JPH0368457B2 - - Google Patents
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- JPH0368457B2 JPH0368457B2 JP59259478A JP25947884A JPH0368457B2 JP H0368457 B2 JPH0368457 B2 JP H0368457B2 JP 59259478 A JP59259478 A JP 59259478A JP 25947884 A JP25947884 A JP 25947884A JP H0368457 B2 JPH0368457 B2 JP H0368457B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光デイスクおよびこの光デイスクに
レーザーを照射して各種情報を記録再生する方法
に関するものであり、特に高密度記録に適したア
ドレスを記録した光デイスクおよびそのアドレス
の再生方法に関するものである。
レーザーを照射して各種情報を記録再生する方法
に関するものであり、特に高密度記録に適したア
ドレスを記録した光デイスクおよびそのアドレス
の再生方法に関するものである。
従来の技術
近年、各種情報をデイスクにレーザー光を用い
て記録再生する光デイスクメモリが多く提案され
ている。その中で、記録密度および転送レートを
向上させる記録再生方法として、光デイスクの表
面に、デイスク半径方向の断面がV字形となる溝
を形成し、このV溝の斜面をトラツクとして信号
の記録再生を行なう方法を提案した。(特願昭58
−175259号) 第2図にV溝を持つ光デイスクの半径方向の断
面を示す。第2図のAとB、或いは、CとD等の
互いに隣り合う2つの斜面に、第3図に示す様に
2つのレーザースポツト1および2を照射する。
これらのレーザーを互いに独立に駆動することに
より、2つの斜面をトラツクとして独立な信号を
記録することができる。記録薄膜3は、例えば
TeOx(x1.1)を用い、レーザーパワーの変化
に従つて反射率を変化させることにより信号の記
録を行なう。
て記録再生する光デイスクメモリが多く提案され
ている。その中で、記録密度および転送レートを
向上させる記録再生方法として、光デイスクの表
面に、デイスク半径方向の断面がV字形となる溝
を形成し、このV溝の斜面をトラツクとして信号
の記録再生を行なう方法を提案した。(特願昭58
−175259号) 第2図にV溝を持つ光デイスクの半径方向の断
面を示す。第2図のAとB、或いは、CとD等の
互いに隣り合う2つの斜面に、第3図に示す様に
2つのレーザースポツト1および2を照射する。
これらのレーザーを互いに独立に駆動することに
より、2つの斜面をトラツクとして独立な信号を
記録することができる。記録薄膜3は、例えば
TeOx(x1.1)を用い、レーザーパワーの変化
に従つて反射率を変化させることにより信号の記
録を行なう。
以上のように記録した信号を再生する場合、記
録時と同様に隣り合う2つの斜面にレーザーを再
生パワーとして照射し、2トラツクの信号を同時
に再生する。この再生方式については、前記特許
出願に詳しく示されている様に、V溝の形状を最
適化すれば、デイスクからの反射光のうち±1次
回折光を中心として受光することにより、隣接斜
面からのクロストークを十分抑制し、1つのトラ
ツクの信号をそれぞれ再生することができる。
録時と同様に隣り合う2つの斜面にレーザーを再
生パワーとして照射し、2トラツクの信号を同時
に再生する。この再生方式については、前記特許
出願に詳しく示されている様に、V溝の形状を最
適化すれば、デイスクからの反射光のうち±1次
回折光を中心として受光することにより、隣接斜
面からのクロストークを十分抑制し、1つのトラ
ツクの信号をそれぞれ再生することができる。
また、デイスク上の目的とするトラツクを検索
するため、トラツク上にアドレスを予め記録して
いる。アドレス信号は、第4図に示す様に、溝の
深さを変化させたピツト4を形成することにより
記録する。V溝を持つデイスクは、V字形状を持
つカツテイング針で金属原盤をカツテイングし、
