JPH03626B2 - - Google Patents
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- JPH03626B2 JPH03626B2 JP57015877A JP1587782A JPH03626B2 JP H03626 B2 JPH03626 B2 JP H03626B2 JP 57015877 A JP57015877 A JP 57015877A JP 1587782 A JP1587782 A JP 1587782A JP H03626 B2 JPH03626 B2 JP H03626B2
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- film forming
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Light Receiving Elements (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、基体の表面にアモルフアス・シリ
コンからなる感光層を形成するためのアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置に
関する。
コンからなる感光層を形成するためのアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置に
関する。
近年、電子複写機の技術領域において、アモル
フアス・シリコン光導電体を感光層として使用す
ることが提案されている。このアモルフアス・シ
リコン光導電体を感光層として備える感光体（以
下、単にα―Si感光体と呼ぶ）は、耐熱性、硬
さ、長寿命、並びに無公害性の諸点で、現在、電
子複写機の感光層として用いられているα―Se，
CdS，ZnO，O.P.C等に比べて、勝つている。
フアス・シリコン光導電体を感光層として使用す
ることが提案されている。このアモルフアス・シ
リコン光導電体を感光層として備える感光体（以
下、単にα―Si感光体と呼ぶ）は、耐熱性、硬
さ、長寿命、並びに無公害性の諸点で、現在、電
子複写機の感光層として用いられているα―Se，
CdS，ZnO，O.P.C等に比べて、勝つている。
このようなα―Si感光体は、例えばグロー放電
法を用いることにより、以下のように製造され
る。第１図及び第２図に示すように、ケーシング
１０内には、ドラム状の基体１２が回転可能に収
納されている。このケーシング１０の内部空間
は、拡散ポンプ１４及びロータリーポンプ１６に
よつて、予め真空状態に設定されている。尚、こ
の基体１２は接地されていると共に、図示しない
駆動機構を介して中心軸回りに回転されている。
次いで、バルブ１８を開放することにより、
SiH4ガスもしくは必要に応じてSiH4と、B2H6，
Ph3との混合ガスがケーシング１０内に導入され
る。この導入されたガスは、ガス導入管２０の多
数の吹出口２２を介して、基体１２表面上に吹き
付けられる。また、基体１２はヒータ２４によつ
て加熱されている。ここで、ガス導入管２０は、
ラジオ・フレクエンシ電源２６のカソード電極と
兼用させられている。次いで、この電源２６を介
して、カソード電極２０と基体１２との間に、
R.F.パワーがかけられる。ここで、基体１２は接
地されているため、この基体１２はカソード電極
２０に対してアノード電極として作用することに
なる。このためカソード電極としてのガス導入管
２０とアノード電極としての基体１２との間に、
グロー放電が発生し、SiH4ガスはラジカル化さ
れる。このようにして、基体１２表面上に、所定
時間の経過と共に、α―Siが成長する。そして、
α―Siによる感光層が基体１２表面上に所定の厚
さに均一に形成されて、α―Siの成膜が終了す
る。このようなα―Siの成膜が終了すると、成膜
に関与しなかつたSiH4ガスのラジカルは、拡散
ポンプ１４及びロータリーポンプ１６によつて、
ケーシング１０内から吸引される。この後、吸引
されたSiH4のラジカルは、図示しない燃焼塔、
スクライバを順次経て、外気中に安全に排気され
る。次に、ケーシング１０が開放されて、α―Si
感光体は、ケーシング１０内から取り出される。
このようにして、１本のα―Si感光体の製造が完
了する。
法を用いることにより、以下のように製造され
る。第１図及び第２図に示すように、ケーシング
１０内には、ドラム状の基体１２が回転可能に収
納されている。このケーシング１０の内部空間
は、拡散ポンプ１４及びロータリーポンプ１６に
よつて、予め真空状態に設定されている。尚、こ
の基体１２は接地されていると共に、図示しない
駆動機構を介して中心軸回りに回転されている。
次いで、バルブ１８を開放することにより、
SiH4ガスもしくは必要に応じてSiH4と、B2H6，
Ph3との混合ガスがケーシング１０内に導入され
る。この導入されたガスは、ガス導入管２０の多
数の吹出口２２を介して、基体１２表面上に吹き
付けられる。また、基体１２はヒータ２４によつ
て加熱されている。ここで、ガス導入管２０は、
ラジオ・フレクエンシ電源２６のカソード電極と
兼用させられている。次いで、この電源２６を介
して、カソード電極２０と基体１２との間に、
R.F.パワーがかけられる。ここで、基体１２は接
地されているため、この基体１２はカソード電極
２０に対してアノード電極として作用することに
なる。このためカソード電極としてのガス導入管
２０とアノード電極としての基体１２との間に、
グロー放電が発生し、SiH4ガスはラジカル化さ
れる。このようにして、基体１２表面上に、所定
時間の経過と共に、α―Siが成長する。そして、
α―Siによる感光層が基体１２表面上に所定の厚
さに均一に形成されて、α―Siの成膜が終了す
る。このようなα―Siの成膜が終了すると、成膜
に関与しなかつたSiH4ガスのラジカルは、拡散
ポンプ１４及びロータリーポンプ１６によつて、
ケーシング１０内から吸引される。この後、吸引
されたSiH4のラジカルは、図示しない燃焼塔、
スクライバを順次経て、外気中に安全に排気され
る。次に、ケーシング１０が開放されて、α―Si
感光体は、ケーシング１０内から取り出される。
このようにして、１本のα―Si感光体の製造が完
了する。
しかし、このようにしてα―Si感光体を製造す
るのでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケーシ
ング１０内を真空にするための前処理時間及びケ
ーシング１０内から残留のSiH4のラジカルを排
出するための後処理時間に長時間を要し、生産性
が極めて悪いものである。従つて、α―Si感光体
の製造コストが非常に高くなるという不都合を生
じている。
るのでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケーシ
ング１０内を真空にするための前処理時間及びケ
ーシング１０内から残留のSiH4のラジカルを排
出するための後処理時間に長時間を要し、生産性
が極めて悪いものである。従つて、α―Si感光体
の製造コストが非常に高くなるという不都合を生
じている。
この様な不都合を解消するために、第３図に示
すように、ドラム状の基体１２を軸方向に沿つて
多段に並べ、一度に多くの基体１２にα―Siの成
膜を行う方法が、従来、提案されている。しか
し、このような方法では、ケーシング１０の高さ
には、おのずから限界があり、設定される基体１
２の数が制限されると共に、基体１２のケーシン
グ１０の中への出し入れ時の作業性が問題として
残つている。更には、このような成膜方法では、
図示しない真空ポンプ類は、ケーシング１０の下
方に取り付けなければならないという設計上の要
請がある。このため、ケーシング１０内のガスの
密度が、上部と下部とで異なることになり、成膜
されたα―Siの感光層の膜厚が、それぞれの感光
体によつて異なつてしまうという致命的な欠点
を、この方法は有している。
すように、ドラム状の基体１２を軸方向に沿つて
