JPH0366164A - Color image sensor - Google Patents

Color image sensor

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Publication number
JPH0366164A
JPH0366164A JP1203278A JP20327889A JPH0366164A JP H0366164 A JPH0366164 A JP H0366164A JP 1203278 A JP1203278 A JP 1203278A JP 20327889 A JP20327889 A JP 20327889A JP H0366164 A JPH0366164 A JP H0366164A
Authority
JP
Japan
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light
pixels
pixel
row
scanning direction
Prior art date
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Pending
Application number
JP1203278A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasunaga Yamamoto
泰永 山本
Kazufumi Yamaguchi
山口 和文
Hisatsugu Hashimoto
橋本 久嗣
Katsushige Yamashita
勝重 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1203278A priority Critical patent/JPH0366164A/en
Publication of JPH0366164A publication Critical patent/JPH0366164A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

PURPOSE:To arrange light-shielding picture-element arrays at gaps of light-responsive picture- element arrays, to suppress a spike noise caused at a changeover operation of an access switch and to realize a contact-type color image sensor which is provided with a light- resistance property and a heat-resistant property at a low cost by a method wherein, while an interval between light-responsive picture element arrays is kept equal to an interval between picture elements in a main scanning direction, a light-responsive picture element size is reduced to a sub-scanning direction. CONSTITUTION:Phototransistors 3 as picture-element units are arranged in a matrix shape of n columns and five arrays; the phototransistors whose base is made blank are phototransistors as light-responsive picture elements; the phototransistors whose base is tinted black are phototransistors which have shielded light. Intervals between picture elements in a sub-scanning direction among a first array, a third row and a fifth array are constituted so as to be equal to intervals between picture elements in a main scanning direction. The intervals between the picture elements in the main scanning direction are equal to intervals between light-responsive picture elements in the sub-scanning direction; picture elements, which have shielded light, used to remove a spike noise caused by a changeover operation of an access switch are arranged among three light-responsive picture element arrays. Thereby, the picture elements, which have shielded light, used to suppress the spike noise can be arranged inside a chip face which substantially covers three arrays of picture elements; a good-quality image signal can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は映像情報を読み取る撮像デバイスに関するもの
であり、特にカラー映像情報を読み取る安価なカラーイ
メージセンサに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an imaging device that reads video information, and more particularly to an inexpensive color image sensor that reads color video information.

従来の技術 リニアイメージセンサにおいては、主としてカラー読み
とりを可能にするために、複数本の画素列を有するもの
が存在する。この場合各列毎に読み取る色が異なるよう
にストライプフィルタが設けられている。このタイプの
センサは、異なる色のフィルタを有する画素が交番して
1列に並んだ構成のセンサに比べ、モワレや色ずれを生
じにくいという点や走査回路のクロック周波数及びモノ
クロ換算時の解像度が低くて済むという点で利点を持つ
。更に、走査回路がCODではなく、バイポーラトラン
ジスタやMOS)ランマスタから形成されている場合に
は、モノクロセンサの場合と等しい1列の走査回路があ
れば充分であり、極めて簡単な構成でカラーイメージセ
ンサを実現できる。しかしアクセススイッチ切り換え時
に生じるスパイクノイズ等を低減することを目的に、後
で差動出力をとるために、遮光した画素列を更に並列に
設けることが望ましい。
Some conventional linear image sensors have a plurality of pixel rows mainly to enable color reading. In this case, stripe filters are provided so that different colors are read for each column. This type of sensor is less prone to moire and color shift than a sensor with a configuration in which pixels with filters of different colors are alternately arranged in a row, and the clock frequency of the scanning circuit and resolution in monochrome conversion are lower. It has the advantage of being low cost. Furthermore, if the scanning circuit is formed not from COD but from a bipolar transistor or MOS (MOS) run master, it is sufficient to have one row of scanning circuits, which is the same as in the case of a monochrome sensor, and a color image sensor with an extremely simple configuration is sufficient. can be realized. However, for the purpose of reducing spike noise and the like that occur when switching the access switch, it is desirable to further provide light-shielded pixel columns in parallel in order to obtain a differential output later.