この金属原盤からスタンパをとり、スタンパで基
材樹脂を成形して作る。アドレスピツトは、金属
原盤のカツテイング時にカツテイング針をピツト
位置に対応して振動させることにより作成する。
するため、トラツク上にアドレスを予め記録して
いる。アドレス信号は、第4図に示す様に、溝の
深さを変化させたピツト4を形成することにより
記録する。V溝を持つデイスクは、V字形状を持
つカツテイング針で金属原盤をカツテイングし、
この金属原盤からスタンパをとり、スタンパで基
材樹脂を成形して作る。アドレスピツトは、金属
原盤のカツテイング時にカツテイング針をピツト
位置に対応して振動させることにより作成する。
アドレス信号の再生は、ピツトによるV溝の深
さの変化で、デイスクから反射した回折光の強度
が変化することを利用して行なうことができる。
さの変化で、デイスクから反射した回折光の強度
が変化することを利用して行なうことができる。
発明が解決しようとする問題点
以上のような従来のアドレス記録方式では、第
4図に示す様に、1本のV溝にあるトラツクC,
Dにアドレスピツトを記録しても、隣接するトラ
ツクBおよびEとそれぞれ共有する山の稜線αお
よびβが変調されているため、トラツクBおよび
Eの再生信号にクロストークが発生する。
4図に示す様に、1本のV溝にあるトラツクC,
Dにアドレスピツトを記録しても、隣接するトラ
ツクBおよびEとそれぞれ共有する山の稜線αお
よびβが変調されているため、トラツクBおよび
Eの再生信号にクロストークが発生する。
V溝デイスクの断面を第5図に示す。トラツク
ピツチをPt,V溝の深さをd,V溝の角度をθ
とする。V溝形状の一例として次のような形を用
いる。
ピツチをPt,V溝の深さをd,V溝の角度をθ
とする。V溝形状の一例として次のような形を用
いる。
{Pt=λ(λ:レーザー波長)
d=λ/4n(n:基材の屈折率)
このとき、tan(θ/2)=Pt/d=4n
ここで、アドレスピツトのため、V溝の深さを
Δd変化させた場合、トラツク幅がΔPt変化する
とすれば、上式より、 ΔPt=1/2Δd tan(θ/2) =2n・Δd ……(1) となる。基材の屈折率がn=1.5の場合、(1)式よ
り、ピツトの深さの変化Δdの3倍、トラツク幅
が変化し、稜線はΔPtの2倍変化することにな
る。例えば、Δd=0.02μmの場合 2・ΔPt=0.12μmとなり、トラツクピツチPt
は1μm程度のため、この稜線の変動は、クロスト
ークの大きな要因となる。特に第6図に示す様に
隣接するV溝でアドレスが重なるような場合に
は、隣接するアドレス信号の影響により、アドレ
ス信号を読み誤る可能性が高くなる。
Δd変化させた場合、トラツク幅がΔPt変化する
とすれば、上式より、 ΔPt=1/2Δd tan(θ/2) =2n・Δd ……(1) となる。基材の屈折率がn=1.5の場合、(1)式よ
り、ピツトの深さの変化Δdの3倍、トラツク幅
が変化し、稜線はΔPtの2倍変化することにな
る。例えば、Δd=0.02μmの場合 2・ΔPt=0.12μmとなり、トラツクピツチPt
は1μm程度のため、この稜線の変動は、クロスト
ークの大きな要因となる。特に第6図に示す様に
隣接するV溝でアドレスが重なるような場合に
は、隣接するアドレス信号の影響により、アドレ
ス信号を読み誤る可能性が高くなる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、ア
ドレス信号間のクロストークをなくし、アドレス
信号を誤りなく再生することができる光デイスク
およびアドレスの記録再生方法を提供することを
目的としている。
ドレス信号間のクロストークをなくし、アドレス
信号を誤りなく再生することができる光デイスク
およびアドレスの記録再生方法を提供することを
目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、光デイス
ク上のV溝の1本おきに溝の深さを変調してアド
レス信号を記録している。またこの光デイスクの
アドレス信号の再生は、V溝上の隣接するトラツ
クに2つのレーザースポツトをそれぞれ照射し、
光デイスクからの反射光を2つの光検出器でそれ