多段に並べ、一度に多くの基体１２にα―Siの成
膜を行う方法が、従来、提案されている。しか
し、このような方法では、ケーシング１０の高さ
には、おのずから限界があり、設定される基体１
２の数が制限されると共に、基体１２のケーシン
グ１０の中への出し入れ時の作業性が問題として
残つている。更には、このような成膜方法では、
図示しない真空ポンプ類は、ケーシング１０の下
方に取り付けなければならないという設計上の要
請がある。このため、ケーシング１０内のガスの
密度が、上部と下部とで異なることになり、成膜
されたα―Siの感光層の膜厚が、それぞれの感光
体によつて異なつてしまうという致命的な欠点
を、この方法は有している。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたも
ので、この発明の目的は、α―Si感光体を単位時
間当り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有し
て製造することのできるアモルフアス・シリコン
感光体製造方法及びその製造装置を提供すること
にある。
ので、この発明の目的は、α―Si感光体を単位時
間当り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有し
て製造することのできるアモルフアス・シリコン
感光体製造方法及びその製造装置を提供すること
にある。
この発明に係るアモルフアス・シリコン製造方
法は、複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つ
て載置する第１の工程と、無端の搬送路を包含す
る膜形成室を減圧し膜形成室に少なくともSiを含
むガスを導入する第２の工程と、膜形成室内で放
電を生じさせ、Siを含むガスをラジカル化させる
第３の工程と、搬入路から膜形成室内の搬送路の
所定位置に、控え室を介して基体を送り込む第４
の工程と、膜形成室内の基体を搬送路に沿つて無
端走行させ、再び搬送路の所定位置まで搬送する
第５の工程と、再び所定位置に戻つた、成膜され
た基体を控え室を介して搬出路に送り込む第６の
工程とを具備することを特徴としている。
法は、複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つ
て載置する第１の工程と、無端の搬送路を包含す
る膜形成室を減圧し膜形成室に少なくともSiを含
むガスを導入する第２の工程と、膜形成室内で放
電を生じさせ、Siを含むガスをラジカル化させる
第３の工程と、搬入路から膜形成室内の搬送路の
所定位置に、控え室を介して基体を送り込む第４
の工程と、膜形成室内の基体を搬送路に沿つて無
端走行させ、再び搬送路の所定位置まで搬送する
第５の工程と、再び所定位置に戻つた、成膜され
た基体を控え室を介して搬出路に送り込む第６の
工程とを具備することを特徴としている。
またこの発明に係るアモルフアス・シリコン感
光体製造装置は、基部と、この基部上に取り付け
られ、無端の搬送路を包含して、内部を複数の基
体を収納可能な膜形成室とするケーシングと、ケ
ーシング内に少なくともSiを有するガスを供給す
るガス供給手段と、ケーシング内のSiを含むガス
をラジカル化させる放電手段と、膜形成室の所定
位置と搬入路の終端と、搬出路の始端に接続され
る控え室と、搬送路上に設けられ、この上の基体
を搬送路に沿つて無端走行させる第１の移動機構
と、搬入路上に設けられ、この上の基体を控え室
に送り出す第２の移動機構と、搬出路上に設けら
れ、この上の成膜された基体を始端から末端に向
けて移動させる第３の移動機構と、控え室内に設
けられ、搬入路から送り出された基体を膜形成室
の所定位置に送り出し、搬送路を無端走行して成
膜され、所定位置に復帰した基体を控え室内に取
り入れ、成膜された基体を搬出路に送り出す第４
の移動機構と、膜形成室及び控え室を選択的に真
空にする真空手段とを具備することを特徴として
いる。
光体製造装置は、基部と、この基部上に取り付け
られ、無端の搬送路を包含して、内部を複数の基
体を収納可能な膜形成室とするケーシングと、ケ
ーシング内に少なくともSiを有するガスを供給す
るガス供給手段と、ケーシング内のSiを含むガス
をラジカル化させる放電手段と、膜形成室の所定
位置と搬入路の終端と、搬出路の始端に接続され
る控え室と、搬送路上に設けられ、この上の基体
を搬送路に沿つて無端走行させる第１の移動機構
と、搬入路上に設けられ、この上の基体を控え室
に送り出す第２の移動機構と、搬出路上に設けら
れ、この上の成膜された基体を始端から末端に向
けて移動させる第３の移動機構と、控え室内に設
けられ、搬入路から送り出された基体を膜形成室
の所定位置に送り出し、搬送路を無端走行して成
膜され、所定位置に復帰した基体を控え室内に取
り入れ、成膜された基体を搬出路に送り出す第４
の移動機構と、膜形成室及び控え室を選択的に真
空にする真空手段とを具備することを特徴として
いる。
この発明に係るアモルフアス・シリコン感光体
製造方法及びその製造装置によれば、単位時間当
り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有して製
造することができるようになる。
製造方法及びその製造装置によれば、単位時間当
り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有して製
造することができるようになる。
以下に、この発明に係るアモルフアス・シリコ
ン感光体製造方法及びその製造装置の第１の実施
例を添付図面の第４図乃至第１７図を参照して、
詳細に説明する。
ン感光体製造方法及びその製造装置の第１の実施
例を添付図面の第４図乃至第１７図を参照して、
詳細に説明する。
第４図及び第５図に示すように、製造装置２８
は円板状の基部３０を備えている。この基部３０
の上部には、これの上面を全面に渡つて覆うよう
に、ケーシング３２が取り付けられている。この
ケーシング３２は基部３０に取り付けられた状態
で、ケーシング３２の内部空間を気密に保持す
る。このケーシング３２は基部３０の上面の外周
部から直立して立ち上ると共に、基部３０に対し
て同心円状になされた外周壁３４と、この外周壁
３４の上端縁を閉塞する天板３６とを備えてい
る。この天板３６の中心部には凹所３８が形成さ
れている。この凹所３８の側面を形成する壁４０
は、ケーシング３２の内周壁として規定される。
また、この基部３０とケーシング３２とによつて
取り囲まれる空間はドーナツ状の膜形成室４２と
して規定される。
は円板状の基部３０を備えている。この基部３０
の上部には、これの上面を全面に渡つて覆うよう
に、ケーシング３２が取り付けられている。この
ケーシング３２は基部３０に取り付けられた状態
で、ケーシング３２の内部空間を気密に保持す
る。このケーシング３２は基部３０の上面の外周
部から直立して立ち上ると共に、基部３０に対し
て同心円状になされた外周壁３４と、この外周壁
３４の上端縁を閉塞する天板３６とを備えてい
る。この天板３６の中心部には凹所３８が形成さ
れている。この凹所３８の側面を形成する壁４０
は、ケーシング３２の内周壁として規定される。
また、この基部３０とケーシング３２とによつて
取り囲まれる空間はドーナツ状の膜形成室４２と
して規定される。
ケーシング３２内であつて基部３０の上面に
は、16個の感光体としての感光ドラム用のドラム
状の基体４４が載置される載置台４６が配設され
ている。各載置台４６は、ケーシング３２の中心
に対して同一円周上に等間隔配設されると共に、
中心軸を鉛直軸に一致させて直立されている。各
載置体４６は、後述する第１の移動機構４８を介
して、自身の中心軸回りに回転（以後自転と呼
ぶ）させられると共に基部３０の中心回りに回転
（以後公転と呼ぶ）させられている。
は、16個の感光体としての感光ドラム用のドラム
状の基体４４が載置される載置台４６が配設され
ている。各載置台４６は、ケーシング３２の中心
に対して同一円周上に等間隔配設されると共に、
中心軸を鉛直軸に一致させて直立されている。各
