JPH0366162A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0366162A JPH0366162A JP1201263A JP20126389A JPH0366162A JP H0366162 A JPH0366162 A JP H0366162A JP 1201263 A JP1201263 A JP 1201263A JP 20126389 A JP20126389 A JP 20126389A JP H0366162 A JPH0366162 A JP H0366162A
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- light
- solid
- lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像装置に係り、特に、高画質が要求さ
れる固体撮像装置に適用して有効な技術に関する。
れる固体撮像装置に適用して有効な技術に関する。
光学像を電気信号に変換する固体撮像装置は、半導体基
板上にそれぞれ独立したフォトダイオードのような光電
変換素子（受光素子、あるいは画素とも称す）を規則的
に数多く配列し、各光電変換素子に到達した光量を電気
的に読み出す装置で、ＶＴＲカメラ等に用いられている
。
板上にそれぞれ独立したフォトダイオードのような光電
変換素子（受光素子、あるいは画素とも称す）を規則的
に数多く配列し、各光電変換素子に到達した光量を電気
的に読み出す装置で、ＶＴＲカメラ等に用いられている
。
固体撮像装置は、主として１次のような構成要素から構
成される。すなわち、多数の光電変換素子が１次元状ま
たは２次元状に配置されて成る受光部およびこの受光部
の周辺に配置され、これらの光電変換素子により光電変
換された情報を出力する走査回路を有する半導体チップ
（固体撮像チップ）と、アウタリード（外側リード、外
部端子）とインナリード（内側リード、内部端子あるい
はボンディングポストとも称す）とを一体に有し、外部
と半導体チップとを電気的に接続するためのリードフレ
ーム、半導体チップとリードフレームを保持するための
上下２枚のセラミック体（パッケージ）（すなわち、リ
ードフレームおよび半導体チップが載置される下部セラ
ミック基板と、半導体チップの収納スペースのための開
口を有する上部セラミック枠体）、上部セラミック枠体
の開口を覆うように該上部セラミック枠体上面に接着さ
れ、上記受光部に光を取り込むための光透過率の高いガ
ラス等の材料から成る光導入部である光学窓（光学ガラ
スキャップ、窓ガラス）である。
成される。すなわち、多数の光電変換素子が１次元状ま
たは２次元状に配置されて成る受光部およびこの受光部
の周辺に配置され、これらの光電変換素子により光電変
換された情報を出力する走査回路を有する半導体チップ
（固体撮像チップ）と、アウタリード（外側リード、外
部端子）とインナリード（内側リード、内部端子あるい
はボンディングポストとも称す）とを一体に有し、外部
と半導体チップとを電気的に接続するためのリードフレ
ーム、半導体チップとリードフレームを保持するための
上下２枚のセラミック体（パッケージ）（すなわち、リ
ードフレームおよび半導体チップが載置される下部セラ
ミック基板と、半導体チップの収納スペースのための開
口を有する上部セラミック枠体）、上部セラミック枠体
の開口を覆うように該上部セラミック枠体上面に接着さ
れ、上記受光部に光を取り込むための光透過率の高いガ
ラス等の材料から成る光導入部である光学窓（光学ガラ
スキャップ、窓ガラス）である。
半導体チップの受光部は、該半導体チップの面上の大部
分を占め、該半導体チップの周辺部に走査回路が配置さ
れている。
分を占め、該半導体チップの周辺部に走査回路が配置さ
れている。
リードフレームは、２枚の上下セラミック体の間に挟ま
れ、低融点ガラス（フリットガラス）によって両セラミ
ック体に固着されている。
れ、低融点ガラス（フリットガラス）によって両セラミ
ック体に固着されている。
半導体チップは、リードフレーム上に直接載置されるか
、またはリードフレームの中央部に設けられた開口部内
で、リードフレームが載っている下部セラミック基板上
し；設けられている。すなわち、半導体チップの表裏両
面から電気的導通を取る場合は、リードフレーム上に半
導体チップが直接載せられる。一方、半導体チップの表
面からのみ電気的導通を取る場合は、リードフレーム上
ではなく、該リードフレームの開口部において、下部セ
ラミック基板上に設けられる。半導体チップ上面の周辺
部に形成された電極である複数個のボ− ンディングパッドと、リードフレームの複数本のインナ
リードとはアルミニウム（ＡＱ）や金（Ａ ｕ ）など
から戒る複数本の細線（すなわち、ボンディングワイヤ
）で接続される。リードフレームに設けられた複数本の
アウタリードは、上下セラミック体の間から出て、該セ
ラミック体の面積の大きな面に対してそれぞれほぼ直角
に折り曲げられている。
、またはリードフレームの中央部に設けられた開口部内
で、リードフレームが載っている下部セラミック基板上
し；設けられている。すなわち、半導体チップの表裏両
面から電気的導通を取る場合は、リードフレーム上に半
導体チップが直接載せられる。一方、半導体チップの表
面からのみ電気的導通を取る場合は、リードフレーム上
ではなく、該リードフレームの開口部において、下部セ
ラミック基板上に設けられる。半導体チップ上面の周辺
部に形成された電極である複数個のボ− ンディングパッドと、リードフレームの複数本のインナ
リードとはアルミニウム（ＡＱ）や金（Ａ ｕ ）など
から戒る複数本の細線（すなわち、ボンディングワイヤ
）で接続される。リードフレームに設けられた複数本の
アウタリードは、上下セラミック体の間から出て、該セ
ラミック体の面積の大きな面に対してそれぞれほぼ直角
に折り曲げられている。
また、カラー固体撮像装置においては、ゼラチン、アク
リル樹脂等の有機樹脂等から成り、光を３原色に分光す
るカラーフィルタ（分光フィルタ）が所定の箇所に設け
られたガラス板（フィルター保持用の薄い透明ガラス板
）を介して半導体チップの受光部上に設けられている。
リル樹脂等の有機樹脂等から成り、光を３原色に分光す
るカラーフィルタ（分光フィルタ）が所定の箇所に設け
られたガラス板（フィルター保持用の薄い透明ガラス板
）を介して半導体チップの受光部上に設けられている。
なお、固体撮像装置については、例えば産業開発機構（
株） １９８６年５月１日発行の映像情報２５〜３１
頁に記載されている。
株） １９８６年５月１日発行の映像情報２５〜３１
頁に記載されている。
固体撮像装置においては、半導体チップの受光部近傍に
あるボンディングワイヤ、ボンディング４− パッド、リードフレームのインナリード、半導体チップ
の走査回路部等は、アルミニウムや金などの金属からで
きているので、反射率が高い。従って、光学窓から光が
入射するとき、この入射光がこれらの部品により反射さ
れる。この反射光が半導体チップの受光部に入ると、こ
の光がフレア等の光偽信号となり、画面上においてハレ
ーション等が発生し、画質を低下させる問題があった。
あるボンディングワイヤ、ボンディング４− パッド、リードフレームのインナリード、半導体チップ
の走査回路部等は、アルミニウムや金などの金属からで
きているので、反射率が高い。従って、光学窓から光が
入射するとき、この入射光がこれらの部品により反射さ
れる。この反射光が半導体チップの受光部に入ると、こ
の光がフレア等の光偽信号となり、画面上においてハレ
ーション等が発生し、画質を低下させる問題があった。
上記部品の他にも、半導体チップの台座部分等が反射率
の高い物質で構成されている場合も、窓からの入射光が
これらの部分で反射して同様の問題を生じさせることが
ある。
の高い物質で構成されている場合も、窓からの入射光が
これらの部分で反射して同様の問題を生じさせることが
ある。
貼り合わせカラーフィルタを用いたＣＣＤ （チャージ
力プルドデヴアイス）固体撮像装置において、カラーフ
ィルタが設けられているカラーフィルタ保持用のガラス
板上の、カラーフィルタが設けられている領域以外の領
域に黒色で染色したフィルタを設けて光偽信号を防止し
ようとしているものがあるが、この黒色フィルタは半導
体チップの受光部面上に設けられているだけなので、ボ
ンデイングワイヤ等の部品に起因する光偽信号を防止す
ることはできない。
力プルドデヴアイス）固体撮像装置において、カラーフ
