JPH036581B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、加温昇温の後に急冷によることによ
り光学濃度が低下し、加熱昇温の後に徐冷するこ
とにより光学濃度が増大する性質を有する光学的
熱的情報記録部材を用い、記録膜を白化させて信
号を記録し、所望の既信号記録部位を、完全に黒
化消去する方法を提供するもので、記録膜として
次の２つの条件つまり、第１に加熱温度、第２に
昇温後の冷却速度の各条件の組み合わせで、膜状
態の変化が異る光学的熱的情報記録部位を用い
て、光による加熱昇温により膜の光学的特性を、
可逆的に変化せしめ、情報の記録および消去をお
こなう方法である。

記録のための照射光パワーP_Wは、あらかじめ
飽和黒化処理を施こした膜を加熱し、スポツト光
照射の微少部位を融解温度以上に昇温させる。こ
のスポツト光の照射時間が1μsec以下の短時間で
は、照射後膜温度の冷却速度は急速条件になり、
光学濃度が低下し、白化信号記録がおこなえるも
のと定義する。

つぎに、一定パワーレベルP_Eの連続光を用い
て、白化記録ビツトを含む領域に光照射を施こ
す。このパワーレベルP_EがP_Wと同程度もしくは
P_EP_Wの条件のものである。このP_Eの値が低い
場合は、１回の照射での加熱温度は低いが、くり
かえし照射を施こすことにより、膜および基材が
昇温し、この温度が飽和黒化温度以上あるいは融
解温度以下になり照射後膜温度の冷却速度は低速
条件になり、光学濃度が増大し、黒化信号消去が
おこなえる。

本発明は、以上のように、白化記録ビツトを含
む領域にパワーレベルP_Eの光をくりかえし照射
することにより、黒化消去を行なうものである。

光学的に情報を記録し、再生する方法は、記録
ビツト径が、およそ1μmφ程度の微少寸法まで可
能であり情報を高密度に記録でき、かつ非接触で
の情報再生が可能であり、ビデオデイスク等への
応用が、最近実用段階にまできている。

しかしながら、情報を記録し、かつこれを消去
するという方法は、まだ確立していない。

これらの例をつぎに述べる。

材料的には、フオトクロミツク材料、熱可塑性
樹脂等あるいは、強誘電体材料等が光学的に記録
および消去できる機能を有するものとして知られ
ているが、記録に要する応答時間が長い、あるい
は低感度であるために大出力のレーザ光源が必要
になる等の点で実用的には限界がある。

一方、光学的に熱的に情報を記録および消去す
る新しい方法が登場してきている。それは物質の
相転移あるいは、原子間の結合の状態をかえて光
学的な性質の変化を生ぜしめ、これを利用するも
のであり、良く知られている方法は、カルコゲン
化物、つまり、酸素を除く、周期律表の第６族の
元素、Ｓ，Se，Teと、金属、半金属との化合物
薄膜を利用するものである。

これは、S.R.Ovshinsky等により、Dhys.Rev
Leffers 21（1968）1450に最初に報告されたもの
で、材料としては、Ge₁₅Te₈₁Sb₂S₂の薄膜を用い
る方法である。

これら、カルコゲン化物を利用する方法は、次
の２つに分類できる。

まず第１は、非晶質状態の膜を、結晶状態にか
えて、記録する方法で、これは淡褐色の非晶質膜
に１〜μφに絞つた微少スポツト光を照射し、
加熱昇温し、徐冷後、膜が結晶化して黒化し、情
報が記録できるもので、消去に際してはこの黒化
部位に、再びパルス巾の短かい強いレーザ光を照
射し、白化させ、元の淡褐色の状態に戻しておこ
なう方法である。

つぎに同様に、カルコゲン化物を用いた第２の
例は、光構造変化を利用する方法で、非晶質状態
を、他の非晶質状態にかえて記録する方法で、特
開昭S52−46464号に示されているように、As−
Se−Ge−Ｓからなる組成の薄膜において、可視
光レーザ光源例えば、Arレーザ等の照射により、
黒化せしめ、記録し、これを赤外線レーザ光等で
加熱し、白化して消去する方法である。