載置体４６は、後述する第１の移動機構４８を介
して、自身の中心軸回りに回転（以後自転と呼
ぶ）させられると共に基部３０の中心回りに回転
（以後公転と呼ぶ）させられている。
ケーシング３２の外周壁３４の一部には、第５
図に示すように開口５０が形成されている。この
開口５０は基体４４の出し入れ口として規定さ
れ、１個の基体４４が通過するに充分な大きさに
設定されている。この開口５０を含む一側面を有
して、ケーシング３２の外周壁３４の外側には、
平面四角形状の控え室５２が接続されている。こ
の開口５２にはこれを開閉可能に第１のシヤツタ
５４が取り付けられている。この第１のシヤツタ
５４が開いた状態で、膜形成室４２と控え室５２
とは連通状態にもたらされ、閉じた状態で、互い
に気密状態に保たれる。
図に示すように開口５０が形成されている。この
開口５０は基体４４の出し入れ口として規定さ
れ、１個の基体４４が通過するに充分な大きさに
設定されている。この開口５０を含む一側面を有
して、ケーシング３２の外周壁３４の外側には、
平面四角形状の控え室５２が接続されている。こ
の開口５２にはこれを開閉可能に第１のシヤツタ
５４が取り付けられている。この第１のシヤツタ
５４が開いた状態で、膜形成室４２と控え室５２
とは連通状態にもたらされ、閉じた状態で、互い
に気密状態に保たれる。
この控え室５２の、開口５０を含んだ一側面の
図中左側に隣接する側面には入口開口部５６が、
また図中右側に隣接する側面には、入口開口部５
６と対向する部分に、出口開口部５８がそれぞれ
設けられている。入口開口部５６及び出口開口部
５８にはこれらを開閉可能に、第２のシヤツタ６
０及び第３のシヤツタ６２がそれぞれ設けられて
いる。第２及び第３のシヤツタ６０，６２がそれ
ぞれ開いた状態で、控え室５２は外部と連通状態
にもたらされ、両方が閉じた状態で、外部から気
密状態に保たれる。また、入口開口部５６には、
搬入路６４の終端が、また出口開口部５８には搬
出路６６の始端がそれぞれ対向して設けられてい
る。搬入路６４及び搬出路６４上には、第２及び
第３の移動機構６８，７０が、それぞれ設けられ
ていると共に、控え室５２内には、第４の移動機
構７２が設けられている。第２の移動機構６８は
基体４４を矢印Ｘで示す方向に移動させると共に
第２のシヤツタ６０が開いた状態で、基体４４を
控え室５２内の第４の移動機構７２上に矢印Ｘで
示す方向に沿つて送り出すように構成されてい
る。第３の移動機構７０は控え室５２からもたら
された成膜された基体４４、即ち感光ドラム７４
を矢印Ｘで示す方向に送るように構成されてい
る。また第４の移動機構７２は、入口開口部５６
を介して控え室５２に送り込まれてきた基体４４
を第１のシヤツタ５４が開いた状態で、膜形成室
４２内の第１の移動機構４８上に矢印Ｙで示す方
向に沿つて送り出し、且つ成膜動作が完了して第
１のシヤツタ５４に対向する位置にもたらされた
感光ドラム７４を、第１のシヤツタ５４が開いた
状態で、控え室５２内に矢印Ｙで示す方向とは反
対の方向に沿つて取り入れ、更には、第３のシヤ
ツタ６２が開いた状態で、搬出路６６上の第３の
移動機構７０上に、矢印Ｘで示す方向に沿つて送
り出すように、構成されている。
図中左側に隣接する側面には入口開口部５６が、
また図中右側に隣接する側面には、入口開口部５
６と対向する部分に、出口開口部５８がそれぞれ
設けられている。入口開口部５６及び出口開口部
５８にはこれらを開閉可能に、第２のシヤツタ６
０及び第３のシヤツタ６２がそれぞれ設けられて
いる。第２及び第３のシヤツタ６０，６２がそれ
ぞれ開いた状態で、控え室５２は外部と連通状態
にもたらされ、両方が閉じた状態で、外部から気
密状態に保たれる。また、入口開口部５６には、
搬入路６４の終端が、また出口開口部５８には搬
出路６６の始端がそれぞれ対向して設けられてい
る。搬入路６４及び搬出路６４上には、第２及び
第３の移動機構６８，７０が、それぞれ設けられ
ていると共に、控え室５２内には、第４の移動機
構７２が設けられている。第２の移動機構６８は
基体４４を矢印Ｘで示す方向に移動させると共に
第２のシヤツタ６０が開いた状態で、基体４４を
控え室５２内の第４の移動機構７２上に矢印Ｘで
示す方向に沿つて送り出すように構成されてい
る。第３の移動機構７０は控え室５２からもたら
された成膜された基体４４、即ち感光ドラム７４
を矢印Ｘで示す方向に送るように構成されてい
る。また第４の移動機構７２は、入口開口部５６
を介して控え室５２に送り込まれてきた基体４４
を第１のシヤツタ５４が開いた状態で、膜形成室
４２内の第１の移動機構４８上に矢印Ｙで示す方
向に沿つて送り出し、且つ成膜動作が完了して第
１のシヤツタ５４に対向する位置にもたらされた
感光ドラム７４を、第１のシヤツタ５４が開いた
状態で、控え室５２内に矢印Ｙで示す方向とは反
対の方向に沿つて取り入れ、更には、第３のシヤ
ツタ６２が開いた状態で、搬出路６６上の第３の
移動機構７０上に、矢印Ｘで示す方向に沿つて送
り出すように、構成されている。
ケーシング３２内には、第１のシヤツタ５４を
備えた開口５０以外の外周壁３４及び内周壁４０
にそれぞれ沿つて、第１及び第２のガス導入部７
６，７８が配設されている。各ガス導入部７６，
７８は中空の円筒状に導電性物質から形成され、
それぞれケーシング３２と同軸になされている。
第１のガス導入部７６の内周面及び第２のガス導
入部７８の外周面には、多数のガス吹出孔８０が
均一に形成されている。また第１のガス導入部７
６及び第２のガス導入部７８の各上面には、それ
ぞれに複数のガス導入枝管８２が、円周方向に沿
つて等間隔に接続されている。これらガス導入枝
管８２は、共通のガス導入本管８４に結合されて
おり、このガス導入本管８４は第１のバルブ８６
を介して第１のガス供給機構８８に接続されてい
る。この第１のガス供給機構８８はSiH4ガスを
供給するためのものである。ここで、前述した複
数のガス導入枝管８２はケーシング３２の天板３
６を気密に貫通してケーシング３２内に取り入れ
られている。また、控え室５２には、第２のバル
ブ９０を介して第２のガス供給機構９２が接続さ
れている。この第２のガス供給機構９２はN2ガ
スを供給するためのものである。
備えた開口５０以外の外周壁３４及び内周壁４０
にそれぞれ沿つて、第１及び第２のガス導入部７
６，７８が配設されている。各ガス導入部７６，
７８は中空の円筒状に導電性物質から形成され、
それぞれケーシング３２と同軸になされている。
第１のガス導入部７６の内周面及び第２のガス導
入部７８の外周面には、多数のガス吹出孔８０が
均一に形成されている。また第１のガス導入部７
６及び第２のガス導入部７８の各上面には、それ
ぞれに複数のガス導入枝管８２が、円周方向に沿
つて等間隔に接続されている。これらガス導入枝
管８２は、共通のガス導入本管８４に結合されて
おり、このガス導入本管８４は第１のバルブ８６
を介して第１のガス供給機構８８に接続されてい
る。この第１のガス供給機構８８はSiH4ガスを
供給するためのものである。ここで、前述した複
数のガス導入枝管８２はケーシング３２の天板３
６を気密に貫通してケーシング３２内に取り入れ
られている。また、控え室５２には、第２のバル
ブ９０を介して第２のガス供給機構９２が接続さ
れている。この第２のガス供給機構９２はN2ガ
スを供給するためのものである。
一方、基部３０の上面及び控え室５２には、こ
れら貫通する多数のガス導出枝管９４の一端が第
３及び第４のバルブ９６，９８を介して開口して
いる。これらガス導出枝管９４は、ケーシング３
２の中心に対して同心円状に等間隔に配設されて
いる。これらガス導出枝管９４は共通のガス導出
管１００に結合されている。このガス導出本管１
００は拡散ポンプ１０２及びロータリーポンプ１
０４を介して空気清浄機構１０６に接続されてい
る。この空気清浄機構１０６は、詳細は図示して
いないが、燃焼塔、スクライバ等を有しており、
ケーシング３２内から取り出されたガスをここで
清浄化するものである。
れら貫通する多数のガス導出枝管９４の一端が第