ぞれ受光し、各光検出器で再生したアドレス信号
を用いて、補間を行なう。
ク上のV溝の1本おきに溝の深さを変調してアド
レス信号を記録している。またこの光デイスクの
アドレス信号の再生は、V溝上の隣接するトラツ
クに2つのレーザースポツトをそれぞれ照射し、
光デイスクからの反射光を2つの光検出器でそれ
ぞれ受光し、各光検出器で再生したアドレス信号
を用いて、補間を行なう。
作 用
本発明による光デイスクでは、上記のように1
本おきの溝にアドレス信号を記録しているため、
アドレス信号間のクロストークは発生しない。
本おきの溝にアドレス信号を記録しているため、
アドレス信号間のクロストークは発生しない。
また、この光デイスクのアドレス信号の再生に
おいて、アドレスを記録したV溝のトラツクを再
生する場合、前記2つの光検出器は、それぞれ同
じアドレス値のアドレス信号を再生し、アドレス
を記録していないV溝のトラツクを再生する場
合、各光検出器は、隣接するV溝のアドレス信号
をクロストークにより再生することができ、この
各光検出器の出力から両隣のV溝のアドレス値を
求め、これらのアドレス値から補間することによ
り該当するV溝のアドレス値を得ることができ
る。
おいて、アドレスを記録したV溝のトラツクを再
生する場合、前記2つの光検出器は、それぞれ同
じアドレス値のアドレス信号を再生し、アドレス
を記録していないV溝のトラツクを再生する場
合、各光検出器は、隣接するV溝のアドレス信号
をクロストークにより再生することができ、この
各光検出器の出力から両隣のV溝のアドレス値を
求め、これらのアドレス値から補間することによ
り該当するV溝のアドレス値を得ることができ
る。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第7図に本実施例におけるデイスクのフオーマ
ツトを示す。第7図において、5はデイスクの最
外周、6はデイスクの最内周、7は中心穴を表わ
す。最外周5と最内周6に囲まれた部分(図中a
で示した範囲)にV溝が、同心円状あるいはスパ
イラル状に形成されている。また、b部分はアド
レス領域を表わしている。アドレス領域では、V
溝の1本おきに溝の深さを変調してアドレス信号
を記録している。アドレス信号は、各V溝を示す
アドレス値のコード信号、アドレス領域の始点を
示すアドレスマーク信号、コード信号の再生時に
発生したエラーを検出、訂正するためのエラー訂
正符号、クロツク同期信号などで構成する。
ツトを示す。第7図において、5はデイスクの最
外周、6はデイスクの最内周、7は中心穴を表わ
す。最外周5と最内周6に囲まれた部分(図中a
で示した範囲)にV溝が、同心円状あるいはスパ
イラル状に形成されている。また、b部分はアド
レス領域を表わしている。アドレス領域では、V
溝の1本おきに溝の深さを変調してアドレス信号
を記録している。アドレス信号は、各V溝を示す
アドレス値のコード信号、アドレス領域の始点を
示すアドレスマーク信号、コード信号の再生時に
発生したエラーを検出、訂正するためのエラー訂
正符号、クロツク同期信号などで構成する。
以上のような光デイスクのアドレス領域の拡大
図を第1図に示す。第1図において、V溝イ(ト
ラツクA,B)およびV溝ハ(トラツクE,F)
は、V溝の深さを深くしたアドレスピツトPiでア
ドレス信号を記録している。V溝ロ(トラツク
C,D)にはアドレス信号は記録していない。
図を第1図に示す。第1図において、V溝イ(ト
ラツクA,B)およびV溝ハ(トラツクE,F)
は、V溝の深さを深くしたアドレスピツトPiでア
ドレス信号を記録している。V溝ロ(トラツク
C,D)にはアドレス信号は記録していない。
まず、V溝イのアドレス信号を再生する場合に
ついて説明する。レーザースポツト1がトラツク
Aに、レーザースポツト2がトラツクBに照射さ
れているとする。各レーザースポツトの反射光
は、光検出器D1,D2(第8図に示す)で受光
する。デイスクからの反射光は、トラツク上のア
ドレスピツトにより回折される。そのため、アド
レスピツトの有無により光検出器で受光する反射
光の強度が変化する。この強度変化によりアドレ
ス信号を再生することができる。この場合、2つ