いずれもレーザ光、熱を介して情報を記録およ
び消去する比較的簡便な方法である。

実用に際しては、結晶化を利用する第１の例の
場合、未記録淡褐色の非晶質膜にレーザ光を照射
し、加熱昇温により結晶化させて情報を記録する
場合、無秩序な無定形状態から結晶状態への原子
の再配列過程からなり、材料組成によつては、例
えば、カルコゲン化物の場合、結晶化に関し、比
較的長い時間の徐冷過程が必要で、数μsec〜数
msec程度の長いパルス巾の光照射による加熱が
必要であり、高速記録数（数100nsec）には適さ
ない。

さらに消去の過程では、黒化記録部位を強いレ
ーザスポツト光等で短かい光パルスの照射により
加熱昇温して白化消去する。

この場合、レーザスポツト光の光強度分布がガ
ウス型をしているため、スポツト周辺部では、光
強度が弱くなり、強いレーザパワーにおいても、
この部分では、黒化条件の光強度になりやすく、
そのため、スポツトの中心では黒化部が白化し
て、消去できるが、その周辺部に、黒化部位が形
成されやすく、これが消し残りとしてノイズの原
因になる等の問題点がある。

第２の例では、記録つまり、レーザ光による黒
化過程が、昇温効果を利用するものではなく、フ
オトンの吸収による結合の変化を利用するもので
これは、光エネルギーよりも、むしろ吸収フオト
ンの数に比例して変化が生じ、弱いレーザパワー
でも記録が可能であるという利点を有している。

又消去は、加熱つまり熱処理により、全面を白
化させるため、消し残り等の問題は生じにくい。
一方、室内光に長時間晒した場合、弱い室内光に
対してもこれを吸収して変化が生ずる可能性があ
るため、取り扱いにやや問題がある。

これ等に対して、本発明者等が、特願昭S53−
100626において提案した材料、例えば、低酸化物
TeOx₁ ０＜x₁＜2.0を主成分とし、Se，Ｓその他
を含ませてなる記録膜は、黒化の応答速度が数
100nsecであり、白化の応答速度は、同様に数
100nsec以下にできる等の特徴を有している。

以上述べた方法では、いずれも記録、消去にお
いて、それぞれ専用の光源、例えばArレーザと
赤外線レーザの組みあわせ、あるいは短いパルス
巾と、長いパルス巾を用いるなどの異る変調条件
を利用しておこなつている。

本発明においては、同等の光学系例えば、単一
の光学系を用いるか、あるいは、記録専用光学系
と、消去専用の光学系のそれぞれ少くとも１つの
系を用い、同等の光源を用いて、消去および記録
をおこなう方法を提供するものである。

本発明に用いる光学記録膜は、カルコゲン化物
例えば、Ge−Te−Se−Ｓ等の組み合わせからな
る蒸着薄膜、およびSe，Ｓの少くとも１つを含
ませてなる低酸化物記録薄膜TeOx₁、GeOx、０
＜x₁＜2.0等である。

まず記録部材の構成としては、透明な基材、ガ
ラス、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂等の上に、
500Å〜3000Åの記録薄膜を蒸着形成し、これに
SiO₂あるいは、透明樹脂の層からなる保護層を
形成する。基材側から光を照射し、反射光による
信号再生をおこなう場合は、密着保護層としては
黒色ラツカー等の不透明層でも適用できる。形態
としては、テープ状、シート状いずれも可能であ
るが、第１図に円盤状の形態の例を示す。

同図において耐熱性の基材２の上に記録薄膜３
を形成し、これを飽和黒化レベルまで熱処理し、
黒デイスク化する。これを以下黒デイスク１と称
する。

本発明において用いる光学情報記録膜は、光照
射による加熱昇温による到達温度が融点以上で、
これを急冷すれば白化し、到達温度が融点以下
で、かつ、黒化転移温度以下の場合は、白化には
至らない黒化状態を得る膜である。

又、融点以上になつてもこれを徐冷すれば、黒
化状態を得る性質を有するものとする。

したがつて黒化状態を得るか、あるいは白化状
態を得るかは、第１に照射光のパワーレベル、第
２に急冷するか、徐冷するかの冷却（加熱）の各
条件の組み合わせで定めることができる。

