウンを図れるなど、本発明は優れ
た効果を奏するものである。
第1図は本発明において使用する太陽電池の模式図、第
2図は本発明において使用する屋根瓦本体の模式的断面
図、第3図は第2図の屋根瓦本体の部分拡大図、第4図
は更に拡大した部分拡大図、第5図は本発明における屋
根瓦本体と変位測定装置との関係図、第6図はレーザパ
タニングの態様を示す模式図、第7図(イ)、(ロ)及
び(ハ)は従来における屋根瓦本体と、その裏面変位検
出量との関係図、第8図は本発明の他の実施例を示す模
式的断面図である。 1・・・発光器、2・・・受光器、10.10゛ ・・
・屋根瓦本体、11・・・太陽電池、21.22.23
・・・移動テーブル、24・・・レーザ発生装置、25
・・・変位測定装置。
2図は本発明において使用する屋根瓦本体の模式的断面
図、第3図は第2図の屋根瓦本体の部分拡大図、第4図
は更に拡大した部分拡大図、第5図は本発明における屋
根瓦本体と変位測定装置との関係図、第6図はレーザパ
タニングの態様を示す模式図、第7図(イ)、(ロ)及
び(ハ)は従来における屋根瓦本体と、その裏面変位検
出量との関係図、第8図は本発明の他の実施例を示す模
式的断面図である。 1・・・発光器、2・・・受光器、10.10゛ ・・
・屋根瓦本体、11・・・太陽電池、21.22.23
・・・移動テーブル、24・・・レーザ発生装置、25
・・・変位測定装置。
Claims (1)
- (1)透光性及び絶縁性を有する湾曲した基板の裏面側
に、その湾曲方向と直交する方向に対して平行に太陽電
池素子を複数個、分離配置形成するにあたり、照射光を
前記基板裏面に対して照射させて前記基板裏面の変位を
測定しながら、その測定値に基づいてエネルギビームを
前記太陽電池素子に照射させて、前記素子を分離させる
太陽電池装置の製造方法において、前記照射光が乱反射
する乱反射面を前記基板の裏面上に形成することを特徴
とする太陽電池装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2196585A JP2675428B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 太陽電池装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2196585A JP2675428B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 太陽電池装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362577A true JPH0362577A (ja) | 1991-03-18 |
| JP2675428B2 JP2675428B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=16360188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2196585A Expired - Lifetime JP2675428B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 太陽電池装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675428B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115376A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and manufacturing thereof |
| JPS569764U (ja) * | 1979-07-04 | 1981-01-27 | ||
| JPS5749278A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous silicone solar cell |
| JPS5861678A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
| JPS5916786U (ja) * | 1982-07-20 | 1984-02-01 | 三洋電機株式会社 | 自動焦点レ−ザ加工機 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2196585A patent/JP2675428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115376A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and manufacturing thereof |
| JPS569764U (ja) * | 1979-07-04 | 1981-01-27 | ||
| JPS5749278A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous silicone solar cell |
| JPS5861678A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
| JPS5916786U (ja) * | 1982-07-20 | 1984-02-01 | 三洋電機株式会社 | 自動焦点レ−ザ加工機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2675428B2 (ja) | 1997-11-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |