JPH0367203A

JPH0367203A - 光検出器

Info

Publication number: JPH0367203A
Application number: JP20279789A
Authority: JP
Inventors: Hajime Sakata; 肇坂田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-08-07
Filing date: 1989-08-07
Publication date: 1991-03-22
Anticipated expiration: 2014-05-24
Also published as: JP2895099B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は波長多爪光伝送システムにおいて、人射された
光の中の特定の波長の信号光を選択的に検出する光検出
器に関する。

［従来の技術］従来この種の光検出器は、入射光を分波して信号光を取
出し、これをフォトダイオード等の光電変換器を用いて
受信していた。

第７図は従来の光検出器の構成を示す図である。

基板７１Ｊ：に構成されたリッジ型の導波路７３にはそ
れぞれ異なる波長の信号光を反射させる回折格子７４１
〜７４３が形成されている。光フアイバ７７より入射さ
れる多重化された信号光は、その波長がブラッグ条件を
満足する回折格子によって反射される。各反射位置には
、同様に形成された回折格子７６、〜７６３をそれぞれ
具備するフォトダイオード等の光検出部７５．〜７５３
が形成されており、各信号光の検出が行なわれる。

また、入射光を分波するものとして回折格子の代わり（
干渉フィルタを配置し、特定波長の光のみを透過、もし
くは反射させるものもある。

Ｌ述した光検出器においては、分波を行なうために長い
光路を必要とし、その領域も広い面積を要するため、光
検出器が大きいものとなってしまうという欠点がある。

また、長い光路Ｃよって生じる光吸収損失や種々の部品
を挿入することによって生じる反射散乱損失も大きなも
のとなってしまうという欠点があり、波長分解能も低く
、高密度集積化も成されていなかった。

このような欠点を解決するために提案された光検出器と
しては、特願平１−５６１４２号や特願平１−５９８２
５号のものがある。こむらに記載されたものは、基板に
垂直な方向に伝搬定数の異なる２つの第１と第２の導波
層（第１導波層、８０４と第２導波贋８０６、第１導波
層９０１と光吸収層９０２）を形成し、所望の波長の光
において、各導波層間に光学的結合が生じるように、グ
レーティング（回折格子８０７．９０７）を形成するこ
とにより、所望の波長の光を第１の導波層から第２の導
波層へ移行させ、分波させる波長フィルタおよび、光検
出器である。

特願平１−５９８２５号に記載されたものは第８図に示
すように第２導波層８０６の一部を除去し、第２の導波
層である光検出層に置き換えたものであり、特願平１−
５６１４２号に記載されたものは第９図に示すように第
２の導波層自体を光吸収層９０２として光検出層とした
ものである。

これらのいずれのものにおいても、グレーティングが形
成される位置は、第１０図に示す第Ｉ、第２の導波層を
それぞれ導波する偶モード１００１゜奇モード】００２
が重なる領域とされている。

上記各提案によれば、集積化に適し、高効率で、かつ鋭
い波長選択性を有する光検出器を得ることができる。

［発明が解決しようとする課題］上記従来例のうち、第７図に示したものにおいては、製
造されるものが大きくなり、反射散乱損失も大きなもの
になってしまうという欠点がある。第８図および第９図
に示したものにおいては、これらの欠点は解消されるも
のの、光検出層である第２の導波層８０６，９０２には
、第１０図に示すように第１の導波層８０４．９０１を
導波する奇モード１００２がおよんでおり、非選択波長
の光も若干光検出層で検出されてしまう。このため極め
て高い波長選択比または波長間クロストークが要求され
る場合には、設計、製作に高度な技術を必要であるとい
う欠点があった。

さらに、第８図に示したものにおいては、第２導波層と
同一の層に光検出部である吸収層８０９が形成されるた
め、−旦、エツチング後、再成長を行なう必要があり、
作製工程が増加し、作製時間も長くなるという欠点があ
った。