発明が解決しようとする課題 上記のような複数列が並列に並んだ構成のリニアイメー
ジセンサにおいて、その副走査方向の画素間インターバ
ルすなわち列間インターバルは主走査方向の画素間イン
ターバルの整数倍になっていることが望ましい。この理
由は電荷蓄積モードで動作するセンサの各列の積分時間
のタイミングをラインバッファメモリ等を使って容易に
合わせることによって、前記のようにモワレや色ずれを
抑えることができるからである。ところで装置の小型化
を図るために光路長の短い密着型イメージセンサでは、
センサチップ内に占める画素列部の面積が走査回路部よ
りも大きい。従って、副走査方向の画素間インターバル
が主走査方向の画素間インターバルの1倍である方が、
2倍以上であるよりもチップサイズの増大を抑えること
ができる。
Problems to be Solved by the Invention In a linear image sensor having a configuration in which multiple columns are arranged in parallel as described above, the interval between pixels in the sub-scanning direction, that is, the interval between columns, is an integral multiple of the inter-pixel interval in the main scanning direction. It is desirable that The reason for this is that moire and color shift can be suppressed as described above by easily matching the timing of the integration time of each row of sensors operating in the charge accumulation mode using a line buffer memory or the like. However, in order to miniaturize the device, contact image sensors with a short optical path length are
The pixel row section occupies a larger area within the sensor chip than the scanning circuit section. Therefore, if the inter-pixel interval in the sub-scanning direction is one time the inter-pixel interval in the main-scanning direction,
The increase in chip size can be suppressed compared to doubling or more.

しかし前記のようにアクセススイッチ切り換え時に生じ
るスパイクノイズの少ない出力を得るために、遮光した
画素列を余分に付加することも直接にチップサイズの増
大即ちチップコストの増大につながる。
However, as described above, adding an extra light-shielded pixel column in order to obtain an output with less spike noise generated when switching the access switch also directly leads to an increase in chip size, that is, an increase in chip cost.

課題を解決するための手段 カラー読み取りの密着型イメージセンサの画素解像度は
通常、文字等の細かいパターンの原稿を精密に読み取る
際に各色400ドツト/インチ必要であるが、細かい文
字等を含まない場合には各色200  ドツト/インチ
程度あれば個人向けの安価なイメージ人力デバイスとし
て実用上充分である。
Means to Solve the Problem Normally, the pixel resolution of a contact type image sensor for color reading is 400 dots/inch for each color when accurately reading originals with fine patterns such as letters, but when the document does not contain fine letters etc. For example, approximately 200 dots/inch for each color is practically sufficient as an inexpensive image-powered device for individuals.

各色200ドツト/インチ程度の安価な個人向は用途に
おいては、光量または積分時間を充分大きくとれるので
光を検知する画素のサイズを多少小さくしでも問題ない
。従って、本願発明のイメージセンサは上記課題に鑑み
、光感応画素列間のインターバルを主走査方向の画素間
インターバルに等しく保ったまま、光感応画素サイズを
副走査方向に縮めることにより、前記光感応画素列間の
隙間に遮光画素列を配置することを特徴とするものであ
る。
For personal use, which is inexpensive at about 200 dots/inch for each color, the amount of light or integration time can be sufficiently large, so there is no problem even if the size of the pixel that detects the light is made somewhat smaller. Therefore, in view of the above problems, the image sensor of the present invention reduces the photosensitive pixel size in the sub-scanning direction while keeping the interval between the photosensitive pixel rows equal to the inter-pixel interval in the main scanning direction. It is characterized in that light-shielding pixel columns are arranged in gaps between pixel columns.

作用 本発明は上記した構成によって、アクセススイッチ切り
換え時に生じるスパイクノイズを抑制するための遮光画
素列を、チップ上に占める面積の実質的な増加なしに設
けることにより、S/Nのよいカラー読み取りのできる
安価な密着型イメージセンサを実現するものである。ま
た、光感応画素列間への遮光画素列の配置は、光感応画
素列上に設けるストライプフィルタの積載位置精度に対
して許容範囲を大きくする。つまり遮光画素列の幅に相
当するフィルタ積載位置誤差の許容マージンがある。従
って位置精度は高いがコストも高いリソグラフィによる
フィルタ形成技術によらずに、耐光性や耐熱性のある顔
料を含むフィルタを位置精度は若干低いが安価な印刷技
術でセンサ上に形成することができる。この意味でも本
発明は安価で高性能なカラーイメージセンサを実現する
ものである。
Effect of the Invention According to the above-described configuration, the present invention provides a light-shielding pixel array for suppressing spike noise generated when switching access switches without substantially increasing the area occupied on the chip, thereby achieving color reading with good S/N. This is to realize an inexpensive contact-type image sensor. Further, the arrangement of the light-shielding pixel rows between the photosensitive pixel rows increases the tolerance range for the stacking position accuracy of the stripe filters provided on the photosensitive pixel rows. In other words, there is a permissible margin of filter loading position error corresponding to the width of the light-shielded pixel row. Therefore, instead of using filter formation technology using lithography, which has high positional accuracy but is also expensive, it is possible to form a filter containing light- and heat-resistant pigments on the sensor using printing technology, which has slightly lower positional accuracy but is cheaper. . In this sense as well, the present invention realizes an inexpensive and high-performance color image sensor.

