JPH0362582A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0362582A JPH0362582A JP19541789A JP19541789A JPH0362582A JP H0362582 A JPH0362582 A JP H0362582A JP 19541789 A JP19541789 A JP 19541789A JP 19541789 A JP19541789 A JP 19541789A JP H0362582 A JPH0362582 A JP H0362582A
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- Japan
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- mask
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法に係り、特にエツチングした半導
体をＭＯＶＰＥ （有機金属気相成長法〉を用いて他の
半導体で埋め込む工程を有する光半導体装置の製造方法
に関し、 ＲＩＢＢ法でエツチングした半導体上に誘電体膜（マス
ク）の「ひさし」を形成してＭＯＶＰＥ法で埋め込み成
長を可能にすることを目的とし、半導体基板上に形成し
た半導体層上にストライブ状誘電体膜を形成し、該誘電
体膜をマスクにして反応性イオンビーム（ＲＩＢＢ）法
により前記半導体層をメサエッチングし、その後ケミカ
ルウェットエツチング法により該誘電体膜をマスクとし
て該マスク下の半導体層をエツチングし、有機金属気相
成長法により前記半導体基板及び半導体層上に他の半導
体層を形成する工程を含むことを構成とする。
体をＭＯＶＰＥ （有機金属気相成長法〉を用いて他の
半導体で埋め込む工程を有する光半導体装置の製造方法
に関し、 ＲＩＢＢ法でエツチングした半導体上に誘電体膜（マス
ク）の「ひさし」を形成してＭＯＶＰＥ法で埋め込み成
長を可能にすることを目的とし、半導体基板上に形成し
た半導体層上にストライブ状誘電体膜を形成し、該誘電
体膜をマスクにして反応性イオンビーム（ＲＩＢＢ）法
により前記半導体層をメサエッチングし、その後ケミカ
ルウェットエツチング法により該誘電体膜をマスクとし
て該マスク下の半導体層をエツチングし、有機金属気相
成長法により前記半導体基板及び半導体層上に他の半導
体層を形成する工程を含むことを構成とする。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にエツチング
した半導体をＭＯＶＰＥ （有機金属気相成長法）を用
いて他の半導体で埋め込む工程を有する光半導体装置の
製造方法に関する。
した半導体をＭＯＶＰＥ （有機金属気相成長法）を用
いて他の半導体で埋め込む工程を有する光半導体装置の
製造方法に関する。
従来、例えば、レーザー等の光半導体装置の製造におけ
る半導体の埋め込み工程は基板上に形成された半導体積
層をＳｉｎ、等の誘電体膜をマスクにしてメサ形にウェ
ットエツチングし、その後上記誘電体膜を再びマスクと
してＭＯＶＰＥ法により半導体を選択成長させていた。
る半導体の埋め込み工程は基板上に形成された半導体積
層をＳｉｎ、等の誘電体膜をマスクにしてメサ形にウェ
ットエツチングし、その後上記誘電体膜を再びマスクと
してＭＯＶＰＥ法により半導体を選択成長させていた。
しかしながらこのメサ状のウェットエツチング工程にお
いて半導体の材料や組成によりマスク５下の最上の半導
体層：コンタクト層４が第２図に示すような安定したひ
さし形状にならなかった。
いて半導体の材料や組成によりマスク５下の最上の半導
体層：コンタクト層４が第２図に示すような安定したひ
さし形状にならなかった。
図中１は基板、２は活性層、３はコンタクト層である。
ひさしが形成されないと、ＭＯＶＰＥ法により半導体層
を選択成長させた場合、第３図に示す様にマスクの側部
に異常成長による突起１０が形成されてしまい、安定し
た形状の埋込みが出来なかった。
を選択成長させた場合、第３図に示す様にマスクの側部
に異常成長による突起１０が形成されてしまい、安定し
た形状の埋込みが出来なかった。
また近年新しいエツチング方法として半導体の材料や組
成に関わらず再現性良くエツチングできるＲＩＢＢ （
反応性イオンビームエツチング）法が実用化された。
成に関わらず再現性良くエツチングできるＲＩＢＢ （
反応性イオンビームエツチング）法が実用化された。
第４図にＲＩＢＢ法でメサエッチングした半導体の断面
模式図を示す。
模式図を示す。
本工程の半導体のエツチングに応用して歩留りを向上さ
せることが要求されるがＲＩＢＢ法では第３図に示すよ
うにマスクである誘電体膜５も同時にエツチングされて
しまいＭＯＶＰＢ選択成長に必要な誘電体膜の「ひさし
」が得られない。
せることが要求されるがＲＩＢＢ法では第３図に示すよ
うにマスクである誘電体膜５も同時にエツチングされて
