JPH0366069B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0366069B2 JPH0366069B2 JP12696287A JP12696287A JPH0366069B2 JP H0366069 B2 JPH0366069 B2 JP H0366069B2 JP 12696287 A JP12696287 A JP 12696287A JP 12696287 A JP12696287 A JP 12696287A JP H0366069 B2 JPH0366069 B2 JP H0366069B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- torch
- plasma
- power source
- torches
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Arc Welding Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数のプラズマ加工トーチに選択的
にプラズマジエツト、或いはプラズマアークを発
生し得るプラズマ加工装置に関する。
にプラズマジエツト、或いはプラズマアークを発
生し得るプラズマ加工装置に関する。
プラズマアーク又はプラズマジエツトはアルミ
ニウムやステンレス等の非鉄金属の他、一般鋼材
の切断或いは溶接などに多用されている。一台の
プラズマ加工装置で選択的にプラズマジエツトを
発生したり、プラズマアークを発生する場合に
は、第３図に示すように、プラズマ加工トーチ
（以下トーチという）１のスリーブ１ａ、被加工
材２と主電源３との間にスイツチ４′，５′を夫々
接続し、これらスイツチを開閉してプラズマジエ
ツトとプラズマアークを選択して発生させてい
た。なお、６はトーチ１の起動時にそのスリーブ
１ａとカソード電極１ｂ間にアークを形成するた
めの通常の起動用電源である。この装置の電気面
での動作についてもう少し詳しく説明すると、先
ず高周波発生器とパイロツト電源とからなる起動
用電源６を動作させ、トーチ１のスリーブ１ａと
カソード電極１ｂとの間にアークを発生させる。
次に主電源３を起動させ、スイツチ４′を閉じる
ことによりトーチ１のスリーブ１ａとカソード電
極１ｂ間にパイロツトアークが発生する。そして
主電源３の電流量を調整し、かつトーチ１を流れ
るプラズマガスの流量を調整することにより、所
望のプラズマジエツトが発生する。プラズマジエ
ツトに代えてプラズマアークを発生させたい場合
には、スイツチ５′を閉じると共にスイツチ４′を
開けばよい。
ニウムやステンレス等の非鉄金属の他、一般鋼材
の切断或いは溶接などに多用されている。一台の
プラズマ加工装置で選択的にプラズマジエツトを
発生したり、プラズマアークを発生する場合に
は、第３図に示すように、プラズマ加工トーチ
（以下トーチという）１のスリーブ１ａ、被加工
材２と主電源３との間にスイツチ４′，５′を夫々
接続し、これらスイツチを開閉してプラズマジエ
ツトとプラズマアークを選択して発生させてい
た。なお、６はトーチ１の起動時にそのスリーブ
１ａとカソード電極１ｂ間にアークを形成するた
めの通常の起動用電源である。この装置の電気面
での動作についてもう少し詳しく説明すると、先
ず高周波発生器とパイロツト電源とからなる起動
用電源６を動作させ、トーチ１のスリーブ１ａと
カソード電極１ｂとの間にアークを発生させる。
次に主電源３を起動させ、スイツチ４′を閉じる
ことによりトーチ１のスリーブ１ａとカソード電
極１ｂ間にパイロツトアークが発生する。そして
主電源３の電流量を調整し、かつトーチ１を流れ
るプラズマガスの流量を調整することにより、所
望のプラズマジエツトが発生する。プラズマジエ
ツトに代えてプラズマアークを発生させたい場合
には、スイツチ５′を閉じると共にスイツチ４′を
開けばよい。
このようにトーチを単体で溶接、或いは切断に
用いる場合は従来例のとおりで良いが、複数のト
ーチにプラズマアーク或いはプラズマジエツトを
同時に発生させて同一の被加工材、又は別々の被
加工材を加工する場合には次のような問題点が生
じる。
用いる場合は従来例のとおりで良いが、複数のト
ーチにプラズマアーク或いはプラズマジエツトを
同時に発生させて同一の被加工材、又は別々の被
加工材を加工する場合には次のような問題点が生
じる。
(1) 先ず、トーチ毎に夫々専用の主電源、起動用
電源を備えることは、装置全体の価格を上昇さ
せると共に大型重量化する。特にトーチが十数
個乃至は数十個の場合にはこれらの欠点は実用
上極めて大きなものとなる。また、これら電源
と各トーチとを接続するワイヤの数も非常に多
くなり、加工作業上支障を来すことも多い。
電源を備えることは、装置全体の価格を上昇さ
せると共に大型重量化する。特にトーチが十数
個乃至は数十個の場合にはこれらの欠点は実用
上極めて大きなものとなる。また、これら電源
と各トーチとを接続するワイヤの数も非常に多
くなり、加工作業上支障を来すことも多い。
(2) 従つて、複数のトーチで一台の主電源及び起
動用電源を共用する構成が考えられるが、各ト
ーチのプラズマジエツト或いはプラズマアーク
の状態は非常に不安定なので絶えず変動してお
