JPH0363505B2 - - Google Patents
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- JPH0363505B2 JPH0363505B2 JP58044029A JP4402983A JPH0363505B2 JP H0363505 B2 JPH0363505 B2 JP H0363505B2 JP 58044029 A JP58044029 A JP 58044029A JP 4402983 A JP4402983 A JP 4402983A JP H0363505 B2 JPH0363505 B2 JP H0363505B2
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- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00038—Production of contact lenses
- B29D11/00125—Auxiliary operations, e.g. removing oxygen from the mould, conveying moulds from a storage to the production line in an inert atmosphere
- B29D11/00134—Curing of the contact lens material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/0022—Multi-cavity moulds
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/80—Apparatus for specific applications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
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- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S425/00—Plastic article or earthenware shaping or treating: apparatus
- Y10S425/808—Lens mold
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- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Eyeglasses (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、眼と接触して使用されるのに必要な
光学的品質を有し、求められた修正を確実に行い
得るような最終製品を構成するコンタクトレンズ
のモールド成形による改良された製造方法及びそ
のための新規な製造装置に関する。
光学的品質を有し、求められた修正を確実に行い
得るような最終製品を構成するコンタクトレンズ
のモールド成形による改良された製造方法及びそ
のための新規な製造装置に関する。
1981年９月４日に第2477059号として公開され
た仏国特許願第80.04751号にはレンズの製造方法
が記載されているが、この製造方法においては、
レンズが閉じた密封型内でモールド成形によつ
て、補充的な加工を要せずに適当な光学的品質を
有するようにして直接にその最終的形状に合致さ
せるのに適した条件で製造されるようになつてい
る。
た仏国特許願第80.04751号にはレンズの製造方法
が記載されているが、この製造方法においては、
レンズが閉じた密封型内でモールド成形によつ
て、補充的な加工を要せずに適当な光学的品質を
有するようにして直接にその最終的形状に合致さ
せるのに適した条件で製造されるようになつてい
る。
本発明は得られるレンズの品質を向上させる目
的で上述の方法を改良することを提案するもので
ある。
的で上述の方法を改良することを提案するもので
ある。
本発明の他の目的は上述の公知の製造方法より
も所要製造時間及び必要なエネルギー消費量を減
少させることである。
も所要製造時間及び必要なエネルギー消費量を減
少させることである。
本発明のさらに他の目的はレンズに適当な光学
的品質を与えて甚だ薄いレンズの製造を可能とな
すことである。
的品質を与えて甚だ薄いレンズの製造を可能とな
すことである。
そのために、本発明によつて提案される方法は
実質的に、レンズを作るのに必要な基材組成の量
の熱慣性よりも著しく大きい熱慣性を有するよう
に作られた中空部が製造されるレンズの形状を再
現するようになつている閉じた密封されて超高周
波電磁波に対して透過性又は吸収の少ない材料か
ら構成された型を用意し、 超高周波に対して吸収性を有する重合可能の二
重結合の一つ又はそれ以上の単量体より出発した
前記基材組成を準備し、 超高周波を放射することにより閉じた型の内部
の前記基材組成の重合を確実に行う、 ことより成つている。
実質的に、レンズを作るのに必要な基材組成の量
の熱慣性よりも著しく大きい熱慣性を有するよう
に作られた中空部が製造されるレンズの形状を再
現するようになつている閉じた密封されて超高周
波電磁波に対して透過性又は吸収の少ない材料か
ら構成された型を用意し、 超高周波に対して吸収性を有する重合可能の二
重結合の一つ又はそれ以上の単量体より出発した
前記基材組成を準備し、 超高周波を放射することにより閉じた型の内部
の前記基材組成の重合を確実に行う、 ことより成つている。
本発明によつて前記重合作用は、それぞれ前記
基材組成の量を含む多数の型を使用される超高周
波の周波数に対して単一モードの共鳴空間を構成
する閉じた少なくとも一つの金属容器の内部に配
置し、前記型を電磁場波が概ね均一な前記空間内
の区域内に、しかも前記型内に含まれる基材組成
の量を前記共鳴空間の内部に適した装填物となる
ように配置して行われるのである。
基材組成の量を含む多数の型を使用される超高周
波の周波数に対して単一モードの共鳴空間を構成
する閉じた少なくとも一つの金属容器の内部に配
置し、前記型を電磁場波が概ね均一な前記空間内
の区域内に、しかも前記型内に含まれる基材組成
の量を前記共鳴空間の内部に適した装填物となる
ように配置して行われるのである。
使用される型は特に一方を他方に密封状態に嵌
合させた２部分より成る型となされる。