の光検出器D1,D2から再生したアドレス信号
は同じアドレス値となる。V溝ハのアドレス信号
を再生する場合も同様にして行なうことができ
る。
ついて説明する。レーザースポツト1がトラツク
Aに、レーザースポツト2がトラツクBに照射さ
れているとする。各レーザースポツトの反射光
は、光検出器D1,D2(第8図に示す)で受光
する。デイスクからの反射光は、トラツク上のア
ドレスピツトにより回折される。そのため、アド
レスピツトの有無により光検出器で受光する反射
光の強度が変化する。この強度変化によりアドレ
ス信号を再生することができる。この場合、2つ
の光検出器D1,D2から再生したアドレス信号
は同じアドレス値となる。V溝ハのアドレス信号
を再生する場合も同様にして行なうことができ
る。
つぎに、V溝ロのアドレス信号を再生する場合
について説明する。第1図のように、トラツクC
にレーザースポツト1を、トラツクDにレーザー
スポツト2を照射する。トラツクCは、第1図に
示すようにV溝イのアドレスピツトにより稜線α
が削られ、トラツク巾が狭くなる。トラツク巾
(トラツクピツチPt)の変化は、(1)式で示したよ
うにアドレスピツトの深さΔdに比べて大きくな
る。そのため、このアドレスピツトの深さΔdを
ある程度大きくすれば、トラツクC上のレーザー
スポツト1でも隣りのV溝イのアドレスピツトを
十分に検出することができる。同様に、トラツク
D上のレーザースポツト2でV溝ハのアドレスピ
ツトを検出することができる。この場合、光検出
器D1ではV溝イのアドレス信号が、光検出器D
2ではV溝ハのアドレス信号がそれぞれ再生さ
れ、2つの光検出器で再生したアドレス値は一致
しない。V溝ロのアドレス値は、再生したV溝イ
のアドレス値とV溝ハのアドレス値を用いて、補
間により求めることができる。
について説明する。第1図のように、トラツクC
にレーザースポツト1を、トラツクDにレーザー
スポツト2を照射する。トラツクCは、第1図に
示すようにV溝イのアドレスピツトにより稜線α
が削られ、トラツク巾が狭くなる。トラツク巾
(トラツクピツチPt)の変化は、(1)式で示したよ
うにアドレスピツトの深さΔdに比べて大きくな
る。そのため、このアドレスピツトの深さΔdを
ある程度大きくすれば、トラツクC上のレーザー
スポツト1でも隣りのV溝イのアドレスピツトを
十分に検出することができる。同様に、トラツク
D上のレーザースポツト2でV溝ハのアドレスピ
ツトを検出することができる。この場合、光検出
器D1ではV溝イのアドレス信号が、光検出器D
2ではV溝ハのアドレス信号がそれぞれ再生さ
れ、2つの光検出器で再生したアドレス値は一致
しない。V溝ロのアドレス値は、再生したV溝イ
のアドレス値とV溝ハのアドレス値を用いて、補
間により求めることができる。
第8図に本実施例におけるアドレス信号の再生
回路のブロツク図を示す。第8図において、10
は光検出器D1,15は光検出器D2,11,1
6はプリアンプ、12,17はアドレス領域検出
回路、13,18はアドレス復調回路、14は補
間回路、19は出力端子である。第1図で説明し
たように、光検出器D1にはレーザースポツト1
の反射光が入射する。光検出器D1は、その反射
光を電気信号に変換して出力する。プリアンプ1
1は、光検出器D1の出力信号を増幅し再生信号
pを得る。アドレス領域検出回路12は再生信号
pからアドレス信号内のアドレスマーク信号を検
出し、アドレス領域を示すアドレスゲート信号q
を送出する。アドレス復調回路13はアドレスゲ
ート信号qに従い、再生信号pからアドレスコー
ド信号およびエラー訂正符号を検出し、アドレス
コードのエラーを検出および訂正し、該当するト
ラツクのアドレス値rを再生する。レーザースポ
ツト2に対しても、以上と同様にして、光検出器
D2で反射光を受光し、プリアンプ16で再生信
号sを得、アドレス領域検出回路17は再生信号
sからアドレスゲート信号tを発生し、この信号
を用いてアドレス復調回路18は該当するトラツ
クのアドレス値uを再生する。補間回路14は、
入力するアドレス値rおよびアドレス値uが一致
するかどうかを判定する。一致する場合、その値
を2つのレーザービーム1,2で照射しているV