例えば、アクリル樹脂基材の場合、この上に形
成した膜に対し、照射レーザ光の強度をかえて、
白化、黒化の条件を求めたところ円盤形態の記録
部材において、約1μφに絞つたレーザスポツト光
で、回転数1800rpmにおいて、5.0mwの照射光パ
ワーレベルまでは黒化状態を得、5.6mw以上の高
いパワーレベルでは白化状態を得た。

つまり、まず高いパワーレベルP_Wでは白化、
低いパワーレベルP_Eでは黒化の状態差が生ずる。

次に冷却の条件の差異つまりこれは、一般的に
は加熱条件の差異と同様であり、この効果につい
て記述する。

後述するように、デイスク回転速度1800rpmに
対し、レーザスポツト径1μmφ、記録トラツク
位置φ100を照射する系において、このトラツク
の任意の１点に照射されるレーザ光の照射時間は
次のように算出できる。

φ100位置において回転線速度Ｖ＝9.4m／secこ
の位置におけるレーザ光照射時間τ1μm／Ｖ＝
106nsecとなる。

この場合において、昇温、冷却の時間変化をも
とめる。回転する無限平面における、1μmφのレ
ーザスポツトの光照射における熱拡散方程式を解
くことによりこれは求まる。

物理定数として、記録膜（Teを主成分とする
膜）比重ρ≒6.1ｇ／cm³、比熱Ｃ＝0.05Kcal／Kg
℃、熱伝導率ｋ＝0.5Kcal／ｍ・hr・℃、樹脂基
板エポキシ系 比重ρ＝1.2ｇ／cm³、比熱Ｃ＝
0.3Kcal／Kg・℃熱伝導率ｋ＝0.192Kcal／ｍ・
hr・℃の系において計算する。

膜の最高到達温度は、750℃になり、完全に
膜は溶解する。これが、Teの融点（450）℃より
低く300℃まで冷却するのに要する時間は
300nsecになる。

このときの冷却速度は、−1.5・10⁹℃／secにな
り、レーザ光照射時間100nsgecでは、−10⁹・
℃／sec台の急冷状態になり、白化状態を得る。
これに対し、レーザ光照射時間1μsecでは、−
17⁸・℃／sec台の冷却速度になり、これは徐冷条
件に対応する。上記レーザ光照射時間1μsecを
得るには、レーザスポツト径を大きくするか回転
速度を小さくすればよい。また、レーザスポツト
径1μmφ、回転線速度9.4m／secにおいて、8mw
の記録変調光を照射する場合その変調周波数が、
5MHz以上、デユーテイ50％とすると、発光パル
ス巾（発光時間）が100nsec以下となり、さらに
急冷方向になる。

例えば前記記録部材を回転せしめ、無変調の連
続光を照射する場合と、変調を受けた光を照射す
る場合では、記録膜を含む記録部材の昇温の様子
したがつて冷却の様子が異る。

本発明においては、上記昇温と冷却の熱特性を
次の２要素で制御する方法からなりたつている。

第１は、白化信号記録光は変調を受けたパルス
的な波形を用い、黒化消去のための照射光は無変
調の連続光を照射する点であり、第２は、黒化消
去のための照射光はこのパワーレベルP_Eに応じ
て、１回以上のくりかえし照射すなわちP_Eのパ
ワーレベルが高い場合は１回、低い場合は複数回
照射を施こす点である。

第１の要素の効果は、光on、offの変調光を照
射した場合、光offの時点で３次元的な熱拡散が
生じ急速に温度が下がり、急冷条件に近づく。こ
れに対して、連続光を照射した場合は、レーザ光
スポツトが記録部位に到達するまでに熱伝導によ
り、記録部位は前方から加熱される。また、レー
ザ光スポツトが記録部位を通過した後も、後方か
ら加熱される。このため記録トラツク方向に関し
ては、連続的な加熱となり、この方向における熱
拡散は減少し、冷却速度が低下し徐冷条件が生じ
やすくなることである。

