JPH0364457A - 電子ビーム蒸着用電子銃 - Google Patents
電子ビーム蒸着用電子銃Info
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- JPH0364457A JPH0364457A JP1200985A JP20098589A JPH0364457A JP H0364457 A JPH0364457 A JP H0364457A JP 1200985 A JP1200985 A JP 1200985A JP 20098589 A JP20098589 A JP 20098589A JP H0364457 A JPH0364457 A JP H0364457A
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- electron
- electron beam
- coils
- electron beams
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
る。
子ビームを照射することにより、原材料物質を加熱、蒸
発させ、半導体基板等の基板表面に前記原材料物質の薄
膜を堆積させる電子ビーム魚着が知られている。そして
、()7i記電子ビーム源と、原材料物質を収容するる
つぼとを備えた電子銃として、神々の構造のものが知ら
れている。
銃を真空処理室内に設置し、複数の原材料物質を同時に
蒸発させて、基板表面に蒸発物を堆積させることが行な
われている。
た複数の電子銃の夫々の電子ビーム偏向用磁場が、万い
に干渉し合って、各電子銃の電子ビームが、人りのるつ
ぼの中心に照射されなくなったり、電子ビーl\に車が
牛じて、ビーム収束ヤ1が悪くなるという問題j、’、
jが(14じていた。
銃、相互のが離な大きくする方法があったが、製置全体
が大型化する問題点があると共に、るつぼから蒸発する
蒸気の方向分イIiが、いわゆる余弘則に支配される為
に、薄膜の■1稍速度、均一=ljl″が損なわれるこ
ととなり、’J=産川の用置では採用できなかった。
5の磁場を、平面環状の磁気1IIl路て形1曳し、該
環状磁気回路にtf)って複数のるつぼと止子ビーム源
を配置した電子ビーム蒸着用の徂r−統を堤案じた(↑
、4開平1−149955)、。
を配置7iシた電子銃は、X(i ’l’ビームの偏向
や収束性に対する問題点を解決できるものであったが、
谷るつぼに照射される電−r−ビームをスイープ(電子
ビームの1(り抽・Iされるイ1°111″1°を移動
すること)できない問題点があった。。
ム等で代表される、比1咬的低融点で、昇−i+’41
’l:でない金属を恭jりする場合には、必要とされな
い機能である。然し/1ら、タングステン、モリブデン
雰のlT、il融点金属や、石英などに代表される絶縁
物や、71111゛〈性の物質を蒸着する場合には、電
子ビームをるつぼに収容された原材料物質の一点のみで
なく、広範囲に照射しなければ正常な蒸気流が得られな
いので、必要な機能である。
、更に電子ビームをスイープさせる機能を付加して、問
題点の解決を図ったのである。
ーム偏向する為の磁場を平面環状の磁気回路にJ:り形
成し、該環状磁気回路に沿って、複数のるつぼと電−r
ビーム源を配、r、 してなる1−ハ了ビム蒸着用電子
銃においで、前記環状磁気回路の外側に沿って、電子ビ
ームをスーで一ブさせるl)の電磁コイルが設着してあ
ることを特徴としている。
又は複数のヨークで構成した環状ヨークに2対以上のコ
イルを巻装して構成する場合と、複数配置t’:l’さ
れた組子ビーム源の夫勾に対向してヨークを設け、谷ヨ
ークに1個のコイルを衣装して構成する現今とがある。
では、l−シアービームをスイープさせる為の′IU、
磁コイムコイル磁界で、電子ビームの、原材料物質に対
する照射イ171ηをスイープすることができる、。
ークに2対以上のコイルを容袋して構成した場合には、
各コイルによって発生する磁界の+1行作用にj:って
、電子ビームのスイープの為の磁界が複数の組子ビーム
に同時に作用する。
ヨクに、夫41個のコイルを巻装して構成した場合には
、谷電磁二コイルを独1′1に動作させて、個/7の電
子ビームに独立に、スイープのZ)の磁界を作用させる
ことができる。。
水冷ハースである。水冷ハース1は゛1ε而略ノJ形と
してあり、四隅部に永久磁石21.22゜・・・24が
埋設してあり、該永久磁石21.22、・・・24で平
面環状の磁気凹路3が形成しである、。
の各辺の中央上面に、るつぼ4i、42、・・・44が
設けであると共に、各るつぼの外側に電子ビーム源51
.52、・・・54が設けである。前記電子ビーム源5
1.52、・・・54は、夫4フィラメント6と電極7
で構成されている。第2図においで、8は水冷ハースl
に対する冷却水の循環路である。
構成部分であり、この発明では更に、前記水冷ハース1
の外周に、ゝ1′1川形とした環状の′11rd3 二
1 イL 9 カ+iQ +−J テあル、、 ’+1
iliU :] イ)し9 Iマ第3図に小した土うに
、1(1・j・IQ)三ノーり10で++Xli成した
環状ヨーク1jに、4 (651のコイル+21.12