本発明は、上記従来技術が有する種々な欠点を解消する
ことのできる光検出器を実現することを目的とする。

［課題を解決するための手段］本発明の光検出器は、波長多電化された光信号の中より特定波長の信号光を分
波するために使用される半導体層が積層された形態の光
検出器であって、光信号が入射される第１の導波層と、特定波長の信号光を導波させるための第２の導波層と、第１の導波層を中心とする第１の導波モードと、前記第
２の導波層を中心とする第２の導波モードとが重なり合
う領域に設けられた回折格子と、入射された光を吸収し
て該入射された光の量を検出する光検出層とを具備し、光検出層は、自己を中心とする第３の導波モードが前記
第１の導波モードと多く重なることがなく、かつ、前記
第２の導波モードと多く重なるものとなる位置に形成さ
れている。

この場合、光検出層に光伝導性を有するもの外部に面す
るように設け、その上面に電極を２個設けてその間の抵
抗値変化から入射光量を検出してもよく、また、電極を
３個設けてＦＥＴ構造としてもよい。

さらに、光検出層をｉ層とするＰｉｎホトダイオード構
造としてもよい。

［作用］第８図および第９図に示した従来のものと同様に、第１
および第２の導波層は積層された形態のものとなるので
、それらの材料によっても伝搬定数を異ならせることが
でき、この間に生じる伝搬定数差を大きなものとするこ
とができる。このため、該２つの導波層間に生じる光パ
ワーの移行は回折格子によるものが支配的となり、鋭い
波長選択性が得られる。さらに、本発明のものでは、光
検出層が、自己を中心とする第３の導波モードが第１の
導波モードと多く重なることがなく、かつ、第２の導波
モードと多く重なるものとなる位置に形成されている。

このため、該光検出層にて検出される光は第２の導波モ
ードのもの、すなわち、第２の導波層を伝搬するものが
ほとんどとなり、第１の導波層を伝搬する非選択波長光
の吸収が低減されるので極めて高い波長選択比または波
長間クロストークを得ることができる。また、半導体層
が積層された構造であるので、その製造プロセスは一般
の半導体素子とほぼ同様であり、再現性も良い。

［実施例コ第１図は本発明の第１の実施例の構成を示す図、第２図
（ａ）は第１の実施例の上面に形成される電極の構成を
示す上面図である。

まず、本実施例の構造について説明する。

本実施例は、ＧａＡｓである基板１上に、厚さ０．５μ
ｍのＧａＡｓであるバッファ層１０４、厚さ１．５μｍ
のＡｌ。、　、、Ｇａ０．　、、Ａｓであるクラッド層
１０５、ＧａＡｓとＡＩ。、　４Ｇａ、、　、、Ａｓと
が交互に積層されて多重量子井戸（ＭＱＷ）とされた厚
さ０，１５μｍの第１導波層１０１、厚さ１．１μｎの
Ａ１．、　ａＧａｏ５＾Ｓであるクラッド層１０６、Ｇ
ａＡｓとＡｌｏ、　２Ｇａ６．　ａＡｓとが交互に積層
されてＭＱＷとされた厚さ０．２μｍの第２導波層１０
２、厚さ０．２５μｍのＡｌｏ４Ｇａ０．　、、Ａｓで
ある回折格子層１０７、厚さ０．２５μｍのｎ　−Ｇａ
Ａｓ（ｎ　＝　１　ｘ　１０　”ｃｍ−’）である光検
出層１０８を分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法により
順に成長させている。次に、フォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィー法によってレジストマスク作製後、
アンモニア水、過酸化水素水の混合エッチャントによる
選択エツチングを行ない、光検出層１０８を図面の右側
部分である光検出領域１０９を残して、除去した。この
とき光吸収層１０９の下はＡＩ。４Ｇａｏ、　ｓＡｓの
回折格子層１０７であるため、ＡＩの特性に依存する選
択エツチングを容易に行なうことができる。

つづいて、再びレジストマスクを作製し、反応性イオン
ビームエツチング（ＲＩＢＥ）法により第２図（ａ）に
示すように、光検出領域１０９、導入領域１１１をつら
なる位置に導波光閉じ込め用のリッジ導波路２０１を形
成した。さらに同様の工程により、リッジ導波路２０１
の長手方向に直角にピッチ３０μｍ１領域長５５０μｍ
の回折格子２０２を形成した。この回折格子２０２は、
Ａ１０４Ｇａｏ、　６Ａｓである回折格子層１０７をエ
ツチングすることにより得ている。したがって深さは０
．２５μｍである。