合させた２部分より成る型となされる。
望ましいのは、一つの軸線の廻りに回転対称的
となされたモードTM010（横方向磁気モード）
（Transverse Magnetic Mode）による共鳴空間
を構成する容器、特に円筒形容器を使用し、この
容器がこの共鳴モードに有利な超高周波放射装
置、特に容器の軸線に沿つて伸長する放射アンテ
ナ又は中央横断面内に位置する放射絞りによつて
励起されて共鳴空間内に生ずる電磁場が、力線が
容器の回転軸線に平行な直線となされるような電
場及び力線が前記軸線を中心とする円となされる
ような磁場より構成されるのである。
となされたモードTM010（横方向磁気モード）
（Transverse Magnetic Mode）による共鳴空間
を構成する容器、特に円筒形容器を使用し、この
容器がこの共鳴モードに有利な超高周波放射装
置、特に容器の軸線に沿つて伸長する放射アンテ
ナ又は中央横断面内に位置する放射絞りによつて
励起されて共鳴空間内に生ずる電磁場が、力線が
容器の回転軸線に平行な直線となされるような電
場及び力線が前記軸線を中心とする円となされる
ような磁場より構成されるのである。
注目すべきことは、必要な場合には他の態様の
励起作用も行い得ることであつて、特に磁場の力
線の平面に垂直な誘導リングによつて与えられる
ことができる。同様に共鳴モードも異なるものと
なすことができ、特にモードTM110によつて構
成されることができるが、この場合電場の力線は
回転軸線に平行な直線となされ、磁場の力線は軸
線に垂直な平面内にあつてこの軸線を通る対称平
面を有する曲線となされるのである。
励起作用も行い得ることであつて、特に磁場の力
線の平面に垂直な誘導リングによつて与えられる
ことができる。同様に共鳴モードも異なるものと
なすことができ、特にモードTM110によつて構
成されることができるが、この場合電場の力線は
回転軸線に平行な直線となされ、磁場の力線は軸
線に垂直な平面内にあつてこの軸線を通る対称平
面を有する曲線となされるのである。
望ましい実施態様によれば、型は容器の回転軸
線に沿い、又はその廻りに配置される一つ又は多
数の塔を形成するように互に上下に重ね合される
状態にて電磁場が最大で均一である区域内に配置
されるのである。
線に沿い、又はその廻りに配置される一つ又は多
数の塔を形成するように互に上下に重ね合される
状態にて電磁場が最大で均一である区域内に配置
されるのである。
試験の結果は、この方法が突然又は周期的な振
動を伴わずに共鳴空間内に含まれる総てのレンズ
に同じ処理を確実に行うことができ、重合の過程
で材料の変形や剥離の危検を伴わずに著しく優れ
た光学的特性のレンズを得るのに最良の条件でエ
ネルギーの伝達を確実に行い得ることを示してい
る。
動を伴わずに共鳴空間内に含まれる総てのレンズ
に同じ処理を確実に行うことができ、重合の過程
で材料の変形や剥離の危検を伴わずに著しく優れ
た光学的特性のレンズを得るのに最良の条件でエ
ネルギーの伝達を確実に行い得ることを示してい
る。
本発明の他の特徴によつて、容器内に温度勾配
を生ずるのを避けるために容器の換気を確実にな
すのが望ましい。使用される重合可能の材料の大
部分に対して容器は、これの内部の超高周波の平
均強度密度が約10-2及び50・10-2watt／cm3の間に
あるように超高周波を供給するのである。
を生ずるのを避けるために容器の換気を確実にな
すのが望ましい。使用される重合可能の材料の大
部分に対して容器は、これの内部の超高周波の平
均強度密度が約10-2及び50・10-2watt／cm3の間に
あるように超高周波を供給するのである。
このような条件で、型の高さにおける温度は大
体均一で約40℃より低いのである。
体均一で約40℃より低いのである。
レンズを作るために使用される基材組成は特に
大きい分子体積を有する以下のヒドロキシ・メチ
ル・メタクリレート、ヒドロキシ・プロピル・メ
タクリレート、ヒドロキシ・エチル・アクリレー
ト、エチレン・グリコール・ジメタクリレート、
Ｎビニル・ピロリドン、メチル・メタクリレー
ト、メタクリル酸の群からの一つの単量体又は多
くの単量体の混合物より構成されるのである。
大きい分子体積を有する以下のヒドロキシ・メチ
ル・メタクリレート、ヒドロキシ・プロピル・メ
タクリレート、ヒドロキシ・エチル・アクリレー
ト、エチレン・グリコール・ジメタクリレート、
Ｎビニル・ピロリドン、メチル・メタクリレー
ト、メタクリル酸の群からの一つの単量体又は多
くの単量体の混合物より構成されるのである。
試験の観察によれば、得られた結果は、前記基
材組成に重量比で約0.04％及び0.15％の間の特に
アゾビスイソブチロニトリル、又はヒドロ・ペロ
キシド又はペロキシドによつて構成される開始剤
を混合することによつて大部分の場合に改善され
た。
材組成に重量比で約0.04％及び0.15％の間の特に
アゾビスイソブチロニトリル、又はヒドロ・ペロ
キシド又はペロキシドによつて構成される開始剤
を混合することによつて大部分の場合に改善され
た。
本発明はさらに上述の方法を実施することがで
きるコンタクトレンズの製造装置に拡張される
が、この装置は実質的に、予め定められた周波数
の超高周波発生装置と、前記周波数に対する単一
モードの共鳴空間を形成するに適した閉じた金属
容器と、前記超高周波発生装置及び前記共鳴空間
を連結する放射装置と、前記空間の均一な電磁場
の区域内に前記型を配置可能となすように前記空
間内に設けられた多数の型の位置決め装置とを含
んでいる。
きるコンタクトレンズの製造装置に拡張される
が、この装置は実質的に、予め定められた周波数
の超高周波発生装置と、前記周波数に対する単一
モードの共鳴空間を形成するに適した閉じた金属
容器と、前記超高周波発生装置及び前記共鳴空間
を連結する放射装置と、前記空間の均一な電磁場
の区域内に前記型を配置可能となすように前記空
間内に設けられた多数の型の位置決め装置とを含
んでいる。
上述の装置の容器は特に円筒形状となすことが
でき、内径Ｄは、 モードTM010の場合 Ｄ＝2.29・104／〓１％ モードTM110の場合 Ｄ＝3.65・104／ となされるが、その際にＤはmmで表わされ、は
メガヘルツで表わされた波動の周波数である。
（使用される周波数は一般に工業的な周波数
2450Mhz、915Mhz、434Mhz……である。） さらに、本発明の装置は換気装置、すなわち容
器の周囲の外気の流れを確保するか、又は空気出
口と組合された容器の内部への空気送風装置を設
けられるのが有利である。