実施例 以下本発明の実施例のイメージセンサについて図面を参
照しながら説明する。
Embodiments Hereinafter, image sensors according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明を実施するためのイメージセンサの構成
ブロック図を示す。1は映像信号を読みだす行を選択す
る走査回路、2は走査回路により選択された行の共通ラ
インをオン状態のとき一定電圧まで充電できるようにス
イッチしていくアクセススイッチ列、3は画素単位であ
るフォトトランジスタであり、n行5列のマI・リクス
状に配列されている。フォトトランジスタ3のうち、ベ
ースを白抜きにしたものは光感応画素たるフォトトラン
ジスタであり、ベースを黒く塗ったものは遮光したフォ
トトランジスタである。4は第1列に属する光感応画素
からの映像信号を得る出力端子、5は第2列に属する遮
光画素からの映像信号を得る出力端子、6は第3列に属
する光感応画素からの映像信号を得る出力端子、7は第
4列に属する遮光画素からの映像信号を得る出力端子、
8は第5列に属する光感応画素からの映像信号を得る出
力端子である。ここで赤、緑、青色のストライプフィル
タを第1列、第3列、第5列の画素の上に配置してカラ
ー読み取りの出来るセンサを実現する。第1列、第3列
及び第5列間の副走査方向の画素間インターバルを主走
査方向の画素間インターバルと等しくなるように構成す
る。200DPI程度の比較的画素解像度の低い密着型
イメージセンサではこの画素間インターバルが大きいの
で、画素1ラインの増減がチップサイズに大きく影響し
てくる。しかし画素インターバルが大きいということは
、画素の受光部サイズを大きくできることを意味する。
FIG. 1 shows a block diagram of the configuration of an image sensor for implementing the present invention. 1 is a scanning circuit that selects a row from which to read a video signal; 2 is an access switch array that switches the common line of the row selected by the scanning circuit so that it can be charged to a constant voltage when it is on; 3 is a pixel unit The phototransistors are arranged in a matrix of n rows and 5 columns. Among the phototransistors 3, those with white bases are phototransistors that are photosensitive pixels, and those with black bases are light-shielded phototransistors. 4 is an output terminal for obtaining video signals from the light-sensitive pixels belonging to the first column, 5 is an output terminal for obtaining video signals from the light-shielding pixels belonging to the second column, and 6 is an output terminal for obtaining video signals from the light-sensitive pixels belonging to the third column. An output terminal for obtaining a signal; 7 is an output terminal for obtaining a video signal from a shaded pixel belonging to the fourth column;
8 is an output terminal for obtaining a video signal from the photosensitive pixels belonging to the fifth column. Here, red, green, and blue stripe filters are arranged above the pixels in the first, third, and fifth columns to realize a sensor capable of color reading. The inter-pixel interval in the sub-scanning direction between the first, third and fifth columns is configured to be equal to the inter-pixel interval in the main-scanning direction. In a contact image sensor with a relatively low pixel resolution of about 200 DPI, the interval between pixels is large, so an increase or decrease in one pixel line has a large effect on the chip size. However, a large pixel interval means that the size of the light receiving portion of the pixel can be increased.