しまいＭＯＶＰＢ選択成長に必要な誘電体膜の「ひさし
」が得られない。
本発明はＲＩＢＢ法でエツチングした半導体上に誘電体
膜〈マスク）の「ひさし」を形成してＭＯＶＰＥ法で埋
め込み成長を可能にすることを目的とする。
膜〈マスク）の「ひさし」を形成してＭＯＶＰＥ法で埋
め込み成長を可能にすることを目的とする。
上記課題は本発明によれば半導体基板上に形成した半導
体層上にストライプ状誘電体膜を形成し、該誘電体膜を
マスクにして反応性イオンビーム（ＲＩＳＢ）法により
前記半導体層をメサエッチングし、その後ケミカルウェ
ットエツチング法により該誘電体膜をマスクとして該マ
スク下の半導体層をエツチングし、有機金属気相成長法
により前記半導体基板及び半導体層上に他の半導体層を
形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法によって解決される。
体層上にストライプ状誘電体膜を形成し、該誘電体膜を
マスクにして反応性イオンビーム（ＲＩＳＢ）法により
前記半導体層をメサエッチングし、その後ケミカルウェ
ットエツチング法により該誘電体膜をマスクとして該マ
スク下の半導体層をエツチングし、有機金属気相成長法
により前記半導体基板及び半導体層上に他の半導体層を
形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法によって解決される。
本発明によればＲＩＢＢ法により半導体層をメサエッチ
ングした後、更に、ウェットエツチングにより誘電体膜
マスク直下の該半導体層を選択的にエツチングすること
により誘電体膜の「ひさし」の効果ＲＩＥ、イオンミリ
ングが得られるのでＭＯＶＰＢ法により他事導体層を基
板上に埋め込むことが可能となる。
ングした後、更に、ウェットエツチングにより誘電体膜
マスク直下の該半導体層を選択的にエツチングすること
により誘電体膜の「ひさし」の効果ＲＩＥ、イオンミリ
ングが得られるのでＭＯＶＰＢ法により他事導体層を基
板上に埋め込むことが可能となる。
本発明では初めエツチングはＲＩＢＢ法により行なって
いるが他のドライエツチング等でも可能である。また本
発明に用いる半導体基板としてＩｎＰ。
いるが他のドライエツチング等でも可能である。また本
発明に用いる半導体基板としてＩｎＰ。
ＧａＡｓ等が用いられ、また誘電体膜としては、ＳｌＯ
□。
□。
ＳｉＮ等が用いられる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１八図ないし第１Ｄ図は本発明の一実施例を説明する
ための工程断面図である。
ための工程断面図である。
第１Ａ図においてｎ−１ｎｐ基板１上に、厚さ０．２−
１λ＝１．３ｐＭのＩｎＧａＡｓＰ活性層２、厚さ１．
５□□□のｐ−ＩｎＰクラッド層３、厚さ０．５−のλ
＝１．：３−のｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層４を液
相エピタキシャル法で順次成長させる。コンタクト層が
薄いと、実質的にひさしが形成されていないものと同等
になってしまう。従って、ひさしの形状を確立するため
、コンタクト層の厚みは、０．４μ以上、好ましくは、
０．５以上であることが必要である。その上に厚さ０．
２７−の５ｉ０２層をＣＶＤ法により成長した後約３−
の幅にパターニングし５ｉ０２マスク５を形成する。
１λ＝１．３ｐＭのＩｎＧａＡｓＰ活性層２、厚さ１．
５□□□のｐ−ＩｎＰクラッド層３、厚さ０．５−のλ
＝１．：３−のｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層４を液
相エピタキシャル法で順次成長させる。コンタクト層が
薄いと、実質的にひさしが形成されていないものと同等
になってしまう。従って、ひさしの形状を確立するため
、コンタクト層の厚みは、０．４μ以上、好ましくは、
０．５以上であることが必要である。その上に厚さ０．
２７−の５ｉ０２層をＣＶＤ法により成長した後約３−
の幅にパターニングし５ｉ０２マスク５を形成する。
次に第１Ｂ図に示すようにＳｉＯ□マスク５をマスクと
してＲＩＢＢ （反応性イオンビームエツチング〉法を
用いて塩素ガスでｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４、
ｐ−ＩｎＰクラッド層３、そしてＩｎＧａＡｓＰ活性層
２を順次エツチングする。
してＲＩＢＢ （反応性イオンビームエツチング〉法を
用いて塩素ガスでｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４、
ｐ−ＩｎＰクラッド層３、そしてＩｎＧａＡｓＰ活性層
２を順次エツチングする。
次に硫酸系のエツチング液を用いたウエットエッチング
により選択的にＩｎＧａＡｓＰのみの側壁を除去し片側
で約０．５角突出した５ｌＯ３誘電体膜の「ひさし」を
形成する（第１Ｃ図）。
により選択的にＩｎＧａＡｓＰのみの側壁を除去し片側
で約０．５角突出した５ｌＯ３誘電体膜の「ひさし」を
形成する（第１Ｃ図）。