でき、内径Ｄは、 モードTM010の場合 Ｄ＝2.29・104／〓１％ モードTM110の場合 Ｄ＝3.65・104／ となされるが、その際にＤはmmで表わされ、は
メガヘルツで表わされた波動の周波数である。
（使用される周波数は一般に工業的な周波数
2450Mhz、915Mhz、434Mhz……である。） さらに、本発明の装置は換気装置、すなわち容
器の周囲の外気の流れを確保するか、又は空気出
口と組合された容器の内部への空気送風装置を設
けられるのが有利である。
本発明の装置は唯一つの容器又は同じようにエ
ネルギー分配を受けるように連結された多数の容
器を含むことができる。
ネルギー分配を受けるように連結された多数の容
器を含むことができる。
上述にて一般的形態で示された本発明のさらに
他の特徴、目的及び利点は、本発明の範囲を限定
しないものとして作られた添付図面を参照して以
下の説明よりよく理解される。
他の特徴、目的及び利点は、本発明の範囲を限定
しないものとして作られた添付図面を参照して以
下の説明よりよく理解される。
第１図、第２図、及び第３図に本発明の実施例
として示された装置は、モールド成形後に道具に
よる作業又は他の仕上げ加工を受けさせる必要が
なく、しかも総ての要求された特性（幾何学的、
機械的及び光学的）を有する親水性のコンタクト
レンズ（又は可撓性レンズ）のモールド成形によ
る製造を行うように企図されている。
として示された装置は、モールド成形後に道具に
よる作業又は他の仕上げ加工を受けさせる必要が
なく、しかも総ての要求された特性（幾何学的、
機械的及び光学的）を有する親水性のコンタクト
レンズ（又は可撓性レンズ）のモールド成形によ
る製造を行うように企図されている。
そのために、レンズを形成するように定められ
た基材組成の或る量を入れられる型内の閉じた容
積を規定するために互に嵌合されて密封状態に閉
じられた２部分よりそれぞれ構成される型（第３
図にて符号１によつて重ね合されて示されてい
る）を使用するのである。型のそれぞれの部分は
超高周波に対して透過性の材料、特に純ポリプロ
ピレン（polypropyline pur non charge）、ポリ
エチレン及びポリメチルペンタンより作られ、型
内に含まれる基材組成の量の容積及び重量よりも
甚だ大きい容積及び重量を有する。
た基材組成の或る量を入れられる型内の閉じた容
積を規定するために互に嵌合されて密封状態に閉
じられた２部分よりそれぞれ構成される型（第３
図にて符号１によつて重ね合されて示されてい
る）を使用するのである。型のそれぞれの部分は
超高周波に対して透過性の材料、特に純ポリプロ
ピレン（polypropyline pur non charge）、ポリ
エチレン及びポリメチルペンタンより作られ、型
内に含まれる基材組成の量の容積及び重量よりも
甚だ大きい容積及び重量を有する。
本発明による装置はレンズの完全な幾何学的及
び光学的品質を得るために適当な条件で多数のレ
ンズの重合を行わせることができる。この装置は
電源３に組合されたマグネトロン２を含み、これ
が選択された周波数における基本モードの伝播を
可能となすのに適した矩形断面形状の導波ガイド
４に対して定められた周波数の超高周波を発生す
るのである。
び光学的品質を得るために適当な条件で多数のレ
ンズの重合を行わせることができる。この装置は
電源３に組合されたマグネトロン２を含み、これ
が選択された周波数における基本モードの伝播を
可能となすのに適した矩形断面形状の導波ガイド
４に対して定められた周波数の超高周波を発生す
るのである。
導波ガイド４に沿つて、静止波の比率が著しく
増大した場合にマグネトロンを保護するために接
続装填物（charge annexe）に向つて反射波を導
くことを可能となすサーキユレーター５と、静止
波の比率の値を制御するための、ミリワツトメー
ター７と組合されたバイカツプラー６
（bicoupleur）と、この比率を１に近い値に調節
するため比率を変化させ得る制御可能のアダプタ
ーＥ／Ｈ８とが配置される。
増大した場合にマグネトロンを保護するために接
続装填物（charge annexe）に向つて反射波を導
くことを可能となすサーキユレーター５と、静止
波の比率の値を制御するための、ミリワツトメー
ター７と組合されたバイカツプラー６
（bicoupleur）と、この比率を１に近い値に調節
するため比率を変化させ得る制御可能のアダプタ
ーＥ／Ｈ８とが配置される。
そのために、このアダプターは、導波ガイドに
対して横方向（それぞれ電場に平行及び磁場に平
行）に位置する２つの部分の内部で移動できる金
属のピストンによつて形成された２つの可動短絡
回路（courts circuits mobiles）を含んでいる。
対して横方向（それぞれ電場に平行及び磁場に平
行）に位置する２つの部分の内部で移動できる金
属のピストンによつて形成された２つの可動短絡
回路（courts circuits mobiles）を含んでいる。
導波ガイド４の端部にモードTM010の共鳴空
間を構成する円筒形の金属容器９が連結されてい
る。
間を構成する円筒形の金属容器９が連結されてい
る。
第３図に断面で示されているこの容器９は黄銅
で作られていて、黄銅の円板によつてそれぞれの
端部を遮断され、上方の円板は固定されている。
後述の例にて使用される2450Mhzに等しい波長
に対して容器の内径Ｄは93.7mmに等しい。
で作られていて、黄銅の円板によつてそれぞれの
端部を遮断され、上方の円板は固定されている。
後述の例にて使用される2450Mhzに等しい波長
に対して容器の内径Ｄは93.7mmに等しい。
容器９は導波ガイド４に連結され、軸線方向の
金属アンテナ１０を介在させることによつて導波
ガイドの上に保持されていて、このアンテナは容
器の高さの一部（容器の高さの約2/3と3/4との
間）だけ伸長している。このアンテナは容器９の
下方の円板に設けられた開口を通り、導波ガイド
４に設けられた他の開口を通つて導波ガイド４内
に侵入している。アンテナ１０の下端は導波ガイ
ド４の側壁の間に配置される連結横棒１１に支持
されている。
金属アンテナ１０を介在させることによつて導波
ガイドの上に保持されていて、このアンテナは容
器の高さの一部（容器の高さの約2/3と3/4との
間）だけ伸長している。このアンテナは容器９の
下方の円板に設けられた開口を通り、導波ガイド
４に設けられた他の開口を通つて導波ガイド４内
に侵入している。アンテナ１０の下端は導波ガイ
ド４の側壁の間に配置される連結横棒１１に支持