り、各トーチから発生するプラズマジエツト又
はプラズマアークのエネルギをほぼ等しく制御
し難い。また、各トーチから発生するプラズマ
ジエツト又はプラズマアークのエネルギをほぼ
等しく、或いは所定の割合になるように制御で
きたとしても、各トーチ間の電位、或いは被加
工材の電位が問題となり、複数のトーチで一台
の電源を共用する構成の装置は実用化されてお
らず、斯かる構成ではプラズマジエツトとプラ
ズマアークを問題なく切替えるという具体的な
構成の提案は皆無である。
動用電源を共用する構成が考えられるが、各ト
ーチのプラズマジエツト或いはプラズマアーク
の状態は非常に不安定なので絶えず変動してお
り、各トーチから発生するプラズマジエツト又
はプラズマアークのエネルギをほぼ等しく制御
し難い。また、各トーチから発生するプラズマ
ジエツト又はプラズマアークのエネルギをほぼ
等しく、或いは所定の割合になるように制御で
きたとしても、各トーチ間の電位、或いは被加
工材の電位が問題となり、複数のトーチで一台
の電源を共用する構成の装置は実用化されてお
らず、斯かる構成ではプラズマジエツトとプラ
ズマアークを問題なく切替えるという具体的な
構成の提案は皆無である。
この装置は、正の出力端子が被加工部材に接続
されると共に、負の出力端子が各スイツチ素子を
介して複数のトーチのカソード電極に接続され得
る第１の電源と、正の出力端子が前記トーチのス
リーブに接続されると共に、負の出力端子が夫々
の半導体スイツチ素子を介して前記トーチのカソ
ード電極に接続され得る第２の電源とを備えてい
る。
されると共に、負の出力端子が各スイツチ素子を
介して複数のトーチのカソード電極に接続され得
る第１の電源と、正の出力端子が前記トーチのス
リーブに接続されると共に、負の出力端子が夫々
の半導体スイツチ素子を介して前記トーチのカソ
ード電極に接続され得る第２の電源とを備えてい
る。
このように構成しているので、半導体スイツチ
素子のインピーダンスを制御することにより各ト
ーチから発生するプラズマジエツト或いはプラズ
マアークのエネルギを等しく、又は所定の割合に
なるよう制御できることは勿論のこと、トーチの
スリーブ同士、被加工材同士の電位をほぼ等しく
できるので、トーチ同士が接触することがあつて
も事故に至らず、また被加工材をアースから絶縁
する必要もなく、このことは大面積の単一の被加
工材を複数のトーチで加工できることを示してい
る。
素子のインピーダンスを制御することにより各ト
ーチから発生するプラズマジエツト或いはプラズ
マアークのエネルギを等しく、又は所定の割合に
なるよう制御できることは勿論のこと、トーチの
スリーブ同士、被加工材同士の電位をほぼ等しく
できるので、トーチ同士が接触することがあつて
も事故に至らず、また被加工材をアースから絶縁
する必要もなく、このことは大面積の単一の被加
工材を複数のトーチで加工できることを示してい
る。
第１図により本発明の一実施例について説明す
ると、３Ａ，３Ｂは夫々プラズマアーク用電源、
プラズマジエツト用電源であり、電源３Ａの正、
負端子は夫々導線９Ａ，９Ｂに接続され、電源３
Ｂの正、負端子は夫々導線１０Ａ，１０Ｂに接続
されている。導線９Ａには各被加工材２Ａ，２
Ｂ，……，２Ｎが接続され、導線１０Ａには各ト
ーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのスリーブが接続さ
れる。ブラズマジエツト用電源３Ｂの負端子に接
続された導線１０Ｂには、夫々の抵抗７Ａ，７
Ｂ，……，７Ｎ、及びトランジスタのような半導
体スイツチ素子４Ａ，４Ｂ，……，４Ｎを直列に
した接続体を介して、各トーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎのカソード電極が接続される。プラズマ
アーク用電源３Ａの負端子に接続された導線９Ｂ
には、抵抗８Ａ，８Ｂ，……，８Ｎ及びトランジ
スタのような半導体スイツチ素子５Ａ，５Ｂ，…
…，５Ｎを直列にした接続体を介して、各トーチ
１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのカソード電極が接続さ
れる。
ると、３Ａ，３Ｂは夫々プラズマアーク用電源、
プラズマジエツト用電源であり、電源３Ａの正、
負端子は夫々導線９Ａ，９Ｂに接続され、電源３
Ｂの正、負端子は夫々導線１０Ａ，１０Ｂに接続
されている。導線９Ａには各被加工材２Ａ，２
Ｂ，……，２Ｎが接続され、導線１０Ａには各ト
ーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのスリーブが接続さ
れる。ブラズマジエツト用電源３Ｂの負端子に接
続された導線１０Ｂには、夫々の抵抗７Ａ，７
Ｂ，……，７Ｎ、及びトランジスタのような半導
体スイツチ素子４Ａ，４Ｂ，……，４Ｎを直列に
した接続体を介して、各トーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎのカソード電極が接続される。プラズマ
アーク用電源３Ａの負端子に接続された導線９Ｂ
には、抵抗８Ａ，８Ｂ，……，８Ｎ及びトランジ
スタのような半導体スイツチ素子５Ａ，５Ｂ，…
…，５Ｎを直列にした接続体を介して、各トーチ
