JPH0364933B2 - - Google Patents
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- JPH0364933B2 JPH0364933B2 JP58245826A JP24582683A JPH0364933B2 JP H0364933 B2 JPH0364933 B2 JP H0364933B2 JP 58245826 A JP58245826 A JP 58245826A JP 24582683 A JP24582683 A JP 24582683A JP H0364933 B2 JPH0364933 B2 JP H0364933B2
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- substrate
- magnetic disk
- glaze layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
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- G—PHYSICS
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- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
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- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
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Description
本発明はセラミツク基板を磁気デイスクの支持
体とした磁気デイスク用基板に関する。 磁気デイスク装置はコンピユータの情報処理シ
ステムの中で情報記憶の中心的な役割を果してい
るが、近時、この磁気記録は高密度化及び大容量
化の傾向にあるため、スパツタリングなどの薄膜
技術を利用して磁気記録媒体の薄層化及び高面精
度化をおこない、その要求に答えようとしてい
る。 かかる磁気記録媒体が形成される基板には、ア
ルミニウム合金が使用され、その表面を酸化して
得られたアルマイト層が2μ位の厚みで被覆され
ており、このアルマイト層によつて基板表面の硬
度が大きくなつているが、この硬質アルマイト層
の厚みが小さく、且つアルミニウム合金とアルマ
イトの熱膨張係数が異なつているため、基板温度
が上昇するに伴い、基板に歪みが発生し易かつ
た。即ち、スパツタリングによつて基板上に磁気
記録媒体を形成する際には、スパツタ粒子や電子
が基板上に衝突するため、その衝突エネルギによ
つて基板温度が上昇し、更に、γ−Fe2O3から成
る磁気記録媒体の場合では、通常、300℃以上に
加熱処理することが行われており、かように基板
が被る温度上昇に伴つて、アルミニウム基板に歪
みが発生し易くなり、これにより、このアルミニ
ウム基板に磁気記録媒体を形成して高密度磁気記
録に用いた場合、正確な書き込みや続み取りが出
来にくいという問題があつた。 更に、磁気デイスク装置は、同一の回転軸に複
数の磁気デイスクを配置して1000〜3000rpm位ま
での高速回転をさせて、続み取り及び書き込みの
データ処理をおこなつており、この磁気デイスク
用基板がアルミニウム合金から形成されている
と、基板自体が遠心力によつて伸び易くなり、こ
れによつても、高密度磁気記録に適した正確な書
き込み及び読み取りが出来ず、このような書き込
み誤差や読み取り誤差の解決が望まれていた。 その上、アルミニウム合金製磁気デイスク用基
板には、通常、表面がアルマイト処理がされてい
ても、その基板表面の片面全面に亘つて2〜3μ
のボイドが100個以上もあるため、高密度記録用
磁気デイスク装置にとつては、このボイド欠陥に
起因して正確な書き込み及び続み取りが出来ない
という問題もあり、ボイド欠陥の少ない磁気デイ
スク用基板材料が望まれていた。 本発明は、上述の難点をすべて解消するために
完成されたものであり、その目的はスパツタリン
グや熱処理に対して基板に何ら歪みが発生せず、
且つ基板に加わる遠心力に対して基板自体の伸び
が全く生じることもなく、更に、基板表面にボイ
ド欠陥の少ない材料を用いることにより、高密度
磁気記録に相応しい書き込みや続み取りができる
磁気デイスク用基板を提供することにある。 本発明によれば、セラミツク基板を支持体と
し、磁気記録媒体が被着される面にグレーズ層が
形成されていることを特徴とする磁気デイスク用
基板が提供される。 以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。 第1図は本発明に係る典型的な磁気デイスク用
基板1を示す斜視図であり、第2図はこの磁気デ
