JPH0364085A - クリソベリル固体レーザ - Google Patents
クリソベリル固体レーザInfo
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- JPH0364085A JPH0364085A JP1199483A JP19948389A JPH0364085A JP H0364085 A JPH0364085 A JP H0364085A JP 1199483 A JP1199483 A JP 1199483A JP 19948389 A JP19948389 A JP 19948389A JP H0364085 A JPH0364085 A JP H0364085A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明はクリソベリル固体レーザに関し、詳しくは、3
価のチタンイオンを発光イオンとして含有するクリソベ
リル(BeAJ204)単結晶からなるレーザ媒質、励
起光発生手段、励起光集光手段および光共振器を備え、
前記レーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶の結晶軸
方向を特定したクリソベリル固体レーザに関する。 [従来技術および発明が解決しようとする課題]固体レ
ーザは小型で大出力であり、また装置の保守が容易であ
り、しかも安定性に優れているため、工業的にも応用分
野が拡がりつつある。 このうち、3価のチタンイオンを発光イオンとして使用
する固体レーザは、発振波長の同調範囲が連続的にかつ
極めて広い範囲で実現でき、様々な用途への応用が期待
される。その中でも極めて有望な固体レーザ媒質として
、3価のチタンイオンをドープしたクリソベリル単結晶
が本発明者等によって提案されている(特開昭82−2
16288号公報)。この単結晶は波長500rvを中
心とした広い吸収帯を有し、800■から900naを
超える広い領域で発光し、この幅広い領域で同調可能な
波長可変固体レーザが期待される。 さらに、励起光源から発せられた励起光を集光レンズで
レーザ媒質に集光し、レーザ媒質内の発光イオンを励起
して発振レーザ光を発光させる固体レーザが、本発明者
等によって提案されている。 しかし、この固体レーザはサイズ、出力等の点で満足の
いくものではなかった。 本発明はかかる現状に鑑みて行なわれたものであり、上
記レーザに比してエネルギー効率をより一層向上させた
クリソベリル固体レーザを提供することを目的とする。 [課題を解決するための手段] 本発明の上記目的は、発光イオンとして3価のチタンイ
オンを含有するクリソベリル単結晶からなるレーザ媒質
、励起光発生手段、励起光集光手段および光共振器とを
備え、レーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶の結晶
軸方向を特定することによって遠戚される。 すなわち本発明は、 a)発光イオンとして3価のチタンイオンを含有するク
リソベリル単結晶からなり、結晶のC軸方向を略ロッド
の軸方向としたロッド状レーザ媒質と、 b〉前記発光イオンを励起して光を発生させるための励
起光発生手段と、 C〉該励起光発生手段により発生した励起光を前記レー
ザ媒質に集光する集光手段と、 d)前記集光された励起光により、前記発光イオンから
発せられた光を共振して発振レーザ光を発生させるため
の光共振器 とを備えるクリソベリル固体レーザにあり、さらにはレ
ーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶のb軸方向が、
レーザ媒質の長手方向と励起光発生手段の長手方向とを
含む平面に対して略直交するように、レーザ媒質を配置
したクリソベリル固体レーザにある。 本発明においてレーザ媒質として用いられる 3価のチ
タンイオンを含有するクリソベリル単結晶は、斜方晶系
に属し、空間群D 2m−Pinbで表わされ、その格
子定数はa=0.5476nm、 b−0,9404r
vs c−0,4425rvである。また、かかるクリ
ソベリル単結晶においてa軸、b軸、C軸のそれぞれの
軸方向は直交している。 本発明に供せられるクリソベリル単結晶は、チョクラル
スキー法、浮遊帯域融解法等で育成されるが、大型で高
品質のクリソベリル単結晶を得るにはチョクラルスキー
法が好適に採用される。例えば、チョクラルスキー法に
おいては、下記の原料をイリジウム製のるつぼ内に入れ
、高周波誘導加熱型チョクラルスキー炉等の中で溶融さ
せる。 そして、原料が完全に溶融した後に種結晶をゆっくりと
回転させながら溶融物の表面と接触させ、続いてゆっく
りと引き上げてクリソベリル単結晶を育成させる方法が
一般的である。また、この際の育成条件の選択によって
、含有物や偏析物を含まない3価のチタンイオンを含有
するクリソベリル単結晶が良好に得られる。育成の際の
