JPH0364983B2 - - Google Patents
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- JPH0364983B2 JPH0364983B2 JP60043935A JP4393585A JPH0364983B2 JP H0364983 B2 JPH0364983 B2 JP H0364983B2 JP 60043935 A JP60043935 A JP 60043935A JP 4393585 A JP4393585 A JP 4393585A JP H0364983 B2 JPH0364983 B2 JP H0364983B2
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- JP
- Japan
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- cryopanel
- sample
- sample chamber
- differential pumping
- pumping device
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えば資料に粒子ビームを照射し
て資料の分析を行つたり、試料の加工、製作を行
う装置において、粒子ビームを発生する粒子源と
試料の内臓する試料室との間の差動排気を行うの
に好適な差動排気装置に関する。
て資料の分析を行つたり、試料の加工、製作を行
う装置において、粒子ビームを発生する粒子源と
試料の内臓する試料室との間の差動排気を行うの
に好適な差動排気装置に関する。
イオンビームや電子ビームといつた粒子ビーム
を使つて試料を分析したり、試料を加工、製作す
る装置においては、一般に、粒子ビームを発生す
る粒子源と試料を内臓する試料室とを差動排気装
置を介して結合するようになつている。
を使つて試料を分析したり、試料を加工、製作す
る装置においては、一般に、粒子ビームを発生す
る粒子源と試料を内臓する試料室とを差動排気装
置を介して結合するようになつている。
ここで、粒子ビームを照射して試料の分析を行
う装置としては、二次イオン質量分析装置、ラサ
ホードバツクスキヤツタリング装置、オージエ電
気分光装置、X線マイクロアナライザ等がある。
また、粒子ビームを照射して試料の加工、製作を
行う装置としては、イオン注入装置、イオンビー
ム蒸着装置、イオンビーム露光装置、電子ビーム
露光装置等がある。
う装置としては、二次イオン質量分析装置、ラサ
ホードバツクスキヤツタリング装置、オージエ電
気分光装置、X線マイクロアナライザ等がある。
また、粒子ビームを照射して試料の加工、製作を
行う装置としては、イオン注入装置、イオンビー
ム蒸着装置、イオンビーム露光装置、電子ビーム
露光装置等がある。
これらの装置では、イオン源、電子源等の粒子
源および試料室は真空に排気されるが、粒子源と
試料室とでは動作圧が異なり、また、要求される
真空の質も異なる。一般に、試料室の方が低い圧
力および水分、ハイドロカーボン等の分圧が低い
等の高い真空の質を要求される。例えば、イオン
源の動作圧は10-6〜10-5Torrであるのに対し、
表面分析を行う二次イオン質量分析装置の試料室
には、10-10Torr台あるいはそれ以下の真空度が
要求される。このような動作圧等の違いのため
に、粒子源と試料室を結合させる場合、上記の如
く、差動排気装置が必要となる。
源および試料室は真空に排気されるが、粒子源と
試料室とでは動作圧が異なり、また、要求される
真空の質も異なる。一般に、試料室の方が低い圧
力および水分、ハイドロカーボン等の分圧が低い
等の高い真空の質を要求される。例えば、イオン
源の動作圧は10-6〜10-5Torrであるのに対し、
表面分析を行う二次イオン質量分析装置の試料室
には、10-10Torr台あるいはそれ以下の真空度が
要求される。このような動作圧等の違いのため
に、粒子源と試料室を結合させる場合、上記の如
く、差動排気装置が必要となる。
第5図は、粒子源と試料室の間に差動排気装置
を介在させた上記試料分析装置(あるいは試料加
工装置、試料製作装置)の構成を示す図である。
を介在させた上記試料分析装置(あるいは試料加
工装置、試料製作装置)の構成を示す図である。
差動排気装置を介在させた試料分析装置等にお
いては、粒子源1から出力される粒子ビーム2
は、差動排気装置を経て試料室7に入射される。
いては、粒子源1から出力される粒子ビーム2
は、差動排気装置を経て試料室7に入射される。