ィルタが設けられているカラーフィルタ保持用のガラス
板上の、カラーフィルタが設けられている領域以外の領
域に黒色で染色したフィルタを設けて光偽信号を防止し
ようとしているものがあるが、この黒色フィルタは半導
体チップの受光部面上に設けられているだけなので、ボ
ンデイングワイヤ等の部品に起因する光偽信号を防止す
ることはできない。
本発明の目的は、上記光値イａ号の発生が防止でき、画
質を向上できる固体撮像装置を提供することにある。
質を向上できる固体撮像装置を提供することにある。
上記の目的を遠戚するために、本発明の固体撮像装置は
、多数の光電変換素子が配置されて戊る受光部および上
記光電変換素子の光電変換情報を出力する走査回路を有
する半導体チップと、アウタリードおよび上記半導体チ
ップの電極と電気的に接続されたインナリードを有する
リードフレームと、上記半導体チップと上記リードフレ
ームを保持するパッケージと、上記受光部に光を取り込
むための光導入部とを有し、かつ、上記光導入部および
上記受光部を除く部分が低反射率の物質で被覆されてい
ることを特徴とする。
、多数の光電変換素子が配置されて戊る受光部および上
記光電変換素子の光電変換情報を出力する走査回路を有
する半導体チップと、アウタリードおよび上記半導体チ
ップの電極と電気的に接続されたインナリードを有する
リードフレームと、上記半導体チップと上記リードフレ
ームを保持するパッケージと、上記受光部に光を取り込
むための光導入部とを有し、かつ、上記光導入部および
上記受光部を除く部分が低反射率の物質で被覆されてい
ることを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置では、上記光導入部および
上記受光部を除く部分のうち、上記半導体チップの電極
と上記インナリードとを電気的に接続するボンディング
ワイヤを少なくとも低反射率の物質で被覆することによ
り、光値信号低減の効果を得ることができる。
上記受光部を除く部分のうち、上記半導体チップの電極
と上記インナリードとを電気的に接続するボンディング
ワイヤを少なくとも低反射率の物質で被覆することによ
り、光値信号低減の効果を得ることができる。
なお、上記光導入部においては、光を実質的に導入する
部分にこの低反射率の物質が被覆されてなければよい。
部分にこの低反射率の物質が被覆されてなければよい。
さらに、本発明の固体撮像装置では、上記低反射率の物
質として耐湿性がよい材料を選ぶことにより、パッケー
ジの耐湿機能を向上することができる。
質として耐湿性がよい材料を選ぶことにより、パッケー
ジの耐湿機能を向上することができる。
本発明の固体撮像装置においては、半導体チップの受光
部および該受光部に光を取り込むための光導入部を除く
部分が、低反射率の物質で被覆されているので、従来、
光学窓等の光導入部からの入射光がボンディングワイヤ
等の各部品により反射され、該反射光が受光部に入って
生じたフレア等の光偽信号を防止することができ、従っ
て画質を向上させることができる。
部および該受光部に光を取り込むための光導入部を除く
部分が、低反射率の物質で被覆されているので、従来、
光学窓等の光導入部からの入射光がボンディングワイヤ
等の各部品により反射され、該反射光が受光部に入って
生じたフレア等の光偽信号を防止することができ、従っ
て画質を向上させることができる。
７−
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例の固体撮像
装置の構造を示す図である。以下、全体構造を固体撮像
装置ＤＶＣと称し、半導体チップＣＨＩ（固体撮像チッ
プ）を除く固体撮像装置ＤｖＣの部分（すなわち、容器
）をパッケージＰＫＧと称する。
装置の構造を示す図である。以下、全体構造を固体撮像
装置ＤＶＣと称し、半導体チップＣＨＩ（固体撮像チッ
プ）を除く固体撮像装置ＤｖＣの部分（すなわち、容器
）をパッケージＰＫＧと称する。
同図において、（ａ）は、固体撮像装置ＤＶＣをチップ
ＣＨＩの受光面側がら見た・ときの上面図である。上面
図（ａ）を基準にしで、（ｂ）は、上側から見たときの
側面図、（ｃ）は、ｃ−ａ切断線における断面図、（ｄ
）は、右側から見たときの側面図、（ｅ）は、ｅ −ｅ