されている。
この実施例では、アンテナ１０は横棒１１に溶
接されて、導波ガイド４の開口内に設けられたポ
リテトラフルオロエチレンのワツシヤーによつて
案内される金属部片１２によつて支持されてい
て、アンテナ１０は下端を部片１２のねじを切ら
れた盲孔内にねじ込まれている。
接されて、導波ガイド４の開口内に設けられたポ
リテトラフルオロエチレンのワツシヤーによつて
案内される金属部片１２によつて支持されてい
て、アンテナ１０は下端を部片１２のねじを切ら
れた盲孔内にねじ込まれている。
型１は第２図及び第３図に示されるようにアン
テナ１０の周囲に８個の塔に上下に重ね合された
状態で配置されている。これらの型は、超高周波
に対して透過性又は僅かな吸収性の誘電体材料特
にポリテトラフルオロエチレン又はシリコーンで
作られた符号１３又は１４で示されるような管状
ガイドによつて所定位置に支持されている。これ
らのガイドの底部には下部の型の支持部を形成す
る内方へ張出した肉厚部が設けられている。これ
らのガイドの内径は型を内部に挿入できるように
型の外径よりも僅かに大きい。
テナ１０の周囲に８個の塔に上下に重ね合された
状態で配置されている。これらの型は、超高周波
に対して透過性又は僅かな吸収性の誘電体材料特
にポリテトラフルオロエチレン又はシリコーンで
作られた符号１３又は１４で示されるような管状
ガイドによつて所定位置に支持されている。これ
らのガイドの底部には下部の型の支持部を形成す
る内方へ張出した肉厚部が設けられている。これ
らのガイドの内径は型を内部に挿入できるように
型の外径よりも僅かに大きい。
管状ガイド１３及び１４は容器９内にこれの軸
線に平行に、容器の円周壁に接着された符号１５
で示されるような２個の保持円板によつて位置決
めされていて、これらの円板はガイド１３及び１
４と同じ材料によつて作られ、ガイド１３及び１
４を貫通させるための８個の孔を設けられてい
る。このようにしてガイド１３及び１４は位置を
固定され、保持円板１５によつてガイドの内部に
型を配置するために容器９から取出され、しかる
後に容器９内の適当な位置に挿入されることがで
きるようになつている。
線に平行に、容器の円周壁に接着された符号１５
で示されるような２個の保持円板によつて位置決
めされていて、これらの円板はガイド１３及び１
４と同じ材料によつて作られ、ガイド１３及び１
４を貫通させるための８個の孔を設けられてい
る。このようにしてガイド１３及び１４は位置を
固定され、保持円板１５によつてガイドの内部に
型を配置するために容器９から取出され、しかる
後に容器９内の適当な位置に挿入されることがで
きるようになつている。
第２図及び第３図に示されるようにガイド１３
のような中央の４個の管状ガイドが容器の殆どの
高さまで伸長するようにアンテナ１０の真近に配
置されるとともに、符号１４で示されるような周
囲の４個のガイドは容器の高さの一部（中央の区
域の高さ）に伸長するように中央のガイド１３の
直接近い周囲に配置されている。
のような中央の４個の管状ガイドが容器の殆どの
高さまで伸長するようにアンテナ１０の真近に配
置されるとともに、符号１４で示されるような周
囲の４個のガイドは容器の高さの一部（中央の区
域の高さ）に伸長するように中央のガイド１３の
直接近い周囲に配置されている。
このようにしてこれらのガイドの中に収容され
る型は重ね合されて塔の形状に配置され、第２図
に示されるようにアンテナ１０の真近に互に２個
が直径方向に対向して配置された高さの大きい４
個の塔及びこれらの４個の塔の外周を分離する空
間内に配置される他の４個の短い塔を形成してい
る。これらの型の塔によつて占められている中央
の有効容積が容器の全体の容積の一部をなしてい
る。
る型は重ね合されて塔の形状に配置され、第２図
に示されるようにアンテナ１０の真近に互に２個
が直径方向に対向して配置された高さの大きい４
個の塔及びこれらの４個の塔の外周を分離する空
間内に配置される他の４個の短い塔を形成してい
る。これらの型の塔によつて占められている中央
の有効容積が容器の全体の容積の一部をなしてい
る。
試験の結果はこの有効容積が全体の容積の1/4
程度となし得ることを示していて、力線がアンテ
ナ１０に平行な直線となつている電場及び力線が
アンテナと同心的な円となつている磁場がガイド
１４の上方及び下方の高い部分及び低い部分を除
いてこの有効容積内で均一となつている（すなわ
ちガイド１４は前記高い部分及び低い部分内に伸
長しないように短くなつている）。
程度となし得ることを示していて、力線がアンテ
ナ１０に平行な直線となつている電場及び力線が
アンテナと同心的な円となつている磁場がガイド
１４の上方及び下方の高い部分及び低い部分を除
いてこの有効容積内で均一となつている（すなわ
ちガイド１４は前記高い部分及び低い部分内に伸
長しないように短くなつている）。
その他、若干の応用例において、若干の型の代
りに補助的な誘電体の装填物を設けるのが有効で
あることが確認されている。超高周波に対して吸
収性の材料より作られているこれらの装填物は基
材組成の量を含む型によつて構成されることがで
きるが、しかし得られるレンズは、他のものに比
してその品質が劣る。これらの装填物は使用され
る型の高さの電磁場の均一性を向上させるのに有
効で、大なるエネルギー効率（90％程度となすこ
とができる）を得るために空間内に含まれる装填
物の組合せ体に良好に適応するのを容易になす。
試験の結果はこれらの装填物が一般にガイド１３
（高さの大きいガイド）の底部に配置されるよう
にしなければならないことを示している。
りに補助的な誘電体の装填物を設けるのが有効で
あることが確認されている。超高周波に対して吸
収性の材料より作られているこれらの装填物は基
材組成の量を含む型によつて構成されることがで
きるが、しかし得られるレンズは、他のものに比
してその品質が劣る。これらの装填物は使用され
る型の高さの電磁場の均一性を向上させるのに有
効で、大なるエネルギー効率（90％程度となすこ
とができる）を得るために空間内に含まれる装填
物の組合せ体に良好に適応するのを容易になす。
試験の結果はこれらの装填物が一般にガイド１３
（高さの大きいガイド）の底部に配置されるよう
にしなければならないことを示している。
第４図は管状ガイドの他の実施例を示し、この
実施例ではガイドは穿孔されていて、型の案内は
円形の部分１７によつて間隔をおいて配置される
４個の柱１６によつて行われるようになつてい
る。注目されることは必要な場合に型は互い上下