次にＭＯＶＰＥ法を用いてＦｅをドープした半絶縁性１
ｎＰを埋め込み成長させ電極を形成して長波長レーザ埋
め込み層を得たＣ名／Ｉ）Ｉ！ｌ）。
ｎＰを埋め込み成長させ電極を形成して長波長レーザ埋
め込み層を得たＣ名／Ｉ）Ｉ！ｌ）。
基板材料としてはＩｎＰ系以外ＧａＡｓ、Ｓｉ等を用い
ることができ、またｐ型基板をも用いることができる。
ることができ、またｐ型基板をも用いることができる。
以上説明した様に本発明によればＲＩＢＢ法及びウェッ
トエツチングによるエツチングとＭＯＶＰＩＥ法による
基板上の埋め込み成長を併用することにより良好な「ひ
さし」状の誘電体を再現性よく形成した性能の良い半導
体装置を歩留りよく又再現性よく製造することができる
。
トエツチングによるエツチングとＭＯＶＰＩＥ法による
基板上の埋め込み成長を併用することにより良好な「ひ
さし」状の誘電体を再現性よく形成した性能の良い半導
体装置を歩留りよく又再現性よく製造することができる
。
第１八図ないし第１Ｄ図は本発明の一実施例を説明する
ための工程断面図及び斜視図（第１Ｄ図）であり、 第２図要〜第中図は従来の技術を説明するための断面図
である。 １・・・基板（ｎ−ＩｎＰ）、 ２・・・活性層（Ｉ
ｎＧａＡｓＰ）、３・・・クラッド層（ｐ−ＩｎＰ）、 ４ ・：］ンタクト層（ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ）、５・・
・マスク（Ｓ１０２）、 ６・・・埋め込み層。
ための工程断面図及び斜視図（第１Ｄ図）であり、 第２図要〜第中図は従来の技術を説明するための断面図
である。 １・・・基板（ｎ−ＩｎＰ）、 ２・・・活性層（Ｉ
ｎＧａＡｓＰ）、３・・・クラッド層（ｐ−ＩｎＰ）、 ４ ・：］ンタクト層（ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ）、５・・
・マスク（Ｓ１０２）、 ６・・・埋め込み層。
Claims (1)
- １、半導体基板上に形成した半導体層上にストライプ状
誘電体膜を形成し、該誘電体膜をマスクにして前記半導
体層を異方性エッチングし、その後等方性エッチングに
より該誘電体膜をマスクとして該マスク下の半導体層を
サイドエッチングしてひさしを形成し、次いで有機金属
気相成長法により前記半導体基板及び半導体層上に他の
半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19541789A JPH0362582A (ja) | 1989-07-29 | 1989-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19541789A JPH0362582A (ja) | 1989-07-29 | 1989-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0362582A true JPH0362582A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16340741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19541789A Pending JPH0362582A (ja) | 1989-07-29 | 1989-07-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0362582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393661A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | 安全索道株式会社 | 索道方法 |
| JP2004111918A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-04-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光素子実装体とそれを用いた光モジュール |
-
1989
- 1989-07-29 JP JP19541789A patent/JPH0362582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393661A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | 安全索道株式会社 | 索道方法 |
| JP2004111918A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-04-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光素子実装体とそれを用いた光モジュール |
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