１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのカソード電極が接続さ
れる。
次に、このプラズマ加工装置の電気的な動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
プラズマジエツトを発生したい場合には、半導
体スイツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎをすべて開い
た（オフ）状態にしておき、半導体スイツチ４
Ａ，４Ｂ，……，４Ｎを閉じる。これに伴い電源
３Ｂの電圧がトーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのス
リーブとカソード電極間に印加され、この間にア
ークが発生することによりプラズマジエツトが形
成される。プラズマジエツトは不安定であるの
で、各トーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎを均一かつ
安定化するため、夫々半導体スイツチ４Ａ，４
Ｂ，……，４Ｎを制御してそれらのインピーダン
スを調整してもよい。このとき抵抗７Ａ，７Ｂ，
……，７Ｎは電流検出用抵抗として用いられ、抵
抗７Ａ，７Ｂ，……，７Ｎを流れる電流がほぼ等
しくなるよう、半導体スイツチ４Ａ，４Ｂ，…
…，４Ｎのインピーダンスが夫々制御される。
体スイツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎをすべて開い
た（オフ）状態にしておき、半導体スイツチ４
Ａ，４Ｂ，……，４Ｎを閉じる。これに伴い電源
３Ｂの電圧がトーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのス
リーブとカソード電極間に印加され、この間にア
ークが発生することによりプラズマジエツトが形
成される。プラズマジエツトは不安定であるの
で、各トーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎを均一かつ
安定化するため、夫々半導体スイツチ４Ａ，４
Ｂ，……，４Ｎを制御してそれらのインピーダン
スを調整してもよい。このとき抵抗７Ａ，７Ｂ，
……，７Ｎは電流検出用抵抗として用いられ、抵
抗７Ａ，７Ｂ，……，７Ｎを流れる電流がほぼ等
しくなるよう、半導体スイツチ４Ａ，４Ｂ，…
…，４Ｎのインピーダンスが夫々制御される。
次にプラズマアークを各トーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎとこれらに夫々対応する被加工材２Ａ，
２Ｂ，……，２Ｎ間に発生させたい場合には、半
導体スイツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎを閉じ、し
かる後に半導体スイツチ４Ａ，４Ｂ，……，４Ｎ
を開く。このようにすることにより各トーチ１
Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのカソード電極とスリーブ
間に発生していたアーク放電は、夫々のカソード
電極とこれらに夫々対応する被加工材２Ａ，２
Ｂ，……，２Ｎとの間に移行し、プラズマアーク
が形成される。ここで各トーチにより発生するプ
ラズマ・アークは一般に極めて不安定であるの
で、プラズマジエツトの場合と同様に、半導体ス
イツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎのインピーダンス
を制御して、抵抗８Ａ，８Ｂ，……，８Ｎを流れ
る電流をほぼ等しく調整することにより、各トー
チから発生されるプラズマアークをほぼ等しくす
ることが出来る。
…，１Ｎとこれらに夫々対応する被加工材２Ａ，
２Ｂ，……，２Ｎ間に発生させたい場合には、半
導体スイツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎを閉じ、し
かる後に半導体スイツチ４Ａ，４Ｂ，……，４Ｎ
を開く。このようにすることにより各トーチ１
Ａ，１Ｂ，……，１Ｎのカソード電極とスリーブ
間に発生していたアーク放電は、夫々のカソード
電極とこれらに夫々対応する被加工材２Ａ，２
Ｂ，……，２Ｎとの間に移行し、プラズマアーク
が形成される。ここで各トーチにより発生するプ
ラズマ・アークは一般に極めて不安定であるの
で、プラズマジエツトの場合と同様に、半導体ス
イツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎのインピーダンス
を制御して、抵抗８Ａ，８Ｂ，……，８Ｎを流れ
る電流をほぼ等しく調整することにより、各トー
チから発生されるプラズマアークをほぼ等しくす
ることが出来る。
さてここで、各トーチ１Ａ，１Ｂ，……，１Ｎ
のスリーブはすべて直接導線１０Ａに接続されて
いるので、プラズマジエツトの発生中、半導体ス
イツチ４Ａ，４Ｂ，……，４Ｎのインピーダンス
がかなり大幅に異なつたり、或いはいずれかが開
放の状態にあつても、各トーチのスリーブは常に
同一電位にあり、従つてトーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎのいずれかが接触しても電気的な短路の