第２の要素の効果は、それ自体では、十分温度
を上げることのできない低いパワーの照射におい
ても、くりかえし照射することにより、記録膜を
黒化飽和温度まで上げることができること、およ
び、それ自体では、白化温度以上に昇温する高い
パワーの照射においても、連続光の場合は、記録
トラツク方向に関して連続的な加熱となり、徐冷
条件を満たすことができ、黒化消去がおこなえる
ということである。

要約すると、情報の記録に際しては、薄膜を溶
解するエネルギー以上を供給し得る白化信号記録
パワーレベルR_Wの光を照射するとともに、照射
光の薄膜上の任意の位置に対する照射時間を、前
記位置が照射後急冷となるように、薄膜と照射光
との相対移動速度、および照射光のビーム径を設
定し、また消去に際しては、薄膜を溶解するエネ
ルギーよりも低い黒化消去パワーレベルP_Eの光
をくり返し照射するものであり、かかる構成によ
り消去を完全に行なうことができ、ノイズの少な
い記録が行える。

すなわち、本発明では昇温急冷により白化記録
が行われ、昇温徐冷により黒化消去が行われるの
であつて、まず最初の白化記録について説明す
る。

白化を生ぜしめるためにはまず薄膜を溶融する
必要があり、そのため薄膜を溶融するエネルギー
以上を供給し得る白化信号記録パワーレベルP_W
の照射が必要である。次にパワーレベルP_Wが照
射された部分を急冷する必要がある。したがつ
て、パワーレベルP_Wにより長時間にわたつて薄
膜の任意の点を照射すると、照射エネルギーが薄
膜から基板の方に伝わつていき、エネルギー照射
終了後の熱拡散による冷却が即座に行われなくな
り徐冷されることになつて白化状態が得られなく
なる。したがつて、薄膜の任意の点の照射時間は
長時間ではなく、照射後にその点が急冷される時
間に設定される必要がある。

ところで、薄膜の任意の点での照射時間τは、
例えば薄膜が円盤状で回転し（回転速度Ｖ）、光
照射の位置が固定されているとすると、光照射し
ているビーム径ｄ内をそその点が通過する時間、
すなわちｄ／Ｖで決まる。これは、ビームがオン
している時間Ｔに関係なく一定の値となる（時間
Ｔは薄膜へ記録される白化部分の大きさを決める
ことになる）。

しかして、白化信号記録パワーレベルP_Wの薄
膜の任意の点に対する照射時間が、薄膜と照射光
との相対速度、および照射光のビーム径を設定し
て、任意の点が照射後急冷となるようにすること
により白化記録が行われることになる。

次に、黒化消去に関しては、昇温徐冷が必要で
ある。黒化のためには、薄膜を溶融する必要はな
く、黒化転移を開始させれば良いので、薄膜を融
解温度以下にできるパワーレベP_Eで足りる。P_E
の値が低い時は、１回の照射での加熱温度が低い
ため、くり返し照射することにより薄膜が黒化飽
和温度以上になる。そして、黒化消去パワーレベ
ルは常時供給されることになるので、熱拡散によ
る冷却は減少し徐冷条件が常に満たされているこ
とになり、黒化消去は照射時間に関係なく行われ
る。

この方法による白化記号記録および、黒化消去
を、第１図、第２図を用いて説明する。

例えば円盤状態の記録部材における記録条件例
を第１図に示す。この場合デイスクとしては、飽
和黒化処理を施こしたもの（黒デイスク）を示し
ている。

黒デイスク１は、基材２及び記録膜３を基本構
成とし、白化信号記録においては、例えば、半導
体レーザ光源４を、パワーレベルP_Wを有する変
調光を発生するように電流波形６により強度変調
を施こし、このビームをレンズの組み合わせ７，
８等により微少スポツト径1μφに絞つて黒デイ
スク膜を照射する。かかる構成において膜が光照
射を受ける実効的な照射時間は、膜面上の照射光
スポツト経と、膜面の線速度で定められる。デイ
スクの回転方向５に対応して、前記照射時間が
100nsec、白化信号ビツト１０が形成され、信号
記録が行なえる。

記録信号の再生は、同じ光学系を用いて記録ビ
ツト部の透過率あるいは反射率の変化を検出して
おこなう。

信号の記録、再生において、基材２として透明
体材料を選ぶことにより、基材側からのレーザ照
射による記録および消去さらに反射光検出による
再生をおこなうこともできる。

