JPH0364078A - 半導体光放出素子 - Google Patents
半導体光放出素子Info
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- JPH0364078A JPH0364078A JP1200481A JP20048189A JPH0364078A JP H0364078 A JPH0364078 A JP H0364078A JP 1200481 A JP1200481 A JP 1200481A JP 20048189 A JP20048189 A JP 20048189A JP H0364078 A JPH0364078 A JP H0364078A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- light emitting
- type semiconductor
- junction
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、プレ−ナー型ＰＮ接合を有し、このＰＮ接合
に逆バイアスを印加し、電子なだれ降伏を生じさせるこ
とによって光を発する半導体光放出素子に関する。
に逆バイアスを印加し、電子なだれ降伏を生じさせるこ
とによって光を発する半導体光放出素子に関する。
［従来の技術］
従来より、アバランシェ状態からの光放出は、学術論文
Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、 、Ｖｏｌ、１０２．Ｐ２Ｓ５，１
９５６゜’Ｐｈｏｔｏ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ
ａｖａｌａｎｃｈｅ ｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ」、Ａ、Ｇ
、Ｃｈｙｎｏｗｅｔｈ、ａｎｄ Ｈ，に、ｌ１ｌｃｋｅ
ｙ等において報告されている。一方、この光放出現象を
光放出半導体素子として応用した例として、（：ｏｎｆ
、Ｐｒｏｃ。
Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、 、Ｖｏｌ、１０２．Ｐ２Ｓ５，１
９５６゜’Ｐｈｏｔｏ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ
ａｖａｌａｎｃｈｅ ｂｒｅａｋ ｄｏｗｎ」、Ａ、Ｇ
、Ｃｈｙｎｏｗｅｔｈ、ａｎｄ Ｈ，に、ｌ１ｌｃｋｅ
ｙ等において報告されている。一方、この光放出現象を
光放出半導体素子として応用した例として、（：ｏｎｆ
、Ｐｒｏｃ。
ＩＥＥＥ、ｓｏｕ ｔｈｅａｇｔｃｏｎ、Ｐ２Ｓ５，１
９８８ ’Ａｓｔｕｄｙ ｏｆｔｈｅ ｎａｔｕｒｅ
ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏ
ｆ Ｌｉｇｈｔｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉｎ ｒｅ
ｖｅｒｓｅ−ｂｉａｓｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎｊｕｎｃ
ｔｉｏｎｓＪ Ｃ，Ｂ、Ｗｉｌｌｉａｍｓ ａｎｄ
Ｋ、Ｄａｎｅｓｈｖｅｒ が知られている。この論
文においては、ＳｉのＰＮ接合界面における光放出強度
は、０．０１Ｗ／ｃｍ”であると報告されている。そし
て、これらの文献の半導体素子は、 Ｓ、Ｍ、Ｓｚｅ著
ｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ＤｅｖｉｃｅＪＪｏｈｎ ９１ｉ１ｅｙ＆５ｏｎｓ
Ｐ７３に記載されているようなプレ−ナー型のＰＮ接合
で構成されていた。
９８８ ’Ａｓｔｕｄｙ ｏｆｔｈｅ ｎａｔｕｒｅ
ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏ
ｆ Ｌｉｇｈｔｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉｎ ｒｅ
ｖｅｒｓｅ−ｂｉａｓｅｄ ５ｉｌｉｃｏｎｊｕｎｃ
ｔｉｏｎｓＪ Ｃ，Ｂ、Ｗｉｌｌｉａｍｓ ａｎｄ
Ｋ、Ｄａｎｅｓｈｖｅｒ が知られている。この論
文においては、ＳｉのＰＮ接合界面における光放出強度
は、０．０１Ｗ／ｃｍ”であると報告されている。そし
て、これらの文献の半導体素子は、 Ｓ、Ｍ、Ｓｚｅ著
ｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ＤｅｖｉｃｅＪＪｏｈｎ ９１ｉ１ｅｙ＆５ｏｎｓ
Ｐ７３に記載されているようなプレ−ナー型のＰＮ接合
で構成されていた。
［発明が解決しようとしている問題点］しかしながら、
上記従来例は、その構成がプレ−ナー型ＰＮ接合である