雰囲気は、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、または
これらの混合ガス等の雰囲気が一般的であり、育成系内
の酸素分圧を10−9〜1O−ITとすることが好まし
い。 ここに用いられる原料としては、酸化ベリリウム(Be
d)と酸化アルミニウムCAJ□0.)であり、これに
発光イオンとして酸化チタン(m)(T120i)を加
える。3価のチタンイオンは単結晶中にo、ot −i
、o重量%含有されることが好ましく、チタンイオンの
含有量が0.01重量%より小さいと発光が弱くまた、
チタンイオンの含有量が1.0重量%を超えると、クリ
ソベリル単結晶からなる母材の発振波長領域の残存吸収
係数が増加するので好ましくない。 次に、得られたクリソベリル単結晶をロッド状に加工し
、両端面をカットし、さらに両端面を光学研磨して、レ
ーザ媒質を得る。クリソベリル単結晶をロッド状に加工
する際は、クリソベリル単結晶のC軸方向がこのロッド
状レーザ媒質の軸方向となるように加工する。両端面の
カットに関しては特に制限されず、ロッドの軸方向に対
して垂直なカットまたはブリュースター角を持たせたカ
ットであっても良い。また研磨後、必要に応じて両端面
にA R(anti rejection) :7−ト
等の処理を施してもよい。 本発明の固体レーザにおいては、クリソベリル単結晶内
の発光イオンを励起するための励起光の発生手段が必要
である。この励起光発生手段としては、Ti3“の吸収
帯に合致する光放出のスペクトルを持つことが必要であ
り、キセノン(Xe)またはクリプトン(Kr)ガス等
を用いた直管形フラッシュランプ、アークランプ等が使
用される。 さらに、本発明の固体レーザにおいては、励起光をクリ
ソベリル単結晶に集光する励起光集光手段が必要である
。励起光集光手段としては、励起光発生手段から発され
た励起光をレーザ媒質に集光可能なものであればよく、
単種円筒形または双楕円筒形反射集光鏡等が使用可能で
ある。反射鏡面はTI’“の吸収帯に合致する波長領域
において良好な反射特性を有することが必要であり、金
、銀またはアルミニウム等のメツキを施した面が用いら
れる。 さらに、本発明の固体レーザにおいては、発光イオンか
ら発せられた光を共振して発振レーザ光を発生させるた
めの光共振器が必要であるが、その具体的な構成は任意
であり、通常使用される光共振器と同様の構成であって
も構わない。 本発明のクリソベリル固体レーザは、上記のレーザ媒質
、励起光発生手段、励起光集光手段および光共振器を備
えるものであり、前述のごとく、レーザ媒質を形成する
クリソベリル単結晶のb軸方向が、レーザ媒質の長手方
向と励起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して略
直交するものがより好ましい。 その他の具体的な構成に関しては特に制限はなく、光共
振器の光路上にプリズムやQスイッチ等の発振制御素子
を置くなど、通常の固体レーザの構成と同様であっても
構わない。 [実施例] 以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する
。 実施例1 原料として、純度99.99%の酸化ベリリウム、純度
99.999%の酸化アルミニウム、純度99.9%の
酸化チタン(III)をそれぞれ19.5重量%、79
.4重量%、1.1重量%となるようにイリジウム製の
るつぼ内に入れ、育成系内の酸素分圧が10−11とな
るように調製された窒素、水素および極微量の水蒸気(
H,O)からなるガスを導入した高周波誘導加熱型チョ
クラルスキー炉内で溶融した。原料が完全に溶融した後
、種結晶をゆっくりと回転させながら溶融物の表面と接
触させ、続いて0.5#11!/hrの速度で引き上げ
ることによって3価のチタンイオンを含有するクリソベ
リル単結晶を得た。 なお、本単結晶の融点は1870℃近傍なので、単結晶
の育成はこの温度近傍で行なった。 このようにして得られたクリソベリル単結晶をカットし
て5#φX571111fJのロッドを製作した。 その際、クリソベリル単結晶のC軸方向がロッドの長手
方向となるように調製し、両端面は垂直にカットした。 さらに、得られたロッドの両端面を光学研磨した後、中
心波長830nmのMgF2単層のARコートを施して
レーザ媒質を得た。このようにして得られたレーザ媒質
を、レーザ媒質の両端面の中心を結んだ線を軸として3
8o@回転させることが可能なホルダーにとりつけ、励
起光源等と共に固体レーザを構成した。第1図にその実
験装置の構成図を示す。 第1図において、1は反射ミラー 2は反射集光鏡、3
および4は励起光源、5はレーザ媒質、6は反射平面ミ
ラー 7は発振レーザ光の経路をそれぞれ示す。 反対ミラー1は830nm±50nmの波長の光を10
0%反射する曲率半径2000a+mの反射ミラーであ
り、反射集光鏡2は内側を銀メツキした、断面が共焦点