つぎに、記録のための変調光のパワーレベル
P_Wおよび黒化消去のための無変調連続光パワー
レベルP_Eとしては、そのデイスク回転速度にお
いて、第２図に示す変調パワー波形ａに示すよう
に、白化状態を得るパワーレベルP_Wを有する変
調光により、膜面に図ｂの白化記録ビツトｑが形
成される。情報信号は、例えば、レベルP_Wにお
ける周波数（FM変調）、あるいはデユーテイ
（パルス幅変調）に入れておこなう。

これに対して、既に白化信号記録ビツトが形成
されているトラツクに対して、前記状態を黒化し
て消去する方法は、同様に第２図のｃ図において
無変調連続光パワーレベルP_Eを有するレーザ光
をｂ図のトラツク上を、パワーレベルP_Eに応じ
て、ｄ図に示す光スポツトｒで１回以上、くりか
えし照射することにより、図ｄに示すように、白
化記録部位q′が黒化消去し、他の部分では変化が
生じない。

この無変調連続光の黒化消去のためのくりかえ
し照射回数はP_Eのパワーレベルによつて異り、
第３図においてこの条件を説明する。

消去光パワーレベルP_Eが低くて、例えば3mw
の場合、既記録信号の再生振巾は、曲線ｄに示す
ように20mv_P-Pからくりかえし照射回数が増大す
るにしたがつて低下し、約100回でほぼノイズレ
ベルにまで消去が進行する。

照射光パワーレベルP_Eが4mwの場合は、消去
が進行し、曲線ｅに示すように、約10回で、ほぼ
ノイズレベルに至る。

さらに高パワーレベルP_Eが5.0mwにおいては、
くりかえし回数は曲線ｆに示すように約３回でノ
イズレベルまで消去が進行する。

さらにP_Eを高く選ぶことにより、１回の連続
光照射で黒化消去がおこなえる。ただし、この場
合は、消去パワーレベルP_Eと信号記録パワーレ
ベルP_Wの差は小さくなり、白化と黒化の誤動作
が生じやすい。そのためパワー制御精度を高く選
ぶことが必要である。

以上のようにしてくりかえし回数に対応して既
信号が減少してゆくため、常にこの信号を検出し
てモニターすることにより完全黒化消去つまり、
既信号が、ノイズレベルに達するまでのくりかえ
し回数を自動的に選ぶことが可能になる。

かかる方法において、さらに黒化消去を完全に
おこなえる手段としては、黒化消去をおこなうパ
ワーレベルP_Eの照射光の波形につぎの工夫をお
こなう。

つまり、黒化消去開始の連続光波形の直前に、
短時間の標準白化パワー信号波形をつないでおく
ことである。

この方法により、黒化開始の前に、所望の既信
号記録トラツクの一部に、標準白化記録ビツトが
形成され、この信号レベルを、くりかえし照射過
程において検出モニターすることにより、前記の
モニター消去の方法で、既記録信号の状態にかか
わらず、完全黒化消去を実施することができる。

第１図に示される光学情報記録系において記録
膜３として、低酸化物膜TeOx₁ ０＜x₁＜2.0を主
成分とし、添加材料を含ませてなるものおよび、
Teを主成分としてGe，Seを含むカルコゲン化物
を用いた。

基材として、エポキシ系の透明樹脂を用い、
200mφの円盤とした。

飽和黒化条件は、これらの膜における加熱昇温
に対する黒化転移曲線の測定結果である第４図か
ら選ぶ。材料組成により、転移温度が低いもの、
および高いものがある。この図では、曲線ｋが低
酸化物系のものであり、曲線ｌはカルコゲン化物
のものである。

それぞれ、110℃以上、150℃以上の温度で、熱
処理を施こすことにより、黒化飽和レベルを得る
が本実施例では、それぞれ130℃、170℃で約５分
間加熱して、黒化飽和膜を得た。それぞれの膜の
光学特性つまり、透過率Ｔ％および、反射率Ｒ％
の分光測定結果を、第５図および第６図に示す。