イスク用基板1の要部断面図であり、セラミツク
基板2の両面にガラスを被覆してグレース層3が
形成されていることを示す。 本発明者等は、ボイド欠陥の比較的少ないガラ
ス材料を磁気記録媒体の被着面に用いることによ
り、アルミニウム合金製基板に発生したボイド欠
陥が解決されることを見い出した。そして、第1
図及び第2図のように、このガラス材料がグレー
ズ層3として被覆される支持体にセラミツク基板
2を用いて、そのセラミツク基板2の両面にグレ
ーズ層3を形成して積層体とした。これによれ
ば、セラミツク基板2はアルミニウム合金などの
金属に比べて著しく弾性率が小さいため、セラミ
ツク基板2とグレーズ層3から成る積層体を
3000rpmの高速回転にしても基板自体が被る遠心
力によつて基板に全く伸びが生じることもなかつ
た。 更に、このセラミツク基板2及びグレーズ層3
については、両者の熱膨張係数が500℃位までに
至つて、実質上、歪みが生じない範囲でそれぞれ
の材質が選択され、そのために、熱膨張係数がほ
とんど同じとするのがよい。このセラミツク基板
2の具体的な材質として、アルミナ、ジルコニ
ア、チタン酸バリウムなど周知の酸化物系セラミ
ツク材料が用いられ、いずれについても、単結
晶、多結晶、非晶質などから選択される。 このうち、多結晶からなるセラミツク基板2
が、製造コストの面で最も安価に製作できるが、
その場合、多結晶体の平均結晶粒径を25μm以下
とすることが重要である。平均結晶粒径が25μm
を越えたセラミツク基板2にグレーズ層3を形成
すると、この多結晶体の材質とは無関係に、グレ
ーズ層3中にピンホールや気泡が発生し易くなる
ことが、本発明等の種々の実験によつて判明し
た。また、平均結晶粒径が25μm以下のセラミツ
ク基板2は、強度、剛性ともに優れ、高速回転時
にも歪みなどが生じにくい。 更に、このグレーズ層3の厚みは35μm以下が
よく、35μmを越えると、グレーズ層3を形成す
るに際し、ガラス自体に気胞などの欠陥が発生し
易くなると共に、均一にガラスをコートすること
ができないということも判つた。また、グレーズ
層3自体は強度、剛性が低いものであるため、高
速回転時に変形し易いが、厚み35μm以下と薄く
形成してあることにより、高速回転時に歪み等が
生じにくい。 本発明の磁気デイスク用基板1よれば、磁気記
録媒体がグレーズ層3上に被着される前処理とし
て、グレーズ層3の表面を所望の表面粗さにまで
研摩することができ、そこで、本発明者等の実験
によつて確かめたところ、中心線平均粗さ(Ra)
で0.01μの表面粗さにまで達成できることを知得
した。これにより、スパツタリングなどによつて
形成された磁気記録媒体が著しく薄くなつても、
基板表面の表面粗さに起因して記録媒体の表面に
凹凸がほとんど発生せず、高密度磁気記録に向く
磁気デイスク用基板となることが判つた。 また、本発明の磁気デイスク用基板について
は、セラミツク基板2とグレーズ層3の間に、こ
れらと熱膨張係数が近似している範囲内で材料を
選択しながら、高密度磁気記録に効果的な介在層
を設けてもよい。 かくして、本発明の磁気デイスク用基板では、
磁気記録媒体が被着される素地にガラス材料を使
うことによつて、アルミニウム合金製基板に比べ
でボイド欠陥を著しく低減させ、加えて、セラミ
ツク基板を磁気デイスクの支持体に使うと、磁気
デイスクが高速回転してデイスク自体に遠心力が
加わつても、伸びが生じることもなく、且つ、磁
気記録媒体が形成されるに際して基板温度が上昇
しても歪みがなく、その結果、正確な書き込みや
続み取りができる高密度記録用の磁気デイスク用
基板が提供できることになつた。 さらに、磁気デイスク用基板の支持体に用いる
セラミツク基板の平均結晶粒径を25μm以下にす
れば、良質なグレーズ層が形成されるとともに、
支持体の強度、剛性を高められることも判つた。 次に、本発明の実施例を述べる。 実施例 1 アルミナ粉末を母材にし、シリカ等の周知の焼
結助剤を加えてプレス成型し、1600〜1800℃で焼
成することにより、外径210mm、内径100mmの大き
さの中空状円板で、厚み1.85mmの多結晶アルミナ
基板を作り、この製作に際して原料粒子径、成分
組成及び焼成条件など種々の条件を変えることに
よつて、第1表に示す通り、平均結晶粒径の異な
つたアルミナ基板を9種類製作した。次いで、そ
れぞれのアルミナ基板をダイヤモンド砥石で表面
粗さ7S以下になるまで研摩し、その後、これら
の基板の両面にSiO2を主成分とするガラス粉末
を被覆し、1350℃でガラス溶融し、80μの厚みに
グレーズした。そして、このグレーズ層の表面を
研摩し、中心線平均粗さ(Ra)0.01μの磁気デイ
スク用基板とした。 尚、このグレーズ層は50%以上のSiO2を含有
するケイ酸塩ガラスであり、上記アルミナ基板と
熱膨張係数ができるだけ近づくように成分が調整
されている。このように、グレーズ層として、熱