楕円形の双楕円筒形反射集光鏡であり、励起光源3およ
び4はパルス時間10−’ s (−10us)のキセ
ノンフラッシュランプであり、レーザ媒質5はりリソベ
リル単結晶ロッドであり、反射平面ミラー6は830
nm±50nmの波長の光を95%反射する平面ミラー
である。 第2図は、励起光源およびレーザ媒質の軸方向から見た
、励起光源およびレーザ媒質の位置関係を示す図である
。2本の励起光源(フラッシュランプ)とレーザ媒質(
クリソベリル単結晶ロッド)はその中心軸が同一平面を
形威し、かつそれぞれが平行となるように配置され、同
図(a)はその平面上にクリソベリルのa軸が含まれ、
同図(b)はa軸ではなくb軸が含まれる場合である。 レーザ媒質5は、第1図に示すように、反射ミラー1と
反射平面ミラー6とから構成される光共振器内で共振さ
れている光の経路7とレーザ媒質5の長軸が略一致する
ように、かつ、第2図に示すように、反射集光鏡2の共
通の焦点上に配置され、励起光源3および4は他の二つ
の焦点上に配置され、反射ミラー1および反射平面ミラ
ー6は、前述のごとく、レーザ媒質5から発された発振
レーザ光の経路7上に配置される。 励起光源3および4から発された励起光は、反射集光鏡
2によって、共焦点上に配置されたレーザ媒質5に集光
される。そして、この励起光によってレーザ媒質5内の
チタンイオンが励起されて光が発せられ、その光は反射
ミラー1と反射平面ミラー6との間を往復して共振され
た後に(共振されている光の経路を7で示す)、光共振
器から発振レーザ光(波長800〜885nm )とし
て出力される。 この実験装置を用い、ロッド状レーザ媒質5をその長袖
の回りで回転させることによって、クリソベリル単結晶
のb軸方向を、クリソベリル単結晶のC軸方向と励起光
発生手段の長手方向とを含む平面に対して直交させ(第
2図(a) ) 、得られる発振レーザ光の強度(m)
)を測定した。得られた結果を第3図に白抜丸で示す。 実施例2 クリソベリル単結晶のa軸方向を、レーザ媒質の長手方
向と励起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して直
交させた(第2図(b))以外は実施例1と同様にして
、得られる発振レーザ光7の強度を測定し、得られた結
果を第3図に黒丸で示す。 実施例1〜2の結果から明らかなように、本発明のレー
ザにより発振レーザ光を効率よく得ることができ、クリ
ソベリル単結晶のb軸方向をレーザ媒質の長手方向と励
起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して直交させ
るとより一層エネルギー効率が向上する。 変形例 実施例1および2においては、励起光反射集光鏡の断面
は共焦点楕円形であるが、必しもこの形状である必要は
なく、第4図のような単種円形としてもよい。この場合
も、クリソベリル単結晶のb軸方向をレーザ媒質の長手
方向と励起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して
直交させるとより一層エネルギー効率が向上する。 また、上記実施例においては、レーザ媒質の形状をロッ
ド状としたが、所望に応じてスラブ(板状)に加工した
ものも使用可能である。 [発明の効果〕 以上説明したように、本発明によってクリソベリル固体
レーザのエネルギー効率の向上が達成された。
価のチタンイオンを発光イオンとして含有するクリソベ
リル(BeAJ204)単結晶からなるレーザ媒質、励
起光発生手段、励起光集光手段および光共振器を備え、
前記レーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶の結晶軸
方向を特定したクリソベリル固体レーザに関する。 [従来技術および発明が解決しようとする課題]固体レ
ーザは小型で大出力であり、また装置の保守が容易であ
り、しかも安定性に優れているため、工業的にも応用分
野が拡がりつつある。 このうち、3価のチタンイオンを発光イオンとして使用
する固体レーザは、発振波長の同調範囲が連続的にかつ
極めて広い範囲で実現でき、様々な用途への応用が期待
される。その中でも極めて有望な固体レーザ媒質として
、3価のチタンイオンをドープしたクリソベリル単結晶
が本発明者等によって提案されている(特開昭82−2
16288号公報)。この単結晶は波長500rvを中
心とした広い吸収帯を有し、800■から900naを
超える広い領域で発光し、この幅広い領域で同調可能な
波長可変固体レーザが期待される。 さらに、励起光源から発せられた励起光を集光レンズで
レーザ媒質に集光し、レーザ媒質内の発光イオンを励起
して発振レーザ光を発光させる固体レーザが、本発明者
等によって提案されている。 しかし、この固体レーザはサイズ、出力等の点で満足の
いくものではなかった。 本発明はかかる現状に鑑みて行なわれたものであり、上
記レーザに比してエネルギー効率をより一層向上させた