またこの場合、光量が通常は充分であるため、受光部サ
イズを画素間インターバル値にあまり近づける必要はな
い。また同一画素間インターバルである場合、受光部の
形状が正方形であれば副走査方向の解像度は主走査方向
の解像度の半分程度になってしまうので、寧ろ副走査方
向に沿った辺の長さが短い方が副走査方向の解像度低下
を抑えることになり好都合である。従って以上のことを
考慮した画素構造の平面図及び断面図を第2図(a)、
 (b)にそれぞれ示す。第2図(a)は第1図中の一
点鎖線破線で囲んだ部分を表している。
Further, in this case, since the amount of light is usually sufficient, there is no need to make the light receiving portion size very close to the inter-pixel interval value. In addition, in the case of the same pixel interval, if the shape of the light receiving part is square, the resolution in the sub-scanning direction will be about half of the resolution in the main scanning direction, so the length of the side along the sub-scanning direction will be The shorter the length, the more advantageous it is because it suppresses a decrease in resolution in the sub-scanning direction. Therefore, FIG. 2(a) shows a plan view and a cross-sectional view of the pixel structure in consideration of the above.
Each is shown in (b). FIG. 2(a) shows the portion surrounded by the dashed dotted line in FIG.

第2図(a)、 (b)の図中、9.10.11.、1
2.13は第1図中の4.5,6,7.8なる出力端子
に各々接続される出力ラインである。14はフォトトラ
ンジスタのエミッタ、斜線をいれて示した15はフォト
トランジスタのベースであり、主たる光電変換領域を威
している。同一行に属する画素はコレクタ領域を共有し
た構造とすることにより、前記第1図において説明した
ように共通コレクタ構成としている。16.17.18
は各コレクタをアクセスするラインであり、アクセスさ
れたコレクタを共有する画素の出力が各列毎の共通出力
端子から得られる。19.20.21.22は総てコレ
クタとしてエミッタと同型の半導体からなり、19は電
極との接続のために低抵抗であり、20は同一行の各画
素間での光生成キャリヤのクロストークを抑えるために
低抵抗であり、21はコレクタの埋め込み層で低抵抗で
あり、22は光電変換効率向上のために高抵抗となって
いる。23はベースと同型の半導体基板である。第2図
(a)において主走査方向画素間インターバルと副走査
方向の光感応画素間インターバルとが等しく、3つの光
感応画素列の間にアクセススイッチ切り換え時に生じる
スパイクノイズ除去用の遮光された画素を配置している
。つまり密着型イメージセンサにおいて解像度があまり
高くない場合には、光感応画素間インターバルを変える
ことなく、また光感応画素の感度を必要量だけ確保しな
がら、スパイクノイズ抑制用の遮光された画素を光感応
画素間に配置することができるのである。これによって
、第2図に示したように、実質的に画素3列分のチップ
面内にスパイクノイズ抑制用の遮光された画素を配置で
き、良質な画像信号を得ることができるのである。また
3列の光感応画素に必ず隣接して遮光画素列が存在する
ため0 に、差動出力時のスパイクノイズ抑制効果は極めて大き
い。更に第1列、第3列、第5列の光感応画素列上にス
トライプフィルタを形成する際に、各列の間に遮光画素
列が存在するので、この遮光画素列幅に相当する幅だけ
前記フィルタ形成位置ずれを許容するマージンが大きい
。従って位置精度は高いがコストも高いリソグラフィに
よるフィルタ形成技術によらずに、耐光性や耐熱性のあ
る顔料を含むフィルタを位置精度は若干低いが安価な印
刷技術でセンサ上に形成することができる。
In Figures 2(a) and (b), 9.10.11. ,1
2.13 are output lines connected to output terminals 4.5, 6, and 7.8 in FIG. 1, respectively. 14 is the emitter of the phototransistor, and 15, shown with diagonal lines, is the base of the phototransistor, which serves as the main photoelectric conversion region. Pixels belonging to the same row have a structure in which they share a collector region, thereby achieving a common collector configuration as explained in FIG. 1 above. 16.17.18
is a line for accessing each collector, and outputs of pixels sharing the accessed collector are obtained from a common output terminal for each column. 19, 20, 21, and 22 are all made of the same type of semiconductor as the emitter as collectors, 19 has low resistance for connection with electrodes, and 20 has crosstalk of photogenerated carriers between each pixel in the same row. 21 is a buried layer of the collector and has low resistance, and 22 has high resistance to improve photoelectric conversion efficiency. 23 is a semiconductor substrate of the same type as the base. In FIG. 2(a), the interval between pixels in the main scanning direction and the interval between light-sensitive pixels in the sub-scanning direction are equal, and there are light-shielded pixels between the three light-sensitive pixel columns for removing spike noise that occurs when switching the access switch. are placed. In other words, when the resolution of a contact image sensor is not very high, it is possible to use light-shielded pixels for spike noise suppression without changing the interval between light-sensitive pixels and while ensuring the required sensitivity of the light-sensitive pixels. It can be placed between sensitive pixels. As a result, as shown in FIG. 2, light-shielded pixels for suppressing spike noise can be arranged within the chip surface for substantially three rows of pixels, and a high-quality image signal can be obtained. Furthermore, since there is always a light-shielding pixel row adjacent to the three rows of photosensitive pixels, the effect of suppressing spike noise during differential output is extremely large. Furthermore, when forming stripe filters on the first, third, and fifth photosensitive pixel rows, there is a light-shielding pixel row between each row, so the width corresponding to the width of this light-shielding pixel row is The margin for allowing the filter formation position shift is large. Therefore, instead of using filter formation technology using lithography, which has high positional accuracy but is also expensive, it is possible to form a filter containing light- and heat-resistant pigments on the sensor using printing technology, which has slightly lower positional accuracy but is cheaper. .