半導体レーザ、λ＝830nmでの信号再生は、透
過光で行う場合は、透過率の分光特性を示す曲線
である。曲線、ｍ−ｍ間の差あるいは、曲線ｎ−
n′間の差を検出しておこない、反射光で行う場合
は、反射率の分光特性を示す曲線である。曲線ｏ
−o′あるいはｐ−p′における差を検出しておこな
う。

これらのデイスクの回転速度は、特に黒化が容
易な低酸化物系材料では、1800rpm〜900rpmの
回転で、白化記録パワーとしては、P_W＝９〜
7mwを選び、無変調の黒化消去のための連続光
パワーとしてP_E＝６〜4mwを選ぶ。

やや黒化が生じにくいカルゴン化物薄膜系で
は、デイスクの回転速度は、900〜300rpmにする
ことが望ましく、白化記録パワーP_W＝７〜4mw
とし、無変調の黒化消去のための連続光パワーと
して、P_E＝５〜3mwを選んでおこなえる。

例えば、低酸化物膜の材料TeOx ０＜x₁＜2.0
を主成分とする膜では、回転数1800rpmにおい
て、デイスク直径200mmφで、8.0mwのパワーレ
ベルで5MHzの白化信号記録を施した後、5.0mw
のパワーレベルを有する連続光の照射を、同一記
録トラツク上に５回くりかえしおこなうことによ
り、既記録信号が、ノイズレベルまで低下し、完
全黒化消去をおこなうことができた。

一方、例えば、カルコゲン化物膜の材料では、
Teを主成分とし、Ge及びSeを含む膜について、
900rpmのデイスク回転数で、6.0mwのパワーレ
ベルで、5MHzの白化信号を施した後、4.3mwの
パワーレベルを有する連続光の照射を、前記記録
トラツク上に10回くりかえし照射することによ
り、上記と同様に完全黒化消去をおこなうことが
できた。

黒化消去のための連続光くりかえし照射回数
は、信号レベルによつて異るが、１〜100回の間
に選んでおこなえる。

特に連続光パワーレベルP_Eを選んで、１回の
連続光照射で黒化消去する場合は、記録のための
光学ヘツドの手前に、前記ヘツドと同様な連続光
照射消去光学ヘツドを設けて、あらかじめ既記録
白化部位を黒化消去するとともに新規な白化信号
記録を消去に引きつづいて記録ヘツドでおこなう
ことにより、消去と記録を同時に実施することも
可能である。

本発明における、白化パワーレベルP_Wによる
変調信号記録と、無変調連続黒化パワーレベル
P_Eを用いたP_Eの１回以上のくりかえし照射によ
る黒化消去の方法は、次の効果を有する。

１ 既白化信号記録部位の黒化消去を完全に行な
うことができ、ノイズの少ない情報記録をくり
かえし行なうことができる。

２ 白化信号記録と黒化消去の誤動作を除去でき
る。（パワーP_EとパワーP_Wの差をくりかえし照
射回数に応じて選ぶことが可能で、P_EとP_Wが
近い値であつても、このくりかえし回数により
白化と、黒化を確実に分離することができる。）