３及び第４のバルブ９６，９８を介して開口して
いる。これらガス導出枝管９４は、ケーシング３
２の中心に対して同心円状に等間隔に配設されて
いる。これらガス導出枝管９４は共通のガス導出
管１００に結合されている。このガス導出本管１
００は拡散ポンプ１０２及びロータリーポンプ１
０４を介して空気清浄機構１０６に接続されてい
る。この空気清浄機構１０６は、詳細は図示して
いないが、燃焼塔、スクライバ等を有しており、
ケーシング３２内から取り出されたガスをここで
清浄化するものである。
ケーシング３２内には収納された各基体４４を
加熱するためのヒータ１０８が、各載置台４６上
に設けられている。また、各載置台４６に載置さ
れた基体４４は、載置台４６を介してアースされ
る。一方、第１及び第２のガス導入部７６，７８
は、それぞれ共通のラジオ・フレクエンシ電源１
１０に接続されている。換言すれば、第１及び第
２のガス導入部７６，７８は電源１１０によつて
カソード電極として機能し、基体４４はカソード
電極に対してアノード電極として機能している。
電源１１０は出力500Wで周波数13.56MHzの交流
電流を供給できる。
加熱するためのヒータ１０８が、各載置台４６上
に設けられている。また、各載置台４６に載置さ
れた基体４４は、載置台４６を介してアースされ
る。一方、第１及び第２のガス導入部７６，７８
は、それぞれ共通のラジオ・フレクエンシ電源１
１０に接続されている。換言すれば、第１及び第
２のガス導入部７６，７８は電源１１０によつて
カソード電極として機能し、基体４４はカソード
電極に対してアノード電極として機能している。
電源１１０は出力500Wで周波数13.56MHzの交流
電流を供給できる。
前述した基体４４は、外径130mmの導電性を有
する薄肉円筒体から形成されている。この基体４
４の外周面に渡つて、後述する動作に基づいて、
α―Siが所定厚さに成膜される。尚、この大きさ
の基体４４を16本一度に収納するためのケーシン
グ３２の外径は、１ｍ30cmで良い。
する薄肉円筒体から形成されている。この基体４
４の外周面に渡つて、後述する動作に基づいて、
α―Siが所定厚さに成膜される。尚、この大きさ
の基体４４を16本一度に収納するためのケーシン
グ３２の外径は、１ｍ30cmで良い。
次に、膜形成室４２内の第１の移動機構４８に
つき詳述する。第６図に示すように、第１の移動
機構４８は、基部３０の上面にこれと同軸に駆動
台１１２を備えている。この駆動台１１２は平板
状のテーブル１１４とこのテーブル１１４の下面
に同軸に固定された主軸１１６を有している。こ
の主軸１１６は基部３０にベアリング１１８を介
して、これの中心軸回りに回転可能に取り付けら
れている。テーブル１１４の外周面には、全周に
渡つて第１の歯車１２０が取り付けられている。
このテーブル１１４の外周には、駆動歯車１２２
が回転自在に設けられており、駆動歯車１１２と
第１の歯車１２０とは互いに噛合している。この
駆動歯車１１２は、駆動軸１２４を介して基部３
０の下方に設けられたモータ１２６に接続されて
いる。この駆動軸１２４は基部３０を上下方向に
貫通している。
つき詳述する。第６図に示すように、第１の移動
機構４８は、基部３０の上面にこれと同軸に駆動
台１１２を備えている。この駆動台１１２は平板
状のテーブル１１４とこのテーブル１１４の下面
に同軸に固定された主軸１１６を有している。こ
の主軸１１６は基部３０にベアリング１１８を介
して、これの中心軸回りに回転可能に取り付けら
れている。テーブル１１４の外周面には、全周に
渡つて第１の歯車１２０が取り付けられている。
このテーブル１１４の外周には、駆動歯車１２２
が回転自在に設けられており、駆動歯車１１２と
第１の歯車１２０とは互いに噛合している。この
駆動歯車１１２は、駆動軸１２４を介して基部３
０の下方に設けられたモータ１２６に接続されて
いる。この駆動軸１２４は基部３０を上下方向に
貫通している。
前述した各載置台４６は、基体４４が載置され
る円板状のレスト１２８と、このレスト１２８の
下面に同軸に固定された回転軸１３０とを有して
いる。この回転軸１３０は、テーブル１１４にベ
アリング１３２（第４図に示す）を介して回転自
在に取り付けられている。各レスト１２８の外周
面には、全周に渡つて第２の歯車１３４が取り付
けられている。同心円状に配設された16個の載置
台４６の外周には、固定歯車部１３６が基部３０
に固定して設けられている。この固定歯車部１３
６は基部３０に起立して取り付けられた円筒状の
起立片１３８と、起立片１３８の上端から半径方
向内方に突出したフランジ部１４０とを備えてい
る。このフランジ部１４０の内周縁の中心は、基
部３０の中心と一致して設定されている。フラン
ジ部１４０の内周面には全周に渡つて固定歯車１
４２が内歯車状に設けられている。この固定歯車
１４２と各載置台４６の第２の歯車１３４とは互
いに噛合している。
る円板状のレスト１２８と、このレスト１２８の
下面に同軸に固定された回転軸１３０とを有して
いる。この回転軸１３０は、テーブル１１４にベ
アリング１３２（第４図に示す）を介して回転自
在に取り付けられている。各レスト１２８の外周
面には、全周に渡つて第２の歯車１３４が取り付
けられている。同心円状に配設された16個の載置
台４６の外周には、固定歯車部１３６が基部３０
に固定して設けられている。この固定歯車部１３
６は基部３０に起立して取り付けられた円筒状の
起立片１３８と、起立片１３８の上端から半径方
向内方に突出したフランジ部１４０とを備えてい
る。このフランジ部１４０の内周縁の中心は、基
部３０の中心と一致して設定されている。フラン
ジ部１４０の内周面には全周に渡つて固定歯車１
４２が内歯車状に設けられている。この固定歯車
１４２と各載置台４６の第２の歯車１３４とは互
いに噛合している。
ここで、モータ１２６が起動することにより、
駆動歯車１２２が回転駆動され、これに噛合する
駆動台１１２は基部３０の中心軸回りに矢印Ｚで
示す方向、即ち時計方向に沿つて回転駆動され
る。従つて、各載置台４６、即ち各基体４４は、
基部３０の中心軸回りに円状の軌跡を描く公転運
動をする。
駆動歯車１２２が回転駆動され、これに噛合する
駆動台１１２は基部３０の中心軸回りに矢印Ｚで
示す方向、即ち時計方向に沿つて回転駆動され
る。従つて、各載置台４６、即ち各基体４４は、
基部３０の中心軸回りに円状の軌跡を描く公転運
動をする。
一方、各載置台４６は、基部３０に固定された
固定歯車１４２に噛合しているので、公転運動に
伴つて、これの回転軸１３０回りに回転駆動され
る。従つて、各載置台４６、即ち各基体４４は、
自身の中心軸回りに自動運転をする。
固定歯車１４２に噛合しているので、公転運動に
伴つて、これの回転軸１３０回りに回転駆動され
る。従つて、各載置台４６、即ち各基体４４は、
自身の中心軸回りに自動運転をする。
以上のように構成される第１の実施例につき、
以下にその動作を説明する。
以下にその動作を説明する。
まず第７図に示すように搬入路６４上の第２の
移動機構６８上に移動方向に沿つて複数の基体４
４を載置する。次に、第１及び第２のシヤツタ５
４，６０を開き、第３のシヤツタ６２を閉じる。
この状態で、第８図に示すように第２の移動機構
６８は移動方向、即ち矢印Ｘで示す方向に沿つて
の一番先頭の基体４４Ａを控え室５２内に送り込
む。控え室５２内の第４の移動機構７２はこの一
番先頭の基体４４Ａを第９図に示すように、矢印
Ｙで示す方向に沿つて、膜形成室４２内の第１の
移動機構４８の載置台４６上に送る。
移動機構６８上に移動方向に沿つて複数の基体４
４を載置する。次に、第１及び第２のシヤツタ５
４，６０を開き、第３のシヤツタ６２を閉じる。
この状態で、第８図に示すように第２の移動機構
６８は移動方向、即ち矢印Ｘで示す方向に沿つて
の一番先頭の基体４４Ａを控え室５２内に送り込
む。控え室５２内の第４の移動機構７２はこの一
番先頭の基体４４Ａを第９図に示すように、矢印
Ｙで示す方向に沿つて、膜形成室４２内の第１の
移動機構４８の載置台４６上に送る。
