JPH0364827B2 - - Google Patents
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- JPH0364827B2 JPH0364827B2 JP15142085A JP15142085A JPH0364827B2 JP H0364827 B2 JPH0364827 B2 JP H0364827B2 JP 15142085 A JP15142085 A JP 15142085A JP 15142085 A JP15142085 A JP 15142085A JP H0364827 B2 JPH0364827 B2 JP H0364827B2
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- light
- range
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- surface inspection
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9503—Wafer edge inspection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、試料板表面の微細欠陥を散乱光検出
方式により検査する表面検査装置に関し、特に試
料板の輪郭を欠けることなく表示すると共に表面
検査の有効範囲を広くすることができる表面検査
装置に関する。
方式により検査する表面検査装置に関し、特に試
料板の輪郭を欠けることなく表示すると共に表面
検査の有効範囲を広くすることができる表面検査
装置に関する。
従来の技術
表面検査装置は、半導体用ウエハ、ホトマス
ク、磁気デイスク等の試料板の精密加工表面の微
細欠陥（異物、キズ、ピンホール等）を散乱光検
出方式により検査し、これを欠陥マツプ図などで
出力する装置である。そして、この欠陥マツプ図
として出力するときには、欠陥の位置が直観的に
認識できるようにするため、上記試料板の輪郭を
表示する必要がある。そして、従来の表面検査装
置において試料板の輪郭を検出して表示するに
は、第８図に示すように、試料板１の表面に投光
部２から光ビームを照射し、上記試料板１の外周
縁３からの反射散乱光を光フアイバ群４と光電変
換器５とからなる受光部６で受光検出して表示し
ていた。
ク、磁気デイスク等の試料板の精密加工表面の微
細欠陥（異物、キズ、ピンホール等）を散乱光検
出方式により検査し、これを欠陥マツプ図などで
出力する装置である。そして、この欠陥マツプ図
として出力するときには、欠陥の位置が直観的に
認識できるようにするため、上記試料板の輪郭を
表示する必要がある。そして、従来の表面検査装
置において試料板の輪郭を検出して表示するに
は、第８図に示すように、試料板１の表面に投光
部２から光ビームを照射し、上記試料板１の外周
縁３からの反射散乱光を光フアイバ群４と光電変
換器５とからなる受光部６で受光検出して表示し
ていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来の表示においては、上
記外周縁３の仕上形状によつてはその外周縁３か
らの散乱光が上記受光部６の光フアイバ群４の受
光端面側に反射せず横方向に反射することがあ
り、受光部６の光電変換器５で上記散乱光を検出
できないことがあつた。従つて、試料板１の輪郭
を全部表示できず、部分的に輪郭が欠けることが
あつた。また、試料板１の表面状態によつては光
電変換器５の検出感度を下げることがあるが、こ
の場合は上記外周縁３からの反射散乱光を受光し
ても検出信号が小さくなる。従つて、このときは
試料板１の輪郭をほとんど表示できないものであ
つた。このようなことに対処して、第９図に示す
ように、ウエハ等の試料板１においてはそのオリ
エンテーシヨンフラツト（以下「オリフラ」と略
称する）７の部分は第８図に示す受光部６でも受
光検出できるので、まず、上記オリフラ７の位置
を検出し、このオリフラ７を基準としてその内接