溝のアドレス値vとして出力端19より送出す
る。また、一致しない場合、予め決められた補間
方法に従い、アドレス値rおよびアドレス値uか
ら該当するV溝のアドレス値vを求め、これを出
力端19より送出する。
回路のブロツク図を示す。第8図において、10
は光検出器D1,15は光検出器D2,11,1
6はプリアンプ、12,17はアドレス領域検出
回路、13,18はアドレス復調回路、14は補
間回路、19は出力端子である。第1図で説明し
たように、光検出器D1にはレーザースポツト1
の反射光が入射する。光検出器D1は、その反射
光を電気信号に変換して出力する。プリアンプ1
1は、光検出器D1の出力信号を増幅し再生信号
pを得る。アドレス領域検出回路12は再生信号
pからアドレス信号内のアドレスマーク信号を検
出し、アドレス領域を示すアドレスゲート信号q
を送出する。アドレス復調回路13はアドレスゲ
ート信号qに従い、再生信号pからアドレスコー
ド信号およびエラー訂正符号を検出し、アドレス
コードのエラーを検出および訂正し、該当するト
ラツクのアドレス値rを再生する。レーザースポ
ツト2に対しても、以上と同様にして、光検出器
D2で反射光を受光し、プリアンプ16で再生信
号sを得、アドレス領域検出回路17は再生信号
sからアドレスゲート信号tを発生し、この信号
を用いてアドレス復調回路18は該当するトラツ
クのアドレス値uを再生する。補間回路14は、
入力するアドレス値rおよびアドレス値uが一致
するかどうかを判定する。一致する場合、その値
を2つのレーザービーム1,2で照射しているV
溝のアドレス値vとして出力端19より送出す
る。また、一致しない場合、予め決められた補間
方法に従い、アドレス値rおよびアドレス値uか
ら該当するV溝のアドレス値vを求め、これを出
力端19より送出する。
なお、第8図において、2つのトラツクの再生
信号pおよび再生信号sは、アドレス信号の再生
以外に記録したデータ信号の再生にも用いるた
め、信号再生回路(図示せず)に送出される。
信号pおよび再生信号sは、アドレス信号の再生
以外に記録したデータ信号の再生にも用いるた
め、信号再生回路(図示せず)に送出される。
つぎに、アドレスの補間方法について説明す
る。補間方法はデイスクへのアドレス値の記録方
法に依存する。一例として、デイスクのV溝ごと
に1番地ずつ順にアドレス値を割り当てるとす
る。このとき、第1図において、V溝イのアドレ
ス値をn番地(n:整数)とすれば、V溝ハのア
ドレス値をn+2番地とし、番地ずつ増減させ
る。この場合の補間回路の実施例を第9図に示
す。第9図において、13,18はアドレス復調
回路、14は補間回路、19は出力端子であり、
これらは第8図で説明した回路と同じものであ
る。20は加算回路、21は除算回路である。第
8図で説明したように、アドレス復調回路13
は、レーザースポツト1が照射するトラツクのア
ドレス値rを再生し、アドレス復調回路18は、
レーザースポツト2が照射するトラツクのアドレ
ス値uを再生する。加算回路20は、アドレス値
rとアドレス値uの加算を行なう。除算回路21
は、この加算結果を2で割り、その値を求めるV
溝のアドレス値vとして出力端子19より送出す
る。一般に、これらの演算は2進コードで行なう
ため、除算回路21は、加算結果を1ビツト
LSB側へシフトするだけでよい。この補間回路
で、V溝イのアドレス信号を再生した場合は、ア
ドレス値r、アドレス値uともn番地となる。そ
のため、補間処理後のアドレス値vもn番地とな
る。V溝ハを再生する場合も同様にしてアドレス
値vはn+2番地となる。つぎに、V溝ロを再生
する場合は、アドレス値rはn番地となり、アド
レス値uはn+2番地となる。補間回路14で、
これらのアドレス値の加算平均をとることによ
り、V溝ロのアドレス値vはn+1番地として求
めることができる。
る。補間方法はデイスクへのアドレス値の記録方
法に依存する。一例として、デイスクのV溝ごと
に1番地ずつ順にアドレス値を割り当てるとす
る。このとき、第1図において、V溝イのアドレ
ス値をn番地(n:整数)とすれば、V溝ハのア
ドレス値をn+2番地とし、番地ずつ増減させ