尚、先頭の基体４４Ａが膜形成室４２内に送ら
れた状態で次の基体４４Ｂは図示するように、控
え室５２中に位置している。
れた状態で次の基体４４Ｂは図示するように、控
え室５２中に位置している。
この第９図に示す状態で、第２のシヤツタ６０
を閉じ、第３及び第４のバルブ９６，９８を開
き、拡散ポンプ１０２及びロータリーポンプ１０
４を介して膜形成室４２及び控え室５２内を真空
状態にする。これら室４２，５２内の圧力が
10-5torrに達した時点で、両ポンプ１０２，１０
４の駆動を停止すると共に第３及び第４のバルブ
９６，９８を閉じ、第１のシヤツタ５４を閉じ
る。また、ヒータ１０８を介して基体４４を200
℃乃至300℃に加熱する。そして、第１のバルブ
８６を開き、第１のガス供給機構８８から、ガス
導入本管８４、ガス導入枝管８２を通つて、
SiH4ガスを第１及び第２のガス導入部７６，７
８に導き、それぞれの吹出孔８０を介して膜形成
室４２内に充満させる。このガス導入状態におい
て、膜形成室４２内の圧力は、0.1乃至40torrの
範囲に設定される。
を閉じ、第３及び第４のバルブ９６，９８を開
き、拡散ポンプ１０２及びロータリーポンプ１０
４を介して膜形成室４２及び控え室５２内を真空
状態にする。これら室４２，５２内の圧力が
10-5torrに達した時点で、両ポンプ１０２，１０
４の駆動を停止すると共に第３及び第４のバルブ
９６，９８を閉じ、第１のシヤツタ５４を閉じ
る。また、ヒータ１０８を介して基体４４を200
℃乃至300℃に加熱する。そして、第１のバルブ
８６を開き、第１のガス供給機構８８から、ガス
導入本管８４、ガス導入枝管８２を通つて、
SiH4ガスを第１及び第２のガス導入部７６，７
８に導き、それぞれの吹出孔８０を介して膜形成
室４２内に充満させる。このガス導入状態におい
て、膜形成室４２内の圧力は、0.1乃至40torrの
範囲に設定される。
この後、電源１１０を介して、第１及び第２の
ガス導入部７６，７８と基体４４との間に所定電
圧を印加し、グロー放電ゆ生ぜしめ、SiH4ガス
をラジカル化させる。ラジカル化したSiは、基体
４４の外周面上に吸引され、この上にα―Siの薄
膜を形成せしめる。即ち、感光層としてのα―Si
膜が基体の外周面上に成膜される。
ガス導入部７６，７８と基体４４との間に所定電
圧を印加し、グロー放電ゆ生ぜしめ、SiH4ガス
をラジカル化させる。ラジカル化したSiは、基体
４４の外周面上に吸引され、この上にα―Siの薄
膜を形成せしめる。即ち、感光層としてのα―Si
膜が基体の外周面上に成膜される。
ここで、第１の移動機構４８は基体４４を載置
台４６を矢印Ｚで示す方向に沿つて膜形成室４２
を移動させる。この第１の移動機構４８による載
置台４６の移動速度は、載置台４６が第５図中符
号Ａで示す位置から膜形成室４２を一周して再び
符号Ａで示す位置まで移動された状態で所定の厚
さを有して成膜動作が完了するように、設定され
ている。
台４６を矢印Ｚで示す方向に沿つて膜形成室４２
を移動させる。この第１の移動機構４８による載
置台４６の移動速度は、載置台４６が第５図中符
号Ａで示す位置から膜形成室４２を一周して再び
符号Ａで示す位置まで移動された状態で所定の厚
さを有して成膜動作が完了するように、設定され
ている。
一方、先頭の基体４４AAが載置台４６と共
に、第５図中符号Ｂで示す位置に移動され、第１
のシヤツタ５４と対向する膜形成室４２に次の載
置台４６がもたらされる時点で、第１０図に示す
ように第１のシヤツタ５４を開き、第４の移動機
構７２を介して控え室５２内の基体４４Ｂを、第
１の移動機構４６上の符号Ａで示す位置にある載
置台４６上に移動させる。この後、控え室４６内
のSiH4ガスを除去するため、第１のシヤツタ５
４を閉じ、第４のバルブ９８を開き、ロータリポ
ンプ１０４及び拡散ポンプ１０２を介して控え室
５２内を真空に引く。控え室５２内が所定の真空
状態になされた時点で、両ポンプ１０２，１０４
の駆動を止め第４のバルブ９８を閉じ、第２のバ
ルブ９０を開き、第２のガス供給機構９２から控
え室５２中にN2ガスを噴出させて、真空状態を
リークする。
に、第５図中符号Ｂで示す位置に移動され、第１
のシヤツタ５４と対向する膜形成室４２に次の載
置台４６がもたらされる時点で、第１０図に示す
ように第１のシヤツタ５４を開き、第４の移動機
構７２を介して控え室５２内の基体４４Ｂを、第
１の移動機構４６上の符号Ａで示す位置にある載
置台４６上に移動させる。この後、控え室４６内
のSiH4ガスを除去するため、第１のシヤツタ５
４を閉じ、第４のバルブ９８を開き、ロータリポ
ンプ１０４及び拡散ポンプ１０２を介して控え室
５２内を真空に引く。控え室５２内が所定の真空
状態になされた時点で、両ポンプ１０２，１０４
の駆動を止め第４のバルブ９８を閉じ、第２のバ
ルブ９０を開き、第２のガス供給機構９２から控
え室５２中にN2ガスを噴出させて、真空状態を
リークする。
この後第２のシヤツタ６０を開き、搬入路６４
上で、控え室５２に隣接して待機していた基体４
４ｃを、第２の移動機構６８を介して控え室５２
内に移動する。次に、第２のシヤツタ６０を閉
じ、第４のバルブ９８を開き、控え室５２内を拡
散ポンプ１０２及びロータリポンプ１０４を介し
て所定の真空状態にする。そして、膜形成室４２
内であつて、符号Ａで示す位置の基体４４Ｂが、
符号Ｂで示す位置に移動された時点で、第１のシ
ヤツタ５４を開き、第４の移動機構７２を介して
控え室５２中の基体４４ｃを膜形成室４２上の符
号Ａで示す位置にある載置台４６上に移動する。
以後、この動作は、第１１図に示すように先頭の
基体４４Ａが膜形成室４２を一周して再び符号Ａ
で示す位置に移動されてくるまで続けられる。
尚、控え室５２から膜形成室４２内に基体４４の
移動動作が行なわれている際中も、膜形成室４２
内での膜形成動作は連続的に成し遂げられてい
る。ここで、膜形成室４２内を第１の移動機構４
８によつて、移動される載置台４６上の基体４４
は、載置台４６のレスト１２８の第２の歯車１３
４と固定歯車１４２との噛合によつて、基体４４
の中心軸回りに回転運動を行なつている。即ち、
膜形成室４２内を移動する基体４４は自転運動を
行なつている。
上で、控え室５２に隣接して待機していた基体４
４ｃを、第２の移動機構６８を介して控え室５２
内に移動する。次に、第２のシヤツタ６０を閉
じ、第４のバルブ９８を開き、控え室５２内を拡
散ポンプ１０２及びロータリポンプ１０４を介し
て所定の真空状態にする。そして、膜形成室４２
内であつて、符号Ａで示す位置の基体４４Ｂが、
符号Ｂで示す位置に移動された時点で、第１のシ
ヤツタ５４を開き、第４の移動機構７２を介して
控え室５２中の基体４４ｃを膜形成室４２上の符
号Ａで示す位置にある載置台４６上に移動する。
以後、この動作は、第１１図に示すように先頭の
基体４４Ａが膜形成室４２を一周して再び符号Ａ
で示す位置に移動されてくるまで続けられる。
尚、控え室５２から膜形成室４２内に基体４４の
移動動作が行なわれている際中も、膜形成室４２
内での膜形成動作は連続的に成し遂げられてい
る。ここで、膜形成室４２内を第１の移動機構４
８によつて、移動される載置台４６上の基体４４
は、載置台４６のレスト１２８の第２の歯車１３
４と固定歯車１４２との噛合によつて、基体４４
の中心軸回りに回転運動を行なつている。即ち、
膜形成室４２内を移動する基体４４は自転運動を
行なつている。
先頭の載置台４６上の基体４４Ａが成膜動作を
受けつつ膜形成室４２を一周して再び符号Ａで示
す位置まで移動されると、この時点で、基体４４
Ａの外周面上には所定厚さにα―Siの感光層が形
成されることになる。この感光層が形成された基
体４４Ａ、即ち感光ドラム７４が再び符号Ａで示
す位置に移動されると、まず、新たな基体４４は
控え室５２内で待機せずに、搬入路６４上で待機
するようになる。そして、控え室５２内を真空に
した後第１２図に示すように第１のシヤツタ５４
を開き、第４の移動機構７２を介して感光ドラム
７４を控え室５２に移動する。そして、第１のシ
ヤツタ５４を閉じて、控え室５２内に充満した