切断線における断面図である。
ＣＨＩの受光面側がら見た・ときの上面図である。上面
図（ａ）を基準にしで、（ｂ）は、上側から見たときの
側面図、（ｃ）は、ｃ−ａ切断線における断面図、（ｄ
）は、右側から見たときの側面図、（ｅ）は、ｅ −ｅ
切断線における断面図である。
ＧＬＳは透光性の封止板であり、硼珪酸ガラス（Ｂ ２
０ ａ・Ｓ ｉ Ｏ２）のようなガラス材から成る。
０ ａ・Ｓ ｉ Ｏ２）のようなガラス材から成る。
以下、ＧＬＳは窓ガラスと称する。
半導体チップＣＨＩは、モノリシック半導体集積回路技
術で作られ、窓ガラスＧＬＳ側の表面（受光面）にはフ
ォトダイオードのような光電変換素子が複数個配列され
、裏面は銀ペースト材の８− ような接着剤で下部セラミック基板ＬＯＷにボンディン
グされているわ 下部セラミック基板ＬＯＷは、その中央に半導体チップ
ＣＨＩを取り付けるための凹部であるマウント部ＭＮＴ
を有し、この凹部により、半導体チップＣＨＩとインナ
リードＩＬとの高さ関係が調整される。
術で作られ、窓ガラスＧＬＳ側の表面（受光面）にはフ
ォトダイオードのような光電変換素子が複数個配列され
、裏面は銀ペースト材の８− ような接着剤で下部セラミック基板ＬＯＷにボンディン
グされているわ 下部セラミック基板ＬＯＷは、その中央に半導体チップ
ＣＨＩを取り付けるための凹部であるマウント部ＭＮＴ
を有し、この凹部により、半導体チップＣＨＩとインナ
リードＩＬとの高さ関係が調整される。
上部セラミック枠体ＵＰＰは、中央部をくり抜いた受光
窓ＷＤＷを有し、外光が半導体チップＣＨＩに当たるよ
うになっている。
窓ＷＤＷを有し、外光が半導体チップＣＨＩに当たるよ
うになっている。
リードＬＤは、半導体チップＣＨＩとプリント配線基板
のような外部応用回路との間を電気的に接続するための
リードであり、上下セラミック体ＵＰＰ、ＬＯＷの間に
フリットガラスのような低融点ガラスＦＬＴで固定され
ている。リードＬＤは、半導体チップＣＨＩとの接続用
のインナリード部ＩＬと外部回路との接続用のアウタリ
ード部ＯＬを有し、両リード部は連続して（一体に）形
成されている（これをリードフレームと称す）。
のような外部応用回路との間を電気的に接続するための
リードであり、上下セラミック体ＵＰＰ、ＬＯＷの間に
フリットガラスのような低融点ガラスＦＬＴで固定され
ている。リードＬＤは、半導体チップＣＨＩとの接続用
のインナリード部ＩＬと外部回路との接続用のアウタリ
ード部ＯＬを有し、両リード部は連続して（一体に）形
成されている（これをリードフレームと称す）。
インナリードＩＬは、同一形状の先端形状を持ち、中側
に位置する１６個のインナリードＩ Ｌ １と、中央部
に丸穴があけられ、太き目の先端形状を持ち、４隅に位
置する４個のインナリードＩＬ２の合計２０個ある。こ
のインナリードＩＬ２の特殊な形状は、自動ワイヤボン
ディング時のリード位置パターン認識に有用である。
に位置する１６個のインナリードＩ Ｌ １と、中央部
に丸穴があけられ、太き目の先端形状を持ち、４隅に位
置する４個のインナリードＩＬ２の合計２０個ある。こ
のインナリードＩＬ２の特殊な形状は、自動ワイヤボン
ディング時のリード位置パターン認識に有用である。
ワイヤＷＩＲは、インナリードＩＬと半導体チップＣＨ
Ｉのポンディングパッドとを電気的に接続するための、
ＡＩやＡｕ等から成る金属ボンディングワイヤである。
Ｉのポンディングパッドとを電気的に接続するための、
ＡＩやＡｕ等から成る金属ボンディングワイヤである。
マウント部ＭＮＴの窪みのために、半導体チップＣＨＩ
の上表面がインナリードＩＬの上表面より低い位置にあ
るため、ワイヤＷＩＲが垂れ下がって半導体チップＣＨ
Ｉの縁に接触して短絡するという不良を未然に防止でき
る。
の上表面がインナリードＩＬの上表面より低い位置にあ
るため、ワイヤＷＩＲが垂れ下がって半導体チップＣＨ
Ｉの縁に接触して短絡するという不良を未然に防止でき
る。
金属板ＲＥＦＩおよびＲＥＦ２は、基準穴ＨＬｌおよび
ＨＬ２を作るための金属板である。半導体チップＣＨＩ
がマウント部ＭＮＴに自動ダイボンディングされるとき
、その位置決めは基準穴ＨＬｌ、ＨＬ２および／または
インナリードＩＬ２の穴を基準に行なわれるので、基準
穴ＨＬＩ、ＨＬ２と半導体チップＣＨＩとの相対位置は