膨張係数がアルミナ基板と近いガラスを用いるこ
とにより、グレーズ層の歪みやクラツク等の発生
を防止できる。 かくして得られた磁気デイスク用基板につい
て、それぞれの両面のグレーズ層に発生したピン
ホールや気胞などの欠陥数を測定したところ、第
1表に示す結果となつた。
体とした磁気デイスク用基板に関する。 磁気デイスク装置はコンピユータの情報処理シ
ステムの中で情報記憶の中心的な役割を果してい
るが、近時、この磁気記録は高密度化及び大容量
化の傾向にあるため、スパツタリングなどの薄膜
技術を利用して磁気記録媒体の薄層化及び高面精
度化をおこない、その要求に答えようとしてい
る。 かかる磁気記録媒体が形成される基板には、ア
ルミニウム合金が使用され、その表面を酸化して
得られたアルマイト層が2μ位の厚みで被覆され
ており、このアルマイト層によつて基板表面の硬
度が大きくなつているが、この硬質アルマイト層
の厚みが小さく、且つアルミニウム合金とアルマ
イトの熱膨張係数が異なつているため、基板温度
が上昇するに伴い、基板に歪みが発生し易かつ
た。即ち、スパツタリングによつて基板上に磁気
記録媒体を形成する際には、スパツタ粒子や電子
が基板上に衝突するため、その衝突エネルギによ
つて基板温度が上昇し、更に、γ−Fe2O3から成
る磁気記録媒体の場合では、通常、300℃以上に
加熱処理することが行われており、かように基板
が被る温度上昇に伴つて、アルミニウム基板に歪
みが発生し易くなり、これにより、このアルミニ
ウム基板に磁気記録媒体を形成して高密度磁気記
録に用いた場合、正確な書き込みや続み取りが出
来にくいという問題があつた。 更に、磁気デイスク装置は、同一の回転軸に複
数の磁気デイスクを配置して1000〜3000rpm位ま
での高速回転をさせて、続み取り及び書き込みの
データ処理をおこなつており、この磁気デイスク
用基板がアルミニウム合金から形成されている
と、基板自体が遠心力によつて伸び易くなり、こ
れによつても、高密度磁気記録に適した正確な書
き込み及び読み取りが出来ず、このような書き込
み誤差や読み取り誤差の解決が望まれていた。 その上、アルミニウム合金製磁気デイスク用基
板には、通常、表面がアルマイト処理がされてい
ても、その基板表面の片面全面に亘つて2〜3μ
のボイドが100個以上もあるため、高密度記録用
磁気デイスク装置にとつては、このボイド欠陥に
起因して正確な書き込み及び続み取りが出来ない
という問題もあり、ボイド欠陥の少ない磁気デイ
スク用基板材料が望まれていた。 本発明は、上述の難点をすべて解消するために
完成されたものであり、その目的はスパツタリン
グや熱処理に対して基板に何ら歪みが発生せず、
且つ基板に加わる遠心力に対して基板自体の伸び
が全く生じることもなく、更に、基板表面にボイ
ド欠陥の少ない材料を用いることにより、高密度
磁気記録に相応しい書き込みや続み取りができる
磁気デイスク用基板を提供することにある。 本発明によれば、セラミツク基板を支持体と
し、磁気記録媒体が被着される面にグレーズ層が
形成されていることを特徴とする磁気デイスク用
基板が提供される。 以下、図面を用いて本発明を詳細に説明する。 第1図は本発明に係る典型的な磁気デイスク用
基板1を示す斜視図であり、第2図はこの磁気デ
イスク用基板1の要部断面図であり、セラミツク
基板2の両面にガラスを被覆してグレース層3が
形成されていることを示す。 本発明者等は、ボイド欠陥の比較的少ないガラ
ス材料を磁気記録媒体の被着面に用いることによ
り、アルミニウム合金製基板に発生したボイド欠
陥が解決されることを見い出した。そして、第1
図及び第2図のように、このガラス材料がグレー
ズ層3として被覆される支持体にセラミツク基板
2を用いて、そのセラミツク基板2の両面にグレ
ーズ層3を形成して積層体とした。これによれ
ば、セラミツク基板2はアルミニウム合金などの
金属に比べて著しく弾性率が小さいため、セラミ
ツク基板2とグレーズ層3から成る積層体を
3000rpmの高速回転にしても基板自体が被る遠心
力によつて基板に全く伸びが生じることもなかつ
た。 更に、このセラミツク基板2及びグレーズ層3
については、両者の熱膨張係数が500℃位までに
至つて、実質上、歪みが生じない範囲でそれぞれ
の材質が選択され、そのために、熱膨張係数がほ
とんど同じとするのがよい。このセラミツク基板
2の具体的な材質として、アルミナ、ジルコニ
ア、チタン酸バリウムなど周知の酸化物系セラミ
ツク材料が用いられ、いずれについても、単結
晶、多結晶、非晶質などから選択される。 このうち、多結晶からなるセラミツク基板2
が、製造コストの面で最も安価に製作できるが、
その場合、多結晶体の平均結晶粒径を25μm以下
とすることが重要である。平均結晶粒径が25μm
を越えたセラミツク基板2にグレーズ層3を形成
すると、この多結晶体の材質とは無関係に、グレ