さらに、光入力時に、第１導波層１０１のみが光と結合
するように、リッジ導波路２０１の前方の第２導波層１
０２をエツチングにより除去した（第１図参照）。この
とき、リッジ端面２０３を第２図（ａ）、（ｂ）に示す
ようにリッジ導波路２０１の長手方向に対して、斜めに
エツチングし、第２導波層１０２への結合をさらに、低
いものとした。

次に、プラズマＣＶＤ　（ケミカル・ベイバー・デポジ
ション）法により、上面にＳｉ３Ｎ４膜を０．３μｍの
厚さに成膜させた。そして、第２図（ａ）に示すように
光検出領域１０９の一部に電極用窓あけするためのレジ
ストマスク作製後、これを用いたドライエツチングによ
りＳｉ３Ｎ４膜の一部を除去した。次にＡｕ／Ａｕ−Ｔ
ｈｅからなる電極膜を成膜させ、フォトリソグラフィー
法により第２図（ａ）に示すように第１図中に示す光検
出層１０８に接する２つの電極２０４．２０５を形成し
た。この２つの電極２０４．２０５の配置は、波長選択
された導波光が各電極２０４．２０５間の下の光検出層
１０８にて結合するように、リッジ導波路２０１の長手
方向をはさんで対向するように設けられている。光の進
行方向に対する電極長は本実施例のもので１００μｍで
ある。

波長選択領域１１０の長さは回折格子２０２の長さに相
当し、本実施例では５５０μｍ、光検出領域１０９の長
さは電極の長さに相当し、本実施例では１００μｍであ
る。

上述の手順にて作製した素子を切断後、試料ホルダーに
固定し、各電極２０４．２０５にリード線をボンディン
グし、外部へ取り出した。

このように、本実施例の光検出器は、第１図および第２
図（ａ）に示すように、導波層（第１導波層１０１、第
２導波層１０２、光検出層１０８〉が層方向に３層積層
され、これらによる方向性結合器が構成されている。各
導波層１０１．１０２および光検出層１０８は、厚さや
組成が異なるように形成されているので、各々を導波す
る光の伝搬定数は異なるものとなる。第２導波層１０２
に形成された回折格子２０２は、光結合される波長を選
択するためのもので、そのピッチにより選択される波長
域が決定される。

さらに、光検出領域１０９では第２導波層１０２上に光
検出層１０８が形成されているので選択波長の光が吸収
されて、キャリアが発生する。このため、各電極２０４
．２０５の間の抵抗値は、光伝導性により発生したキャ
リアの量に応じて低下するので、これを検出することに
より選択波長光の検出を行なうことができる。

第１図中のＴＥＯ〜ＴＥ、は、各領域における導波モー
ドの光電界分布を示すもので、導波光の進行方向に光強
度を示している。

本実施例中の各領域１０９〜１１１では、各々異なる半
導体層が積層されているので、成立する導波モードも異
なるものになっている。

光導入領域１１１での導波モードは、基板モード、つま
りＴＥｏモードのみが成立する。波長選択領域１１０で
は、第２導波層１０２に中心強度を有する偶モード（Ｔ
Ｅｏモード）および第１導波層１０１に中心強度を有す
る奇モード（ＴＥ、モード）が成立する。

光検出領域１０９ではその積層構成に依存して、２つ以
上のモードが成立し、第１図に示すようにＴＥｏ、ＴＥ
＋　、ＴＥ２の３つのモードが成立する。各モードの導
波光は、前述したように光検出層で、吸収されるが、こ
のときの吸収係数は、各モードの光電界分布が、光検出
層１０８へどれだけおよんでいるかに依存して大きく異
なるものである。

次に、本実施例の動作について、第１図および第２図（
ａ）、（ｂ）を参照し、第１導波層１０１に入射される
光信号１１２が、回折格子２０２によって選択される受
信を行なう波長／ｌ。