SiH4ガスを除去するため第４のバルブ９８を開
き、拡散ポンプ１０２、及びロータリーポンプ１
０６を介して控え室５２内を真空に引く。控え室
５２が所定の真空度になされた時点で、第４のバ
ルブ９８を閉じ、両ポンプ１０２，１０４を止
め、第２のバルブ９０を開き、第２のガス供給機
構９２から控え室５２中にN2ガスを噴出させて、
真空状態をリークする。
受けつつ膜形成室４２を一周して再び符号Ａで示
す位置まで移動されると、この時点で、基体４４
Ａの外周面上には所定厚さにα―Siの感光層が形
成されることになる。この感光層が形成された基
体４４Ａ、即ち感光ドラム７４が再び符号Ａで示
す位置に移動されると、まず、新たな基体４４は
控え室５２内で待機せずに、搬入路６４上で待機
するようになる。そして、控え室５２内を真空に
した後第１２図に示すように第１のシヤツタ５４
を開き、第４の移動機構７２を介して感光ドラム
７４を控え室５２に移動する。そして、第１のシ
ヤツタ５４を閉じて、控え室５２内に充満した
SiH4ガスを除去するため第４のバルブ９８を開
き、拡散ポンプ１０２、及びロータリーポンプ１
０６を介して控え室５２内を真空に引く。控え室
５２が所定の真空度になされた時点で、第４のバ
ルブ９８を閉じ、両ポンプ１０２，１０４を止
め、第２のバルブ９０を開き、第２のガス供給機
構９２から控え室５２中にN2ガスを噴出させて、
真空状態をリークする。
尚控え室５２から排出されたSiH4ガスは、空
気清浄機構１０６にて、清浄化されて、外部環境
に放出される。
気清浄機構１０６にて、清浄化されて、外部環境
に放出される。
この後第１３図に示すように第３のシヤツタ６
２を開き、控え室５２中の感光ドラム７４を、第
４の移動機構７２を介して搬出路６６上の第３の
移動機構７０上に移動する。そして、第３のシヤ
ツタ６２を閉じると共に第２のシヤツタ６０を開
いて、第１４図に示すように搬入路６４上の基体
４４Ｘを第２の移動機構６８を介して、控え室５
２内に移動する。そして、第２のシヤツタ６０を
閉じ、控え室５２内を真空にする。この後、第５
図に示すように、第１のシヤツタ５４を開き、第
４の移動機構７２を介して、控え室５２内の基体
４４Ｘを膜形成室４２内の第１の移動機構４８の
符号Ａで示す位置にある載置台４６上に移動す
る。
２を開き、控え室５２中の感光ドラム７４を、第
４の移動機構７２を介して搬出路６６上の第３の
移動機構７０上に移動する。そして、第３のシヤ
ツタ６２を閉じると共に第２のシヤツタ６０を開
いて、第１４図に示すように搬入路６４上の基体
４４Ｘを第２の移動機構６８を介して、控え室５
２内に移動する。そして、第２のシヤツタ６０を
閉じ、控え室５２内を真空にする。この後、第５
図に示すように、第１のシヤツタ５４を開き、第
４の移動機構７２を介して、控え室５２内の基体
４４Ｘを膜形成室４２内の第１の移動機構４８の
符号Ａで示す位置にある載置台４６上に移動す
る。
そして、新たな基体４４Ｘを載置した載置台４
６が符号Ａで示す位置から符号Ｂで示す位置に移
動するにつれて、成膜動作の完了した感光ドラム
７４を載置した載置台４６が、第１６図に示すよ
うに符号Ａで示す位置にもたらされる。この状態
で、第４の移動機構７２を介して、感光ドラム７
４を膜形成室４２から控え室５２に第１７図に示
すように取り入れる。その後、第１のシヤツタ５
４を閉じ、控え室５２内のSiH4ガスを除去する
ために上述した動作に基づき控え室５２内を真空
にする。以後感光ドラム７４が符号Ａで示す位置
にもたらされて以降の動作が、全体の成膜動作が
完了するまで自動的に繰り返される。
６が符号Ａで示す位置から符号Ｂで示す位置に移
動するにつれて、成膜動作の完了した感光ドラム
７４を載置した載置台４６が、第１６図に示すよ
うに符号Ａで示す位置にもたらされる。この状態
で、第４の移動機構７２を介して、感光ドラム７
４を膜形成室４２から控え室５２に第１７図に示
すように取り入れる。その後、第１のシヤツタ５
４を閉じ、控え室５２内のSiH4ガスを除去する
ために上述した動作に基づき控え室５２内を真空
にする。以後感光ドラム７４が符号Ａで示す位置
にもたらされて以降の動作が、全体の成膜動作が
完了するまで自動的に繰り返される。
以上詳述したように、この第１の実施例によれ
ば、ドラム状の基体４４の外周面にα―Siを成膜
して感光ドラムを形成するに際し、膜形成室５２
は常に成膜可能状態に設定維持されている。そし
て、新たなドラムを膜形成室４２に導入すること
は、小さな控え室５２を介して行なわれている。
従つて、成膜動作と同時にこの動作を妨げること
なく、新たなドラム状基体４４の導入動作が完遂
される。且つ成膜されたドラム状基体４４、即ち
感光ドラム７４の膜形成室４２からの取り出し
は、導入動作と兼用の控え室５２を介して行なわ
れている。従つて、成膜動作と同時に、この動作
を妨げることなく、感光ドラム７４の膜形成室４
２からの取り出し動作が完遂される。
ば、ドラム状の基体４４の外周面にα―Siを成膜
して感光ドラムを形成するに際し、膜形成室５２
は常に成膜可能状態に設定維持されている。そし
て、新たなドラムを膜形成室４２に導入すること
は、小さな控え室５２を介して行なわれている。
従つて、成膜動作と同時にこの動作を妨げること
なく、新たなドラム状基体４４の導入動作が完遂
される。且つ成膜されたドラム状基体４４、即ち
感光ドラム７４の膜形成室４２からの取り出し
は、導入動作と兼用の控え室５２を介して行なわ
れている。従つて、成膜動作と同時に、この動作
を妨げることなく、感光ドラム７４の膜形成室４
２からの取り出し動作が完遂される。
ここで、控え室５２は、１個の基体４４が入る
に充分なだけの小さな大きさに設定してある。従
つて、この控え室５２を所定の真空状態になすた
めに必要な時間は極めて短いものであり、且つこ
の間に、成膜動作は継続して行なわれているの
で、全体としての成膜効率が妨げられることはな
い。即ちこの一実施例で長時間感光ドラムの製造
動作を実施することにより、一時間当り、従来よ
り多数のα―Si感光ドラムを製作することができ
るようになる。
に充分なだけの小さな大きさに設定してある。従
つて、この控え室５２を所定の真空状態になすた
めに必要な時間は極めて短いものであり、且つこ
の間に、成膜動作は継続して行なわれているの
で、全体としての成膜効率が妨げられることはな
い。即ちこの一実施例で長時間感光ドラムの製造
動作を実施することにより、一時間当り、従来よ
り多数のα―Si感光ドラムを製作することができ
るようになる。
また膜形成室４２内を移動する基体４４は自転
運動を行なつているので、形成された感光ドラム
の感光層の厚さは、一定に形成されることにな
る。また各感光ドラム毎の感光体層の厚さも、一
様に形成されることになる。
運動を行なつているので、形成された感光ドラム
の感光層の厚さは、一定に形成されることにな
る。また各感光ドラム毎の感光体層の厚さも、一
様に形成されることになる。
かつ、控え室５２は、基体４４の導入用と、感
光ドラム７４の取り出し用とで共通のものを用い
ているので、控え室５２を真空に引くための動力
が少なくて済む。
光ドラム７４の取り出し用とで共通のものを用い
ているので、控え室５２を真空に引くための動力
が少なくて済む。
この発明は、上述した第１の一実施例の構成及
び動作に限定されることなく、この発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形可能である。
び動作に限定されることなく、この発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形可能である。
例えば上述した第１の実施例では各基体４４の
公転軌跡は円状であるように説明したが、この公
転軌跡は、円でなくとも惰円や長円であつても良
く、また第１８図に第２の実施例として示すよう
に各角部に丸みが付けられた長方形状であつても
良い。即ち、ケーシング１４４は平面略長方形状
に形成され、膜形成室１４６も平面略長方形状に
形成するようにしても良い。