差動排気装置は、コンダクタンスを低下させる
オリフイス4と排気系3および5によつて構成さ
れる。6はこのような差動排気装置の外筒であ
る。
オリフイス4と排気系3および5によつて構成さ
れる。6はこのような差動排気装置の外筒であ
る。
上記排気系3および5では、油拡散ポンプ、タ
ーボポンプ、イオンポンプ、クライオポンプ等の
真空排気ポンプの1種2台または2種各1台の組
合せで排気が行われる。
ーボポンプ、イオンポンプ、クライオポンプ等の
真空排気ポンプの1種2台または2種各1台の組
合せで排気が行われる。
なお、第5図では、粒子ビーム2を収束、発散
させるための静電レンズ類、およびビーム2を偏
向させるための偏向電極類は図をわかりやすくす
るために、一切省略してある。
させるための静電レンズ類、およびビーム2を偏
向させるための偏向電極類は図をわかりやすくす
るために、一切省略してある。
ところで、上記従来の差動排気装置の場合、次
のような問題がある。すなわち、粒子源1、例え
ばイオン源1の圧力は高々1×10-5Torrである
ので、差動排気装置における気体の流れは分子流
となつており、気体分子は互いに自由に真空中を
飛びまわつている。このような状態のもとでは、
排気系5によつて排気される気体分子は、8のよ
うに排気系5の開口部へ飛び込んだものだけであ
る。すなわち、9の分子はオリフイス4にて反射
され、このうちのあるものは反射を繰り返すうち
に8のように排気されるが、他のものは、10の
ようにオリフイス4の開口部を通過して試料室7
へ流入する(排気系3においても全く同様に気体
分子の反射現象が起つている)。つまり、従来の
差動排気装置では、差動排気装置を通過して試料
室7に流入する気体分子は、ビーム2のように差
動排気装置の中心軸に沿つて飛ぶものばかりでな
く、オリフイス4にて反射された後、反射をくり
返し、10のようにオリフイスを通過するものも
含まれる。さらに、従来の差動排気装置において
は、粒子ビーム2の一部がオリフイス4の開口部
の側面を照射することによつて、オリフイス4の
開口部側面に吸着していた気体分子が脱離して試
料室7に流入することもある。
のような問題がある。すなわち、粒子源1、例え
ばイオン源1の圧力は高々1×10-5Torrである
ので、差動排気装置における気体の流れは分子流
となつており、気体分子は互いに自由に真空中を
飛びまわつている。このような状態のもとでは、
排気系5によつて排気される気体分子は、8のよ
うに排気系5の開口部へ飛び込んだものだけであ
る。すなわち、9の分子はオリフイス4にて反射
され、このうちのあるものは反射を繰り返すうち
に8のように排気されるが、他のものは、10の
ようにオリフイス4の開口部を通過して試料室7
へ流入する(排気系3においても全く同様に気体
分子の反射現象が起つている)。つまり、従来の
差動排気装置では、差動排気装置を通過して試料
室7に流入する気体分子は、ビーム2のように差
動排気装置の中心軸に沿つて飛ぶものばかりでな
く、オリフイス4にて反射された後、反射をくり
返し、10のようにオリフイスを通過するものも
含まれる。さらに、従来の差動排気装置において
は、粒子ビーム2の一部がオリフイス4の開口部
の側面を照射することによつて、オリフイス4の
開口部側面に吸着していた気体分子が脱離して試
料室7に流入することもある。
このように、オリフイス4によるコンダクタン
スの低下を利用して、粒子源1と試料室7の動作
圧の差に伴う気体流の影響を阻止する従来の差動
排気装置では、排気系3,5の開口部に飛び込ん
でくる気体分子しか排気できない。したがつて、
試料室7にさほど真空度が要求されず、オリフイ
ス4を通過して試料室7に流入する気体分子やオ
リフイス4から離脱して試料室7に流入する気体
分子を無視できる場合はよいが、試料室に超高真
空が要求される場合には、試料の正確な分析、加
工、製作を行うことができなくなる。例えば、イ
オンビームを試料に照射して試料中の微量元素を
分析する二次イオン質量分析装置では、試料中に
微量に含まれる酸素、炭素等の軽元素を分析しよ
うとする場合、イオン源から差動排気装置を通過
してわずかに流入したり、オリフイス4からイオ
ン衝撃によつて脱離してくるH2O、CO、ハイド
ロカーボンの分子が試料面へ付着するため、試料
中に含まれる酸素、炭素等の量を正確に評価する
ことができなくなる。
スの低下を利用して、粒子源1と試料室7の動作
圧の差に伴う気体流の影響を阻止する従来の差動
排気装置では、排気系3,5の開口部に飛び込ん
でくる気体分子しか排気できない。したがつて、