のものとしゃ断したい波長λ２のものとを含むものとし
て説明する。

第１導波層１０１に入射した導波光１０１は、光導入領
域１１１においてはＴＥｏモードとなって導波される。

次に、波長選択領域１１０においては、波長λ１のもの
は回折格子２０２によって選択されて第２導波層１０２
に中心強度を有するＴＥ。モードと強く結合し、波長入
２のものは第１導波層１０１に中心強度を有するＴＥＩ
モードと強く結合して導波される。続く光検出領域１０
９においては、波長λ１のものはＴＥｏ、ＴＥ＋モード
と強〈結合し、波長Ｒ２のものはＴＥ２モードと強く結
合する。このとき、光検出層１０８は光を吸収してキャ
リアが発生するが、このときに吸収される光は光検出層
１０８が光電界分布の中心であり、吸収係数の高いＴＥ
ｏ、ＴＥ、モードのもの、すなわち、波長Ｒ１のものが
ほとんどとなる。波長入２のものに関しては、光電界分
布が第１導波層１０１を中心とし、光検出層１０８Ｃお
よんでいないために吸収係数の低いＴＥ２モードとして
導波されているため、はとんど吸収されない。

第２図（ｂ）は、光検出層１０８にて吸収された光の量
を検出する回路の一例を示すものである。

電極２０４．２０５間に抵抗Ｒ１および電流計２０６を
介して直流電源ｖｌを接続し、供給電流値の変化を電流
計２０６で計ることにより、電極２０４．２０５間の抵
抗値の変化を検出することができ、光検出層１０８にて
吸収された光の量を検出することができる。

第３図は波長０．８０μｍから０．８６μｍの光を入射
光１１２として第１導波層１０１へ導入し、各波長毎の
検出電流比を測定したものである。図示するように中心
の検出ピークでの半値全幅は７７入となっている。また
、波長０．８３μｍと波長０．８５μｍ間のクロストー
クは約２０ｄＢであった。

第４図は本発明の第２の実施例の外観を示す斜視図であ
る。

本実施例は、第１の実施例が光伝導性を利用して光検出
を行なっていたのに対し、ＦＥＴ構造電極を用いて光検
出を行なったものである。作製工程および構造は、上面
に形成される電極構造以外は第１の実施例のものと同様
であり、同一番号を付し、説明は省略する。

本実施例における電極は第１の実施例において設けた２
個の電極の間にさらに、第３の電極を設けた構成となっ
ている。

すなわち、第４図に示すように電極は全部で３個設けら
れており、それぞれ、ドレイン電極４０１、ゲート電極
４０２、ソース電極４０３とされている。ドレイン電Ｆ
ｉ４０１、ソース電極４０３はＡｕ／八ｕへＧｅ膜かな
らなり。その間に設けられるゲート電極４０２はＡｔ膜
からなっている。

ゲート電極４０２と光検出層１０８はショットキー接触
とされており、ゲート型棒４０２直下の光検出層は空乏
層となっている。ドレイン電極４０１に正電圧、ソース
電極４０３に負電圧を印加１ノた状態で、ゲート電極４
０２＆ニー２Ｖから−ＳＶ程度の負電圧を印加すると空
乏層が広がり、ピンチオフ状態では、ドレイン−ソース
間に流れる電流は０となる。

この状態で、波長選択領域１１０から、第２導波層１０
２を伝搬してくる導波光が、光検出領域１０９に達する
と、該導波光は光検出層１０８に吸収されてキャリアが
発生する。発生したキャリアのうちのホールはゲート電
極４０２に吸い込まれて空乏層が押し上げられるため、
ドレイン−ソース間にチャネル電流が流れる。このとき
、上述のキャリアのうちの電子はドレイン電極４０１へ
流入する光電流となる。

つまり導波光が光検出層に入射してこない状態において
は、ドレイン−ソース電極間はピンチオフ状態であり、
ドレイン電流は発生しない。ｔ、かし、導波光が入射さ
れると、空乏層変化によるチャネル電流およびキャリア
発生による光電流が生じ、結果として、ドレイン電流が
発生し、光の検出が行なわれる。

この場合、ゲート電圧を適当な値に制御することにより
、波長間のクロストークを向上させたり、検出電流を増
幅させることが可能である。また、第１の実施例と異な
り検出動作をＦＥＴ構造を用いて行なっていることによ
り、ＧＨｚ以上の高速応答も可能な光検出器を得ること
ができた。