精度良く設定される。従って、固体撮像装置ＤＶＳをＶ
ＴＲカメラ等の応用製品に実装するとき、基準穴ＨＬ１
．ＨＬ２を位置決めの基準とすれば、応用製品のレンズ
の中心と半導体チップＣＨＩのフォトダイオードアレイ
の中心とを精度良く合わせることができる。
ＨＬ２を作るための金属板である。半導体チップＣＨＩ
がマウント部ＭＮＴに自動ダイボンディングされるとき
、その位置決めは基準穴ＨＬｌ、ＨＬ２および／または
インナリードＩＬ２の穴を基準に行なわれるので、基準
穴ＨＬＩ、ＨＬ２と半導体チップＣＨＩとの相対位置は
精度良く設定される。従って、固体撮像装置ＤＶＳをＶ
ＴＲカメラ等の応用製品に実装するとき、基準穴ＨＬ１
．ＨＬ２を位置決めの基準とすれば、応用製品のレンズ
の中心と半導体チップＣＨＩのフォトダイオードアレイ
の中心とを精度良く合わせることができる。
凹部ＩＤＸは、上下セラミック体ＵＰＰおよびＬＯＷに
設けた凹部であり、２０個のアウタリードＩＬＬの回路
配置基準位置を示すインデックスである。このインデッ
クスＩＤＸは、固体撮像装置ＤＶＳを（すなわち、アウ
タリードＩＬＬを）プリント基板に挿入するとき、プリ
ント基板側にインデックスＩＤＸの凹部に適合するピン
等を立てておくことにより、誤接続の防止手段としても
役立つ。
設けた凹部であり、２０個のアウタリードＩＬＬの回路
配置基準位置を示すインデックスである。このインデッ
クスＩＤＸは、固体撮像装置ＤＶＳを（すなわち、アウ
タリードＩＬＬを）プリント基板に挿入するとき、プリ
ント基板側にインデックスＩＤＸの凹部に適合するピン
等を立てておくことにより、誤接続の防止手段としても
役立つ。
次に、固体撮像装置ＤＶＳの組み立て方法を簡単に説明
する。
する。
まず、リードＬＤと基準穴馬金属板ＲＥＦＩ、１ｌ−
ＲＥＦ２等が連なったリードフレームを１枚の金属板か
らプレス底型またはエツチングにより形成する。金属材
料としては、セラミックスとの相性の良い、例えば４２
アロイ（Ｎｉ：４２％、Ｆｅ：５８％重量比の合金）が
選ばれる。
らプレス底型またはエツチングにより形成する。金属材
料としては、セラミックスとの相性の良い、例えば４２
アロイ（Ｎｉ：４２％、Ｆｅ：５８％重量比の合金）が
選ばれる。
次に、アウタリードＯＬを垂直に折り曲げたリードフレ
ームを、マウント部ＭＮＴの周辺の高い部分にフリット
ガラスＦＬＴを枠状に塗布した下部セラミック基板ＬＯ
Ｗに載せ、上部セラミック枠体ＵＰＰでサンドウィッチ
にして、それらをフリットガラスＦＬＴにより融着する
。
ームを、マウント部ＭＮＴの周辺の高い部分にフリット
ガラスＦＬＴを枠状に塗布した下部セラミック基板ＬＯ
Ｗに載せ、上部セラミック枠体ＵＰＰでサンドウィッチ
にして、それらをフリットガラスＦＬＴにより融着する
。
次に、半導体チップＣＨＩをマウント部ＭＮＴに自動ダ
イボンディングし、インナリードＩＬと半導体チップＣ
ＨＩとの間をワイヤＷＩＲにより自動ワイヤボンディン
グする。
イボンディングし、インナリードＩＬと半導体チップＣ
ＨＩとの間をワイヤＷＩＲにより自動ワイヤボンディン
グする。
次に、窓ガラスＧＬＳを上部セラミック枠体Ｕｐｐに有
機接着剤等で貼り付ける。
機接着剤等で貼り付ける。
最後に、リードフレームＬＤの不要部分を切断し、２０
個のアウタリードＯＬと基準大川金属板ＲＥＦＩ、ＲＥ
Ｆ２のそれぞれを分離する。（ａ）１２− の上面図に示す基準式金属板ＲＥＦＩ、ＲＥＦ２の凸部
ＢＲＤは、不要なブリッジ部分を取り除いた跡である。
個のアウタリードＯＬと基準大川金属板ＲＥＦＩ、ＲＥ
Ｆ２のそれぞれを分離する。（ａ）１２− の上面図に示す基準式金属板ＲＥＦＩ、ＲＥＦ２の凸部
ＢＲＤは、不要なブリッジ部分を取り除いた跡である。
本実施例の固体撮像装置では、光が照射される半導体チ
ップＣＨＨの受光部、および光を導入する窓ガラスＧＬ
Ｓを除くすべての部分、すなわち、ボンディングワイヤ
ＷＩＲ、ポンディングパッド、インナリードＩＬ、半導
体チップＣＨＩの周辺部の走査回路、上部セラミック枠
体ＵＰＰ、下部セラミック基板ＬＯＷ等の各部品の表面
が、低反射率の物質、例えば黒い塗料を用いて塗装され
ている（斜線で示す。点線斜線は黒い塗料が施されない
窓ガラスＧＬＳの下の黒い塗料が施された上部セラミッ