円８を描いて表示することが行われている。そし
てこの場合、上記内接円８の外側は測定不能領域
９として排除され、該内接円８の内側だけが測定
範囲とされていた。従つて、試料板１についての
表面検査の有効範囲が狭くなると共に、該試料板
１の全形状に沿つた表面検査ができないものであ
つた。そこで、本発明はこのような問題点を解決
することを目的とする。
記外周縁３の仕上形状によつてはその外周縁３か
らの散乱光が上記受光部６の光フアイバ群４の受
光端面側に反射せず横方向に反射することがあ
り、受光部６の光電変換器５で上記散乱光を検出
できないことがあつた。従つて、試料板１の輪郭
を全部表示できず、部分的に輪郭が欠けることが
あつた。また、試料板１の表面状態によつては光
電変換器５の検出感度を下げることがあるが、こ
の場合は上記外周縁３からの反射散乱光を受光し
ても検出信号が小さくなる。従つて、このときは
試料板１の輪郭をほとんど表示できないものであ
つた。このようなことに対処して、第９図に示す
ように、ウエハ等の試料板１においてはそのオリ
エンテーシヨンフラツト（以下「オリフラ」と略
称する）７の部分は第８図に示す受光部６でも受
光検出できるので、まず、上記オリフラ７の位置
を検出し、このオリフラ７を基準としてその内接
円８を描いて表示することが行われている。そし
てこの場合、上記内接円８の外側は測定不能領域
９として排除され、該内接円８の内側だけが測定
範囲とされていた。従つて、試料板１についての
表面検査の有効範囲が狭くなると共に、該試料板
１の全形状に沿つた表面検査ができないものであ
つた。そこで、本発明はこのような問題点を解決
することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決する本発明の手段は、試料
板の表面に光ビームを照射する投光部と、その試
料板の表面からの反射散乱光を受光検出する受光
部とを有し、上記試料板を一定方向に回転させな
がら移動してその表面の微細欠陥を散乱光検出方
式により検査する表面検査装置において、上記試
料板を間に挟んで投光部と反対側に該試料板の外
周縁の位置を検出する範囲外センサを設け、この
範囲外センサからの範囲外信号により上記試料板
の輪郭を表示するようにしたことによつてなされ
る。
板の表面に光ビームを照射する投光部と、その試
料板の表面からの反射散乱光を受光検出する受光
部とを有し、上記試料板を一定方向に回転させな
がら移動してその表面の微細欠陥を散乱光検出方
式により検査する表面検査装置において、上記試
料板を間に挟んで投光部と反対側に該試料板の外
周縁の位置を検出する範囲外センサを設け、この
範囲外センサからの範囲外信号により上記試料板
の輪郭を表示するようにしたことによつてなされ
る。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明による表面検査装置の実施例を
示す説明図である。この表面検査装置は、半導体
用ウエハ、ホトマスク、磁気デイスク等の試料板
１の精密加工表面の微細欠陥を散乱光検出方式に
より検査し欠陥マツプ図として出力するもので、
投光部２と、受光部６とを有している。上記投光
部２は、試料板１の表面に光ビームを照射するも
ので、例えばレーザ発振器とこのレーザ発振器の
光軸上に設けられたピンホール及び集束レンズと
を組み合わせてなる。この投光部２から適宜のビ
ーム径で試料板１の表面に垂直に照射されたレー
ザビーム等の光ビームは、該試料板１の表面で反
射される。そして、この試料板１の上方には、受
光部６が設けられている。この受光部６は、上記
試料板１からの反射散乱光を検出するもので、光
フアイバ群４と光電変換器５とを有する。上記光
フアイバ群４は、試料板１からの反射散乱光を光
電変換器５のところまで導くもので、複数本たと
えば12本の光フアイバを束ねてなる。上記光電変
換器５は、光フアイバ群４で導かれた光を入力し
て電気信号（検出信号S1）に変換するもので、例
えば光電子増倍管である。なお、第１図におい
て、符号１０は、上記試料板１を一定方向に回転