公転軌跡は円状であるように説明したが、この公
転軌跡は、円でなくとも惰円や長円であつても良
く、また第１８図に第２の実施例として示すよう
に各角部に丸みが付けられた長方形状であつても
良い。即ち、ケーシング１４４は平面略長方形状
に形成され、膜形成室１４６も平面略長方形状に
形成するようにしても良い。
また、上述した第１の実施例ではガス供給機構
から供給されるガスがSiH4からなるガスである
と説明したが、これに限られることなく、必要に
応じてB2H6，PH3，O2を含有する混合ガスであ
つても良い。
から供給されるガスがSiH4からなるガスである
と説明したが、これに限られることなく、必要に
応じてB2H6，PH3，O2を含有する混合ガスであ
つても良い。
更に上述した第１の実施例では、控え室５２の
大きさを、基体４４を１個収納するのに充分な大
きさになるように説明した。しかし、このような
構成に限定されることなく、控え室４８を第１９
図に第３の実施例として示すように、膜形成室４
２に収納される基体４４の個数の２倍の数の基体
４４を収納できるに充分な大きさに設定しても良
い。この場合、控え室１４８に待機している多数
の基体４４は一度に膜形成室４２内に導入され、
膜形成室４２内で成膜された多数の感光ドラム７
４は、一度に、再び控え室１４８に取り出され
る。このように、構成し、動作させることによつ
ても、所期の目的を達成することができる。尚、
上述した第１及び第２の実施例の説明において、
第１の実施例と同様の部分では、同一符号を付し
て、その説明を省略した。
大きさを、基体４４を１個収納するのに充分な大
きさになるように説明した。しかし、このような
構成に限定されることなく、控え室４８を第１９
図に第３の実施例として示すように、膜形成室４
２に収納される基体４４の個数の２倍の数の基体
４４を収納できるに充分な大きさに設定しても良
い。この場合、控え室１４８に待機している多数
の基体４４は一度に膜形成室４２内に導入され、
膜形成室４２内で成膜された多数の感光ドラム７
４は、一度に、再び控え室１４８に取り出され
る。このように、構成し、動作させることによつ
ても、所期の目的を達成することができる。尚、
上述した第１及び第２の実施例の説明において、
第１の実施例と同様の部分では、同一符号を付し
て、その説明を省略した。
第１図は従来の感光体製造装置を示す縦断面
図、第２図は第１図に示す装置の横断面図、第３
図は、他の従来の感光体製造装置を概略的に示す
縦断面図、第４図はこの発明に係る感光体製造装
置の第１の実施例を示す縦断面図、第５図は第４
図に示す装置の横断面図、第６図は第４図に示す
装置に用いられる第１の移動機構を一部切り欠い
て示す斜視図、第７図乃至第１７図はそれぞれこ
の発明の動作を示すための横断面図、第１８図は
この発明に係る感光体製造装置の第２の実施例を
概略的に示す横断面図、そして第１９図はこの発
明に係る感光体製造装置の第３の実施例を概略的
に示す横断面図である。 ３０…基部、３２…ケーシング、４２…膜形成
室、４４…基体、４８…第１の移動機構、５２…
控え室、６４…搬入路、６６…搬出路、６８…第
２の移動機構、７０…第３の移動機構、７２…第
４の移動機構、１０２…拡散ポンプ、１０４…ロ
ータリーポンプ、１１０…電源。
図、第２図は第１図に示す装置の横断面図、第３
図は、他の従来の感光体製造装置を概略的に示す
縦断面図、第４図はこの発明に係る感光体製造装
置の第１の実施例を示す縦断面図、第５図は第４
図に示す装置の横断面図、第６図は第４図に示す
装置に用いられる第１の移動機構を一部切り欠い
て示す斜視図、第７図乃至第１７図はそれぞれこ
の発明の動作を示すための横断面図、第１８図は
この発明に係る感光体製造装置の第２の実施例を
概略的に示す横断面図、そして第１９図はこの発
明に係る感光体製造装置の第３の実施例を概略的
に示す横断面図である。 ３０…基部、３２…ケーシング、４２…膜形成
室、４４…基体、４８…第１の移動機構、５２…
控え室、６４…搬入路、６６…搬出路、６８…第
２の移動機構、７０…第３の移動機構、７２…第
４の移動機構、１０２…拡散ポンプ、１０４…ロ
ータリーポンプ、１１０…電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体表面にアモルフアス・シリコン感光層を
形成してアモルフアス・シリコン感光体を製造す
るアモルフアス・シリコン感光体製造方法におい
て、 複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つて載
置する第１の工程と、 無端の搬送路を包含する膜形成室を減圧し膜形
成室に少なくともSiを含むガスを導入する第２の
工程と、 膜形成室内で放電を生じさせ、Siを含むガスを
ラジカル化させる第３の工程と、 搬入路から膜形成室内の搬送路の所定位置に、
控え室を介して基体を送り込む第４の工程と、 膜形成室内の基体を搬送路に沿つて無端走行さ
せ、再び搬送路の所定位置まで搬送する第５の工
程と、 再び所定位置に戻つた、成膜された基体を控え
室を介して搬出路に送り込む第６の工程とを具備
することを特徴とするアモルフアス・シリコン感
光体製造方法。 ２ 前記第４の工程は、 控え室と搬送路との間にある第１のシヤツタを
閉じ、控え室と搬入路との間にある第２のシヤツ
タを開き、搬入路上の基体を控え室内に入れる第
１のステツプと、 第２のシヤツタを閉じ、控え室を真空に引く第
２のステツプと、 第１のシヤツタを開き、控え室内の基体を搬送
路に送り出す第３のステツプと、 第１のシヤツタを閉じ、控え室を減圧する第４
のステツプとを備え、 前記第５の工程は基体を自転運動させることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモルフ
アス・シリコン感光体製造方法。 ３ 前記第４の工程は、第２のステツプと第３の
ステツプとの間に前部控え室内に不活性ガスを導
入して減圧を緩和する第５のステツプを備えてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
アモルフアス・シリコン感光体製造方法。 ４ 前記第６の工程は、 控え室と搬送路との間にある前記第１のシヤツ
タを開き、控え室と搬出路との間にある第３のシ
ヤツタを閉じ、搬送路上の成膜された基体を控え
室内に入れる第６のステツプと、 第３のシヤツタを閉じ、控え室を減圧する第７
のステツプと、 第３のシヤツタを開き、控え室内の基体を搬出
路に送り出す第８のステツプとを備えていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモル
フアス・シリコン感光体製造方法。 ５ 前記第６の工程は、 第７のステツプと第８のステツプの間に、控え
室内に不活性ガスを導入して、減圧を緩和する第
９のステツプを備えていることを特徴とする特許
請求の範囲第４項記載のアモルフアス・シリコン
感光体製造方法。 ６ 前記第８のステツプの後に、第１のステツプ
が引き続いて行なわれることを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載のアモルフアス・シリコン感
光体製造方法。 ７ 前記第４の工程は、１個づつ基体を送り込む
工程であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第６項のいずれかに記載のアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法。 ８ 前記第６の工程は１個づつ基体を送り込む工
程であることを特徴とする特許請求の範囲第７項
記載のアモルフアス・シリコン感光体製造方法。 ９ 前記第４の工程は膜形成室に収納可能な数を
１度に送り込む工程であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載
のアモルフアス・シリコン感光体製造方法。 １０ 前記第６の工程は膜形成室に収納可能な数
を一度に送り込む工程であることを特徴とする特