ーズ層3中にピンホールや気泡が発生し易くなる
ことが、本発明等の種々の実験によつて判明し
た。また、平均結晶粒径が25μm以下のセラミツ
ク基板2は、強度、剛性ともに優れ、高速回転時
にも歪みなどが生じにくい。 更に、このグレーズ層3の厚みは35μm以下が
よく、35μmを越えると、グレーズ層3を形成す
るに際し、ガラス自体に気胞などの欠陥が発生し
易くなると共に、均一にガラスをコートすること
ができないということも判つた。また、グレーズ
層3自体は強度、剛性が低いものであるため、高
速回転時に変形し易いが、厚み35μm以下と薄く
形成してあることにより、高速回転時に歪み等が
生じにくい。 本発明の磁気デイスク用基板1よれば、磁気記
録媒体がグレーズ層3上に被着される前処理とし
て、グレーズ層3の表面を所望の表面粗さにまで
研摩することができ、そこで、本発明者等の実験
によつて確かめたところ、中心線平均粗さ(Ra)
で0.01μの表面粗さにまで達成できることを知得
した。これにより、スパツタリングなどによつて
形成された磁気記録媒体が著しく薄くなつても、
基板表面の表面粗さに起因して記録媒体の表面に
凹凸がほとんど発生せず、高密度磁気記録に向く
磁気デイスク用基板となることが判つた。 また、本発明の磁気デイスク用基板について
は、セラミツク基板2とグレーズ層3の間に、こ
れらと熱膨張係数が近似している範囲内で材料を
選択しながら、高密度磁気記録に効果的な介在層
を設けてもよい。 かくして、本発明の磁気デイスク用基板では、
磁気記録媒体が被着される素地にガラス材料を使
うことによつて、アルミニウム合金製基板に比べ
でボイド欠陥を著しく低減させ、加えて、セラミ
ツク基板を磁気デイスクの支持体に使うと、磁気
デイスクが高速回転してデイスク自体に遠心力が
加わつても、伸びが生じることもなく、且つ、磁
気記録媒体が形成されるに際して基板温度が上昇
しても歪みがなく、その結果、正確な書き込みや
続み取りができる高密度記録用の磁気デイスク用
基板が提供できることになつた。 さらに、磁気デイスク用基板の支持体に用いる
セラミツク基板の平均結晶粒径を25μm以下にす
れば、良質なグレーズ層が形成されるとともに、
支持体の強度、剛性を高められることも判つた。 次に、本発明の実施例を述べる。 実施例 1 アルミナ粉末を母材にし、シリカ等の周知の焼
結助剤を加えてプレス成型し、1600〜1800℃で焼
成することにより、外径210mm、内径100mmの大き
さの中空状円板で、厚み1.85mmの多結晶アルミナ
基板を作り、この製作に際して原料粒子径、成分
組成及び焼成条件など種々の条件を変えることに
よつて、第1表に示す通り、平均結晶粒径の異な
つたアルミナ基板を9種類製作した。次いで、そ
れぞれのアルミナ基板をダイヤモンド砥石で表面
粗さ7S以下になるまで研摩し、その後、これら
の基板の両面にSiO2を主成分とするガラス粉末
を被覆し、1350℃でガラス溶融し、80μの厚みに
グレーズした。そして、このグレーズ層の表面を
研摩し、中心線平均粗さ(Ra)0.01μの磁気デイ
スク用基板とした。 尚、このグレーズ層は50%以上のSiO2を含有
するケイ酸塩ガラスであり、上記アルミナ基板と
熱膨張係数ができるだけ近づくように成分が調整
されている。このように、グレーズ層として、熱
膨張係数がアルミナ基板と近いガラスを用いるこ
とにより、グレーズ層の歪みやクラツク等の発生
を防止できる。 かくして得られた磁気デイスク用基板につい
て、それぞれの両面のグレーズ層に発生したピン
ホールや気胞などの欠陥数を測定したところ、第
1表に示す結果となつた。
【表】
【表】
*印のものは本発明の範囲外である。
第1表によれば、平均結晶粒径が大きくなるに
伴つて、ピンホールや気胞などの欠陥の数が多く
なることは明らかであり、後述の通り、欠陥数が
せいぜい100ぐらいまでであれば、高密度磁気記
録に支障がない許容範囲であることを本発明者等
は、実験上、確認しており、そこで、基板番号1
乃至3のように、平均結晶粒径を25μm以下に設
定すればよく、高密度記録に優れた磁気デイスク
用基板が提供された。 本実施例を更に詳述すると、基板番号1乃至9
の磁気デイスク用基板上に、それぞれCOを含ん
だFeをターゲツトとした反応スパツタリングに
よつてα−Fe2O3膜(厚さ0.2μ)を被着し、次い
で、水素雰囲気中にて320℃で還元するのに伴つ
て、Fe3O4膜に変換し、空気中にて320℃で酸化
してγ−Fe2O3膜に変換し、高密度磁気デイスク
を作成した。かようにして得られた磁気デイスク
について、浮上量が0.2μでヘツドを浮上させたと
ころ、ヘツドが磁気デイスクに衝突せず、そし
て、それぞれについて、信号エラーを確かめたと
ころ、基板番号1乃至3は、基板番号4乃至9に
比べ、一段とエラーが減少したことが確かめら
れ、高密度記録の実用上、何ら支障がないことが
判つた。 実施例 2 実施例1で述べた基板番号3(平均結晶粒径