クリソベリル固体レーザを提供することを目的とする。 [課題を解決するための手段] 本発明の上記目的は、発光イオンとして3価のチタンイ
オンを含有するクリソベリル単結晶からなるレーザ媒質
、励起光発生手段、励起光集光手段および光共振器とを
備え、レーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶の結晶
軸方向を特定することによって遠戚される。 すなわち本発明は、 a)発光イオンとして3価のチタンイオンを含有するク
リソベリル単結晶からなり、結晶のC軸方向を略ロッド
の軸方向としたロッド状レーザ媒質と、 b〉前記発光イオンを励起して光を発生させるための励
起光発生手段と、 C〉該励起光発生手段により発生した励起光を前記レー
ザ媒質に集光する集光手段と、 d)前記集光された励起光により、前記発光イオンから
発せられた光を共振して発振レーザ光を発生させるため
の光共振器 とを備えるクリソベリル固体レーザにあり、さらにはレ
ーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶のb軸方向が、
レーザ媒質の長手方向と励起光発生手段の長手方向とを
含む平面に対して略直交するように、レーザ媒質を配置
したクリソベリル固体レーザにある。 本発明においてレーザ媒質として用いられる 3価のチ
タンイオンを含有するクリソベリル単結晶は、斜方晶系
に属し、空間群D 2m−Pinbで表わされ、その格
子定数はa=0.5476nm、 b−0,9404r
vs c−0,4425rvである。また、かかるクリ
ソベリル単結晶においてa軸、b軸、C軸のそれぞれの
軸方向は直交している。 本発明に供せられるクリソベリル単結晶は、チョクラル
スキー法、浮遊帯域融解法等で育成されるが、大型で高
品質のクリソベリル単結晶を得るにはチョクラルスキー
法が好適に採用される。例えば、チョクラルスキー法に
おいては、下記の原料をイリジウム製のるつぼ内に入れ
、高周波誘導加熱型チョクラルスキー炉等の中で溶融さ
せる。 そして、原料が完全に溶融した後に種結晶をゆっくりと
回転させながら溶融物の表面と接触させ、続いてゆっく
りと引き上げてクリソベリル単結晶を育成させる方法が
一般的である。また、この際の育成条件の選択によって
、含有物や偏析物を含まない3価のチタンイオンを含有
するクリソベリル単結晶が良好に得られる。育成の際の
雰囲気は、水素ガス、窒素ガス、アルゴンガス、または
これらの混合ガス等の雰囲気が一般的であり、育成系内
の酸素分圧を10−9〜1O−ITとすることが好まし
い。 ここに用いられる原料としては、酸化ベリリウム(Be
d)と酸化アルミニウムCAJ□0.)であり、これに
発光イオンとして酸化チタン(m)(T120i)を加
える。3価のチタンイオンは単結晶中にo、ot −i
、o重量%含有されることが好ましく、チタンイオンの
含有量が0.01重量%より小さいと発光が弱くまた、
チタンイオンの含有量が1.0重量%を超えると、クリ
ソベリル単結晶からなる母材の発振波長領域の残存吸収
係数が増加するので好ましくない。 次に、得られたクリソベリル単結晶をロッド状に加工し
、両端面をカットし、さらに両端面を光学研磨して、レ
ーザ媒質を得る。クリソベリル単結晶をロッド状に加工
する際は、クリソベリル単結晶のC軸方向がこのロッド
状レーザ媒質の軸方向となるように加工する。両端面の
カットに関しては特に制限されず、ロッドの軸方向に対
して垂直なカットまたはブリュースター角を持たせたカ
ットであっても良い。また研磨後、必要に応じて両端面
にA R(anti rejection) :7−ト
等の処理を施してもよい。 本発明の固体レーザにおいては、クリソベリル単結晶内
の発光イオンを励起するための励起光の発生手段が必要
である。この励起光発生手段としては、Ti3“の吸収
帯に合致する光放出のスペクトルを持つことが必要であ
り、キセノン(Xe)またはクリプトン(Kr)ガス等
を用いた直管形フラッシュランプ、アークランプ等が使
用される。 さらに、本発明の固体レーザにおいては、励起光をクリ
ソベリル単結晶に集光する励起光集光手段が必要である
。励起光集光手段としては、励起光発生手段から発され
た励起光をレーザ媒質に集光可能なものであればよく、
単種円筒形または双楕円筒形反射集光鏡等が使用可能で
ある。反射鏡面はTI’“の吸収帯に合致する波長領域
において良好な反射特性を有することが必要であり、金
、銀またはアルミニウム等のメツキを施した面が用いら
れる。 さらに、本発明の固体レーザにおいては、発光イオンか
ら発せられた光を共振して発振レーザ光を発生させるた
めの光共振器が必要であるが、その具体的な構成は任意
であり、通常使用される光共振器と同様の構成であって
も構わない。 本発明のクリソベリル固体レーザは、上記のレーザ媒質
、励起光発生手段、励起光集光手段および光共振器を備
えるものであり、前述のごとく、レーザ媒質を形成する