この意味でも安価で高性能なカラーイメージセンサを実
現できる。
In this sense as well, an inexpensive and high-performance color image sensor can be realized.

また赤、緑、赤色出力間のバランスを重視する場合には
、第3図に示すように、遮光画素列2本の内の一本をな
くすと共に、感度向上を図るべき光感応画素の面積をそ
の分増加させることもできる。本図中、24.26.2
7は各々の列の光感応画素の出力ラインであり、25は
遮光された画素列の出力ラインである。28はフォトト
ランジスタのエミッタ、斜線をいれて示した29はフォ
トトランジスタのベースである。同一行に属する画素は
コレクタ領域を共有した構造とすることにより、共通コ
レクタ構成としている。30.3L 32は各コレクタ
をアクセスするラインであり、アクセスされたコレクタ
を共有する画素の出力が各列毎の共通出力端子から得ら
れる。主走査方向画素間インターバルと副走査方向の光
感応画素間インターバルとが等しく、上の列2つの光感
応画素列の間にのみスパイクノイズ除去用の遮光された
画素を配置している。一方、最下列の光感応画素の受光
面積が広くなっている。副走査方向の画素間インターバ
ルは一定に保っている。これによって、同一面積の場合
に一番感度の低い色を読み取る画素面積を、本図の最下
列の画素のように構成することによって、3色の画素列
の出力のバランスをとることができる。またこの場合、
2列目の光感応画素列と3列目の光感応画素列との間に
は遮光画素列が存在していないので、印刷技術によって
フィルタ形成する際に形成位置誤差を許容するマージン
がやや小さくなるが、それでも最も大きい光感応画素1 2 列を最外列(本図では最下列)に配置しつつ、副走査方
向画素間インターバルを主走査方向画素間インターバル
に等しく保つことにより、出力ライン27の幅から分か
るように、他の出力ライン24及び26幅に比べて大き
いフィルタを形成許容マージンを有することになる。従
って顔料を含むフィルタを安価な印刷技術によりセンサ
上にやはり安易に形成できる。
If the balance between red, green, and red outputs is important, as shown in Figure 3, one of the two light-shielded pixel rows can be eliminated and the area of the light-sensitive pixel that should improve sensitivity can be reduced. It can also be increased by that amount. In this figure, 24.26.2
7 is the output line of the photosensitive pixel of each column, and 25 is the output line of the light-shielded pixel column. 28 is the emitter of the phototransistor, and 29, shown with diagonal lines, is the base of the phototransistor. Pixels belonging to the same row share a collector area, thereby providing a common collector configuration. 30.3L 32 is a line for accessing each collector, and outputs of pixels sharing the accessed collector are obtained from a common output terminal for each column. The interval between pixels in the main scanning direction and the interval between photosensitive pixels in the sub-scanning direction are equal, and light-shielded pixels for spike noise removal are arranged only between the two upper rows of photosensitive pixel columns. On the other hand, the light-receiving area of the photosensitive pixels in the bottom row is larger. The interval between pixels in the sub-scanning direction is kept constant. As a result, by configuring the pixel area that reads the color with the lowest sensitivity when the area is the same, as in the bottom row of pixels in this figure, it is possible to balance the outputs of the three color pixel rows. Also in this case,
Since there is no light-shielding pixel row between the second row of photosensitive pixel rows and the third row of photosensitive pixel rows, the margin for allowing formation position errors when forming filters using printing technology is somewhat small. However, by arranging the largest photosensitive pixel 1 2 row in the outermost row (the bottom row in this figure) and keeping the inter-pixel interval in the sub-scanning direction equal to the inter-pixel interval in the main-scanning direction, the output line 27 As can be seen from the width of the output lines 24 and 26, there is a margin for forming a filter that is larger than the widths of the other output lines 24 and 26. Therefore, a filter containing a pigment can be easily formed on the sensor using an inexpensive printing technique.