試料室7にさほど真空度が要求されず、オリフイ
ス4を通過して試料室7に流入する気体分子やオ
リフイス4から離脱して試料室7に流入する気体
分子を無視できる場合はよいが、試料室に超高真
空が要求される場合には、試料の正確な分析、加
工、製作を行うことができなくなる。例えば、イ
オンビームを試料に照射して試料中の微量元素を
分析する二次イオン質量分析装置では、試料中に
微量に含まれる酸素、炭素等の軽元素を分析しよ
うとする場合、イオン源から差動排気装置を通過
してわずかに流入したり、オリフイス4からイオ
ン衝撃によつて脱離してくるH2O、CO、ハイド
ロカーボンの分子が試料面へ付着するため、試料
中に含まれる酸素、炭素等の量を正確に評価する
ことができなくなる。
本発明は上記の事情に対処すべくなされたもの
で、粒子ビームを使つた試料測定装置等における
粒子源側から試料室側への気体分子の流入を阻止
する能力の高い差動排気装置を提供することを目
的とする。
で、粒子ビームを使つた試料測定装置等における
粒子源側から試料室側への気体分子の流入を阻止
する能力の高い差動排気装置を提供することを目
的とする。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成を示す図であ
る。差動排気装置は真空排気ポンプ(ターボポン
プ、イオンポンプ、クライオポンプ等)を用いた
排気系3と、オリフイスとクライオポンプの両方
の機能を果す例えば円板状のクライオパネル11
を備える。クライオパネル11はヘリウム冷凍機
12のコールドヘツド13に接続され、極低温、
例えば20Kに冷却される。そして、クライオパ
ネル11の熱負荷を軽減するため、クライオパネ
ル11は差動排気装置の外筒6の内壁には接触せ
ず、かつクライオパネル11の温度と室温との中
間の温度、例えば77Kに冷却されたシールド板1
4で囲まれている。また、クライオパネル11、
シールド板14と外筒6の内壁との間を通り抜け
る気体分子の流れを阻止するため、気体流阻止板
15が設けられている。なお、第1図中では、ビ
ーム2を収束、発散させるための静電レンズ類お
よびビーム2を偏向するための偏向電極類は、図
をわかりやすくするため、一切省略してある。
る。差動排気装置は真空排気ポンプ(ターボポン
プ、イオンポンプ、クライオポンプ等)を用いた
排気系3と、オリフイスとクライオポンプの両方
の機能を果す例えば円板状のクライオパネル11
を備える。クライオパネル11はヘリウム冷凍機
12のコールドヘツド13に接続され、極低温、
例えば20Kに冷却される。そして、クライオパ
ネル11の熱負荷を軽減するため、クライオパネ
ル11は差動排気装置の外筒6の内壁には接触せ
ず、かつクライオパネル11の温度と室温との中
間の温度、例えば77Kに冷却されたシールド板1
4で囲まれている。また、クライオパネル11、
シールド板14と外筒6の内壁との間を通り抜け
る気体分子の流れを阻止するため、気体流阻止板
15が設けられている。なお、第1図中では、ビ
ーム2を収束、発散させるための静電レンズ類お
よびビーム2を偏向するための偏向電極類は、図
をわかりやすくするため、一切省略してある。
上記構成においては、クライオパネル11が極
低温に冷却されているため、クライオパネル11
の表面に入射した気体分子16は、パネル面に擬
着される。そして、差動排気装置を通過して試料
室7へ流入する気体分子は、17の気体分子のよ
うに、クライオパネル11の開口部に直接入射す
るものに限られる。このため、オリフイスによる
コンダクタンスの低下のみを利用して差動排気を
行う第5図の従来装置より気体分子の捕集効率が
高い。さらに、粒子ビーム2の1部がクライオパ
ネル11の開口部の側面を衝撃しても、気体分子
はパネル面に強く凝着しているため、室温のオリ
フイスの場合のような脱離は生じない。
低温に冷却されているため、クライオパネル11
の表面に入射した気体分子16は、パネル面に擬
着される。そして、差動排気装置を通過して試料
室7へ流入する気体分子は、17の気体分子のよ
うに、クライオパネル11の開口部に直接入射す
るものに限られる。このため、オリフイスによる
コンダクタンスの低下のみを利用して差動排気を
行う第5図の従来装置より気体分子の捕集効率が
高い。さらに、粒子ビーム2の1部がクライオパ
ネル11の開口部の側面を衝撃しても、気体分子
はパネル面に強く凝着しているため、室温のオリ
フイスの場合のような脱離は生じない。
なお、第1図の差動排気装置を用いると、粒子
源1の圧力が試料室7の圧力に及ぼす影響を、第