第５図は本発明の第３の実施例の構造を示す図である。

本実施例は、光検出機構として、光検出層をｉ−層とし
てＰｉｎフォトダイオードを形成した例を第５図に示す
。

まず、本実施例の構造について説明する。

ｎ”　−ＧａＡｓである基板５０１上に、厚さ０．５μ
ｍのｎ−ＧａＡｓであるバッファ層５０２、厚さ１．５
μｍのｎ　　Ａ１０．５ＧａＯ５ＡＳであるクラッド層
５０３、厚さ０．１μｍのｎ　−Ａ１０３Ｇａｏ、　７
ＡＳである第１導波層５０４、厚さ１．３μｍのｎ　　
Ａｌｏ、５Ｇａｏ、５ＡＳであるクラッド層５０５、ｎ
　−ＧａＡｓとｎ　−Ａｌｏ、　５Ｇａｏ、　７ＡＳと
が交互に積層されて多重量子井戸とされた厚さ０．２μ
ｍの第２導波層５０６、厚さ０．１５μｍのｎ　　Ａｌ
ｅ４Ｇａｏ６ＡＳである回折格子層５０７、厚さ０．２
７５　μｍの１−ＧａＡｓである光検出層５０８、厚さ
１．０μｍのＰ　　Ａｌｏ、５Ｇａｏ、ｓＡＳであるク
ラッド層５０９、厚さ０．５μｍのｐ”−ＧａＡｓであ
るキャップ層５１０を分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）
法を用いて順に成長させた。その後、フォトリソグラフ
ィー法を用いて４光検出領域１０９を保護したレジスト
・マスク作製後、硫酸、過酸化水素水、水の混合エッチ
ャントによりｐ”−ＧａＡｓ、キャップ層５１０　、　
　ｐ−Ａ１．ＧａＡｓクラット５０９層をエツチングし
た。つづいて、アンモニア水、過酸化水素水の混合エッ
チャントに切り替えて、ｉ　−ＧａＡｓ光検出層５０８
を選択エツチングした。このとき、１−ＧａＡｓ光検出
層５０８の下地はＡｉのコンテンツが４０％のｎ−Ａｌ
ｏ、　ａＧａａ６Ａｓからなる回折格子層５０７である
ため、エツチングはｉ　−ＧａＡｓ層で、止めることが
できる。

続けて、第１の実施例と同様の工程により、波長選択領
域１１０を形成した。回折格子のピッチは２２μｍ、長
さは６９０μｍ、深さは０．１５μｍとした。そして光
検出領域１０９を除いて、Ｓｉ３Ｎ、である保護膜５１
１を成膜した。

この後、キャップ層５１０上にＡｕ／Ｃｒから成る電極
５１２を形成し、基板５０１の裏面に＾Ｕ／Ａｕ−Ｇｅ
から成る電ｇｉ５１３を形成した。

本実施例のものにおいては、第１導波層５０４に入力し
てきた光信号５１４のうち、選択される波長のもののみ
が波長選択領域１１０で第２導波層５０６と結合する。

この後光検出領域１０９に導入後、第２導波層上部の光
検出層ｉ　−ＧａＡｓ５０８で吸収される。光検出領域
１０９は、ｐ−１−ｎ構造となっており、電極５１２．
５１３間には逆バイアスが印加されている。そのため、
吸収により生じたキャリアは電流信号として検出される
。

第６図は本実施例のものにおいて取り出される信号電流
の波長特性を示す図である。

本実施例では第１の実施例と比較してコルゲーションの
深さを浅く、かつ、導波層の間隔を広く設定しているた
め、結合長が長くなっているが、半値全幅は約５０入と
狭いものとなった。

以上の各実施例はすべて光検出層を第２導波層の上層部
に積層して形成したものであるが、熱論、光検出層を第
２導波層の横、すなわち、平面上に並列して形成しても
本発明の目的は達成される。つまり、信号光が、第２導
波層から、光検出層へ結合し、かつ第１導波層から光検
出層へ結合しない各層の配置であれば、光検出層と導波
層の空間的位置関係は特に問題とはならない。

また、構成する材料としては、ＧａＡｓ系材料から構成
されていたが、検出波長に合わせてＩｎＧａＡｓなと他
のｍ−ｖ族化合物半導体や、Ｓｉ、　Ｇｅなとの半導体
や、ＧｄＴｅなどＩＩ−ＶＴ族化合物半導体などから構
成することも熱論可能である。