に嵌合可能になされたガイドの簡単化又はさらに
ガイドを完全に廃止し得ることである。
実施例ではガイドは穿孔されていて、型の案内は
円形の部分１７によつて間隔をおいて配置される
４個の柱１６によつて行われるようになつてい
る。注目されることは必要な場合に型は互い上下
に嵌合可能になされたガイドの簡単化又はさらに
ガイドを完全に廃止し得ることである。
第５図は型の位置決め装置の（さらに縮小した
尺度の）他の実施例を示す。既述の８個のガイド
は唯１個の塔１８（超高周波に対し透過性の同様
の材料で作られている）に置換えられていて、符
号１９で示されるような多数の横孔を有し、型を
入れて閉塞させることができるようになつてい
る。このようにしてこれらの型はそれぞれ横方向
の位置で（第５図には型の１個が入れられた状態
を示す）上下に並べられるのである。塔１８は既
述のものと同様にこの塔の軸線方向の開口２０内
に配置されるアンテナの廻りに配置される。
尺度の）他の実施例を示す。既述の８個のガイド
は唯１個の塔１８（超高周波に対し透過性の同様
の材料で作られている）に置換えられていて、符
号１９で示されるような多数の横孔を有し、型を
入れて閉塞させることができるようになつてい
る。このようにしてこれらの型はそれぞれ横方向
の位置で（第５図には型の１個が入れられた状態
を示す）上下に並べられるのである。塔１８は既
述のものと同様にこの塔の軸線方向の開口２０内
に配置されるアンテナの廻りに配置される。
その他、この装置の容器９には換気装置が組合
されて、容器の上部を冷却することができるよう
になして容器の内部の加熱及び対流により温度勾
配の生ずるのを避けるようになすのが望ましい。
されて、容器の上部を冷却することができるよう
になして容器の内部の加熱及び対流により温度勾
配の生ずるのを避けるようになすのが望ましい。
この換気は容器９の上部に軸線方向に配置され
る外部換気装置２１（第６図）によつて確保され
ることができる。このような配置は容器内に含ま
れる装填物が比較的少量である場合に温度勾配を
制限するのに適している。
る外部換気装置２１（第６図）によつて確保され
ることができる。このような配置は容器内に含ま
れる装填物が比較的少量である場合に温度勾配を
制限するのに適している。
上述と反対の場合には、第７図に示すように容
器の内部に或る量の空気を吹込むに適した送風装
置を設けるのが望ましい。この吹込み空気は容器
の上部の円板の軸線方向の開口２２を通して導入
され、空気孔を有する中央の塔２３（超高周波に
対して透過性の材料で作られている）によつて案
内されるが、この塔はアンテナを取巻いて容器の
一端から他端まで伸長していて、空気はこの塔２
３の上部に形成された孔を通して導入されるので
ある。空気の出口２４が容器の円筒壁に設けられ
て、空気の排出を行うようになつている。
器の内部に或る量の空気を吹込むに適した送風装
置を設けるのが望ましい。この吹込み空気は容器
の上部の円板の軸線方向の開口２２を通して導入
され、空気孔を有する中央の塔２３（超高周波に
対して透過性の材料で作られている）によつて案
内されるが、この塔はアンテナを取巻いて容器の
一端から他端まで伸長していて、空気はこの塔２
３の上部に形成された孔を通して導入されるので
ある。空気の出口２４が容器の円筒壁に設けられ
て、空気の排出を行うようになつている。
上述の装置は既述のように唯１個の容器９を設
けられることができ、又は第８図及び第９図に示
されるように多数の同じ容器を設けられることも
できる。
けられることができ、又は第８図及び第９図に示
されるように多数の同じ容器を設けられることも
できる。
第８図に示される装置は導波ガイドの端部の同
じ横棒によつて連結された２個の容器を設けられ
ていて、これらの容器は互に上下に対称的に配置
されている。
じ横棒によつて連結された２個の容器を設けられ
ていて、これらの容器は互に上下に対称的に配置
されている。
第９図の装置は導波ガイドから横方向に伸長す
る導波ガイドの部分に配置される２個の横棒によ
つて連結された２個の容器を設けられている。こ
れらの２個の横棒は導波ガイドから等距離だけ間
隔をおかれている。第８図の連結装置を第９図の
連結装置に組合せて４個の容器を設けることも可
能である。
る導波ガイドの部分に配置される２個の横棒によ
つて連結された２個の容器を設けられている。こ
れらの２個の横棒は導波ガイドから等距離だけ間
隔をおかれている。第８図の連結装置を第９図の
連結装置に組合せて４個の容器を設けることも可
能である。
必要な場合には、他の連結装置が、さらに多数
の容器を配置し、同じようにエネルギー分配を行
うために設けられることができる。
の容器を配置し、同じようにエネルギー分配を行
うために設けられることができる。
その他、第１０図、第１１図及び第１２図はさ
らに他の実施例を略示しているが、この場合容器
は放射絞り２５によつて導波ガイド４の端部に連
結されるようになつている。この絞りは容器の中
央横断面に対して上下に対称的で、容器の円筒壁
に作られた窓によつて形成されている。
らに他の実施例を略示しているが、この場合容器
は放射絞り２５によつて導波ガイド４の端部に連
結されるようになつている。この絞りは容器の中
央横断面に対して上下に対称的で、容器の円筒壁
に作られた窓によつて形成されている。
既述にて示した寸法を有する容器に対してはこ
の絞りの高さは34mmで、展開した横巾は装填量及
び使用状態の関数として50ないし60mmとなされ
る。
の絞りの高さは34mmで、展開した横巾は装填量及
び使用状態の関数として50ないし60mmとなされ
る。
さらに、容器は上部及び下部の壁の中央にそれ
ぞれガイドスリーブ２６及び２７に接続される開
口を形成されている。
ぞれガイドスリーブ２６及び２７に接続される開
口を形成されている。
既述の形式の型が容器の軸線に沿つて容器を貫
通しているポリテトラフルオロエチレンの中央管
状ガイド２８内に配置される。
通しているポリテトラフルオロエチレンの中央管
状ガイド２８内に配置される。
第１１図に示される場合においては、型は処理
の間は不動に保持されてガイド内に接着されたリ
ング２９によつて容器の中央に抑止される。処理
が終つた後に管状ガイド２８は型の交換のために
容器から引出される。
の間は不動に保持されてガイド内に接着されたリ
ング２９によつて容器の中央に抑止される。処理
が終つた後に管状ガイド２８は型の交換のために
容器から引出される。
第１２図に示される場合においては、管状ガイ
ド３０は容器の上部にて型を収容した管より成る