25μ)について、他の条件はすべて実施例1と同
一にして第2表に示すようなグレーズ層の厚みで
グレーズし、然る後、このグレーズ層の表面を研
摩して、中心線平均粗さで0.01μにした磁気デイ
スク用基板を6種類製作した。 こうして得られた磁気デイスク用基板につい
て、それぞれの両面のグレーズ層に発生した気胞
などの欠陥を数えたところ、第2表に示す通りの
結果となつた。
第1表によれば、平均結晶粒径が大きくなるに
伴つて、ピンホールや気胞などの欠陥の数が多く
なることは明らかであり、後述の通り、欠陥数が
せいぜい100ぐらいまでであれば、高密度磁気記
録に支障がない許容範囲であることを本発明者等
は、実験上、確認しており、そこで、基板番号1
乃至3のように、平均結晶粒径を25μm以下に設
定すればよく、高密度記録に優れた磁気デイスク
用基板が提供された。 本実施例を更に詳述すると、基板番号1乃至9
の磁気デイスク用基板上に、それぞれCOを含ん
だFeをターゲツトとした反応スパツタリングに
よつてα−Fe2O3膜(厚さ0.2μ)を被着し、次い
で、水素雰囲気中にて320℃で還元するのに伴つ
て、Fe3O4膜に変換し、空気中にて320℃で酸化
してγ−Fe2O3膜に変換し、高密度磁気デイスク
を作成した。かようにして得られた磁気デイスク
について、浮上量が0.2μでヘツドを浮上させたと
ころ、ヘツドが磁気デイスクに衝突せず、そし
て、それぞれについて、信号エラーを確かめたと
ころ、基板番号1乃至3は、基板番号4乃至9に
比べ、一段とエラーが減少したことが確かめら
れ、高密度記録の実用上、何ら支障がないことが
判つた。 実施例 2 実施例1で述べた基板番号3(平均結晶粒径
25μ)について、他の条件はすべて実施例1と同
一にして第2表に示すようなグレーズ層の厚みで
グレーズし、然る後、このグレーズ層の表面を研
摩して、中心線平均粗さで0.01μにした磁気デイ
スク用基板を6種類製作した。 こうして得られた磁気デイスク用基板につい
て、それぞれの両面のグレーズ層に発生した気胞
などの欠陥を数えたところ、第2表に示す通りの
結果となつた。
【表】
*印のものは本発明の範囲外である。
第2表によれば、グレーズ層と厚みが大きくな
るに伴つて、気胞などの欠陥の数が多くなること
は明らかであり、基板番号10および11では欠陥数
100以下と少ないため、実施例1で述べたような
γ−Fe2O3膜を被着した場合、信号エラーの少な
い良質な磁気記録媒体が形成できた。然るに、基
板番号12乃至15では欠陥数が著しく多いため、こ
れを用いた磁気デイスクでは信号エラーが目立つ
た。 尚、35μ以下のグレーズ層としたことについて
は、多結晶の非アルミナ基板の他、単結晶、非晶
質などから成る種々の材質のセラミツク基板につ
いても、実験上、確かめられている。 また、本発明によれば、上述した実施例以外
に、磁気デイスク用基板の支持体に、単結晶や非
晶質など非多結晶体のセラミツク基板を用いた場
合についても、実験をおこなつており、これによ
れば、ボイド欠陥のほとんどできないガラス材料
をその基板に形成してグレーズ層とできるため、
実施例1で述べたようなピンホールや気胞などの
欠陥がほとんど発生せず、優れた磁気デイスクが
提供できることが判つた。 上述の通り、本発明の磁気デイスク用基板で
は、磁気記録媒体の被着素地にグレーズ層を用
い、その支持体にセラミツク基板を用いたことに
より、スパツタリングや熱処理に対して磁気デイ
スク用基板に歪みが発生せず、且つ基板に加わる
遠心力に対して基板自体の伸びが生じることもな
く、信頼性の高い高密度磁気記録の書き込み及び
続み取りができる磁気デイスク用基板が提供でき
た。 加えて、このグレーズ層は中心線平均粗さ
(Ra)0.01μの表面粗さにまで表面処理すること
ができると共に、その表面に現出した欠陥数がア
ルミニウム合金製基板に比べて減少でき、単結
晶、非晶質は勿論の事、多結晶体についても、平
均結晶粒径を小さくすれば、欠陥数を少くするこ
とができることが判つた。
第2表によれば、グレーズ層と厚みが大きくな
るに伴つて、気胞などの欠陥の数が多くなること
は明らかであり、基板番号10および11では欠陥数
100以下と少ないため、実施例1で述べたような
γ−Fe2O3膜を被着した場合、信号エラーの少な
い良質な磁気記録媒体が形成できた。然るに、基
板番号12乃至15では欠陥数が著しく多いため、こ
れを用いた磁気デイスクでは信号エラーが目立つ
た。 尚、35μ以下のグレーズ層としたことについて
は、多結晶の非アルミナ基板の他、単結晶、非晶
質などから成る種々の材質のセラミツク基板につ
いても、実験上、確かめられている。 また、本発明によれば、上述した実施例以外
に、磁気デイスク用基板の支持体に、単結晶や非
晶質など非多結晶体のセラミツク基板を用いた場
合についても、実験をおこなつており、これによ