させながら所定方向へ移動してスパイラル状に走
査をさせるスピンドルである。
示す説明図である。この表面検査装置は、半導体
用ウエハ、ホトマスク、磁気デイスク等の試料板
１の精密加工表面の微細欠陥を散乱光検出方式に
より検査し欠陥マツプ図として出力するもので、
投光部２と、受光部６とを有している。上記投光
部２は、試料板１の表面に光ビームを照射するも
ので、例えばレーザ発振器とこのレーザ発振器の
光軸上に設けられたピンホール及び集束レンズと
を組み合わせてなる。この投光部２から適宜のビ
ーム径で試料板１の表面に垂直に照射されたレー
ザビーム等の光ビームは、該試料板１の表面で反
射される。そして、この試料板１の上方には、受
光部６が設けられている。この受光部６は、上記
試料板１からの反射散乱光を検出するもので、光
フアイバ群４と光電変換器５とを有する。上記光
フアイバ群４は、試料板１からの反射散乱光を光
電変換器５のところまで導くもので、複数本たと
えば12本の光フアイバを束ねてなる。上記光電変
換器５は、光フアイバ群４で導かれた光を入力し
て電気信号（検出信号S1）に変換するもので、例
えば光電子増倍管である。なお、第１図におい
て、符号１０は、上記試料板１を一定方向に回転
させながら所定方向へ移動してスパイラル状に走
査をさせるスピンドルである。
ここで、本発明においては、上記試料板１を間
に挟んで投光部２と反対側に範囲外センサ１１が
設けられている。この範囲外センサ１１は、上記
試料板１の外周縁３の位置を検出するもので、フ
オトトランジスタ等の受光素子からなると共に上
記投光部２からの光ビーム１２の光軸状に設けら
れており、試料板１が所定方向へ移動して該試料
板１の外周縁３が光ビーム１２の光軸を通り過ぎ
たときに上記光ビーム１２が範囲外センサ１１に
直接入射し、これにより上記範囲外センサ１１が
オンとなつてこの範囲外信号S2で上記外周縁３の
位置を検出するようになつている。第２図は上記
範囲外センサ１１の具体的な取付構造を示すもの
で、スピンドル１０の取付基部の近傍に設けられ
た固定ベース１３の一部にて、上記投光部２の光
ビーム１２の光軸と合致する位置にある程度の長
さＬを有して設けられている。そして、第２図に
おいて、スピンドル１０によつて試料板１は例え
ば矢印Ａ方向に回転させられ、これと同時に上記
スピンドル１０は所定方向、例えば上記試料板１
の半径方向に矢印Ｂのように移動して行き、この
結果該試料板１も矢印Ｂ方向に移動し、その外周
縁３が光ビーム１２の光軸を通り過ぎたところで
上記範囲外センサ１１に投光部２の光ビーム１２
が入射する。
に挟んで投光部２と反対側に範囲外センサ１１が
設けられている。この範囲外センサ１１は、上記
試料板１の外周縁３の位置を検出するもので、フ
オトトランジスタ等の受光素子からなると共に上
記投光部２からの光ビーム１２の光軸状に設けら
れており、試料板１が所定方向へ移動して該試料
板１の外周縁３が光ビーム１２の光軸を通り過ぎ
たときに上記光ビーム１２が範囲外センサ１１に
直接入射し、これにより上記範囲外センサ１１が
オンとなつてこの範囲外信号S2で上記外周縁３の
位置を検出するようになつている。第２図は上記
範囲外センサ１１の具体的な取付構造を示すもの
で、スピンドル１０の取付基部の近傍に設けられ
た固定ベース１３の一部にて、上記投光部２の光
ビーム１２の光軸と合致する位置にある程度の長
さＬを有して設けられている。そして、第２図に
おいて、スピンドル１０によつて試料板１は例え
ば矢印Ａ方向に回転させられ、これと同時に上記
スピンドル１０は所定方向、例えば上記試料板１
の半径方向に矢印Ｂのように移動して行き、この
結果該試料板１も矢印Ｂ方向に移動し、その外周
縁３が光ビーム１２の光軸を通り過ぎたところで
上記範囲外センサ１１に投光部２の光ビーム１２
が入射する。
第３図は本発明の表面検査装置において試料板
１の表面検査をすると共にその輪郭を表示する制
御系のブロツク図である。この制御系は、上述の
受光部６と、範囲外センサ１１と、試料板１の矢
印Ａ方向の回転角及び矢印Ｂ方向の半径方向移動
により欠陥信号の位置を検出する欠陥位置検出部