クリソベリル単結晶のb軸方向が、レーザ媒質の長手方
向と励起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して略
直交するものがより好ましい。 その他の具体的な構成に関しては特に制限はなく、光共
振器の光路上にプリズムやQスイッチ等の発振制御素子
を置くなど、通常の固体レーザの構成と同様であっても
構わない。 [実施例] 以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する
。 実施例1 原料として、純度99.99%の酸化ベリリウム、純度
99.999%の酸化アルミニウム、純度99.9%の
酸化チタン(III)をそれぞれ19.5重量%、79
.4重量%、1.1重量%となるようにイリジウム製の
るつぼ内に入れ、育成系内の酸素分圧が10−11とな
るように調製された窒素、水素および極微量の水蒸気(
H,O)からなるガスを導入した高周波誘導加熱型チョ
クラルスキー炉内で溶融した。原料が完全に溶融した後
、種結晶をゆっくりと回転させながら溶融物の表面と接
触させ、続いて0.5#11!/hrの速度で引き上げ
ることによって3価のチタンイオンを含有するクリソベ
リル単結晶を得た。 なお、本単結晶の融点は1870℃近傍なので、単結晶
の育成はこの温度近傍で行なった。 このようにして得られたクリソベリル単結晶をカットし
て5#φX571111fJのロッドを製作した。 その際、クリソベリル単結晶のC軸方向がロッドの長手
方向となるように調製し、両端面は垂直にカットした。 さらに、得られたロッドの両端面を光学研磨した後、中
心波長830nmのMgF2単層のARコートを施して
レーザ媒質を得た。このようにして得られたレーザ媒質
を、レーザ媒質の両端面の中心を結んだ線を軸として3
8o@回転させることが可能なホルダーにとりつけ、励
起光源等と共に固体レーザを構成した。第1図にその実
験装置の構成図を示す。 第1図において、1は反射ミラー 2は反射集光鏡、3
および4は励起光源、5はレーザ媒質、6は反射平面ミ
ラー 7は発振レーザ光の経路をそれぞれ示す。 反対ミラー1は830nm±50nmの波長の光を10
0%反射する曲率半径2000a+mの反射ミラーであ
り、反射集光鏡2は内側を銀メツキした、断面が共焦点
楕円形の双楕円筒形反射集光鏡であり、励起光源3およ
び4はパルス時間10−’ s (−10us)のキセ
ノンフラッシュランプであり、レーザ媒質5はりリソベ
リル単結晶ロッドであり、反射平面ミラー6は830
nm±50nmの波長の光を95%反射する平面ミラー
である。 第2図は、励起光源およびレーザ媒質の軸方向から見た
、励起光源およびレーザ媒質の位置関係を示す図である
。2本の励起光源(フラッシュランプ)とレーザ媒質(
クリソベリル単結晶ロッド)はその中心軸が同一平面を
形威し、かつそれぞれが平行となるように配置され、同
図(a)はその平面上にクリソベリルのa軸が含まれ、
同図(b)はa軸ではなくb軸が含まれる場合である。 レーザ媒質5は、第1図に示すように、反射ミラー1と
反射平面ミラー6とから構成される光共振器内で共振さ
れている光の経路7とレーザ媒質5の長軸が略一致する
ように、かつ、第2図に示すように、反射集光鏡2の共
通の焦点上に配置され、励起光源3および4は他の二つ
の焦点上に配置され、反射ミラー1および反射平面ミラ
ー6は、前述のごとく、レーザ媒質5から発された発振
レーザ光の経路7上に配置される。 励起光源3および4から発された励起光は、反射集光鏡
2によって、共焦点上に配置されたレーザ媒質5に集光
される。そして、この励起光によってレーザ媒質5内の
チタンイオンが励起されて光が発せられ、その光は反射
ミラー1と反射平面ミラー6との間を往復して共振され
た後に(共振されている光の経路を7で示す)、光共振
器から発振レーザ光(波長800〜885nm )とし
て出力される。 この実験装置を用い、ロッド状レーザ媒質5をその長袖
の回りで回転させることによって、クリソベリル単結晶
のb軸方向を、クリソベリル単結晶のC軸方向と励起光
発生手段の長手方向とを含む平面に対して直交させ(第
2図(a) ) 、得られる発振レーザ光の強度(m)
)を測定した。得られた結果を第3図に白抜丸で示す。 実施例2 クリソベリル単結晶のa軸方向を、レーザ媒質の長手方
向と励起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して直
交させた(第2図(b))以外は実施例1と同様にして
、得られる発振レーザ光7の強度を測定し、得られた結
果を第3図に黒丸で示す。 実施例1〜2の結果から明らかなように、本発明のレー
ザにより発振レーザ光を効率よく得ることができ、クリ
ソベリル単結晶のb軸方向をレーザ媒質の長手方向と励
起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して直交させ