装入管３１に接続され、下部にて排出管３２に接
続されていて、この排出管によつて型がベルトコ
ンベヤー３３上に載置される。このように型が容
器内を通過し、処理は連続的に行われる。ベルト
コンベヤー３３の走行速度は型が容器の中央の有
効容積内に適当な時間だけ滞留するように定めら
れるのである。
ド３０は容器の上部にて型を収容した管より成る
装入管３１に接続され、下部にて排出管３２に接
続されていて、この排出管によつて型がベルトコ
ンベヤー３３上に載置される。このように型が容
器内を通過し、処理は連続的に行われる。ベルト
コンベヤー３３の走行速度は型が容器の中央の有
効容積内に適当な時間だけ滞留するように定めら
れるのである。
以下に示される例１、２及び３は第１図、第２
図及び第３図に示される形式の１個の容器を有す
る装置に第６図に示される形式の外部換気装置を
組合せて行つたものである。例４及び５はそれぞ
れ第１１図に示されるような装置及び第１２図に
示されるような装置にて行われたものである。何
れの場合にも使用された波長は2450Mhzで容器
の高さは294mmであつた。
図及び第３図に示される形式の１個の容器を有す
る装置に第６図に示される形式の外部換気装置を
組合せて行つたものである。例４及び５はそれぞ
れ第１１図に示されるような装置及び第１２図に
示されるような装置にて行われたものである。何
れの場合にも使用された波長は2450Mhzで容器
の高さは294mmであつた。
例 １
−それぞれの閉じた型に装填された基材組成：
ヒドロキシ・エチル・メタクリレート
（Hema） 72.14重量％ ヒドロキシ・プロピル・メタクリレート
（Hpma） 23.73重量％ ヒドロキシ・エチル・アクリレート（Hea）
2.00重量％ エチレン・グリコール・ジメタクリレート
（Ejdma） 0.05重量％ ポリビニル・ピロリドン（PVP） 2.00重量％ アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）
0.08重量％ −それぞれの型の内部の装填量：0.05ｇ −容器内に配置された型の数：36 −それぞれの型の重量：1.30ｇ −損失装填量を含む型によつて形成された補助装
填物の数：12 −補助装填物の配置：ガイド１３の下部 換気装置及びマグネトロンの作動の後でアダプ
ター８が制御されてガイド４内の反射エネルギー
（ミリワツトメーター７により測定）が最少限に
なされた。これによつて次のような処理条件が得
られた。
（Hema） 72.14重量％ ヒドロキシ・プロピル・メタクリレート
（Hpma） 23.73重量％ ヒドロキシ・エチル・アクリレート（Hea）
2.00重量％ エチレン・グリコール・ジメタクリレート
（Ejdma） 0.05重量％ ポリビニル・ピロリドン（PVP） 2.00重量％ アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）
0.08重量％ −それぞれの型の内部の装填量：0.05ｇ −容器内に配置された型の数：36 −それぞれの型の重量：1.30ｇ −損失装填量を含む型によつて形成された補助装
填物の数：12 −補助装填物の配置：ガイド１３の下部 換気装置及びマグネトロンの作動の後でアダプ
ター８が制御されてガイド４内の反射エネルギー
（ミリワツトメーター７により測定）が最少限に
なされた。これによつて次のような処理条件が得
られた。
−容器内に吸収された強度／マグネトロンによつて放
射された強度 ：0.60 −容器内の平均強度密度：0.06watt／cm3 −換気空気量：100/h −周囲温度：20℃ −容器の壁の内面の温度：30℃ −処理時間：30mn 処理の終りに、均一な、幾何的又は光学的欠陥
のない、完全な形状の薄い縁の親水性コンタクト
レンズを得た。得られたそれぞれのレンズは約38
％の水（水和したレンズの最終重量に対する重
量）を吸収するものであつた。
射された強度 ：0.60 −容器内の平均強度密度：0.06watt／cm3 −換気空気量：100/h −周囲温度：20℃ −容器の壁の内面の温度：30℃ −処理時間：30mn 処理の終りに、均一な、幾何的又は光学的欠陥
のない、完全な形状の薄い縁の親水性コンタクト
レンズを得た。得られたそれぞれのレンズは約38
％の水（水和したレンズの最終重量に対する重
量）を吸収するものであつた。
例 ２
この例は光軸の近辺で５／100mmの程度の厚さを有
する甚だ薄いレンズを作ることを企図したもので
ある。
ある。
−それぞれの閉じた型内に装填された基材組量：
Ｎビニル・ピロリドン 74.58％
メチル・メタクリレート 24.84％
エチレン・グリコール・ジメタクリレート
0.50％ アゾビスイソブチロニトリル 0.08％ −それぞれの型の内部の装填量：0.040ｇ −容器内に配置された型の数：36 −それぞれの型の重量：0.85ｇ −損失装填量を含む型によつて形成された補助装
填物の数：８ −補助装填物の配置：ガイド１３の下部 アダプター８の先行した制御が型内に装填され
た組成の変更によつて僅かに修正を要したことを
確認した。
0.50％ アゾビスイソブチロニトリル 0.08％ −それぞれの型の内部の装填量：0.040ｇ −容器内に配置された型の数：36 −それぞれの型の重量：0.85ｇ −損失装填量を含む型によつて形成された補助装
填物の数：８ −補助装填物の配置：ガイド１３の下部 アダプター８の先行した制御が型内に装填され
た組成の変更によつて僅かに修正を要したことを
確認した。
−容器内に吸収された強度／マグネトロンにより放射さ
れた強度：0.50 −容器内の平均強度密度：0.025watt／cm3 −換気空気量：100/h −周囲温度：20℃ −容器の壁の内面の温度：24℃ −処理時間：90mn 厚さが甚だ薄かつたのにもかゝわらず、前述の
ものと同様にレンズの変形がなく、直接に使用で
きるような品質を有していた。
れた強度：0.50 −容器内の平均強度密度：0.025watt／cm3 −換気空気量：100/h −周囲温度：20℃ −容器の壁の内面の温度：24℃ −処理時間：90mn 厚さが甚だ薄かつたのにもかゝわらず、前述の
ものと同様にレンズの変形がなく、直接に使用で
きるような品質を有していた。
例 ３
−基材組成：
２ヒドロキシ・エチル・メタクリレート
99.91％ アゾビスイソブチロニトリル 0.09％ −それぞれの型の内部の装填量：0.04ｇ −容器内に配置された型の数：56 −それぞれの型の重量：0.85ｇ −損失装填量を含む型によつて形成された補助装