以上のように、フォトトランジスタからなる画素がマト
リクス状に配列された受光部と上記マトリクスの各行を
順次アクセスしていく走査回路とアクセススイッチから
なり、同一列に属する画素の工くツタが共通結線されて
出力ラインを列毎に形成し、同一行に属する画素のコレ
クタが基板と異なる型の半導体分離領域を共有しており
、上記共通コレクタを順次アクセスして前記列毎の出力
ラインから映像信号を得るイメージセンサであり、且つ
前記マトリクス状に並んだ内の1列が遮光された画素か
らなる列とし、光に感応する画素列間のインターバルが
主走査方向の画素間インターバルに等しく保ったまま前
記遮光された画素列の出力と他の光感応する、画素列を
他の光感応する画素列の間に入るように配置すると共に
、この遮光された画素列の出力との差動をとることによ
り、チップ面積の増大を招くことなくアクセススイッチ
切り換え時に生じるスパイクノイズの少ない映像信号を
得ることができる。更にはセンサ上にフィルタ形成する
際の形成位置ずれの許容誤差のマージンを大きくとれる
ので、安価な印刷技術により耐光性や耐熱性の強い顔料
を含むカラーフィルタを備えることにより安価で高性能
な密着型カラーイメージセンサを実現するこができる。
As described above, it consists of a light receiving section in which pixels made of phototransistors are arranged in a matrix, a scanning circuit that sequentially accesses each row of the matrix, and an access switch. The collectors of pixels belonging to the same row share a semiconductor isolation region of a different type with the substrate, and the common collectors are sequentially accessed to output video signals from the output lines of each column. and one row of the pixels arranged in the matrix is made up of light-shielded pixels, and the interval between the pixel rows sensitive to light is kept equal to the interval between pixels in the main scanning direction. A pixel column that is sensitive to light is placed between the output of the light-shielded pixel column and another light-sensitive pixel column, and a differential is established between the output of the light-shielded pixel column and the output of the light-shielded pixel column. Therefore, it is possible to obtain a video signal with less spike noise generated when switching the access switch without increasing the chip area. Furthermore, since the tolerance margin for misalignment when forming the filter on the sensor can be increased, inexpensive printing technology can be used to provide a color filter containing pigments with strong light and heat resistance, resulting in inexpensive and high-performance adhesion. It is possible to realize a type color image sensor.

発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明によれば遮光した
画素列を、実効的なチップ面積の増加なしにセンサチッ
、プ内に設けることができるので、アクセススイッチ切
り換え時に生じるスパイクノイズを抑制すると共に耐光
性や耐熱性を有する密着型カラーイメージセンサを安価
に実現でき、産業上の効果は大変大きい。
Effects of the Invention As is clear from the above explanation, according to the present invention, a light-shielded pixel array can be provided within a sensor chip without increasing the effective chip area, thereby reducing the spike noise that occurs when switching access switches. It is possible to inexpensively realize a contact type color image sensor that suppresses heat and light resistance, and has great industrial effects.