るとより一層エネルギー効率が向上する。 変形例 実施例1および2においては、励起光反射集光鏡の断面
は共焦点楕円形であるが、必しもこの形状である必要は
なく、第4図のような単種円形としてもよい。この場合
も、クリソベリル単結晶のb軸方向をレーザ媒質の長手
方向と励起光発生手段の長手方向とを含む平面に対して
直交させるとより一層エネルギー効率が向上する。 また、上記実施例においては、レーザ媒質の形状をロッ
ド状としたが、所望に応じてスラブ(板状)に加工した
ものも使用可能である。 [発明の効果〕 以上説明したように、本発明によってクリソベリル固体
レーザのエネルギー効率の向上が達成された。
第1図は、本発明の一実施例において使用された実験装
置の構成図であり、 第2図は、本発明の一実施例において使用された実験装
置の励起光源とクリソベリル単結晶の結晶軸方向との関
係を示す図、 第3図は、励起光源に対するクリソベリル単結晶の結晶
軸方向を変えたときの入出力特性を示す図、 第4図は、本発明の変形例において使用可能な単種円筒
形反射集光鏡の断面図である。 1:反射ミラー 2:筒形反射集光鏡、3.4:励起光
源、5:レーザ媒質、 6:反射平面ミラー 7:発振レーザ光の経路。 第 図 (Q) (b) 第 図 第 図
置の構成図であり、 第2図は、本発明の一実施例において使用された実験装
置の励起光源とクリソベリル単結晶の結晶軸方向との関
係を示す図、 第3図は、励起光源に対するクリソベリル単結晶の結晶
軸方向を変えたときの入出力特性を示す図、 第4図は、本発明の変形例において使用可能な単種円筒
形反射集光鏡の断面図である。 1:反射ミラー 2:筒形反射集光鏡、3.4:励起光
源、5:レーザ媒質、 6:反射平面ミラー 7:発振レーザ光の経路。 第 図 (Q) (b) 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)発光イオンとして 3価のチタンイオンを含有
するクリソベリル単結晶からなり、結晶のc軸方向を略
ロッドの軸方向としたロッド状レーザ媒質と、 b)前記発光イオンを励起して光を発生させるための励
起光発生手段と、 c)該励起光発生手段により発生した励起光を前記レー
ザ媒質に集光する集光手段と、 d)前記集光された励起光により、前記発光イオンから
発せられた光を共振して発振レーザ光を発生させるため
の光共振器 とを備えたことを特徴とするクリソベリル固体レーザ。 2、前記レーザ媒質を形成するクリソベリル単結晶のを
軸方向が、該ロッド状レーザ媒質の長手方向と前記励起
光発生手段の長手方向とを含む平面に対して略直交する
ように、該レーザ媒質を配置した請求項1に記載のクリ
ソベリル固体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199483A JPH0648740B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | クリソベリル固体レーザ |
| US07/559,644 US5131000A (en) | 1989-08-02 | 1990-07-30 | Chrysoberyl solid state lasers |
| DE69009617T DE69009617T2 (de) | 1989-08-02 | 1990-07-31 | Chrysoberyll-Festkörperlaser. |
| EP90308384A EP0411886B1 (en) | 1989-08-02 | 1990-07-31 | Chrysoberyl solid state lasers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1199483A JPH0648740B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | クリソベリル固体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364085A true JPH0364085A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0648740B2 JPH0648740B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16408557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1199483A Expired - Lifetime JPH0648740B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | クリソベリル固体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5131000A (ja) |