填物の数：16 −補助装填物の配置：ガイド１３の下部 −容器内に吸収される強度／マグネトロンにより放射さ
れる強度：0.60 −容器内の平均強度密度：0.045watt／cm3 −換気空気量：100/h −周囲温度：20℃ −容器の壁の内面の温度：25℃ −処理時間：45mn 得られたレンズの品質に関しては前述と同じ説
明が当てはまる（水和率：40％）。
99.91％ アゾビスイソブチロニトリル 0.09％ −それぞれの型の内部の装填量：0.04ｇ −容器内に配置された型の数：56 −それぞれの型の重量：0.85ｇ −損失装填量を含む型によつて形成された補助装
填物の数：16 −補助装填物の配置：ガイド１３の下部 −容器内に吸収される強度／マグネトロンにより放射さ
れる強度：0.60 −容器内の平均強度密度：0.045watt／cm3 −換気空気量：100/h −周囲温度：20℃ −容器の壁の内面の温度：25℃ −処理時間：45mn 得られたレンズの品質に関しては前述と同じ説
明が当てはまる（水和率：40％）。
例 ４
この例においては基材組成は例１と同じであつ
た。５個の型が容器の中心に対して対称的に管状
ガイド２８内に重ねられて配置された。これらの
型はポリメチルペンテンで作られていた。
た。５個の型が容器の中心に対して対称的に管状
ガイド２８内に重ねられて配置された。これらの
型はポリメチルペンテンで作られていた。
−それぞれの型内の装填量：0.02ｇ
−それぞれの型の重量：1.18ｇ
−吸収強度／放射強度：50％
−平均強度密度：0.049watt／cm3
−処理時間：5mn
他の例と比較して処理時間が甚だ短い処理の後
で、得られたレンズは均一で幾何学的又は光学的
欠陥のない状態で重合が行われていた。
で、得られたレンズは均一で幾何学的又は光学的
欠陥のない状態で重合が行われていた。
例 ５
この例においては、基材組成、装填物の重量及
び型の性状は前述の例４と同じであつた。
び型の性状は前述の例４と同じであつた。
型は１cm／mnの程度の速度（ベルトコンベヤ
３３の走行速度）で管状ガイド３０内を連続的に
前進させられた。それぞれの型は容器内に約
30mn滞留し、それぞれの時に容器内に存在した
型の数は約14であつた。
３３の走行速度）で管状ガイド３０内を連続的に
前進させられた。それぞれの型は容器内に約
30mn滞留し、それぞれの時に容器内に存在した
型の数は約14であつた。
吸収強度／放射強度の比率及び平均密度は例４と同程
度 でであつた。
度 でであつた。
得られたレンズの品質に関しては前述の説明が
当てはまるものであつた。
当てはまるものであつた。
第１図は本発明によるレンズの製造装置の概略
的斜視図。第２図は第１図の装置に備えられた容
器の第３図のＡ−Ａ線による断面図。第３図は第
２図のＢ−Ｂ線による断面図。第４図及び第５図
はそれぞれ第１図の容器内の型の位置決め装置の
変形実施例の斜視図。第６図及び第７図はそれぞ
れ第１図の容器に組合される換気装置の２つの実
施例を示すそれぞれ側面図及び断面図。第８図及
び第９図は多数の容器を備えた装置の２つの実施
例をそれぞれ示す斜視図。第１０図は第８図のさ
らに他の実施形態を示す斜視図、第１１図及び第
１２図はそれぞれ第１０図の装置の２つの変形形
態の縦断面図。 １…型、２…マグネトロン、３…電源、４…導
波ガイド、５…サーキユレーター、６…バイカツ
プラー、７…ミリワツトメーター、８…アダプタ
ーE/H、９…容器、１０…金属アンテナ、１１
…連結横棒、１３，１４，２８，３０…管状ガイ
ド、１５…保持円板、１８，２３…塔、２１…換
気装置、３１…装入管、３２…排出管、３３…ベ
ルトコンベヤー。
的斜視図。第２図は第１図の装置に備えられた容
器の第３図のＡ−Ａ線による断面図。第３図は第
２図のＢ−Ｂ線による断面図。第４図及び第５図
はそれぞれ第１図の容器内の型の位置決め装置の
変形実施例の斜視図。第６図及び第７図はそれぞ
れ第１図の容器に組合される換気装置の２つの実
施例を示すそれぞれ側面図及び断面図。第８図及
び第９図は多数の容器を備えた装置の２つの実施
例をそれぞれ示す斜視図。第１０図は第８図のさ
らに他の実施形態を示す斜視図、第１１図及び第
１２図はそれぞれ第１０図の装置の２つの変形形
態の縦断面図。 １…型、２…マグネトロン、３…電源、４…導
波ガイド、５…サーキユレーター、６…バイカツ
プラー、７…ミリワツトメーター、８…アダプタ
ーE/H、９…容器、１０…金属アンテナ、１１
…連結横棒、１３，１４，２８，３０…管状ガイ
ド、１５…保持円板、１８，２３…塔、２１…換
気装置、３１…装入管、３２…排出管、３３…ベ
ルトコンベヤー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レンズを作るのに必要な基材組成の量の熱慣
性よりも著しく大きい熱慣性を有するように作ら
れた中空部が製造されるレンズの形状を再現する
ようになつている閉じた密封されて超高周波電磁
波に対して透過性又は吸収の少ない材料から構成
された型を用意し、 超高周波に対して吸収性を有する重合可能の二
重結合の一つ又はそれ以上の単量体より出発した
前記基材組成を準備し、 超高周波を放射することにより閉じた型の内部
の前記基材組成の重合を確実に行う、 ことよりなる形式の適当な光学的品質のコンタク
トレンズの製造方法において、 それぞれ前記基材組成の量を含む多数の型１を
使用される超高周波の周波数に対して単一モード
の共鳴空間を構成する閉じた少なくとも一つの金
属容器９の内部に配置し、前記型を電磁場が概ね
均一な前記空間内の区域内に、しかも前記型内に
含まれる基材組成の量を前記共鳴空間の内部に適
した装填物となるように配置して前記重合を行う
ことを特徴とする方法。 ２ 前記型１を、一つの軸線の廻りに回転対称的
に前記容器９内に配置してモードTM010又は
TM110による共鳴空間を構成させ、前記容器を
前記共鳴モードに適応するように励起させる特許
請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 前記型１を、力線が概ね前記容器の回転軸線
に平行な直線となるような電場と力線が前記容器
の回転軸線に垂直な平面内にある曲線となされた
磁場とより構成された電磁場を生じるようになさ
れた超高周波放射線１０，２５によつて励起され
る容器９内に配置する特許請求の範囲第２項記載
の方法。 ４ 前記型１を、前記容器９の回転軸線に沿い、
又はこれの廻りに位置する少なくとも一つの塔を
形成するように互いに上下に積重ねられた状態に