１４と、この欠陥位置検出部１４からのサンプリ
ングパルス信号S3の大きさを区分すると共に受光
部６からの検出信号S1及び範囲外センサ１１の範
囲外信号S2を処理する検出信号処理部１５と、こ
の検出信号処理部１５でサンプリング処理した信
号を入力して外周縁３の位置や欠陥信号の位置を
演算するデータ処理部１６と、このデータ処理部
１６の演算結果に基づいて試料板１の輪郭や微細
欠陥の位置を表示するデイスプレイ１７とを有し
ている。
１の表面検査をすると共にその輪郭を表示する制
御系のブロツク図である。この制御系は、上述の
受光部６と、範囲外センサ１１と、試料板１の矢
印Ａ方向の回転角及び矢印Ｂ方向の半径方向移動
により欠陥信号の位置を検出する欠陥位置検出部
１４と、この欠陥位置検出部１４からのサンプリ
ングパルス信号S3の大きさを区分すると共に受光
部６からの検出信号S1及び範囲外センサ１１の範
囲外信号S2を処理する検出信号処理部１５と、こ
の検出信号処理部１５でサンプリング処理した信
号を入力して外周縁３の位置や欠陥信号の位置を
演算するデータ処理部１６と、このデータ処理部
１６の演算結果に基づいて試料板１の輪郭や微細
欠陥の位置を表示するデイスプレイ１７とを有し
ている。
次に、このように構成された表面検査装置にお
ける試料板１の輪郭表示の動作について第４図の
フローチヤートを参照して説明する。まず、初期
状態では、第１図においてスピンドル１０は右方
向に移動しており、試料板１の中心点Ｏ（第５図
参照）に投光部２からの光ビーム１２が照射され
るようになつている。この状態から上記スピンド
ル１０を駆動して、第２図に示すように例えば矢
印Ａ方向に一定の回転を行いながら、矢印Ｂのよ
うにその半径方向に中心から外周に向かつて移動
させ、第５図に示すように上記試料板１の表面を
光ビーム１２でスパライラル状に走査する。ここ
で、上記光ビーム１２による走査が外周まで到達
し、第１図に示すように、試料板１の外周縁３が
光ビーム１２の光軸を通り過ぎると、今まで上記
試料板１で遮られていた光ビーム１２が範囲外セ
ンサ１１に入射しこれを検出して範囲外信号S2が
出力され。この範囲外信号S2は、第３図に示す検
出信号処理部１５に入力し、範囲外信号有りかど
うか判断される（第４図のステツプ）。ここで
は、上記のように範囲外信号S2が入力したので、
「有り」の方へ進む。次に、上記範囲外信号S2は
試料板１の半径方向の最初の信号かどうか判断さ
れる（ステツプ）。これは、試料板１は真円以
外の形状もあるので、これにより上記試料板１の
外周縁３かどうかを判断するためである。ここで
は、最初の範囲外信号S2であるので、“YES”側
へ進む。これにより、試料板１の外周縁３である
ことを認知し（ステツプ）、その信号がデータ
処理部１６で演算されて外周縁３の位置を求め、
その外周縁３の位置をデイスプレイ１７に表示す
る（ステツプ）。次に、１回転終了かどうか判
断される（ステツプ）。ここでは、上記スパイ
ラル走査のある一点で外周縁３を検出しただけな
ので“NO”側へ進み、ステツプの前に戻る。
そして、次の範囲外信号S2の検出が無い場合は、
ステツプは「無し」の方へ進み、ステツプへ
進む。これは、第５図におけるオリフラ７の部分
の外周縁３を検出している場合である。また、次
の範囲外信号S2の検出が有る場合は、ステツプ
は「有り」の方へ進み、ステツプ→→→
と進む。これは、第５図におけるオリフラ以外の
円弧状の外周縁３を検出している場合である。こ
のようにして、ステツプ→→→→→
またはステツプ→→を繰り返し、試料板１
が１回転終了すると、ステツプは“YES”側
へ進む。次に、表面検査の測定範囲終了かどうか
判断される（ステツプ）。未だ測定範囲の最外
周まで測定が終了していない場合は、“NO”側
へ進む。これは、第５図におけるオリフラ７の部
分の外周縁３を検出した場合であり、まだ全半径
について終了していないので、次の半径位置の処
理準備を行い（ステツプ）、ステツプの前に
戻る。以下、上記と同様にして各ステツプを進
め、測定範囲の最外周まで測定が終了したら、ス