る。この場合の補間回路の実施例を第9図に示
す。第9図において、13,18はアドレス復調
回路、14は補間回路、19は出力端子であり、
これらは第8図で説明した回路と同じものであ
る。20は加算回路、21は除算回路である。第
8図で説明したように、アドレス復調回路13
は、レーザースポツト1が照射するトラツクのア
ドレス値rを再生し、アドレス復調回路18は、
レーザースポツト2が照射するトラツクのアドレ
ス値uを再生する。加算回路20は、アドレス値
rとアドレス値uの加算を行なう。除算回路21
は、この加算結果を2で割り、その値を求めるV
溝のアドレス値vとして出力端子19より送出す
る。一般に、これらの演算は2進コードで行なう
ため、除算回路21は、加算結果を1ビツト
LSB側へシフトするだけでよい。この補間回路
で、V溝イのアドレス信号を再生した場合は、ア
ドレス値r、アドレス値uともn番地となる。そ
のため、補間処理後のアドレス値vもn番地とな
る。V溝ハを再生する場合も同様にしてアドレス
値vはn+2番地となる。つぎに、V溝ロを再生
する場合は、アドレス値rはn番地となり、アド
レス値uはn+2番地となる。補間回路14で、
これらのアドレス値の加算平均をとることによ
り、V溝ロのアドレス値vはn+1番地として求
めることができる。
アドレス値の記録方法は、デイスクのフオーマ
ツトにより変化する。第10図にデイスクフオー
マツトの他の例を示す。第10図において、5は
デイスクの最外周、6はデイスクの最内周、7は
中心穴であり、これらは第7図に示したものと同
じである。第10図に示すように、デイスクはK
個(図ではK=8)のセクタに分割されている。
Ciはi番目のセクタセパレータである。データ信
号等の記録再生や検索などにはセクタごとに管理
するのが便利である。そのため、各セクタにアド
レスを割り当てる。この場合、1つのセクタセパ
レータ内で隣接するV溝のアドレス値は、k番地
ずつ変化している。このとき、アドレス信号を記
録するV溝には2k番地ごと、つまり、n番地の
つぎはn+2k番地となるようにアドレス信号を
記録すれば、第9図で示した補間回路により、各
V溝のアドレス値を同様にして求めることができ
る。
ツトにより変化する。第10図にデイスクフオー
マツトの他の例を示す。第10図において、5は
デイスクの最外周、6はデイスクの最内周、7は
中心穴であり、これらは第7図に示したものと同
じである。第10図に示すように、デイスクはK
個(図ではK=8)のセクタに分割されている。
Ciはi番目のセクタセパレータである。データ信
号等の記録再生や検索などにはセクタごとに管理
するのが便利である。そのため、各セクタにアド
レスを割り当てる。この場合、1つのセクタセパ
レータ内で隣接するV溝のアドレス値は、k番地
ずつ変化している。このとき、アドレス信号を記
録するV溝には2k番地ごと、つまり、n番地の
つぎはn+2k番地となるようにアドレス信号を
記録すれば、第9図で示した補間回路により、各
V溝のアドレス値を同様にして求めることができ
る。
また、各V溝のアドレス値が以上のような等差
数列になつていない場合には、第9図に示した補
間回路は使用できない。一般的には、第8図にお
いて補間回路14をROMで構成することができ
る。予め決められたアドレス値をこのROMに書
き込んでおく。アドレス再生時には、再生したア
ドレス値rおよびアドレス値uをROMのアドレ
スとして、書き込んだデータを読み出し、これを
求めるべきV溝のアドレス値vとすればよい。
数列になつていない場合には、第9図に示した補
間回路は使用できない。一般的には、第8図にお
いて補間回路14をROMで構成することができ
る。予め決められたアドレス値をこのROMに書
き込んでおく。アドレス再生時には、再生したア
ドレス値rおよびアドレス値uをROMのアドレ
スとして、書き込んだデータを読み出し、これを
求めるべきV溝のアドレス値vとすればよい。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、V溝
の1本おきにアドレス信号を記録することによ
り、V溝間のアドレス信号の干渉を無くすること