5図の従来装置の1/10に減少させることができる
ことが実験によつて確かめられている。
源1の圧力が試料室7の圧力に及ぼす影響を、第
5図の従来装置の1/10に減少させることができる
ことが実験によつて確かめられている。
第2図は本発明の別の実施例の構成を示す図で
ある。クライオパネル18は第1図の円板状のク
ライオパネル11と同じような本体181の中央
部に中空の円筒部182を備えた構造をもつ。こ
こで、クライオパネル18は本体181と円筒部
182を一体的に形成したものであつてもよく、
これらを別体とし、一体に組み合わせたものであ
つてもよい。クライオパネル18の円筒部182
は、静電レンズ19、偏向電極20等の妨げにな
らない範囲で可能な限り長くしてある。また、円
筒部182の内径は粒子ビーム2の通過を妨げな
い範囲で可能な限り狭くしてある。
ある。クライオパネル18は第1図の円板状のク
ライオパネル11と同じような本体181の中央
部に中空の円筒部182を備えた構造をもつ。こ
こで、クライオパネル18は本体181と円筒部
182を一体的に形成したものであつてもよく、
これらを別体とし、一体に組み合わせたものであ
つてもよい。クライオパネル18の円筒部182
は、静電レンズ19、偏向電極20等の妨げにな
らない範囲で可能な限り長くしてある。また、円
筒部182の内径は粒子ビーム2の通過を妨げな
い範囲で可能な限り狭くしてある。
このように、差動排気装置の中心軸と同軸的な
円筒部182を有するクライオパネル18を用い
ることにより、クライオパネル18を通過して試
料室7へ流入する気体分子は、ビーム2のように
差動排気装置の中心軸に沿う狭い立体角内のもの
に限られる。他の気体分子はクライオパネル18
やシールド板14の表面に捕集されるか気体流阻
止板15で反射され、排気系3で排気されてしま
い、試料室7へは到達しない。
円筒部182を有するクライオパネル18を用い
ることにより、クライオパネル18を通過して試
料室7へ流入する気体分子は、ビーム2のように
差動排気装置の中心軸に沿う狭い立体角内のもの
に限られる。他の気体分子はクライオパネル18
やシールド板14の表面に捕集されるか気体流阻
止板15で反射され、排気系3で排気されてしま
い、試料室7へは到達しない。
なお、本実施例では、粒子源1の圧力が試料室
7の圧力に及ぼす影響を、第1図の実施例の場合
の1/10〜1/20、従来装置の場合の1/100〜1/200に
減少させることができることが実験により確かめ
られている。
7の圧力に及ぼす影響を、第1図の実施例の場合
の1/10〜1/20、従来装置の場合の1/100〜1/200に
減少させることができることが実験により確かめ
られている。
第3図は本発明のさらに別の実施例の構成を示
す図である。第3図の実施例は先の第2図の実施
例と比較して、クライオパネル18の円筒部18
2の代りに、先の第1図に示すような2枚の円板
状のクライオパネル11が平行に、熱伝達用の支
持体21の両端に取りつけられている点を異にす
る。
す図である。第3図の実施例は先の第2図の実施
例と比較して、クライオパネル18の円筒部18
2の代りに、先の第1図に示すような2枚の円板
状のクライオパネル11が平行に、熱伝達用の支
持体21の両端に取りつけられている点を異にす
る。
本実施例の場合は2枚のクライオパネル11に
よりクライオパネル11を通過可能な気体分子の
立体角を狭めており、第2図の円筒部182を備
えたクライオパネル18の場合と同等の効果を有
する。
よりクライオパネル11を通過可能な気体分子の
立体角を狭めており、第2図の円筒部182を備
えたクライオパネル18の場合と同等の効果を有
する。
なお、クライオパネルの材質としては、通常の
ヘリウムクライオポンプのクライオパネルと同質
のもの、例えば、無酸素銅にニッケル硬質光沢メ
ツキを施したものを用いることができる。
ヘリウムクライオポンプのクライオパネルと同質
のもの、例えば、無酸素銅にニッケル硬質光沢メ
ツキを施したものを用いることができる。
第4図に本発明の第2図の実施例に係る差動排
気装置を整備した真空装置の断面図を示す。本実
施例は、本件特許出願に係る発明の発明者らによ
り、特願昭59−140241号において提案された二次
イオン質量分析装置のイオン源と試料室との間の
差動排気装置に適用したものである。第4図にお
いて、22はイオン源、23は一次イオンビー
ム、24は差動排気用ターボポンプ、25はメタ
ルゲートバルブ、26は試料室、27は試料室排
気用ヘリウム冷凍機、28は試料室排気用クライ