許請求の範囲第９項記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造方法。 １１ 基体表面にアモルフアス・シリコン感光層
を形成して、アモルフアス・シリコン感光体を製
造するアモルフアス・シリコン感光体製造装置に
おいて、 基部と、 この基部上に取り付けられ、無端の搬送路を包
含して、内部を複数の基体を収納可能な膜形成室
とするケーシングと、 ケーシング内に少なくともSiを含むガスを供給
するガス供給手段と、 ケーシング内のSiを含むガスをラジカル化させ
る放電手段と、 膜形成室の所定位置と、搬入路の終端と、搬出
路の始端とに接続される控え室と、 搬送路上に設けられ、この上の基体を搬送路に
沿つて無端走行させる第１の移動機構と、 搬入路上に設けられ、この上の基体を控え室に
送り出す第２の移動機構と、 搬出路上に設けられ、この上の成膜された基体
を始端から末端に向けて移動させる第３の移動機
構と、 控え室内に設けられ、搬入路から送り出された
基体を膜形成室の所定位置に送り出し、搬送路を
無端走行して成膜され、所定位置に復帰した基体
を、控え室内に取り入れ、成膜された基体を搬出
路に送り出す第４の移動機構と、 膜形成室及び控え室を選択的に減圧する減圧手
段とを具備することを特徴とするアモルフアス・
シリコン感光体製造装置。 １２ 前記控え室は、膜形成室の所定位置との間
に開閉可能な第１のシヤツタと、搬入路との間に
開閉可能な第２のシヤツタと、搬出路との間に開
閉可能な第３のシヤツタとを備えていることを特
徴とする特許請求の範囲第１１項記載のアモルフ
アス・シリコン感光体製造装置。 １３ 前記第１の移動機構は、基体を自転運動さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第１２項記
載のアモルフアス・シリコン感光体製造装置。 １４ 前記ガス供給手段は、基体の無端走行方向
に沿つて、基体を間において、互いに対向して延
在する一対のガス導入部を備えていることを特徴
とする特許請求の範囲第１１項ないし１３項のい
ずれかに記載のアモルフアス・シリコン感光体製
造装置。 １５ 前記放電手段は電源を備え、この電源は一
対のガス導入部にそれぞれ接続され、前記各基体
はアースされていることを特徴とする特許請求の
範囲第１４項記載のアモルフアス・シリコン感光
体製造装置。 １６ 前記搬送路は円状に形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１１項ないし第１５
項のいずれかに記載のアモルフアス・シリコン感
光体製造装置。 １７ 前記ケーシングは円筒状に形成され、この
ケーシングの中心は、駆動機構による円状の移動
軌跡の中心に一致していることを特徴とする特許
請求の範囲第１６項記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造装置。 １８ 前記第１の移動機構は、ケーシングの中心
と一致した回転中心を有する円板状の駆動台と、
前記各、基体が載置され、この駆動台上に、これ
の同心円上に位置して回転可能に配設される載置
台とを備えることを特徴とする特許請求の範囲第
１７項記載のアモルフアス・シリコン感光体製造
装置。 １９ 前記載置台は、基体が載置される円板状の
部材と、この部材の外周に渡つて形成された第１
の歯車とを備え、 前記第１の移動機構は前記基部に固定され、ケ
ーシングの中心と一致した中心を有する円状の第
２の歯車を、前記第２の噛合可能に備えているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１８項記載のア
モルフアス・シリコン感光体製造装置。 ２０ 前記搬送路は長円形に形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１１項ないし第１
５項のいずれかに記載のアモルフアス・シリコン
感光体製造装置。 ２１ 前記搬送路は略長方形に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１１項ないし第
１５項のいずれかに記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造装置。 ２２ 前記控え室は、１個の基体を収納するに充
分な大きさに形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１１項ないし第２１項のいずれか
に記載のアモルフアス・シリコン感光体製造装
置。 ２３ 前記控え室は膜形成室に収納可能な基体の
数と同数の基体を収納するに充分な大きさに形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
１項ないし第２１項のいずれかに記載のアモルフ
アス・シリコン感光体製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015877A JPS58132756A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法とその製造装置 |
| US06/457,231 US4501766A (en) | 1982-02-03 | 1983-01-11 | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| GB08300948A GB2114160B (en) | 1982-02-03 | 1983-01-14 | Film depositing apparatus and method |
| DE3303435A DE3303435C2 (de) | 1982-02-03 | 1983-02-02 | Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015877A JPS58132756A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法とその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132756A JPS58132756A (ja) | 1983-08-08 |
| JPH03626B2 true JPH03626B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=11901016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015877A Granted JPS58132756A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法とその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132756A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010618A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| EP0154160B2 (en) * | 1984-02-14 | 1992-10-21 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method and apparatus for making electrophotographic devices |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP57015877A patent/JPS58132756A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58132756A (ja) | 1983-08-08 |
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