ため、接合部の周囲に円筒状の曲率な持つ部分や球状の
曲率を持つ部分が存在していた。そして、接合部に作用
する電界は、平面状の接合部よりも球状の曲率なもつ部
分や円筒状の曲率を持つ部分の方が高いので、アバラン
シェ降伏現象による光放出はこの高い電界領域、即ち接
合部の周囲でのみ生じ、接合部を均一に光らせることは
出来なかった。また、このようなプレ−ナー接合では、
接合を形成する時のバターニング形状の不均一に伴なう
電界集中による発光や、欠陥等に伴なう電界集中による
発光があり、偶発的な要素による発光が素子発光の光強
度や光の発光場所を支配する。このため、制御性よく光
放出デバイスを形成することは出来なかった。
上記従来例は、その構成がプレ−ナー型ＰＮ接合である
ため、接合部の周囲に円筒状の曲率な持つ部分や球状の
曲率を持つ部分が存在していた。そして、接合部に作用
する電界は、平面状の接合部よりも球状の曲率なもつ部
分や円筒状の曲率を持つ部分の方が高いので、アバラン
シェ降伏現象による光放出はこの高い電界領域、即ち接
合部の周囲でのみ生じ、接合部を均一に光らせることは
出来なかった。また、このようなプレ−ナー接合では、
接合を形成する時のバターニング形状の不均一に伴なう
電界集中による発光や、欠陥等に伴なう電界集中による
発光があり、偶発的な要素による発光が素子発光の光強
度や光の発光場所を支配する。このため、制御性よく光
放出デバイスを形成することは出来なかった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、制御
性良く作製することが出来、均一な発光を行なう半導体
光放出素子を提供することにある。
性良く作製することが出来、均一な発光を行なう半導体
光放出素子を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明の上記目的は、ｎ型半導体の表面に、プレ−ナー
型ＰＮ接合を形成するようにｐ型半導体層を設けて成り
、前記ＰＮ接合に逆バイアスを印加し、電子なだれ降伏
を生じさせることによって光を発する半導体光放出素子
において、前記ＰＮ接合の平面部の一部に、他の部分よ
りも降伏電圧の低い領域を設けることによって達成され
る。
型ＰＮ接合を形成するようにｐ型半導体層を設けて成り
、前記ＰＮ接合に逆バイアスを印加し、電子なだれ降伏
を生じさせることによって光を発する半導体光放出素子
において、前記ＰＮ接合の平面部の一部に、他の部分よ
りも降伏電圧の低い領域を設けることによって達成され
る。
［実施例］
第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）は、夫々本発明の半導体
光放出素子の第１実施例を示す平面図及びＡ−Ａ’部に
おける断面図である。このような素子は、以下のような
プロセスで作製された。
光放出素子の第１実施例を示す平面図及びＡ−Ａ’部に
おける断面図である。このような素子は、以下のような
プロセスで作製された。
まず、ｎ型半導体基体ｌ（本実施例ではＧａＡｓ（１０
０） ）上に、３ ｘ １０ ”ｃｍ−３の不純物濃度
を持つｎ型半導体層２を１分子線エピタキシー（ＭＢＥ
）！＆長によって形成した。そして、フォトリソグラフ
ィーのレジストプロセスを用いて、領域３の位置のフォ
トレジストを開口し、ここにＳｉイオンを８０ ＫｅＶ
の加速電圧で注入した。更に、同様なレジストプロセス
を用いて領域５の位置のフォトレジストを開口しここに
Ｚｎイオンを４０ ＫｅＶの加速電圧で注入した。
０） ）上に、３ ｘ １０ ”ｃｍ−３の不純物濃度
を持つｎ型半導体層２を１分子線エピタキシー（ＭＢＥ
）！＆長によって形成した。そして、フォトリソグラフ
ィーのレジストプロセスを用いて、領域３の位置のフォ
トレジストを開口し、ここにＳｉイオンを８０ ＫｅＶ
の加速電圧で注入した。更に、同様なレジストプロセス
を用いて領域５の位置のフォトレジストを開口しここに
Ｚｎイオンを４０ ＫｅＶの加速電圧で注入した。
次に、これをアルシン雰囲気中で８５０℃−３０ｓｅｃ
のアニールな行ない、不純物原子を活性化した。そして
領域３を、不純物濃度のピーク値が約Ｉ Ｘ １０１ａ
ｃＩｌ−”の高濃度ｎ型領域に領域５を不純物濃度のピ
ーク値が約ｌｘ１０ ”ｃｍ−”以上のｐ型半導体層と
した。高濃度ｎ型領域３の大きさは直径５ｐｍ以下が望
ましく、これ以上の大きさでは均一な光放出が得られず
、また発熱が大きかった。また、ｐ型半導体層５の厚さ
は０．１μｍ以下とするのが望ましく、これ以上では光
の透過率が急激に低下した。
のアニールな行ない、不純物原子を活性化した。そして
領域３を、不純物濃度のピーク値が約Ｉ Ｘ １０１ａ
ｃＩｌ−”の高濃度ｎ型領域に領域５を不純物濃度のピ