問題を生じることはなく、トーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎを接触した状態で配置もできる。また同
様に、被加工材２Ａ，２Ｂ，……，２Ｎのすべて
が導線９Ａに直接接続されているので、半導体ス
イツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎのインピーダンス
がかなり異なつたり、或いはそのいずれかが開放
状態にあつても、被加工材２Ａ，２Ｂ，……２Ｎ
はすべて常に同電位にある。従つて、大面積の単
一の被加工材を複数のトーチで加工したり、或い
は接続状態におかれた夫々の被加工材を独立して
夫々のトーチで加工することが出来る。
のスリーブはすべて直接導線１０Ａに接続されて
いるので、プラズマジエツトの発生中、半導体ス
イツチ４Ａ，４Ｂ，……，４Ｎのインピーダンス
がかなり大幅に異なつたり、或いはいずれかが開
放の状態にあつても、各トーチのスリーブは常に
同一電位にあり、従つてトーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎのいずれかが接触しても電気的な短路の
問題を生じることはなく、トーチ１Ａ，１Ｂ，…
…，１Ｎを接触した状態で配置もできる。また同
様に、被加工材２Ａ，２Ｂ，……，２Ｎのすべて
が導線９Ａに直接接続されているので、半導体ス
イツチ５Ａ，５Ｂ，……，５Ｎのインピーダンス
がかなり異なつたり、或いはそのいずれかが開放
状態にあつても、被加工材２Ａ，２Ｂ，……２Ｎ
はすべて常に同電位にある。従つて、大面積の単
一の被加工材を複数のトーチで加工したり、或い
は接続状態におかれた夫々の被加工材を独立して
夫々のトーチで加工することが出来る。
次に第２図により本発明の別の一実施例を説明
すると、この実施例ではカソード電極を囲む内側
のスリーブとその外側のスリーブとを有するトー
チを用いており、このトーチは良く知られている
ので説明は省く。このプラズマ加工装置は、第１
図に示したような装置を２組備え、夫々の組が起
動用の電源１１のみを共用している。この起動用
の電源１１は共通の導線１２Ａ，１２Ｂ及び夫々
順次切り換えられるスイツチ１３A1，１３B1，
……，１３N1，１３A2，１３B2，……，１３N2
を介して各トーチ１A1，１B1，……，１N1及び
１A2，１B2，……，１N2のカソード電極と内側
のスリーブ間に接続され、それらの間にアーク放
電を発生させ、維持するのに必要な電力を与え
る。電源１１を作動させ、各トーチの内側のスリ
ーブとカソード電極間にアーク放電を発生させた
後、半導体スイツチ４A1，４B1，……，４N1及
び４A2，４B2，……，４N2を閉じることによ
り、外側のスリーブとカソード電極間にアーク放
電を発生させることが出来る。電源容量が切換え
られるよう電源３B1，３B2を構成しておくこと
により、外側のスリーブとカソード電極間のアー
ク放電をプラズマジエツトとしては、或いはパイ
ロツトアークとして利用できる。各トーチと各被
加工材間にプラズマアークを発生させたい場合に
は、前記実施例と同様に、半導体スイツチ５A1
〜５N1及び５A2〜５N2を閉じ、しかる後に半導
体スイツチ４A1〜４N1及び４A2〜４N2を開く。
すると、この実施例ではカソード電極を囲む内側
のスリーブとその外側のスリーブとを有するトー
チを用いており、このトーチは良く知られている
ので説明は省く。このプラズマ加工装置は、第１
図に示したような装置を２組備え、夫々の組が起
動用の電源１１のみを共用している。この起動用
の電源１１は共通の導線１２Ａ，１２Ｂ及び夫々
順次切り換えられるスイツチ１３A1，１３B1，
……，１３N1，１３A2，１３B2，……，１３N2
を介して各トーチ１A1，１B1，……，１N1及び
１A2，１B2，……，１N2のカソード電極と内側
のスリーブ間に接続され、それらの間にアーク放
電を発生させ、維持するのに必要な電力を与え
る。電源１１を作動させ、各トーチの内側のスリ
ーブとカソード電極間にアーク放電を発生させた
後、半導体スイツチ４A1，４B1，……，４N1及
び４A2，４B2，……，４N2を閉じることによ
り、外側のスリーブとカソード電極間にアーク放
電を発生させることが出来る。電源容量が切換え
られるよう電源３B1，３B2を構成しておくこと
により、外側のスリーブとカソード電極間のアー
ク放電をプラズマジエツトとしては、或いはパイ
ロツトアークとして利用できる。各トーチと各被
加工材間にプラズマアークを発生させたい場合に
は、前記実施例と同様に、半導体スイツチ５A1
〜５N1及び５A2〜５N2を閉じ、しかる後に半導
体スイツチ４A1〜４N1及び４A2〜４N2を開く。
以上述べたように本発明によれば、電源を共用
する複数のトーチによつて安定でほぼ均等のプラ
ズマジエツト、プラズマアークのいずれでも選択
的に発生することが出来、しかも各トーチの最外
側のスリーブを常時すべて同電位に維持できると
共に、被加工材も常時すべて同電位に保持できる
ので、トーチ間の電気的短絡事故を生じることが
なく、同一被加工材を複数のトーチで同時に加工
できるなど多大な効果を奏する。
する複数のトーチによつて安定でほぼ均等のプラ