れば、ボイド欠陥のほとんどできないガラス材料
をその基板に形成してグレーズ層とできるため、
実施例1で述べたようなピンホールや気胞などの
欠陥がほとんど発生せず、優れた磁気デイスクが
提供できることが判つた。 上述の通り、本発明の磁気デイスク用基板で
は、磁気記録媒体の被着素地にグレーズ層を用
い、その支持体にセラミツク基板を用いたことに
より、スパツタリングや熱処理に対して磁気デイ
スク用基板に歪みが発生せず、且つ基板に加わる
遠心力に対して基板自体の伸びが生じることもな
く、信頼性の高い高密度磁気記録の書き込み及び
続み取りができる磁気デイスク用基板が提供でき
た。 加えて、このグレーズ層は中心線平均粗さ
(Ra)0.01μの表面粗さにまで表面処理すること
ができると共に、その表面に現出した欠陥数がア
ルミニウム合金製基板に比べて減少でき、単結
晶、非晶質は勿論の事、多結晶体についても、平
均結晶粒径を小さくすれば、欠陥数を少くするこ
とができることが判つた。
第1図は本発明に係る磁気デイスク用基板の斜
視図であり、第2図はこの磁気デイスク用基板の
要部断面図である。 1……磁気デイスク用基板、2……セラミツク
基板、3……グレーズ層。
視図であり、第2図はこの磁気デイスク用基板の
要部断面図である。 1……磁気デイスク用基板、2……セラミツク
基板、3……グレーズ層。
Claims (1)
- 1 平均結晶粒径25μm以下の多結晶体からなる
セラミツク基板を支持体とし、磁気記録媒体が被
着される面に、50%以上のSiO2を含有するケイ
酸塩ガラスからなる、厚み35μm以下のグレーズ
層を形成したことを特徴とする磁気デイスク用基
板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245826A JPS60138730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気デイスク用基板 |
| US06/888,794 US4808463A (en) | 1983-12-27 | 1986-07-22 | Substrate for magnetic disks |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245826A JPS60138730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気デイスク用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138730A JPS60138730A (ja) | 1985-07-23 |
| JPH0364933B2 true JPH0364933B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=17139424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245826A Granted JPS60138730A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 磁気デイスク用基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4808463A (ja) |
| JP (1) | JPS60138730A (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2594532B2 (ja) * | 1984-05-08 | 1997-03-26 | 日本電気株式会社 | 磁気デイスク及びその製造方法 |
| JPS6148123A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 記録デイスク用基板の製造方法 |
| JPS6266419A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク用基板及びその製造方法 |
| JPS6288137A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
| JPS62120629A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| US5165981A (en) * | 1987-03-20 | 1992-11-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ceramic substrate and preparation of the same |
| US5405704A (en) * | 1988-04-29 | 1995-04-11 | Doduco Gmbh & Co. | Ceramic plate (substrate) which is coated with metal at least on one side |
