JPH0367273B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0367273B2 JPH0367273B2 JP56200009A JP20000981A JPH0367273B2 JP H0367273 B2 JPH0367273 B2 JP H0367273B2 JP 56200009 A JP56200009 A JP 56200009A JP 20000981 A JP20000981 A JP 20000981A JP H0367273 B2 JPH0367273 B2 JP H0367273B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- thin film
- metal thin
- segment
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液晶表示器などの電気光学的表示
素子で使用する絶縁基板上の透明パターン電極の
製法に関し、特に、透明パターン電極より引き出
されたリード部分を金属で形成し、ICチツプな
どの回路素子との接続を容易ならしめた透明パタ
ーン電極の製法に関する。
素子で使用する絶縁基板上の透明パターン電極の
製法に関し、特に、透明パターン電極より引き出
されたリード部分を金属で形成し、ICチツプな
どの回路素子との接続を容易ならしめた透明パタ
ーン電極の製法に関する。
従来より、透明パターン電極の材料として酸化
錫や酸化インジウムが広く用いられているが、こ
のような材料の透明電極にボンデイング・ワイヤ
を直接接続することができないので、コネクタを
介在させて電気的な接続を行なつていた。
錫や酸化インジウムが広く用いられているが、こ
のような材料の透明電極にボンデイング・ワイヤ
を直接接続することができないので、コネクタを
介在させて電気的な接続を行なつていた。
しかし、最近、透明電極のパターンが複雑化、
かつ、高密度化する傾向があり、パターン電極に
対して回路素子を直接接続することが望まれてい
た。
かつ、高密度化する傾向があり、パターン電極に
対して回路素子を直接接続することが望まれてい
た。
そこで、この発明は、このような課題を解決す
るために考えられたものであつて、透明パターン
電極より引き出されたリード部分を金属で形成し
て、ボンデイングや半田付けを可能ならしめた透
明パターン電極の製法を提供するものである。
るために考えられたものであつて、透明パターン
電極より引き出されたリード部分を金属で形成し
て、ボンデイングや半田付けを可能ならしめた透
明パターン電極の製法を提供するものである。
次に、この発明の透明パターン電極の製法を工
程順に説明すると、第１図に示すように、 (A) ガラス基板１を用意し、 (B) このガラス基板１の上に、錫、インジウムの
ような酸化後に透明で導電性をもつ金属薄膜２
を、蒸着などの手段によつて付着せしめ、 (C) この金属薄膜２に対して、ネガ・パターン状
にレーザー光線または電子ビームを照射して不
要な部分を削除し、文字または図形の一部をな
すセグメントおよびリード部分をポジ・パター
ン状に金属薄膜２を残存させ、 (D) この残存した金属薄膜２のうち、酸化させて
透明電極にする部分へレジスト材４を被覆させ
たのち、 (E) 被覆されなかたつた金属薄膜２に金メツキ５
を施し、 (F) レジスト材４を除去したのち、 (G) 酸素中のような酸化雰囲気中で高温度に加熱
して、金属薄膜２を酸化させて透明電極６を形
成するのであるが、このとき、金メツキ５を施
した部分は酸化することがなく、金メツキされ
た金属のままである。
程順に説明すると、第１図に示すように、 (A) ガラス基板１を用意し、 (B) このガラス基板１の上に、錫、インジウムの
ような酸化後に透明で導電性をもつ金属薄膜２
を、蒸着などの手段によつて付着せしめ、 (C) この金属薄膜２に対して、ネガ・パターン状
にレーザー光線または電子ビームを照射して不
要な部分を削除し、文字または図形の一部をな
すセグメントおよびリード部分をポジ・パター
ン状に金属薄膜２を残存させ、 (D) この残存した金属薄膜２のうち、酸化させて
透明電極にする部分へレジスト材４を被覆させ
たのち、 (E) 被覆されなかたつた金属薄膜２に金メツキ５
を施し、 (F) レジスト材４を除去したのち、 (G) 酸素中のような酸化雰囲気中で高温度に加熱
して、金属薄膜２を酸化させて透明電極６を形
成するのであるが、このとき、金メツキ５を施
した部分は酸化することがなく、金メツキされ
た金属のままである。
酸化後に透明で導電性をもつ金属薄膜２を削除
するために照射するレーザー光線３の波長には、
金属薄膜２で吸収され易い波長を選択すればよく
また、レーザー光線３をネガ・パターン状に照射
する装置としては、電子計算機の出力装置として
知られているレーザー・プリンタと同様な原理で
動作する装置でよく、第２図に示すように、等速
移動する基板１の金属薄膜２の上に、レーザー光
源１０からのレーザー光線３を回転ミラー１１に
よつて掃引させながら、パターン信号発生器１２
からのパターン信号によつてレーザー光線３を変
調することにより実施できる。
するために照射するレーザー光線３の波長には、
金属薄膜２で吸収され易い波長を選択すればよく
また、レーザー光線３をネガ・パターン状に照射
する装置としては、電子計算機の出力装置として
知られているレーザー・プリンタと同様な原理で
動作する装置でよく、第２図に示すように、等速
移動する基板１の金属薄膜２の上に、レーザー光
源１０からのレーザー光線３を回転ミラー１１に
よつて掃引させながら、パターン信号発生器１２
からのパターン信号によつてレーザー光線３を変
調することにより実施できる。
また、電子ビームによつて削除加工を行なう場
合には、陰極線管における電子ビームの偏向およ
び変調と同様な原理により容易に実施することが
できる。
合には、陰極線管における電子ビームの偏向およ
び変調と同様な原理により容易に実施することが
できる。
レーザー光線は、集光することにより高いエネ
ルギー密度が得られ、また、電子ビームは、集束
し加速することにより高いエネルギー密度が得ら
れるから、パターン電極の削除加工をレーザー光