ク枠体ＵＰＰ上面を示す）。
ップＣＨＨの受光部、および光を導入する窓ガラスＧＬ
Ｓを除くすべての部分、すなわち、ボンディングワイヤ
ＷＩＲ、ポンディングパッド、インナリードＩＬ、半導
体チップＣＨＩの周辺部の走査回路、上部セラミック枠
体ＵＰＰ、下部セラミック基板ＬＯＷ等の各部品の表面
が、低反射率の物質、例えば黒い塗料を用いて塗装され
ている（斜線で示す。点線斜線は黒い塗料が施されない
窓ガラスＧＬＳの下の黒い塗料が施された上部セラミッ
ク枠体ＵＰＰ上面を示す）。
従って、窓ガラスＧＬＳから光が入射しても、この入射
光が上記各部品により反射されることがなく、従来発生
したフレア等の光値信号を防止でき、従って、画質を向
上させることができる。
光が上記各部品により反射されることがなく、従来発生
したフレア等の光値信号を防止でき、従って、画質を向
上させることができる。
第２図〜第４図は１本発明の固体撮像装置において、半
導体チップＣＨＩの受光部および窓ガラスＧＬＳを除く
部分を低反射率の物質で被覆する工程を示す図である。
導体チップＣＨＩの受光部および窓ガラスＧＬＳを除く
部分を低反射率の物質で被覆する工程を示す図である。
各回において、（ａ）は、固体撮像装置ＤＶＣの上面図
、（ｂ）は、ｂ−ｂ切断線における断面図である。
、（ｂ）は、ｂ−ｂ切断線における断面図である。
第２図（ａ）、（ｂ）は、半導体チップＣＨＩおよびリ
ードフレームを上下セラミック体ＵＰＰ、ＬＯＷに取付
け・収納し、かつ、半導体チップＣＨＨのポンディング
パッドとインナリードＩＬとをボンディングワイヤＷＩ
Ｒで接続した状態で、かつ、窓ガラスＧＬＳを上部セラ
ミック枠体ＵＰＰの上面上に接着してない状態を示す。
ードフレームを上下セラミック体ＵＰＰ、ＬＯＷに取付
け・収納し、かつ、半導体チップＣＨＨのポンディング
パッドとインナリードＩＬとをボンディングワイヤＷＩ
Ｒで接続した状態で、かつ、窓ガラスＧＬＳを上部セラ
ミック枠体ＵＰＰの上面上に接着してない状態を示す。
まず、半導体チップＣＨＩの受光部をマスクとなる可剥
離物質で被覆する（交差した斜線で示す）（第２図（ａ
）、（ｂ））。可剥離物質としては、例えば、塗布前は
液体状または半液体状で、塗布後は固体状または半固体
状に固まる物質を用いる。
離物質で被覆する（交差した斜線で示す）（第２図（ａ
）、（ｂ））。可剥離物質としては、例えば、塗布前は
液体状または半液体状で、塗布後は固体状または半固体
状に固まる物質を用いる。
この物質を溶媒に溶かして塗布する。少し時間が立つと
、溶媒が揮発して上記物質が固くなり、後の工程で容易
に剥がすことができる。
、溶媒が揮発して上記物質が固くなり、後の工程で容易
に剥がすことができる。
次に、固体撮像装置の全面に黒い塗料を用いて塗装する
（第３図（ａ）の斜線で示す）。塗装の方法はいろいろ
あり、特定しないが、ここでは塗料を溶媒に溶かして容
器の中に満たし、その中に固体撮像装置をアウタリード
ＯＬが浸らないように逆様に漬ける方法を取る。この方
法によれば、ボンディングワイヤＷＩＲをはじめマスク
で覆った部分以外のすべての部分を低反射率の物質で被
覆できる。また、スプレーにより多方向から吹き付けて
塗装してもよい。塗装した後、ベーク処理を施す（ドラ
イ・ループ処理と称す）。
（第３図（ａ）の斜線で示す）。塗装の方法はいろいろ
あり、特定しないが、ここでは塗料を溶媒に溶かして容
器の中に満たし、その中に固体撮像装置をアウタリード
ＯＬが浸らないように逆様に漬ける方法を取る。この方
法によれば、ボンディングワイヤＷＩＲをはじめマスク
で覆った部分以外のすべての部分を低反射率の物質で被
覆できる。また、スプレーにより多方向から吹き付けて
塗装してもよい。塗装した後、ベーク処理を施す（ドラ
イ・ループ処理と称す）。
次に、受光部を覆ったマスクである可剥離物質を機械的
に剥がすか、または適当な薬品を用いて溶かして取り去
る。この工程により、受光部以外のすべての部分が黒い
塗料で覆われた固体撮像装置が得られる（第４図（ａ）
、（ｂ））。
に剥がすか、または適当な薬品を用いて溶かして取り去
る。この工程により、受光部以外のすべての部分が黒い
塗料で覆われた固体撮像装置が得られる（第４図（ａ）
、（ｂ））。
最後に、上部セラミック枠体ＵＰＰの上面上に窓ガラス