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光学情報記録および消去の
方法に用いる記録部材の一形態である黒化飽和処
理を施こしたデイスクと、半導体レーザ光源を適
用した記録消去の系のブロツク図、第２図ａは、
白化信号記録のためのピークパワーP_Wを有する
変調光パワーを示す図、ｂは黒化処理を施こした
膜での白化記録ビツトを示す図、ｃは無変調連続
光パワーP_Eを示す図、ｄは同無変調連続光パワ
ーP_Eを照射して黒化消去を施こした状態を示す
図、第３図は、無変調の連続消去光を、パワーレ
ベルP_Eをパラメータとして照射した場合のくり
かえし照射回数と、既記録信号振巾の変化の対応
を示す図、第４図は記録膜の加熱昇温に伴う光学
濃度の変化を示すもので、曲線ｋはTeOxを主成
分とし、他の添加材料を含む膜の特性で、曲線ｌ
はTeを主成分とするカルコゲン化物の特性を示
す図、第５図は低酸化物系薄膜の透過率および反
射率の分光測定曲線で、ｍ，ｎは未処理状態の透
過率、m′，n′は黒化処理を施こしたものの透過率
および反射率を示す図、第６図はTeを主成分と
するカルゴン化膜の透過率および反射率の分光測
定曲線図で、曲線Ｏ，Ｐは未処理の膜の透過率と
反射率と、O′，P′は黒化処理をした膜の透過率を
示す。 １…デイスク、４…半導体レーザ光源、７，８
…レンズ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 加熱昇温の後に徐冷することにより光学濃度
   が増大し、加熱昇温の後に急冷することにより光
   学濃度が低下する性質を有する薄膜材料を、基板
   上に蒸着形成した記録部材を用いた光学情報記録
   方法において、記録薄膜材料を、あらかじめ光学
   濃度の高い黒化飽和状態に変化させておき、この
   黒化飽和状態の膜の選択的な微小部分に、前記微
   小部分を融解温度以上に昇温するパワーの光照射
   を施して光学濃度の低い白化状態に変化させて情
   報を記録し、前記情報の消去に際しては、前記白
   化部を含む領域を、前記薄膜材料を融解温度以下
   に昇温するパワーの無変調連続光のくりかえし照
   射を施すことにより、加熱昇温して黒化させてお
   こなう方法であつて、さらに、前記情報の記録に
   際して前記微小部分に記録変調光のパルス光が照
   射される照射時間を、前記薄膜材料と前記パルス
   光との相対移動速度、および前記パルス光ビーム
   径の選定により前記微小部分が照射後急冷となる
   ような照射時間に選定したことを特徴とする光学
   情報記録および消去方法。 ２ 白化記録のための照射パワーP_Wに対し、黒
   化消去のためのくりかえし無変調連続光のパワー
   P_EをP_Wと同程度あるいは、P_EP_Wに選んで照射
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光学情報記録および消去方法。 ３ 黒化消去のための無変調連続光のスポツト径
   を白化記録部の情報ビツトの径よりも大きく選ぶ
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
   ２項記載の光学情報記録および消去方法。 ４ 情報記録部材の形態を円盤状のデイスクと
   し、この上の黒化飽和状態に変化させた膜に、白
   化記録をおこなう場合には、デイスクを回転させ
   て、前記薄膜に実効的なパルス幅が1μsec以下の
   変調スポツト光を照射し、照射部位を白化状態に
   変化させておこない、黒化消去においては、所望
   の白化記録トラツクの上を、消去光パワーP_Eの
   連続光のスポツト光で、デイスク回転に対応する
   速度でくりかえし照射することにより該白化部位
   を黒化飽和状態に変化させておこなうことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録
   および消去方法。 ５ 黒化消去のためのくりかえし光照射の回数
   は、白化記録部の出力変化を検出することによ
   り、この記録レベルがもとのノイズレベルになる
   回数までおこなうことを特徴とする特許請求の範
   囲第４項記載の光学情報記録および消去方法。 ６ 黒化消去のためのくりかえし光照射の回数
   と、該消去光のパワーP_Eは、所望の白化記録ト
   ラツクの温度が記録膜の黒化飽和温度以上に昇温
   するように選ぶことを特徴とする特許請求の範囲
   第４項記載の光学情報記録および消去方法。 ７ 薄膜材料が、TeOx₁ ０＜x₁＜2.0を主成分と
   する化合物であり、黒化飽和状態を、この膜を
   110℃以上の温度で熱処理して得ることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録お
   よび消去方法。 ８ 薄膜材料が、Teを主成分とするもので、Sn，
   In，Bi，Ge，Se，Ｓの少なくとも１つを含む膜
   であり、黒化飽和状態を、この膜を150℃以上の
   温度で熱処理して得ることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光学情報記録および消去方
   法。 ９ 既記録信号の消去において、消去開始のパワ
   ーレベルP_Eを照射する前に、一定波形の白化パ
   ルス光を所望の記録トラツクの一部に照射せし
   め、消去状態モニタ用の白化信号を記録し、連続
   光照射による黒化消去レベルを、前記モニタ信号
   記録部位を検出することにより判定するとともに
   消去をおこなうことを特徴とする特許請求の範囲
   第４項記載の光学情報記録および消去方法。