線または電子ビームによつて行なえば、パターン
電極の形状や削除幅の制御が容易になり、高精度
のパターン電極を短時間に、しかも、少ないエネ
ルギーによつて作ることができる。
ルギー密度が得られ、また、電子ビームは、集束
し加速することにより高いエネルギー密度が得ら
れるから、パターン電極の削除加工をレーザー光
線または電子ビームによつて行なえば、パターン
電極の形状や削除幅の制御が容易になり、高精度
のパターン電極を短時間に、しかも、少ないエネ
ルギーによつて作ることができる。
酸化後に透明で導電性をもつ金属薄膜２として
錫を用いると金メツキが容易であるが、インジウ
ムを用いると、インジウムに直接金メツキするこ
とが困難であるから、まず、インジウムに銅メツ
キを施し、しかるのちに金メツキを施せばよいの
である。
錫を用いると金メツキが容易であるが、インジウ
ムを用いると、インジウムに直接金メツキするこ
とが困難であるから、まず、インジウムに銅メツ
キを施し、しかるのちに金メツキを施せばよいの
である。
以上で説明した実施例においては、レーザー光
線３によつて、金属薄膜２をネガ・パターン状に
削除する工程を経たのちに金メツキを行なつてい
るが金メツキすべき部分にまず金メツキを施し、
しかるのちにレーザー光線によるネガ・パターン
状の削除を行なうこともできる。
線３によつて、金属薄膜２をネガ・パターン状に
削除する工程を経たのちに金メツキを行なつてい
るが金メツキすべき部分にまず金メツキを施し、
しかるのちにレーザー光線によるネガ・パターン
状の削除を行なうこともできる。
この発明の透明パターン電極の製法によると、
リード部分に金メツキされた状態の電極を、後工
程を必要とすることなく容易に得ることができる
ので、ボンデイングや半田付けが可能になり、た
とえば、第３図に示すように、基板１上にICチ
ツプ８を接着し、ボンデイング・ワイヤ９により
ICチツプ８と透明パターン電極６とを直接接続
することができるように、透明パターン電極を有
する基板１をプリント配線基板のように活用する
ことができる。
リード部分に金メツキされた状態の電極を、後工
程を必要とすることなく容易に得ることができる
ので、ボンデイングや半田付けが可能になり、た
とえば、第３図に示すように、基板１上にICチ
ツプ８を接着し、ボンデイング・ワイヤ９により
ICチツプ８と透明パターン電極６とを直接接続
することができるように、透明パターン電極を有
する基板１をプリント配線基板のように活用する
ことができる。
第１図は、この発明の透明パターン電極の製法
の一例を工程順に示した断面図、第２図は、この
発明の製法で用いるレーザー光線照射装置の一例
を示す概略図、第３図は、この発明の製法で作つ
た透明パターン電極の使用状態の一例を示す断面
図である。 １……透明基板（ガラス基板）、２……酸化後
に透明で導電性をもつ金属薄膜、５……メツキさ
れた金。
の一例を工程順に示した断面図、第２図は、この
発明の製法で用いるレーザー光線照射装置の一例
を示す概略図、第３図は、この発明の製法で作つ
た透明パターン電極の使用状態の一例を示す断面
図である。 １……透明基板（ガラス基板）、２……酸化後
に透明で導電性をもつ金属薄膜、５……メツキさ
れた金。
Claims (1)
- １ 透明基板上に、酸化後に透明で導電性をもつ
金属薄膜を形成する第１の工程と、上記金属薄膜
の不要部分を削除して文字または図形の一部をな
すセグメントおよび上記セグメントに接続された
リード部分をパターン状に形成する第２の工程
と、上記リード部分のうち上記セグメントから遠
い部分に金メツキを施す第３の工程と、上記金メ
ツキを施した部分を含む上記金属薄膜を高温度の
酸化雰囲気にさらす第４の工程とよりなることを
特徴とする透明パターン電極の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000981A JPS58102286A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 透明パターン電極の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20000981A JPS58102286A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 透明パターン電極の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102286A JPS58102286A (ja) | 1983-06-17 |
| JPH0367273B2 true JPH0367273B2 (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=16417269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20000981A Granted JPS58102286A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 透明パターン電極の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102286A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54159197A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS55103584A (en) * | 1979-02-01 | 1980-08-07 | Epson Corp | Indication body |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20000981A patent/JPS58102286A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58102286A (ja) | 1983-06-17 |
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