ＧＬＳを接着して固体撮像装置を完成させる（第１図（
ａ）、（ｃ））。
ＧＬＳを接着して固体撮像装置を完成させる（第１図（
ａ）、（ｃ））。
上記実施例のように、受光部と窓ガラスＧＬＳ以外の部
分をすべて低反射率の物質で覆うのが望１５− １６− ましいが、少なくともボンディングワイヤＷＩＲを低反
射率の物質で被覆することにより光色信号低減の効果が
得られる。
分をすべて低反射率の物質で覆うのが望１５− １６− ましいが、少なくともボンディングワイヤＷＩＲを低反
射率の物質で被覆することにより光色信号低減の効果が
得られる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であ
ることは勿論である。
、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であ
ることは勿論である。
例えば、窓ガラスＧＬＳにおいては、実質的に光を導入
する部分に低反射率の物質が被覆されてなければよく、
例えば、窓ガラスＧＬＳの上部セラミック枠体ＵＰＰに
重なる部分に低反射率の物質が被覆してあっても本発明
の効果には影響しない。また、ボンディングワイヤＷＩ
Ｒに黒い塗料を塗装する場合、ボンディングワイヤＷＩ
Ｒをボンディングする前に塗装を施し、超音波ボンディ
ングによりボンディングワイヤＷＩＲを半導体チップＣ
ＨＩのポンディングパッドおよびインナリードＩＬに接
続してもよい。この接続時に超音波によりボンディング
ワイヤＷＩＲのボンディングする端部のみ塗装が剥がれ
、その他のワイヤ部分は黒い塗装が残っている。
する部分に低反射率の物質が被覆されてなければよく、
例えば、窓ガラスＧＬＳの上部セラミック枠体ＵＰＰに
重なる部分に低反射率の物質が被覆してあっても本発明
の効果には影響しない。また、ボンディングワイヤＷＩ
Ｒに黒い塗料を塗装する場合、ボンディングワイヤＷＩ
Ｒをボンディングする前に塗装を施し、超音波ボンディ
ングによりボンディングワイヤＷＩＲを半導体チップＣ
ＨＩのポンディングパッドおよびインナリードＩＬに接
続してもよい。この接続時に超音波によりボンディング
ワイヤＷＩＲのボンディングする端部のみ塗装が剥がれ
、その他のワイヤ部分は黒い塗装が残っている。
以上説明したように、本発明の固体撮像装置では、半導
体チップの受光部およびこの受光部に光を実質的に取り
込む光導入部を除く部分が低反射率の物質で被覆されて
いるので、光導入部からの入射光がボンディングワイヤ
等の部品で反射されて発生する光色信号を防止でき、画
質を向上させることができる。
体チップの受光部およびこの受光部に光を実質的に取り
込む光導入部を除く部分が低反射率の物質で被覆されて
いるので、光導入部からの入射光がボンディングワイヤ
等の部品で反射されて発生する光色信号を防止でき、画
質を向上させることができる。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例の固体撮像装置の上
面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の側面図、第１図
（ｃ）は、第１図（ａ）のＣ−Ｑ切断線における断面図
、第１図（ｄ）は、第１図（ａ）の側面図、第１図（ｅ
）は、第１図（ａ）のｅ−ｅ切断線における断面図、第
２図〜第４図は、それぞれ本発明の固体撮像装置におい
て、半導体チップの受光部および窓ガラスを除く部分を
低反射率の物質で被覆する工程の一例を示す図である。 ＵＰＰ・・・上部セラミック枠体 ＬＯＷ・・・下部セラミック基板 ＣＩ−Ｉ Ｉ・・・半導体チップ ＦＩＴ・・・低融点ガラス ＯＬ・・・アウタリード ＩＬ・・・インナリード ＧＬＳ・・・窓ガラス（光導入部） ＷＩＲ・・・ボンディングワイヤ
面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の側面図、第１図
（ｃ）は、第１図（ａ）のＣ−Ｑ切断線における断面図
、第１図（ｄ）は、第１図（ａ）の側面図、第１図（ｅ
）は、第１図（ａ）のｅ−ｅ切断線における断面図、第
２図〜第４図は、それぞれ本発明の固体撮像装置におい
て、半導体チップの受光部および窓ガラスを除く部分を