オパネル、29は試料室主排気用イオンポンプ、
30は試料ホルダ、31は試料である。なお、一
次イオン光学系の詳細および二次イオンの検出
器、試料移送機構については、よく知られている
ので省略してある。
気装置を整備した真空装置の断面図を示す。本実
施例は、本件特許出願に係る発明の発明者らによ
り、特願昭59−140241号において提案された二次
イオン質量分析装置のイオン源と試料室との間の
差動排気装置に適用したものである。第4図にお
いて、22はイオン源、23は一次イオンビー
ム、24は差動排気用ターボポンプ、25はメタ
ルゲートバルブ、26は試料室、27は試料室排
気用ヘリウム冷凍機、28は試料室排気用クライ
オパネル、29は試料室主排気用イオンポンプ、
30は試料ホルダ、31は試料である。なお、一
次イオン光学系の詳細および二次イオンの検出
器、試料移送機構については、よく知られている
ので省略してある。
この二次イオン質量分析装置は、イオン源22
で発生した一次イオンビーム23を試料室26中
の試料ホルダ30に保持されている試料31に照
射し、これによつて試料31から発生する二次イ
オンを質量分析し、試料中に含まれる元素を分析
するものであり、特に、試料31中に微量に含ま
れる酸素、炭素等の軽元素の分析を目的としたも
のである。このような軽元素の微量分析では、試
料室26の真空中に含まれる残留気体やイオン源
22からの流入気体が試料31の表面に吸着する
と、吸着したガス成分中の軽元素がバツクグラウ
ンドとなり、試料31中に含まれる微量の軽元素
を分析することができない。
で発生した一次イオンビーム23を試料室26中
の試料ホルダ30に保持されている試料31に照
射し、これによつて試料31から発生する二次イ
オンを質量分析し、試料中に含まれる元素を分析
するものであり、特に、試料31中に微量に含ま
れる酸素、炭素等の軽元素の分析を目的としたも
のである。このような軽元素の微量分析では、試
料室26の真空中に含まれる残留気体やイオン源
22からの流入気体が試料31の表面に吸着する
と、吸着したガス成分中の軽元素がバツクグラウ
ンドとなり、試料31中に含まれる微量の軽元素
を分析することができない。
そこで、本実施例の二次イオン質量分析装置で
は、試料室26内の残留気体圧力を低減するた
め、試料室主排気用イオンポンプ29と試料室排
気用クライオパネル28を組み合せた構造をと
り、試料31の周囲の真空排気速度を増大させて
いる。さらに、イオン源22から試料室26に流
入する気体分子の量を低減するため、本発明の差
動排気装置をイオン源22と試料室26のメタル
ゲートバルブ25との間に設置している。差動排
気装置の排気系はターボポンプ24とクライオパ
ネル18から構成されている。
は、試料室26内の残留気体圧力を低減するた
め、試料室主排気用イオンポンプ29と試料室排
気用クライオパネル28を組み合せた構造をと
り、試料31の周囲の真空排気速度を増大させて
いる。さらに、イオン源22から試料室26に流
入する気体分子の量を低減するため、本発明の差
動排気装置をイオン源22と試料室26のメタル
ゲートバルブ25との間に設置している。差動排
気装置の排気系はターボポンプ24とクライオパ
ネル18から構成されている。
本実施例の二次イオン質量分析装置では、試料
室排気用クライオパネル28の利用に加え、本発
明の差動排気装置の利用により、イオン源22の
作動時においてもイオン源22からの気体分子の
流入およびオリフイスからの気体の脱離は無視し
うる量に低減され、実験の結果、従来は困難であ
つた1014/cm3台の極微量軽元素の分析が可能であ
ることが確かめられている。
室排気用クライオパネル28の利用に加え、本発
明の差動排気装置の利用により、イオン源22の
作動時においてもイオン源22からの気体分子の
流入およびオリフイスからの気体の脱離は無視し
うる量に低減され、実験の結果、従来は困難であ
つた1014/cm3台の極微量軽元素の分析が可能であ
ることが確かめられている。
以上説明したように、本発明の作動排気装置
は、粒子源から試料室に流入する気体分子の量を
無視しうる程度に低減するとともに、ビームの衝
撃によるオリフイスからの気体分子の脱離を妨ぐ
ことができる。このため試料室の真空度が大幅に
向上し、試料中の軽元素不純物の分析における軽
元素バツクグラウンドの低減、あるいは、試料製
作中に試料中に取り込まれる軽元素の量を低減す
ることができ、高純度が要求される半導体の製造
やその中の不純物の評価に寄与するところが大き
い。