| JP2816472B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-10-27 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| EP0510699B1 (en) * | 1991-04-24 | 1995-06-21 | Nec Corporation | Magnetic structure |
| JP3257645B2 (ja) * | 1992-01-22 | 2002-02-18 | 東芝セラミックス株式会社 | セラミック装置の製造方法 |
| EP0571949A1 (en) * | 1992-05-29 | 1993-12-01 | Texas Instruments Incorporated | Pb rich perovskites for thin film dielectrics |
| US5487931A (en) | 1993-12-02 | 1996-01-30 | Annacone; William R. | Rigid disc substrate comprising a central hard core substrate with a hard, thermally and mechanically matched overlying smoothing layer and method for making the same |
| US5780164A (en) * | 1994-12-12 | 1998-07-14 | The Dow Chemical Company | Computer disk substrate, the process for making same, and the material made therefrom |
| US5609657A (en) * | 1996-02-22 | 1997-03-11 | Showa Denko K.K. | Composition for texturing magnetic disk |
| US5948495A (en) * | 1996-07-01 | 1999-09-07 | Alyn Corporation | Ceramic-metal matrix composites for magnetic disk substrates for hard disk drives |
| US5895696A (en) * | 1996-07-01 | 1999-04-20 | Alyn Corporation | Metal-clad ceramic-metal matrix composites for magnetic disk substrates for hard disk drives |
| US5889234A (en) * | 1996-11-21 | 1999-03-30 | Eastman Kodak Company | Zirconia ceramic members with laser induced electrical conductivity in surfaces thereof |
| US6030681A (en) * | 1997-07-10 | 2000-02-29 | Raychem Corporation | Magnetic disk comprising a substrate with a cermet layer on a porcelain |
| KR20010022455A (ko) * | 1997-07-31 | 2001-03-15 | 알프레드 엘. 미첼슨 | 표면 결함이 없는 메모리 디스크 기판 |
| JP3311308B2 (ja) * | 1998-03-03 | 2002-08-05 | 株式会社オハラ | 垂直磁気記録媒体用ガラスセラミックス基板 |
| US6866883B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-03-15 | Seagate Technology Llc | Mechanical texturing of sol-gel—coated substrates for magnetic recording media |
| US6746754B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-06-08 | Seagate Technology Llc | Mechanical texturing of sol-gel-coated substrates for magnetic recording media |