テツプは“YES”側へ進み、輪郭表示を終了
する。
ける試料板１の輪郭表示の動作について第４図の
フローチヤートを参照して説明する。まず、初期
状態では、第１図においてスピンドル１０は右方
向に移動しており、試料板１の中心点Ｏ（第５図
参照）に投光部２からの光ビーム１２が照射され
るようになつている。この状態から上記スピンド
ル１０を駆動して、第２図に示すように例えば矢
印Ａ方向に一定の回転を行いながら、矢印Ｂのよ
うにその半径方向に中心から外周に向かつて移動
させ、第５図に示すように上記試料板１の表面を
光ビーム１２でスパライラル状に走査する。ここ
で、上記光ビーム１２による走査が外周まで到達
し、第１図に示すように、試料板１の外周縁３が
光ビーム１２の光軸を通り過ぎると、今まで上記
試料板１で遮られていた光ビーム１２が範囲外セ
ンサ１１に入射しこれを検出して範囲外信号S2が
出力され。この範囲外信号S2は、第３図に示す検
出信号処理部１５に入力し、範囲外信号有りかど
うか判断される（第４図のステツプ）。ここで
は、上記のように範囲外信号S2が入力したので、
「有り」の方へ進む。次に、上記範囲外信号S2は
試料板１の半径方向の最初の信号かどうか判断さ
れる（ステツプ）。これは、試料板１は真円以
外の形状もあるので、これにより上記試料板１の
外周縁３かどうかを判断するためである。ここで
は、最初の範囲外信号S2であるので、“YES”側
へ進む。これにより、試料板１の外周縁３である
ことを認知し（ステツプ）、その信号がデータ
処理部１６で演算されて外周縁３の位置を求め、
その外周縁３の位置をデイスプレイ１７に表示す
る（ステツプ）。次に、１回転終了かどうか判
断される（ステツプ）。ここでは、上記スパイ
ラル走査のある一点で外周縁３を検出しただけな
ので“NO”側へ進み、ステツプの前に戻る。
そして、次の範囲外信号S2の検出が無い場合は、
ステツプは「無し」の方へ進み、ステツプへ
進む。これは、第５図におけるオリフラ７の部分
の外周縁３を検出している場合である。また、次
の範囲外信号S2の検出が有る場合は、ステツプ
は「有り」の方へ進み、ステツプ→→→
と進む。これは、第５図におけるオリフラ以外の
円弧状の外周縁３を検出している場合である。こ
のようにして、ステツプ→→→→→
またはステツプ→→を繰り返し、試料板１
が１回転終了すると、ステツプは“YES”側
へ進む。次に、表面検査の測定範囲終了かどうか
判断される（ステツプ）。未だ測定範囲の最外
周まで測定が終了していない場合は、“NO”側
へ進む。これは、第５図におけるオリフラ７の部
分の外周縁３を検出した場合であり、まだ全半径
について終了していないので、次の半径位置の処
理準備を行い（ステツプ）、ステツプの前に
戻る。以下、上記と同様にして各ステツプを進
め、測定範囲の最外周まで測定が終了したら、ス
テツプは“YES”側へ進み、輪郭表示を終了
する。
この結果、第６図に示すように、試料板１の外
周縁３の全形状に沿つた輪郭１８がすべて表示さ
れる。そして、上記輪郭１８の内側が試料板１に
対する表面検査の測定範囲となる。なお、上記輪
郭１８を基準としてその内側に適宜のスペースを
とり、その内方部のみを測定範囲１９として任意
に設定することもできる。この場合は、上記測定
範囲１９の外側は測定不可領域２０となる。
周縁３の全形状に沿つた輪郭１８がすべて表示さ
れる。そして、上記輪郭１８の内側が試料板１に
対する表面検査の測定範囲となる。なお、上記輪
郭１８を基準としてその内側に適宜のスペースを
とり、その内方部のみを測定範囲１９として任意
に設定することもできる。この場合は、上記測定
範囲１９の外側は測定不可領域２０となる。
第７図は本発明の他の実施例を示す説明図であ
る。この実施例は、まず、ａ図に示すように、投
光部２から試料板１の表面に照射した光ビーム１
２の反射散乱光を受光部で受光検出し、その検出
信号S1の有無により、現測定点が上記試料板１の
範囲内であるかどうかを検出させておく。そし
て、試料板１が第２図における矢印Ｂ方向に移動
して、ｂ図に示すように、上記試料板１の外周縁