ーク値が約ｌｘ１０ ”ｃｍ−”以上のｐ型半導体層と
した。高濃度ｎ型領域３の大きさは直径５ｐｍ以下が望
ましく、これ以上の大きさでは均一な光放出が得られず
、また発熱が大きかった。また、ｐ型半導体層５の厚さ
は０．１μｍ以下とするのが望ましく、これ以上では光
の透過率が急激に低下した。
上述の半導体層上に、絶縁層９をＳｉＯ２のスパッタで
形成し、同様なレジストプロセスを用いて所定の位置の
フォトレジストを開口した。そして、この上にＣｒ ／
Ａ ｕを蒸着して。
形成し、同様なレジストプロセスを用いて所定の位置の
フォトレジストを開口した。そして、この上にＣｒ ／
Ａ ｕを蒸着して。
適当にエツチングで不要部分を取り除き、Ｐ型半導体へ
のオーくツクコンタクト電極６を形成した。そして、こ
の電極６に接続して、ＡｆＬのコンタクト電極１１を形
成した。また、基体ｌの底面にも、オーミックコンタク
ト電極８を形成した。このように作製された素子に、電
極６及び８を介して電源７より逆バイアスの電界を印加
すると、領域３の上方より光ｈアを放出した。
のオーくツクコンタクト電極６を形成した。そして、こ
の電極６に接続して、ＡｆＬのコンタクト電極１１を形
成した。また、基体ｌの底面にも、オーミックコンタク
ト電極８を形成した。このように作製された素子に、電
極６及び８を介して電源７より逆バイアスの電界を印加
すると、領域３の上方より光ｈアを放出した。
次に、本発明の素子の動作について説明する。
第３図は、本発明の半導体光放出素子のエネルギーバン
ド図である。第３図に示すように、ｎ型半導体層にｐ型
半導体層を接合し、逆バイアスを印加することにより、
アバランシェ降伏な生ぜしめると、空乏層内で電子とホ
ールが多数生成される。この生成された電子やホールは
、第４図に示される様に、（ａ）で示される通常のバン
ド間遷移だけでなく、（ｂ）に示される高いエネルギー
を持つキャリアの再結合、或は、（Ｃ）に示されるバン
ド内遷移により光が放出される。
ド図である。第３図に示すように、ｎ型半導体層にｐ型
半導体層を接合し、逆バイアスを印加することにより、
アバランシェ降伏な生ぜしめると、空乏層内で電子とホ
ールが多数生成される。この生成された電子やホールは
、第４図に示される様に、（ａ）で示される通常のバン
ド間遷移だけでなく、（ｂ）に示される高いエネルギー
を持つキャリアの再結合、或は、（Ｃ）に示されるバン
ド内遷移により光が放出される。
そこで本発明では、ｎ型半導体層に他領域と異なる高濃
度ｎ型領域３を設けることで、第１図（Ｂ）に破線４で
示されるような空乏層を形成した。そして、この高濃度
ｎ型領域３全体に均一かつ高電界領域を形威することに
よって、光放出がこの高濃度領域でのみ均一に生じるよ
うにしたものである。
度ｎ型領域３を設けることで、第１図（Ｂ）に破線４で
示されるような空乏層を形成した。そして、この高濃度
ｎ型領域３全体に均一かつ高電界領域を形威することに
よって、光放出がこの高濃度領域でのみ均一に生じるよ
うにしたものである。
また、本発明においては、前述のように高濃度領域を設
けることによって、高い電界を形成し、電子−ホール対
の生成効率を高めて光放出の確率を増加させて輝度制御
を行なうとともに、電子−ホールに大きなエネルギーを
与えることで、バンドギャップＥｇよりも大きなエネル
ギーを持つ光の放出が可能となった。
けることによって、高い電界を形成し、電子−ホール対
の生成効率を高めて光放出の確率を増加させて輝度制御
を行なうとともに、電子−ホールに大きなエネルギーを
与えることで、バンドギャップＥｇよりも大きなエネル
ギーを持つ光の放出が可能となった。
更に、本発明では、半導体基体としてｎ型半導体を用い
たことにより、表面のｐ型半導体直下に最も高い電界が
形成されるため、ｐ型半導体内の小数キャリアである電
子が最もアバランシェ増幅に作用する。このため、キャ
リアの種類により電子−ホールベアの生成効率が異なり
、電子により電子−ホールベアが生成される確率がホー
ルにより電子−ホールベアが生成される確率よりも大き
いような基板（例えばシリコン）を用いる場合１本発明
のような構成にすることで、電子の生成効率を高めるこ
とが出来る。
たことにより、表面のｐ型半導体直下に最も高い電界が
形成されるため、ｐ型半導体内の小数キャリアである電
子が最もアバランシェ増幅に作用する。このため、キャ
リアの種類により電子−ホールベアの生成効率が異なり
、電子により電子−ホールベアが生成される確率がホー
ルにより電子−ホールベアが生成される確率よりも大き
いような基板（例えばシリコン）を用いる場合１本発明
のような構成にすることで、電子の生成効率を高めるこ
とが出来る。
本発明において、ｐ型半導体層の厚さは、ＰＮ接合界面
で生成した光を十分に透過し、光の透過損失を減少させ
るため、極めて薄く形成される必要がある。