3 43 4

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のイメージセンサの構成ブロック図、第
2図(a)及び(b)は第1図に示した実施例における
イメージセンサの画素構造平面図及び断面図、第3図は
他の実施例におけるイメージセンサの画素構造平面図で
ある。 1・・・・・・走査回路、2・・・・・・アクセススイ
ッチ列、3・・・・・・フォトトランジスタ、4,5,
6,7.8・・・・・・映像信号出力端子、14.28
フオトトランジスタのエミッタ領域、15.29・・・
・・・フォトトランジスタのベース領域。
FIG. 1 is a block diagram of the configuration of the image sensor of the present invention, FIGS. 2(a) and (b) are a plan view and a sectional view of the pixel structure of the image sensor in the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is a plan view of a pixel structure of an image sensor in an example. 1...Scanning circuit, 2...Access switch row, 3...Phototransistor, 4, 5,
6,7.8...Video signal output terminal, 14.28
Emitter region of phototransistor, 15.29...
...Base region of phototransistor.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)フォトトランジスタからなる画素がマトリクス状
に配列された受光部と上記マトリクスの各行を順次アク
セスしていく走査回路とアクセススイッチからなり、同
一列に属する画素のエミッタが共通結線されて出力ライ
ンを列毎に形成し、同一行に属する画素のコレクタが基
板と異なる型の半導体分離領域を共有しており、上記共
通コレクタを順次アクセスして前記列毎の出力ラインか
ら映像信号を得るイメージセンサであり、且つ前記マト
リクス状に並んだ内の1列が遮光された画素からなる列
で、この遮光された画素列の出力と他の光に感応する画
素列の出力との差動をとることによりスパイクノイズの
少ない映像信号を得るイメージセンサにおいて、前記遮
光された画素列を他の光に感応する画素列の間に入るよ
うに配置すると共に、光に感応する画素列間のインター
バルが主走査方向の画素間インターバルに等しくなるよ
うにしたことを特徴とするカラーイメージセンサ。
(1) It consists of a light receiving section in which pixels made up of phototransistors are arranged in a matrix, a scanning circuit that sequentially accesses each row of the matrix, and an access switch, and the emitters of pixels belonging to the same column are commonly connected to the output line. is formed in each column, the collectors of the pixels belonging to the same row share a semiconductor isolation region of a different type with the substrate, and the common collector is sequentially accessed to obtain a video signal from the output line of each column. and one of the columns arranged in the matrix is a column consisting of light-shielded pixels, and the difference between the output of this light-shielded pixel column and the output of other light-sensitive pixel columns is taken. In an image sensor that obtains a video signal with less spike noise, the light-shielded pixel row is arranged so as to be between other light-sensitive pixel rows, and the intervals between the light-sensitive pixel rows are set in the main scanning direction. A color image sensor characterized in that the interval between pixels in the direction is equal to the interval between pixels.
(2)光感応する画素列が3列であり、遮光された画素
列が光感応す画素列間に1列ずつ合計2列配置されて、
前記光感応する画素列の上に各列毎に色の異なるストラ
イプフィルタを配置してカラー原稿の読み取りを可能に
したことを特徴とする請求項(1)記載のカラーイメー
ジセンサ。
(2) There are three light-sensitive pixel rows, and a total of two light-shielded pixel rows are arranged, one row between each light-sensitive pixel row,
2. The color image sensor according to claim 1, wherein stripe filters having different colors are arranged for each row above the light-sensitive pixel rows to enable reading of color originals.
(3)光感応する画素列が3列であり、遮光された画素
列が光感応する画素列間2箇所の内1箇所に1列だけ配
置されていて、前記光感応する画素列の上に各列毎に色
の異なるストライプフィルタを配置してカラー原稿の読
みとりを可能にしており、 光感応画素間インターバル
を主走査方向画素間インターバルと等しく保ったまま、
前記遮光した画素を挟み合わない2列の光感応画素列の
フォトトランジスタ受光部面積を大きくし、これを光量
の少ない波長領域光を読み取る画素列とすることを特徴
とする請求項(1)記載のカラーイメージセンサ。
(3) There are three light-sensitive pixel rows, and only one light-shielded pixel row is arranged in one of the two light-sensitive pixel rows, and above the light-sensitive pixel row. Stripe filters of different colors are arranged in each column to enable reading of color documents, while keeping the interval between light-sensitive pixels equal to the interval between pixels in the main scanning direction.
According to claim (1), the areas of the phototransistor light-receiving portions of the two photosensitive pixel columns that do not sandwich the light-shielded pixels are increased, and these are used as pixel columns that read light in a wavelength region with a small amount of light. color image sensor.
(4)顔料を含むフィルタを光感応画素列上に印刷技術
により形成することを特徴とする請求項(2)記載のカ
ラーイメージセンサ。
(4) The color image sensor according to claim (2), wherein a filter containing a pigment is formed on the photosensitive pixel array by a printing technique.
(5)顔料を含むフィルタを光感応画素列上に印刷技術
により形成することを特徴とする請求項(3)記載のカ
ラーイメージセンサ。
(5) The color image sensor according to claim (3), wherein a filter containing a pigment is formed on the photosensitive pixel array by a printing technique.
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