３が光ビーム１２の光軸を通りり過ぎると、上記
光ビーム１２が範囲外センサ１１に到達する。そ
して、このときの範囲外信号S2の出力のタイミン
グにより、その一つ前の受光部６の検出信号S1を
割り出し、これを利用して試料板１の輪郭１８を
表示するものである。この場合は、試料板１の輪
郭１８を一本の線でより精密に表示することがで
きる。
る。この実施例は、まず、ａ図に示すように、投
光部２から試料板１の表面に照射した光ビーム１
２の反射散乱光を受光部で受光検出し、その検出
信号S1の有無により、現測定点が上記試料板１の
範囲内であるかどうかを検出させておく。そし
て、試料板１が第２図における矢印Ｂ方向に移動
して、ｂ図に示すように、上記試料板１の外周縁
３が光ビーム１２の光軸を通りり過ぎると、上記
光ビーム１２が範囲外センサ１１に到達する。そ
して、このときの範囲外信号S2の出力のタイミン
グにより、その一つ前の受光部６の検出信号S1を
割り出し、これを利用して試料板１の輪郭１８を
表示するものである。この場合は、試料板１の輪
郭１８を一本の線でより精密に表示することがで
きる。
なお、第１図及び第２図では、範囲外センサ１
１は投光部２の光ビーム１２の光軸状に設けたも
のとして示したが、本発明はこれに限らず、試料
板１を間に挟んでその外周縁３に対応する適宜の
位置に、範囲外センサ１１を設け、上記試料板１
の矢印Ｂ方向の移動に従つてその試料板１と移動
するようにしてもよい。
１は投光部２の光ビーム１２の光軸状に設けたも
のとして示したが、本発明はこれに限らず、試料
板１を間に挟んでその外周縁３に対応する適宜の
位置に、範囲外センサ１１を設け、上記試料板１
の矢印Ｂ方向の移動に従つてその試料板１と移動
するようにしてもよい。
発明の効果
本発明は以上説明したように、試料板１を間に
挟んで投光部２と反対側に上記試料板１の外周縁
３の位置を検出する範囲外センサ１１を設けたの
で、上記試料板１の所定方向の移動と共にその外
周縁３が投光部２からの光ビーム１２の光軸を通
り過ぎることにより、上記範囲外センサ１１に光
ビーム１２が直接入射して外周縁３の位置を検出
し、試料板１の輪郭１８を表示することができ
る。ここで、従来のように試料板１の外周縁３か
らの反射散乱光を受光部６で検出して表示するの
ではないので、上記外周縁３の仕上形状や受光部
６の検出感度等に影響されず、試料板１の輪郭１
８を欠けることなく全部表示することができる。
また、第６図に示すように、オリフラ７の部分か
ら円弧状の外周部分まで試料板１の全形状に沿つ
て輪郭１８を表示出来ると共に、その内側が試料
板１に対する測定範囲となるので、表面検査の有
効範囲を広くすることができる。さらに、上記輪
郭１８を基準としてその内側に適宣のスペースを
とることにより、試料板１に対する測定範囲１９
を任意に設定することもできる。
挟んで投光部２と反対側に上記試料板１の外周縁
３の位置を検出する範囲外センサ１１を設けたの
で、上記試料板１の所定方向の移動と共にその外
周縁３が投光部２からの光ビーム１２の光軸を通
り過ぎることにより、上記範囲外センサ１１に光
ビーム１２が直接入射して外周縁３の位置を検出
し、試料板１の輪郭１８を表示することができ
る。ここで、従来のように試料板１の外周縁３か
らの反射散乱光を受光部６で検出して表示するの
ではないので、上記外周縁３の仕上形状や受光部
６の検出感度等に影響されず、試料板１の輪郭１
８を欠けることなく全部表示することができる。
また、第６図に示すように、オリフラ７の部分か
ら円弧状の外周部分まで試料板１の全形状に沿つ
て輪郭１８を表示出来ると共に、その内側が試料
板１に対する測定範囲となるので、表面検査の有
効範囲を広くすることができる。さらに、上記輪
郭１８を基準としてその内側に適宣のスペースを
とることにより、試料板１に対する測定範囲１９
を任意に設定することもできる。
第１図は本発明による表面検査装置の実施例を
示す説明図、第２図は範囲外センサの具体的な取
付構造を示す側面図、第３図は試料板の表面検査
をすると共にその輪郭を表示する制御系のブロツ
ク図、第４図は試料板の輪郭表示の手順を示すフ