2、・・・+24を巻装して桶成しであるもので、コイ
ル+2+、+22、・・・124は対t;Ilするコイ
ル量子で一対とされ、各村における二コイルによる磁力
線の)J向が反対のノj I+’+Jとへるようにしで
ある。、 1411ノ)、今、リート線131.132
を介してコイル121.123に電流を流すと、=]イ
ル121(こよって磁力線141が発〈[する一方、コ
イル123によって磁力線143が光生ずるようにしで
ある1、コイル122.124の対に対してリート線I
33.134を介して電流を流した場合も同様である1
゜ L記のように構成した束子ビーム蒸7′1川市r銃にお
いては、電子ビーム源51.52、・・・54から発射
された電rビームは、1);1.、L!磁倶(回路3に
よる磁場によって、人々第20中15のような軌跡を描
いて、るつぼ41.42、・・・44の略中火に1、’
、iQ4−4− ’:1. ココテ1iij 、’、己
’1’fim :] イ)し9 ヲ動イ’iさ−すると
、二】イル+21.122、・・・124(こよる磁界
が作用するので、束子ビームのjj/j Q・N17置
を変化させることができる。
121.+2:3に′11流を流した時の磁力線141
.143によって、電子ビームの飛行空間には、151
のような磁力線(×方向)を作用させることができ、
一方す−ト線133.134を介してコイル122.1
24に電流を流せば、前記磁力線151と直立する方1
1″りの磁力線(Y方向)を作用させることができる。
る対面に流す電流の方向および大きさを調整することで
、あらゆる方向成分を持つ磁力線を作用させることが1
1T能で、結局、電子ビーム源51.52、・・・54
から発射された重子ビームのるつぼ41.42、・・・
44における照Q=1位置を111山にスイープさせる
ことができる。
4と’i’li丁=ビーム洗i51.52、・・・54
が4イ固ずつとした、いわゆる4運のものについて説明
したが、この数に制限はなく、3辿、5辿、6連(第(
3図参照)以ト専、同様のスイープがuJ能である。。
ークで?+’7i成した実施例である。
ーム源51.52、・・・54と対向させた弧状のヨー
ク+61.162.164で−っの環状ヨーク17を構
成し、谷ヨーク161.162、・・・164に、前記
実施例と同様に、対向するヨクIijで対をなすコイル
+81.182、・・・184を巻装して、スイープ用
の電磁コイルを構成しである。
164の配置される位置を、電子ビーム源と電子ビーム
源の間としたものである。
空Fj11に、スイープの15の磁力線を作用すること
が可能であり、前記実施例と同様に、電rビl\のij
/j Q、j位置を白雨にスイープすることがてきる。
電子ビーム源毎に独\7させた実施例である。
夫々各別のヨーク+91.192、・・・196が設け
られ、大女のヨーク+9+、+92、・・・196に=
]コイル201202、・・・206を春装して、電磁
コイル91.92、・・・9Gとしたものである。
は人〜独)“lとされており、従って、谷徂丁ビム源5
1.52、・・・56毎にスイープのlbの6μ界を作
用させて、個4のるつぼに最適のスイープを行なうこと
ができる。
した原材料物質にp(j rJ、iされる電r−ビーム
をスイープできるようにしたので、高融点金属、絶縁物
、界華件物質でも多元電γビーム蒸7tが可能にできる
効果がある。
Jfq例の電磁コイルを説明する1×1、第4図はこ
の発明の第2の実施例の甲面図、第5図はこの発明の第
3の実施例の!ト面図、第6図はこの発明の第4の1χ
1血例の゛1′1因である。。 21.22、・・・24 永久磁石 3、 磁気回路 41.42、・・・44 るつば 51.52、・= 56 、 、 、 、 ’Iu r
ヒb djlj6 、フィラメント 9.91.92、・・・96.、、、’1’l4B=コ
イルOヨ − り 環状ヨーク 2+ 122、・・・124 61.162、・・・164 81.182、・・・184 20 I 、 202、 ・・・206.、、、:]
イ ル特I「出廓人 ロ電アネルバ株式会ン1代
即人 鈴木IF次
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電子ビームを偏向する為の磁場を平面環状の磁気回
路により形成し、該環状磁気回路に沿って複数のるつぼ
と電子ビーム源を配置してなる電子ビーム蒸着用電子銃
においで、前記環状磁気回路の外側に沿って電子ビーム
をスイープさせる為の電磁コイルが設置してあることを
特徴とした電子ビーム蒸着用電子銃 2 スイープさせる為の電磁コイルは、1又は複数のヨ
ークで構成した環状ヨークに2対以上のコイルを巻装し
て構成した請求項1記載の電子ビーム蒸着用電子銃 3 スイープさせる為の電磁コイルは、各電子ビーム源
と対向させて設置したヨークに、夫々1個のコイルを巻
装して構成した請求項1記載の電子ビーム蒸着用電子銃
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200985A JPH0762240B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 電子ビーム蒸着用電子銃 |