ができる。また、アドレス信号の再生時には、隣
接するトラツクからのアドレス信号のクロストー
クを積極的に利用することにより、アドレス信号
を記録していないV溝のアドレス値を補間により
求めることができる。このような光デイスクおよ
びアドレスの再生方法を用いることにより、各溝
のアドレス値をより正確に再生することが可能と
なり、実用的にきわめて有用である。
の1本おきにアドレス信号を記録することによ
り、V溝間のアドレス信号の干渉を無くすること
ができる。また、アドレス信号の再生時には、隣
接するトラツクからのアドレス信号のクロストー
クを積極的に利用することにより、アドレス信号
を記録していないV溝のアドレス値を補間により
求めることができる。このような光デイスクおよ
びアドレスの再生方法を用いることにより、各溝
のアドレス値をより正確に再生することが可能と
なり、実用的にきわめて有用である。
第1図は本発明の一実施例における光デイスク
のアドレス領域を示す図、第2図はV溝を持つ光
デイスクの断面を示す図、第3図はV溝デイスク
へのレーザースポツトの照射方法を示す図、第4
図および第6図は従来の光デイスクのアドレス領
域を示す図、第5図はV溝の断面を示す図、第7
図は本発明の一実施例における光デイスクのフオ
ーマツトを示す図、第8図は本発明の一実施例に
おけるアドレス再生回路を示すブロツク図、第9
図は本発明の一実施例におけるアドレスの補間回
路を示すブロツク図、第10図は本発明の他の実
施例における光デイスクのフオーマツトを示す図
である。 イ,ロ,ハ……V溝、A,B,C,D,E,F
……トラツク、Pi……アドレスピツト、1,2…
…レーザースポツト、10,15……光検出器、
13,18……アドレス復調回路、14……補間
回路、20……加算回路、21……除算回路。
のアドレス領域を示す図、第2図はV溝を持つ光
デイスクの断面を示す図、第3図はV溝デイスク
へのレーザースポツトの照射方法を示す図、第4
図および第6図は従来の光デイスクのアドレス領
域を示す図、第5図はV溝の断面を示す図、第7
図は本発明の一実施例における光デイスクのフオ
ーマツトを示す図、第8図は本発明の一実施例に
おけるアドレス再生回路を示すブロツク図、第9
図は本発明の一実施例におけるアドレスの補間回
路を示すブロツク図、第10図は本発明の他の実
施例における光デイスクのフオーマツトを示す図
である。 イ,ロ,ハ……V溝、A,B,C,D,E,F
……トラツク、Pi……アドレスピツト、1,2…
…レーザースポツト、10,15……光検出器、
13,18……アドレス復調回路、14……補間
回路、20……加算回路、21……除算回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 デイスク半径方向の断面がV字状となるV溝
を有し、前記V溝の斜面をトラツクとして情報が
記録され、一本おきのV溝に深さを変調してアド
レスが記録され、アドレスの記録されない隣接V
溝のトラツク幅が前記深さ変調により幅変調され
ていることを特徴とする光デイスク。 2 光デイスクのV溝に記録されるアドレス値が
偶数番地ずつ変化して記録されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光デイスク。 3 デイスク半径方向の断面がV字状となるV溝
を有し、前記V溝の斜面をトラツクとして情報が
記録される光デイスクを用い、記録動作において
一本おきのV溝に深さを変調してアドレスを記録
するとともに、アドレスの記録されない隣接V溝
のトラツク幅を前記深さ変調で幅変調し、再生動
作において、V溝の相対するトラツクにそれぞれ
レーザースポツトを照射し、その反射光を受光器
でトラツクごとに分離して受光し、前記情報に対
応する信号を再生するとともに、アドレスが深さ
変調で記録されたV溝では、深さ変化による受光
量変化からアドレスを再生し、アドレスが深さ変
調で記録されていないV溝では、相対するトラツ
クのそれぞれにおいて、トラツク幅変化による受
光量変化からそのトラツクが隣接するV溝のアド
レスを検出し、検出した2つの隣接アドレス値を
補間することにより該当するV溝上のアドレス値