| US20030056861A1 (en) * | 2001-09-24 | 2003-03-27 | Weaver Samuel C. | Metal matrix composites of aluminum, magnesium and titanium using calcium hexaboride |
| EP1430160B1 (en) * | 2001-09-24 | 2006-08-09 | Saffil Limited | Metal matrix composites of aluminum, magnesium and titanium using calcium hexaboride |
| CN100465115C (zh) * | 2003-12-23 | 2009-03-04 | 上海大学 | 磁记录存储器介质用微晶玻璃基片材料及制备方法 |
| JP6756460B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2020-09-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及びセラミック製部品の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3656229A (en) * | 1968-11-08 | 1972-04-18 | Hitachi Ltd | Process for producing magnetic head |
| JPS484308U (ja) * | 1971-06-15 | 1973-01-18 | ||
| US4411963A (en) * | 1976-10-29 | 1983-10-25 | Aine Harry E | Thin film recording and method of making |
| US4254189A (en) * | 1979-07-05 | 1981-03-03 | Memorex Corporation | Disc having substrate, intermediate layer and magnetically sensitive layer wherein intermediate layer has melting point less than annealing temperature of substrate but higher than processing temperature of magnetically sensitive layer |
| JPS57130233A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57138034A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for magnetic recording medium |
| JPS59172703A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Hitachi Metals Ltd | 基板材料 |
| JPS59203213A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 溝構造磁性基板の製造方法 |
| JPS6148123A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 記録デイスク用基板の製造方法 |
| JPH0551512A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-02 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | ポリオレフイン系樹脂組成物 |
| JPH05148302A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-06-15 | Matsutani Kagaku Kogyo Kk | 低カロリー増量剤 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58245826A patent/JPS60138730A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-22 US US06/888,794 patent/US4808463A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60138730A (ja) | 1985-07-23 |
| US4808463A (en) | 1989-02-28 |
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