低反射率の物質で被覆する工程の一例を示す図である。 ＵＰＰ・・・上部セラミック枠体 ＬＯＷ・・・下部セラミック基板 ＣＩ−Ｉ Ｉ・・・半導体チップ ＦＩＴ・・・低融点ガラス ＯＬ・・・アウタリード ＩＬ・・・インナリード ＧＬＳ・・・窓ガラス（光導入部） ＷＩＲ・・・ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多数の光電変換素子が配置されて成る受光部および
上記光電変換素子の光電変換情報を出力する走査回路を
有する半導体チップと、アウタリードおよび上記半導体
チップの電極と電気的に接続されたインナリードを有す
るリードフレームと、上記半導体チップと上記リードフ
レームを保持するパッケージと、上記受光部に光を取り
込むための光導入部とを有し、かつ、上記光導入部の実
質的に光を導入する部分および上記受光部を除く部分が
低反射率の物質で被覆されていることを特徴とする固体
撮像装置。 ２、多数の光電変換素子が配置されて成る受光部および
上記光電変換素子の光電変換情報を出力する走査回路を
有する半導体チップと、アウタリードおよびインナリー
ドを有するリードフレームと、上記半導体チップの電極
と上記インナリードとを電気的に接続するボンディング
ワイヤと、上記半導体チップと上記リードフレームを保
持するパッケージと、上記受光部に光を取り込むための
光導入部とを有し、上記光導入部の実質的に光を導入す
る部分および上記受光部を除く部分のうち、少なくとも
ボンディングワイヤが低反射率の物質で被覆されている
ことを特徴とする固体撮像装置。 ３、上記低反射率の物質として耐湿性がよい材料が選ば
れていることを特徴とする請求項１または２記載の固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201263A JPH0366162A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1201263A JPH0366162A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366162A true JPH0366162A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16438048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1201263A Pending JPH0366162A (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4977180A (en) * | 1987-02-04 | 1990-12-11 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Novel prolinal derivatives |
| JP2012174799A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置および製造方法 |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1201263A patent/JPH0366162A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4977180A (en) * | 1987-02-04 | 1990-12-11 | Ono Pharmaceutical Co., Ltd. | Novel prolinal derivatives |
| JP2012174799A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Sony Corp | 固体撮像装置および製造方法 |
| US10529762B2 (en) | 2011-02-18 | 2020-01-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and method of manufacturing the same |
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