ローチヤート、第５図は試料板に対するスパイラ
ル状の走査を示す平面図、第６図は試料板の輪郭
表示の状態を示す説明図、第７図は本発明の他の
実施例を示す説明図、第８図は従来の表面検査装
置を示す説明図、第９図は従来例による試料板の
輪郭表示の状態を示す説明図である。 １…試料板、２…投光部、３…外周縁、６…受
光部、１０…スピンドル、１１…範囲外センサ、
１２…光ビーム、１８…試料板の輪郭、S1…受光
部の検出信号、S2…範囲外センサの範囲外信号。
示す説明図、第２図は範囲外センサの具体的な取
付構造を示す側面図、第３図は試料板の表面検査
をすると共にその輪郭を表示する制御系のブロツ
ク図、第４図は試料板の輪郭表示の手順を示すフ
ローチヤート、第５図は試料板に対するスパイラ
ル状の走査を示す平面図、第６図は試料板の輪郭
表示の状態を示す説明図、第７図は本発明の他の
実施例を示す説明図、第８図は従来の表面検査装
置を示す説明図、第９図は従来例による試料板の
輪郭表示の状態を示す説明図である。 １…試料板、２…投光部、３…外周縁、６…受
光部、１０…スピンドル、１１…範囲外センサ、
１２…光ビーム、１８…試料板の輪郭、S1…受光
部の検出信号、S2…範囲外センサの範囲外信号。
Claims (1)
- １ 試料板の表面に光ビームを照射する投光部
と、その試料板の表面からの反射散乱光を受光検
出する受光部とを有し、上記試料板を一定方向に
回転させながら移動してその表面の微細欠陥を散
乱光検出方式により検査する表面検査装置におい
て、上記試料板を間に挟んで投光部と反対側に該
試料板の外周縁の位置を検出する範囲外センサを
設け、この範囲外センサからの範囲外信号により
上記試料板の輪郭を表示するようにしたことを特
徴とする表面検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15142085A JPS6214039A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 表面検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15142085A JPS6214039A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 表面検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6214039A JPS6214039A (ja) | 1987-01-22 |
| JPH0364827B2 true JPH0364827B2 (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=15518227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15142085A Granted JPS6214039A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 表面検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6214039A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4787185B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2011-10-05 | 株式会社トプコン | ウエハ表面検査方法及びその装置 |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP15142085A patent/JPS6214039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6214039A (ja) | 1987-01-22 |
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