配置し、前記塔を前記容器の全容積の一部である
容器の中央の有効容積内に配置する特許請求の範
囲第３項記載の方法。 ５ 前記型をモードTM010の共鳴空間内に挿入
し、中央の４個の塔を前記容器の回転軸線に沿つ
て伸長する放射アンテナ１０の真近に配置し、円
周部の他の４個の塔を前記中央の塔の周囲に極く
近接して配置し、それぞれの前記周囲の塔を２個
の隣接する中央の塔の外周を離隔する空間内に配
置する特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６ 前記型１を、前記中央の塔を前記アンテナ１
０の近傍にあつて前記容器９の高さと殆ど同じに
伸長するように、また前記周囲の塔を前記中央の
塔の真近に前記容器の高さの一部に伸長するよう
に配置する特許請求の範囲第５項記載の方法。 ７ 前記型１を、前記容器９の中央横断面に対し
て対称的な絞り２５を通して励起されるモード
TM010による共鳴空間内に挿入し、前記型１を、
前記容器９をこれの軸線に沿つて通された中央ガ
イド管２８，３０内に配置する特許請求の範囲第
４項記載の方法。 ８ 前記型１を、それぞれの型が処理に必要な時
間前記容器９の中央有効容積内に留めるのに適し
た速度で前記中央ガイド管３０内に前進させる特
許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ 前記型１の一つ又はそれ以上の塔内に前記超
高周波に対して吸収性の材料の補助誘電体装填物
を介在させて型の高さにおける電磁場の均一性を
増大させる特許請求の範囲第４，５，６または７
項の何れか一つに記載の方法。 １０ 前記容器９の内部の温度の均一化のため
に、前記容器９の上部の換気によつて冷却を行
い、前記型１の高さにて約40℃より低い温度を確
保する前掲特許請求の範囲の何れか一つに記載の
方法。 １１ 前記容器９に超高周波を与えて容器の内部
の平均強度密度を約10-2および50・10-2watt／cm3
とする前掲特許請求の範囲の何れは一つに記載の
方法。 １２ 前記基材組成が大きい分子体積を有する以
下のヒドロキシ・メチル・メタクリレート、ヒド
ロキシ・プロピル・メタクリレート、ヒドロキ
シ・エチル・アクリレート、エチレン・グリコー
ル・ジメタクリレート、Ｎ−ビニル・ピロリド
ン、メチル・メタクリレート、メタクリル酸の群
からの一つの単量体又は多くの単量体の混合物で
ある前掲特許請求の範囲の何れか一つに記載の方
法において、前記基材組成に重量比で約0.04％と
0.15％の間の、特にアゾビスイソブチロニトリ
ル、又はヒドロ・ペロキシド又はペロキシドによ
つて構成される開始剤を混合する前掲特許請求の
範囲の何れか一つに記載の方法。 １３ レンズを作るのに必要な基材組成の量の熱
慣性よりも著しく大きい熱慣性を有するように作
られた中空部が製造されるレンズの形状を再現す
るようになつている閉じた密封されて超高周波電
磁波に対して透過性又は吸収の少ない材料から構
成された型を用意し、 超高周波に対して吸収性を有する重合可能の二
重結合の一つ又はそれ以上の単量体より出発した
前記基材組成を準備し、 超高周波を放射することにより閉じた型の内部
の前記基材組成の重合を確実に行う、 ことよりなる形式の適当な光学的品質のコンタク
トレンズの製造装置において、 予め定められた周波数の超高周波発生装置２
と、 前記周波数に対する単一モードの共鳴空間を形
成するに適した閉じた金属容器９と、 前記超高周波発生装置及び前記共鳴空間を連結
する放射装置１０と、 前記空間の均一な電磁場の区域内に前記型を配
置可能となすように前記空間内に設けられた多数
の型の位置決め装置１３，１４，１５とを含むこ
とを特徴とする装置。 １４ Ｄがmmで表わされ、ｆがメガヘルツで表わ
された周波数として、モードTM010の場合に円
筒形の容器９の内径が Ｄ＝2.29・104／ｆ〓１％ であるか、又はモードTM110の場合に内径が Ｄ＝3.65・104／ｆ〓１％ である特許請求の範囲第１３項記載の装置。 １５ 前記放射装置が前記容器９の軸線に沿つて
配置され、導波ガイド４内に侵入するように前記
容器９の円形底部を貫通する軸線方向の金属アン
テナ１０によつて構成され、前記導波ガイド４が
横方向の連結棒１１を設けられていて、これに前
記アンテナ１０が保持されている特許請求の範囲
第１４項記載の装置。 １６ 前記放射装置が前記容器９の中央横断平面
に対して対称的で前記容器９の円筒形隔壁内に設
けられた窓によつて構成された絞り２５によつて
構成されている特許請求の範囲第１４項記載の装
置。 １７ 前記型の位置決め装置が超高周波に対して
透過性又は僅かしか吸収しない誘電体材料の一つ
又は多くのガイド管１３，１４，２８，３０を含
み、前記ガイド管がそれぞれ前記容器９の軸線に
平行に伸長し、前記型を収容し、これを互いに重
ね合された状態で保持するようになつている特許
請求の範囲第１３，１４又は１５項の何れか一つ
に記載の装置。 １８ 重ね合された型のそれぞれの塔を収容する
のに適した不動の８個のガイド１３，１４を含
み、前記容器９が前記ガイドを保持する装置１５
を設けられてこれらのガイドを前記容器の内部の
予め定められた位置に配置し得るようになつてい
る特許請求の範囲第１７項記載の装置。 １９ 前記容器９の軸線に沿つて伸長し、該容器
９を貫通している中央管状ガイドを含んでいる特
許請求の範囲第１７項記載の装置。 ２０ 前記容器９の周囲の外気の流れを確実にす
るのに適した換気装置２１が容器９の上部に設け
られている特許請求の範囲第１３，１４，１５，
１６，１７，１８又は１９項の何れか一つに記載
の装置。 ２１ 前記容器９の上部の内部への送風装置２
２，２３及び空気出口２４を含む換気装置が前記
容器９の上部に設けられている特許請求の範囲第
１３，１４，１５，１６，１７，１８又は１９項
の何れか一つに記載の装置。 ２２ 前記超高周波発生装置が電源３に組合され
たマグネトロン２と、該マグネトロン２を前記容
器９に連結された放射装置１０に連結する導波ガ
イド４と、該導波ガイド４に介装されて前記容器
９の装填物の関数として前記導波ガイド４内の反
射波を最小限になし得るような制御可能のアダプ
ターＥ／Ｈ８とを含んでいる特許請求の範囲第１
３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０
又は２１項の何れか一つに記載の装置。
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