さらに、回折格子の形成される層は、光吸収層、導波層
を中心に成立する導波モード（偶モードおよび奇モード
）が重なり合う領域ならばいずれでも良い。

［発明の効果コ本発明は以上説明したように構成されているので、以下
に記載するような効果を奏する。

請求項１に記載のものにおいては、波長選択機能を光検
出器に兼備させることが可能な集積化に適した光検出器
を実現することができ、従来のものに比して波長選択比
および波長間クロストークがさらに優れた検出器を実現
することができる効果がある。

請求項２に記載のものにおいては、上記効果を有するも
のを簡単に実現することができる効果がある。

請求項３に記載のものにおいては、ＦＥＴ構造とされて
いるので、波長間のクロストークを向上させることや検
出電流を増幅させることが可能となり、かつ、ＧＨｚ以
上の高速応答性を持たせることもできる効果がある。

請求項４に記載のものにおいてはＰｉｎ構造とされて人
力光の量に応じた電流が流れるので、上記効果に加えて
検出が容易なものとなる効果がある。

また、上記いずれのものにおいても、波長多重通信シス
テムに適用する光検出器として好適であり、他の機能素
子との集積化も容易なため将来の光ＩＣ，０ＥＩＣ（光
電子ＩＣ）にも好適である。また、現在および今後の光
情報伝送システム、光通信システム、光ＬＡＮ、光コン
ピユーテイングなどに広く応用することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の構成を示す図、第２図
（ａ）は第１の実施例の上面に形成される電極の構成を
示す上面図、第２図（ｂ）は第１の実施例を用いた検出
回路の一例を示す図、第３図は第１の実施例での検出電
流の波長特性を示す図、第４図は本発明の第２の実施例
の外観を示す斜視図、第５図は本発明の第３の実施例の
構造を示す図、第６図は第３の実施例での検出電流の波
長特性を示す図、第７図乃至第９図はそれぞれ従来例の
構成を示す図、第１０図は第８図および第９図に示した
従来例の動作を説明するための図である。１・一基板、　　　　　　　１０１，５０４−・・第１
導波層、１０２．５０２−一第２導波層、１０４，５０
２−・・バッファ層、１０５−・・第１クラッド層、１
０６−・・第２クラッド層、１０７．５０７−・・回折
格子層、１０８，５０８・・・光検出層、１０９・・・
光検出領域、　　１１０・・・波長選択領域、１１１−
・・導入領域、　　　１１２，５１４−・・光信号、２
０１−・・リッジ導波路、　２０２−・・回折格子、２
０３・・・リッジ端面、２０４．２０５，５１２，５１３・・・電極、２０６・
・・電流計、　　　　　４０１・・・ドレイン電極、４
０２−・・ゲート電極、　　４０３−・・ソース電極、
５０３．５０５，５０９−・・クラッド層、５１０・・
・キャップ層、　　５１１・・・保護膜、旧・・・抵抗
、　　　　　　ｖ２・・・直流電源。

Claims

【特許請求の範囲】１、波長多重化された光信号の中より特定波長の信号光
を分波するために使用される半導体層が積層された形態
の光検出器であって、前記光信号が入射される第１の導波層と、前記特定波長の信号光を導波させるための第２の導波層
と、前記第１の導波層を中心とする第１の導波モードと、前
記第２の導波層を中心とする第２の導波モードとが重な
り合う領域に設けられた回折格子と、入射された光を吸収して該入射された光の量を検出する
光検出層とを具備し、前記光検出層は、自己を中心とする第３の導波モードが
前記第１の導波モードと多く重なることがなく、かつ、
前記第２の導波モードと多く重なるものとなる位置に形
成されていることを特徴とする光検出器。２、請求項１記載の光検出器において、光検出層として光伝導性を有するものが外部に面するよ
うに形成され、前記光検出層の上面に、その間の抵抗値の変化を検出す
ることにより、入射された光の量を検出するための２個
の電極が設けられていることを特徴とする光検出器。３、請求項１記載の光検出器において、光検出層として光伝導性を有するものが外部に面するよ
うに形成され、前記光検出層の上面に、該光検出層を基板としたＦＥＴ
構造を形成するための３個の電極が設けられていること
を特徴とする光検出器。４、請求項１記載の光検出器において、光検出層をｉ層とするＰｉｎホトダイオード構造とされ
ていることを特徴とする光検出器。