で生成した光を十分に透過し、光の透過損失を減少させ
るため、極めて薄く形成される必要がある。
以上述べた構成により、第２図に示すような光エネルギ
ーと光強度との関係を持つ光放出素子を制御性良く作製
することが可能になった。
ーと光強度との関係を持つ光放出素子を制御性良く作製
することが可能になった。
第５図に１本発明の第２の実施例を示す、第５図は、第
１図（Ｂ）と同様に素子の断面図を示す、また、第５図
において、第１図（Ｂ）と同一の部材には同一の符号を
付した。このような素子は、以下のプロセスで作製され
た。
１図（Ｂ）と同様に素子の断面図を示す、また、第５図
において、第１図（Ｂ）と同一の部材には同一の符号を
付した。このような素子は、以下のプロセスで作製され
た。
まず、ｎ型半導体基体！（本実施例では５ｉ（１００）
）上に５ Ｘ ｌ Ｏ”Ｃｍ−”の不純物濃度を持つ
ｎ型半導体層２を気相成長（ＣＶＤ）法にてエピタキシ
ャル成長させて形成した０次にＳｉｎ。
）上に５ Ｘ ｌ Ｏ”Ｃｍ−”の不純物濃度を持つ
ｎ型半導体層２を気相成長（ＣＶＤ）法にてエピタキシ
ャル成長させて形成した０次にＳｉｎ。
を、熱拡散を用いて４０００人の厚さに形成し、レジス
トプロセスを用いて所定の位置のレジストを開口後、５
ｉｎｓをフッ酸系のエツチング液を用いて取り除き、領
域１０の上部にドーナツ状の開口部を形成した０次に熱
拡散を用いて適当なドーパントを用いてＢ（ボロン）を
拡散し、ｐ型のガードリング領域ｌＯを形成した０次に
光放出部上部のＳｉｎ、領域を前述のレジストプロセス
及びエツチング液を用いて除去し、第１実施例と同様な
手法を用いて、領域３にはＰ（リン）イオンを注入し、
領域５にはＧａ（ガリウム）イオンを注入し、領域３を
不純物濃度のピーク値が約８ Ｘ １０ ”ｃｓ−”の
ｎ型半導体に、領域５を不純物濃度のピーク値が約ｌＸ
１０１９以上のｐ型半導体になるようにした。また、領
域５の厚さが５００Å以下になるように低加速で注入し
、適当なエツチングも行なった０次にオーミックコンタ
クト電極６及び電極８を形成し、光放出素子を構成した
０本実施例のように、高濃度ｎ型領域３の周囲にガード
リング領域１０を構成することで破線４で示される空乏
層を形威し、より一層電界を領域３に集中し。
トプロセスを用いて所定の位置のレジストを開口後、５
ｉｎｓをフッ酸系のエツチング液を用いて取り除き、領
域１０の上部にドーナツ状の開口部を形成した０次に熱
拡散を用いて適当なドーパントを用いてＢ（ボロン）を
拡散し、ｐ型のガードリング領域ｌＯを形成した０次に
光放出部上部のＳｉｎ、領域を前述のレジストプロセス
及びエツチング液を用いて除去し、第１実施例と同様な
手法を用いて、領域３にはＰ（リン）イオンを注入し、
領域５にはＧａ（ガリウム）イオンを注入し、領域３を
不純物濃度のピーク値が約８ Ｘ １０ ”ｃｓ−”の
ｎ型半導体に、領域５を不純物濃度のピーク値が約ｌＸ
１０１９以上のｐ型半導体になるようにした。また、領
域５の厚さが５００Å以下になるように低加速で注入し
、適当なエツチングも行なった０次にオーミックコンタ
クト電極６及び電極８を形成し、光放出素子を構成した
０本実施例のように、高濃度ｎ型領域３の周囲にガード
リング領域１０を構成することで破線４で示される空乏
層を形威し、より一層電界を領域３に集中し。
発光効率を向上することが出来た。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明は、電子なだれ降伏を用い
る半導体光放出素子において、ＰＮ接合の平面部の一部
に他の部分よりも降伏電圧の低い領域を設けたことによ
って、均一な発光部を制御性良く作製出来る効果が得ら
れたものである。
る半導体光放出素子において、ＰＮ接合の平面部の一部
に他の部分よりも降伏電圧の低い領域を設けたことによ
って、均一な発光部を制御性良く作製出来る効果が得ら
れたものである。
第１図（Ａ）及び第１図（Ｂ）は夫々本発明の半導体光
放出素子の第１実施例を示す平面図及び断面図、第２図
は本発明の素子の典型的な光エネルギーと光強度との関
係を示す図２第３図は本発明の素子のエネルギーバンド
を示す図、第４図は本発明の素子における光の発生過程
を説明する図、第５図は本発明の第２実施例を説明する
断面図である。 １−−− ｎ型半導体基体 ２ ・・−ｎ型半導体層 ３・・・高濃度ｎ型領域 ４・・・空乏層 ５・・・Ｐ型半導体層 ６．８・・・オーミックコンタク ７・・・電源 ９・・・絶縁層 １０・・・ガードリング領域 ト電極 富 ３ 図
放出素子の第１実施例を示す平面図及び断面図、第２図
は本発明の素子の典型的な光エネルギーと光強度との関
係を示す図２第３図は本発明の素子のエネルギーバンド
を示す図、第４図は本発明の素子における光の発生過程