を得ることを特徴とする光デイスクのアドレス記
録再生方法。 4 2つの光検出器で検出したそれぞれのアドレ
ス値を加算して2で除算することにより、各V溝
のアドレス値を検出することを特徴とする特許請
求の範囲第3項記載の光デイスクのアドレス記録
再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59259478A JPS61137242A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 光デイスクおよびアドレス記録再生方法 |
| US06/768,843 US4712204A (en) | 1984-08-31 | 1985-08-23 | Optical disk and method for reproducing reference signal therefrom |
| EP85110716A EP0176755B1 (en) | 1984-08-31 | 1985-08-26 | Optical disk and method for reproducing reference signal therefrom |
| DE8585110716T DE3574644D1 (de) | 1984-08-31 | 1985-08-26 | Optische platte und verfahren zur erzeugung eines signals davon. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59259478A JPS61137242A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 光デイスクおよびアドレス記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137242A JPS61137242A (ja) | 1986-06-24 |
| JPH0368457B2 true JPH0368457B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=17334635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59259478A Granted JPS61137242A (ja) | 1984-08-31 | 1984-12-07 | 光デイスクおよびアドレス記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137242A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134727A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスクおよびそのアドレス記録再生回路 |
| JPH06333237A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 光学情報記録媒体及び光学情報の記録・消去・再生方法 |
| EP1300664A4 (en) | 2000-07-13 | 2007-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | PRESSURE SENSOR |
| KR20020087121A (ko) | 2000-07-31 | 2002-11-21 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 압력 센서 |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP59259478A patent/JPS61137242A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61137242A (ja) | 1986-06-24 |
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