JPH036466U - - Google Patents

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JPH036466U
JPH036466U JP6776689U JP6776689U JPH036466U JP H036466 U JPH036466 U JP H036466U JP 6776689 U JP6776689 U JP 6776689U JP 6776689 U JP6776689 U JP 6776689U JP H036466 U JPH036466 U JP H036466U
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growth solution
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例で用いるスライドボート例の
構成図、第2図は本考案による液相エピタキシヤ
ル成長装置の一実施例を示す構成図、第3図は本
実施例の操作説明図である。 1……飽和溶液ホルダ、2……成長溶液ホルダ
、3……排液ホルダ、4……原料供給カセツト、
6……基板供給カセツト、7……基板、8……排
液カセツト、10a〜10b……飽和溶液、21
……反応管、23a〜23b……成長溶液、29
……スライドボート本体、30……スライドボー
ト、40……カセツト、50……搬送系である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) スライドボートに収容した成長溶液を反応
    管内で徐冷降温し、成長溶液に対して基板を相対
    的にスライドして接触させることにより基板上に
    結晶薄膜を多層成長させる液相エピタキシヤル成
    長装置において、 上記スライドボートの本体を、飽和溶液を保持
    する飽和溶液ホルダと、飽和溶液ホルダの保持す
    る飽和溶液の一部が成長溶液として分配され、そ
    の成長溶液を上記飽和溶液から断つて保持する成
    長溶液ホルダと、成長に使用されて残つた成長溶
    液を回収する排液ホルダとから構成し、 上記スライドボート本体を構成する成長溶液ホ
    ルダと排液ホルダとの間に、スライド方向に一列
    に連動する複数のカセツトを挿入し、このカセツ
    トを、上記成長溶液ホルダと連通して成長溶液ホ
    ルダの保持する成長溶液に原料を溶解させて成長
    溶液を調整する原料供給カセツトと、成長溶液ホ
    ルダの保持する調整成長溶液に基板を接触させて
    、基板上に結晶薄膜を成長させる基板供給カセツ
    トと、成長溶液ホルダと排液ホルダとを連通して
    成長に使用されて残つた成長溶液を排液ホルダに
    回収させる排液カセツトとから構成したことを特
    徴とする液相エピタキシヤル成長装置。 (2) 上記スライドボート本体を構成する成長溶
    液ホルダと排液ホルダとの間に対して、原料供給
    カセツト、基板供給カセツト、排液カセツトの挿
    入・取出しを行う搬送系を備え、 この搬送系により上記カセツトの挿入・取出し
    を行つて成長溶液の調整・成長・排液を繰り返す
    ように構成したことを特徴とする請求項1記載の
    液相エピタキシヤル成長装置。
JP6776689U 1989-06-09 1989-06-09 Pending JPH036466U (ja)

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