| EP (1) | EP0411886B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0648740B2 (ja) |
| DE (1) | DE69009617T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2002027358A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | The Regents Of The University Of California | Method for optical modulation at periodic optical structure band edges |
| US6947208B2 (en) * | 2002-01-25 | 2005-09-20 | John Ballato | Optical fiber amplifier with fully integrated pump source |
| RU2247451C1 (ru) * | 2003-07-11 | 2005-02-27 | Мещеряков Борис Тимофеевич | Твердотельный лазер |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4218282A (en) * | 1977-06-17 | 1980-08-19 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | Method of preparation of chrysoberyl and beryl single crystals |
| US4272733A (en) * | 1978-10-20 | 1981-06-09 | Allied Chemical Corporation | Broadly tunable chromium-doped beryllium aluminate lasers and operation thereof |
| EP0148946B1 (en) * | 1983-07-14 | 1989-10-18 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Method of producing a chrysoberyl single crystal |
| US4791927A (en) * | 1985-12-26 | 1988-12-20 | Allied Corporation | Dual-wavelength laser scalpel background of the invention |
| JPH0744304B2 (ja) * | 1986-03-17 | 1995-05-15 | 三井金属鉱業株式会社 | 固体レ−ザホスト |
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| US4932031A (en) * | 1987-12-04 | 1990-06-05 | Alfano Robert R | Chromium-doped foresterite laser system |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1199483A patent/JPH0648740B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-30 US US07/559,644 patent/US5131000A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-31 EP EP90308384A patent/EP0411886B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-31 DE DE69009617T patent/DE69009617T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5131000A (en) | 1992-07-14 |
| DE69009617T2 (de) | 1994-11-24 |
| EP0411886A3 (en) | 1991-05-29 |
| DE69009617D1 (de) | 1994-07-14 |
| EP0411886B1 (en) | 1994-06-08 |
| JPH0648740B2 (ja) | 1994-06-22 |
| EP0411886A2 (en) | 1991-02-06 |
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