| US07/557,095 US5034590A (en) | 1989-08-02 | 1990-07-25 | Electron gun arrangement for use in the electron beam evaporation process |
| EP19900114411 EP0411482A3 (en) | 1989-08-02 | 1990-07-27 | Electron gun arrangement for use in the electron beam evaporation process |
| KR1019900011706A KR960005808B1 (ko) | 1989-08-02 | 1990-07-31 | 전자비임 증착용 전자총 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200985A JPH0762240B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 電子ビーム蒸着用電子銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364457A true JPH0364457A (ja) | 1991-03-19 |
| JPH0762240B2 JPH0762240B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=16433590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200985A Expired - Fee Related JPH0762240B2 (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 電子ビーム蒸着用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762240B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363641B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2002-12-12 | 주식회사 수림 | 벨로우즈관용 어댑터 및 그의 접합구조 |
| WO2007063259A1 (fr) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Riber | Cellule d'effusion haute temperature de grande capacite |
| CN119876861A (zh) * | 2024-09-29 | 2025-04-25 | 西安交通大学 | 一种超高真空多源共沉积装置及其工作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149955A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Anelva Corp | 薄膜製造装置 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP1200985A patent/JPH0762240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01149955A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Anelva Corp | 薄膜製造装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363641B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2002-12-12 | 주식회사 수림 | 벨로우즈관용 어댑터 및 그의 접합구조 |
| WO2007063259A1 (fr) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Riber | Cellule d'effusion haute temperature de grande capacite |
| FR2894257A1 (fr) * | 2005-12-02 | 2007-06-08 | Riber Sa | Cellule d'effusion haute temperature de grande capacite |
| CN119876861A (zh) * | 2024-09-29 | 2025-04-25 | 西安交通大学 | 一种超高真空多源共沉积装置及其工作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762240B2 (ja) | 1995-07-05 |
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