を説明する図、第５図は本発明の第２実施例を説明する
断面図である。 １−−− ｎ型半導体基体 ２ ・・−ｎ型半導体層 ３・・・高濃度ｎ型領域 ４・・・空乏層 ５・・・Ｐ型半導体層 ６．８・・・オーミックコンタク ７・・・電源 ９・・・絶縁層 １０・・・ガードリング領域 ト電極 富 ３ 図
Claims (5)
- （１）ｎ型半導体の表面に、プレ−ナー型ＰＮ接合を形
成するようにｐ型半導体層を設け て成り、前記ＰＮ接合に逆バイアスを印加 し、電子なだれ降伏を生じさせることに よって光を発する半導体光放出素子におい て、 前記ＰＮ接合の平面部の一部に、他の部 分よりも降伏電圧の低い領域を設けたこと を特徴とする半導体光放出素子。 - （２）前記領域は、前記ｎ型半導体の一部に他の部分よ
りも不純物濃度の高い領域を設け て成る特許請求の範囲第１項記載の半導体 光放出素子。 - （３）前記領域の周囲のｐ型半導体層の厚さを他の部分
よりも厚くした特許請求の範囲第 １項記載の半導体光放出素子。 - （４）前記領域の大きさが５μｍ以下である特許請求の
範囲第１項記載の半導体光放出素 子。 - （５）前記領域のｐ型半導体層の厚さが０．１μｍ以下
である特許請求の範囲第１項記載 の半導体光放出素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20048189A JP2692971B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 半導体光放出素子 |
| US07/560,769 US5107311A (en) | 1989-08-02 | 1990-07-31 | Semiconductor light-emitting device |
| DE69017301T DE69017301T2 (de) | 1989-08-02 | 1990-08-01 | Halbleiter lichtemittierende Vorrichtung. |
| EP90114775A EP0411612B1 (en) | 1989-08-02 | 1990-08-01 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20048189A JP2692971B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 半導体光放出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364078A true JPH0364078A (ja) | 1991-03-19 |
| JP2692971B2 JP2692971B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16425033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20048189A Expired - Fee Related JP2692971B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 半導体光放出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692971B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013518402A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | インシアヴァ （ピーテーワイ） リミテッド | シリコン発光デバイス及び該デバイスを製造する方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL184589C (nl) | 1979-07-13 | 1989-09-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20048189A patent/JP2692971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013518402A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | インシアヴァ （ピーテーワイ） リミテッド | シリコン発光デバイス及び該デバイスを製造する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692971B2 (ja) | 1997-12-17 |
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