ズマジエツト、プラズマアークのいずれでも選択
的に発生することが出来、しかも各トーチの最外
側のスリーブを常時すべて同電位に維持できると
共に、被加工材も常時すべて同電位に保持できる
ので、トーチ間の電気的短絡事故を生じることが
なく、同一被加工材を複数のトーチで同時に加工
できるなど多大な効果を奏する。
第１図及び第２図は夫々本発明に係るプラズマ
加工装置の別々の一実施例を示す図、第３図は従
来例を示す図である。 １A1〜１N1，１A2〜１N2……トーチ、２A1
〜２N1，２A2〜２N2……被加工材、３A1，３
A2３B1，３B2１１……電源、４A1〜４N1，４
A2〜４N2，５A1〜５N1，５A2〜５N2……半導
体スイツチ、７A1〜７N1，７A2〜７N2，８A1
〜８N1，８A2〜８N2……抵抗。
加工装置の別々の一実施例を示す図、第３図は従
来例を示す図である。 １A1〜１N1，１A2〜１N2……トーチ、２A1
〜２N1，２A2〜２N2……被加工材、３A1，３
A2３B1，３B2１１……電源、４A1〜４N1，４
A2〜４N2，５A1〜５N1，５A2〜５N2……半導
体スイツチ、７A1〜７N1，７A2〜７N2，８A1
〜８N1，８A2〜８N2……抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数のプラズマ加工トーチと、 正の出力端子が被加工部材に接続されると共
に、負の出力端子が各半導体スイツチ素子を介し
て前記複数のプラズマ加工トーチのカソード電極
に接続され得る第１の電源と、 正の出力端子が前記プラズマ加工トーチの最外
側に位置するスリーブに接続されると共に、負の
出力端子が夫々の半導体スイツチ素子を介して前
記プラズマ加工トーチのカソード電極に接続され
得る第２の電源と、 を備え、前記各プラズマ加工トーチの最外側に位
置するスリーブ同士、及び前記被加工部材同士
夫々をほぼ同電位にしたことを特徴とするプラズ
マ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12696287A JPS63295065A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | プラズマ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12696287A JPS63295065A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | プラズマ加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295065A JPS63295065A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0366069B2 true JPH0366069B2 (ja) | 1991-10-16 |
Family
ID=14948207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12696287A Granted JPS63295065A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | プラズマ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295065A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090646A (en) | 1993-05-26 | 2000-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| KR100355938B1 (ko) * | 1993-05-26 | 2002-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치제작방법 |
| KR100186886B1 (ko) * | 1993-05-26 | 1999-04-15 | 야마자끼 승페이 | 반도체장치 제작방법 |
| US6501094B1 (en) | 1997-06-11 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a bottom gate type thin film transistor |
| US6566681B2 (en) | 2001-07-19 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus for assisting backside focused ion beam device modification |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12696287A patent/JPS63295065A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63295065A (ja) | 1988-12-01 |
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