は、粒子源から試料室に流入する気体分子の量を
無視しうる程度に低減するとともに、ビームの衝
撃によるオリフイスからの気体分子の脱離を妨ぐ
ことができる。このため試料室の真空度が大幅に
向上し、試料中の軽元素不純物の分析における軽
元素バツクグラウンドの低減、あるいは、試料製
作中に試料中に取り込まれる軽元素の量を低減す
ることができ、高純度が要求される半導体の製造
やその中の不純物の評価に寄与するところが大き
い。
第1図は本発明の第1の実施例の構成を示す断
面図、第2図乃至第4図はそれぞれ本発明の第2
〜第4の実施例の構成を示す断面図、第5図は従
来の差動排気装置の構成を示す断面図である。 1……粒子源、2……粒子ビーム、3……排気
系、4……オリフイス、5……排気系、6……差
動排気装置の外筒、7……試料室、8,9,10
……気体分子の軌跡、11,18……クライオパ
ネル、12……ヘリウム冷凍機、13……コール
ドヘツド、14……シールド板、15……気体流
阻止板、16,17……気体分子の軌跡、19…
…静電レンズ、20……偏向電極、21……支持
体。
面図、第2図乃至第4図はそれぞれ本発明の第2
〜第4の実施例の構成を示す断面図、第5図は従
来の差動排気装置の構成を示す断面図である。 1……粒子源、2……粒子ビーム、3……排気
系、4……オリフイス、5……排気系、6……差
動排気装置の外筒、7……試料室、8,9,10
……気体分子の軌跡、11,18……クライオパ
ネル、12……ヘリウム冷凍機、13……コール
ドヘツド、14……シールド板、15……気体流
阻止板、16,17……気体分子の軌跡、19…
…静電レンズ、20……偏向電極、21……支持
体。
Claims (1)
- 1 差動排気装置の外筒内に内壁に接触しないよ
うに冷却手段のコールドヘツドに接続されて設け
られた冷却状態で気体分子を捕集可能なクライオ
パネルと、このクライオパネルを冷却する冷却手
段と、前記クライオパネルを囲むように設けられ
た冷却されたシールド板と、このシールド板、前
記クライオパネルと前記差動排気装置の外筒内壁
との間に設けられた気体流阻止板とを備え、上記
冷却手段によつて冷却された上記クライオパネル
により、高圧部からこれに結合される低圧部への
気体流を阻止するように構成されていることを特
徴とする差動排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043935A JPS61203548A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 差動排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043935A JPS61203548A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 差動排気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203548A JPS61203548A (ja) | 1986-09-09 |
| JPH0364983B2 true JPH0364983B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12677545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043935A Granted JPS61203548A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 差動排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203548A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5327488A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-14 | Hitachi Ltd | Sample analyzer |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60043935A patent/JPS61203548A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61203548A (ja) | 1986-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |