JPH0369921A - 電気導電性高分子及び電気導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子における配向層 - Google Patents
電気導電性高分子及び電気導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子における配向層Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はスイッチ及びディスプレー媒体（ＦＬＣディス
プレー）として用いられる強誘電性液晶であるスイッチ
及びディスプレー素子に関する。
プレー）として用いられる強誘電性液晶であるスイッチ
及びディスプレー素子に関する。
そのような例は、ＵＳ−Ａ４，３６７．９２４に記載さ
れている。スイッチ及びディスプレー素子は強誘電性液
晶媒体（Ｆ Ｌ Ｃ）よりなり、強誘電性液晶媒体は両
側から電気絶縁層、電極及び境界板によって挟まれてい
る。境界板は通常、ガラス板である。加えて、ゲスト−
ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ）方式で動作するときは
偏向子を含み、複屈折方式で動作するときは二の偏向子
を含む。電気絶縁層は、電極間の短絡と、境界板として
のガラスから液晶層へのイオンの拡散を防止するために
用いられる。さらに、少なくとも一方、好ましくは両側
の絶縁層は、液晶層の分子がその分子の長手方向にお互
いに平行に配列し、スメクチック平面が直角に配列する
か又は配向層と角度をなすための、配向層としての役割
を果たす。この配列においては、ＦＬＣ分子は二種類の
可能な等価の配向をもち、電場のパルスを印加すること
によって配向を変化させることができる。その配向は、
電場が途絶えても又はディスプレーが短絡しても常に最
後の配向形態が保持される。それゆえＦＬＣディスプレ
ーは双安定スイッチに用いることができる。
れている。スイッチ及びディスプレー素子は強誘電性液
晶媒体（Ｆ Ｌ Ｃ）よりなり、強誘電性液晶媒体は両
側から電気絶縁層、電極及び境界板によって挟まれてい
る。境界板は通常、ガラス板である。加えて、ゲスト−
ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ）方式で動作するときは
偏向子を含み、複屈折方式で動作するときは二の偏向子
を含む。電気絶縁層は、電極間の短絡と、境界板として
のガラスから液晶層へのイオンの拡散を防止するために
用いられる。さらに、少なくとも一方、好ましくは両側
の絶縁層は、液晶層の分子がその分子の長手方向にお互
いに平行に配列し、スメクチック平面が直角に配列する
か又は配向層と角度をなすための、配向層としての役割
を果たす。この配列においては、ＦＬＣ分子は二種類の
可能な等価の配向をもち、電場のパルスを印加すること
によって配向を変化させることができる。その配向は、
電場が途絶えても又はディスプレーが短絡しても常に最
後の配向形態が保持される。それゆえＦＬＣディスプレ
ーは双安定スイッチに用いることができる。
スイッチ開閉時間はマイクロ秒の範囲にあり、この時間
は使用する液晶材料の自然分極が高くなるほど短くなる
。
は使用する液晶材料の自然分極が高くなるほど短くなる
。
これまで用いられてきた、一般には強誘電性ではない液
晶ディスプレーと比較すると、ＦＬＣディスプレーは特
にマルチプレックス動作、すなわちタイム・シーケンシ
ャル法（マルチプレックス法）における−区画当たりの
最大線数が既知の非強誘電性ディスプレーよりも優れて
いる。
晶ディスプレーと比較すると、ＦＬＣディスプレーは特
にマルチプレックス動作、すなわちタイム・シーケンシ
ャル法（マルチプレックス法）における−区画当たりの
最大線数が既知の非強誘電性ディスプレーよりも優れて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、ＦＬＣディスプレーは二つの安定状態（静止画
像）のうちの一方に長時間ある場合、他の状態へのスイ
ッチの切り替えに非常な困難を伴う点で不利である。す
なわち、ＦＬＣディスプレーは非常に高い振幅を与えた
ときか又は電圧を非常に長いパルス持続時間で印加した
場合にスイッチ動作をする。換言すればＦＬＣディスプ
レーは著しい光学的ヒステリシスを呈する。画像ディス
プレーにおいては、長い時間にわたって描かれていた画
像が次の画像のなかにいわゆるゴースト画像として認め
られる状態となる。この光学的ヒステリシス現象は、Ｆ
ＬＣ材料の自然分極が高くなるほど著しい。他方、ＦＬ
Ｃ材料のスイッチ開閉時間は自然分極の程度に反比例す
るため、ＦＬＣディスプレーの利点はこのヒステリシス
によって生かされなくなってしまう。この現象の原因は
これまで明確に解明されていないが、ＦＬＣ中のイオン
性の不純物がその原因ではないかといわれている。
像）のうちの一方に長時間ある場合、他の状態へのスイ
ッチの切り替えに非常な困難を伴う点で不利である。す
なわち、ＦＬＣディスプレーは非常に高い振幅を与えた
ときか又は電圧を非常に長いパルス持続時間で印加した
場合にスイッチ動作をする。換言すればＦＬＣディスプ
レーは著しい光学的ヒステリシスを呈する。画像ディス
プレーにおいては、長い時間にわたって描かれていた画
像が次の画像のなかにいわゆるゴースト画像として認め
られる状態となる。この光学的ヒステリシス現象は、Ｆ
ＬＣ材料の自然分極が高くなるほど著しい。他方、ＦＬ
Ｃ材料のスイッチ開閉時間は自然分極の程度に反比例す
るため、ＦＬＣディスプレーの利点はこのヒステリシス
によって生かされなくなってしまう。この現象の原因は
これまで明確に解明されていないが、ＦＬＣ中のイオン
性の不純物がその原因ではないかといわれている。
前公表されていないＤＥ−Ａ ３，８４３，２２８の
先の出願においては、ＦＬＣにおける光学的ヒステリシ
ス現象を著しく減少させるか又は抑制させるために、電
極の少なくとも−を液晶媒体と電気的に直接の接触をと
ることが既に提案されている。
先の出願においては、ＦＬＣにおける光学的ヒステリシ
ス現象を著しく減少させるか又は抑制させるために、電
極の少なくとも−を液晶媒体と電気的に直接の接触をと
ることが既に提案されている。
［課題を解決するための手段］
驚くべきことに、特にＦＬＣディスプレーにおける光学
的ヒステリシスを効果的に抑制するには、ＦＬＣディス
プレーに液晶スイッチ及びディスプレー素子を用いれば
よいことが分かった。そのディスプレーに液晶スイッチ
及びディスプレー素子は、強誘電性液晶媒体、二の電極
、少なくとも一の偏光子、二の透明キャリア板及び少な
くとも一の配向層からなり、配向層の少なくとも一は電
極と直接の導通がとられ、前記配向層は電気導電性高分
子を含む。
的ヒステリシスを効果的に抑制するには、ＦＬＣディス
プレーに液晶スイッチ及びディスプレー素子を用いれば
よいことが分かった。そのディスプレーに液晶スイッチ
及びディスプレー素子は、強誘電性液晶媒体、二の電極
、少なくとも一の偏光子、二の透明キャリア板及び少な
くとも一の配向層からなり、配向層の少なくとも一は電
極と直接の導通がとられ、前記配向層は電気導電性高分
子を含む。
好ましくは、配向層は式（Ｉ）の繰り返し単位をもつ電
気導電性高分子を含む。
気導電性高分子を含む。
れる。
ここで、
Ｒｌ 、 Ｒ２は互いに独立であり、Ｈ１炭素数１乃至
１６である直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはアル
コキシ基又はハロゲンである。
１６である直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはアル
コキシ基又はハロゲンである。
ＸはＳ又はＮＨである。
Ｙ一はＢ Ｆ 、”１、 Ｐ Ｆ 、−、Ｐ Ｏ４”
−、Ａ ｓ Ｆ ｓ−。
−、Ａ ｓ Ｆ ｓ−。
Ｓｂ（ＩＩ−、ｓｏ、”−、Ｈ３Ｏ４−、アルキル−Ｓ
Ｏ、−、パーフルオロアルキル−３Ｏ３−、アリル−
３Ｑ、−、Ｆ−又は（Ｉ−である。
Ｏ、−、パーフルオロアルキル−３Ｏ３−、アリル−
３Ｑ、−、Ｆ−又は（Ｉ−である。
ｎは４乃至１００の整数である。
ｍは１乃至３０の整数である。
電気導電性高分子は、ＤＥ−Ａ３，７１７，６６８、Ｄ
Ｅ−Ａ３，６２８，８９５及びＤＥ−Ａ３゜７３８．１
１４により公知である。電気導電性高分子は室温におい
て非プロトン性双極子溶媒中に酸化物の形で溶解し、式
（ＩＩ）の単量体より導か二つのラジカルＲ３及びＲ１
の少なくとも一つはアルコキシ基であり他方は炭素数１
乃至６であるアルキル基又は水素である。正にドープさ
れた高分子の調製法、安定性及び電気導電性についても
それらの文献中で研究されている。
Ｅ−Ａ３，６２８，８９５及びＤＥ−Ａ３゜７３８．１
１４により公知である。電気導電性高分子は室温におい
て非プロトン性双極子溶媒中に酸化物の形で溶解し、式
（ＩＩ）の単量体より導か二つのラジカルＲ３及びＲ１
の少なくとも一つはアルコキシ基であり他方は炭素数１
乃至６であるアルキル基又は水素である。正にドープさ
れた高分子の調製法、安定性及び電気導電性についても
それらの文献中で研究されている。
式（Ｉ）の電気導電性高分子を液晶スイッチ及びディス
プレー素子に応用するには、（正の）ドーピングの程度
がｌＯ乃至３０％であることが特にふされしい。ドーピ
ングの程度は高分子の電荷（ｍ）と高分子をなす単量体
の数（ｎ）の割合で表される。ドーピングされていない
高分子は僅かに無視できる程度の小さな電気導電性しか
もたず、高度にドーピングされた高分子（重合性ラジカ
ルカチオン）は通常不安定か又は得るのが困難である。
プレー素子に応用するには、（正の）ドーピングの程度
がｌＯ乃至３０％であることが特にふされしい。ドーピ
ングの程度は高分子の電荷（ｍ）と高分子をなす単量体
の数（ｎ）の割合で表される。ドーピングされていない
高分子は僅かに無視できる程度の小さな電気導電性しか
もたず、高度にドーピングされた高分子（重合性ラジカ
ルカチオン）は通常不安定か又は得るのが困難である。
式（Ｉ）で表される導電性高分子は、ｎが４乃至３０の
整数で、ｍが１乃至９の整数であり、特にＦＬＣディス
プレーの配向層の組成物として用いられることが好まし
く、特にｎが４乃至１０の整数、ｍが１乃至４の整数で
あることが好ましい。
整数で、ｍが１乃至９の整数であり、特にＦＬＣディス
プレーの配向層の組成物として用いられることが好まし
く、特にｎが４乃至１０の整数、ｍが１乃至４の整数で
あることが好ましい。
さらに好ましくは導電性高分子は、式（Ｉ）中のＸが硫
黄原子であり、アニオン（Ｙ−）としてＢ Ｆ ４−、
Ｐ ０４３−、 Ｓ Ｏａ”−、ＨＳ ０４−１Ｆ−
及び／又は（Ｉ−が用いられる。
黄原子であり、アニオン（Ｙ−）としてＢ Ｆ ４−、
Ｐ ０４３−、 Ｓ Ｏａ”−、ＨＳ ０４−１Ｆ−
及び／又は（Ｉ−が用いられる。
好ましくは、配向層は３０乃至１００重量％の式（Ｉ）
で表される導電性高分子を含む。配向層の他の構成成分
としては、電気導電性材料と非導電性材料の双方ともふ
されしく、特にふされしいのは有機高分子である。
で表される導電性高分子を含む。配向層の他の構成成分
としては、電気導電性材料と非導電性材料の双方ともふ
されしく、特にふされしいのは有機高分子である。
本発明をさらに具体的に説明すれば、液晶スイッチ及び
ディスプレー素子中の配向層は、式（Ｉ）で表される高
分子に加えて、非導電性の高分子を含む。それらは例え
ば、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、ポ
リビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル
、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルメチルケトン
、ポリ無水マレイン酸、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン、ポリビ
ニルピリジン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメ
タクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセトアル
デヒド、ポリアクロレイン、ポリエチレンオキシド、ポ
リテトラヒドロフラン、脂肪族ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリブチルイソシアネート、天然ゴム、ポリ
ウレタン、メチルセルロース、エチルセルロース、セル
ローストリアセテート及びポリメチルシロキサンである
。
ディスプレー素子中の配向層は、式（Ｉ）で表される高
分子に加えて、非導電性の高分子を含む。それらは例え
ば、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、ポ
リビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル
、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルメチルケトン
、ポリ無水マレイン酸、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリ−Ｎ−ビニルピロリドン、ポリビ
ニルピリジン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメ
タクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセトアル
デヒド、ポリアクロレイン、ポリエチレンオキシド、ポ
リテトラヒドロフラン、脂肪族ポリエステル、ポリカー
ボネート、ポリブチルイソシアネート、天然ゴム、ポリ
ウレタン、メチルセルロース、エチルセルロース、セル
ローストリアセテート及びポリメチルシロキサンである
。
しかし、配向層には更に他の導電性高分子を含んでもよ
い。特に、広面積のディスプレーの場合、短絡を避ける
ために配向層のうちの一つを電気導電性高分子とし、他
方を電気絶縁層とすることが都合がよい。
い。特に、広面積のディスプレーの場合、短絡を避ける
ために配向層のうちの一つを電気導電性高分子とし、他
方を電気絶縁層とすることが都合がよい。
高分子の電気導電性が高くなるほど光学的ヒステリシス
の減退は著しい。それゆえ配向面と直角方向の導電率は
少なくとも１０−’Ｓｉｅｍｅｎｓ／ Ｉｆｉ、コンダ
クタンスは少なくとも１００ Ｓｉｅｍｅｎｓ／ ｍ”
必要である。
の減退は著しい。それゆえ配向面と直角方向の導電率は
少なくとも１０−’Ｓｉｅｍｅｎｓ／ Ｉｆｉ、コンダ
クタンスは少なくとも１００ Ｓｉｅｍｅｎｓ／ ｍ”
必要である。
本発明は図面によって更に詳細に説明される。
第１図は光学的ヒステリシスの現象を示す図である。
ＦＬＣディスプレーは両極性電圧パルスを連続的に印加
され（第１図ａ）、特に、リセットパルスＲの後に逆の
テストパルスＴが続く。リセットパルスはディスプレー
を常にスイッチさせるのに十分大きい。テストパルスＶ
、″が十分大きいとき、ディスプレーは反対方向である
リセットパルス側にスイッチし、これはディスプレーの
フラッシュによって認識される。同時に、テストパルス
のスイッチングに必要である最小の電圧（テストパルス
の臨界電圧）■、°はそれ以前のディスプレーのスイッ
チング状態に左右される（第１図ｂ）。初期状態におけ
るテストパルスがスイッチングさせるは小さすぎるとき
は、ディスプレーは静止状態となり、テスト電圧Ｖ、が
増加するほどスイッチングするようになる。すなわち比
較的高い電圧ｖ、！″（第１図ｂ）の場合にのみディス
プレーはフラッシュする（第１図ａ上）。テストパルス
の高さ（第１図ａ下）が初期の電圧Ｖ、２′より小さく
なるとディスプレーはスイッチ動作を続ける（ディスプ
レーが７ラツシユする）。テストパルスの高さが減少し
ｖ、２ｃより著しく低くなると、テストパルスはもはや
ディスプレーをスイッチしなくなり（ｖ、＋”）、ディ
スプレーは再び静止する。光学的ヒステリシスを第１図
すに示す（Ｔｒは光の透過率を表しＶ、はテストパルス
の電圧を表す）。
され（第１図ａ）、特に、リセットパルスＲの後に逆の
テストパルスＴが続く。リセットパルスはディスプレー
を常にスイッチさせるのに十分大きい。テストパルスＶ
、″が十分大きいとき、ディスプレーは反対方向である
リセットパルス側にスイッチし、これはディスプレーの
フラッシュによって認識される。同時に、テストパルス
のスイッチングに必要である最小の電圧（テストパルス
の臨界電圧）■、°はそれ以前のディスプレーのスイッ
チング状態に左右される（第１図ｂ）。初期状態におけ
るテストパルスがスイッチングさせるは小さすぎるとき
は、ディスプレーは静止状態となり、テスト電圧Ｖ、が
増加するほどスイッチングするようになる。すなわち比
較的高い電圧ｖ、！″（第１図ｂ）の場合にのみディス
プレーはフラッシュする（第１図ａ上）。テストパルス
の高さ（第１図ａ下）が初期の電圧Ｖ、２′より小さく
なるとディスプレーはスイッチ動作を続ける（ディスプ
レーが７ラツシユする）。テストパルスの高さが減少し
ｖ、２ｃより著しく低くなると、テストパルスはもはや
ディスプレーをスイッチしなくなり（ｖ、＋”）、ディ
スプレーは再び静止する。光学的ヒステリシスを第１図
すに示す（Ｔｒは光の透過率を表しＶ、はテストパルス
の電圧を表す）。
高情報密度ディスプレーの場合、光学的ヒステリシスの
存在下、個々の画像点がスイッチされているか否かは、
電圧が変化する以前の状態に左右され、いわゆるゴース
ト画像が現れる。その電圧は実際にはテストパルスと等
価である。
存在下、個々の画像点がスイッチされているか否かは、
電圧が変化する以前の状態に左右され、いわゆるゴース
ト画像が現れる。その電圧は実際にはテストパルスと等
価である。
第２図ａ及び第２図すは、縦軸に強度（単位Ｖ）をプロ
ットしく透過率に比例する）、横軸に電界の強さ（単位
７７μｍ）をプロットしたものである。
ットしく透過率に比例する）、横軸に電界の強さ（単位
７７μｍ）をプロットしたものである。
第２図は前述の方法で得られたヒステリシス曲線を比較
したものである。第２図ａは配向層によってＦＬＣが電
極から絶縁されている既知のディスプレーのヒステリシ
ス曲線であり、第２図すは導電性高分子からなる二つの
配向層がＦＬＣと直接の導通がある本発明のディスプレ
ーのヒステリシス曲線である。後者では広い範囲にわた
ってヒステリシスが抑制されていることが明瞭に分かる
。
したものである。第２図ａは配向層によってＦＬＣが電
極から絶縁されている既知のディスプレーのヒステリシ
ス曲線であり、第２図すは導電性高分子からなる二つの
配向層がＦＬＣと直接の導通がある本発明のディスプレ
ーのヒステリシス曲線である。後者では広い範囲にわた
ってヒステリシスが抑制されていることが明瞭に分かる
。
式（ＩＩＩ）で表される高分子は、配向性に優れ、電気
導電率が高いため、ディスプレーの配向層に用いること
が特に有利である。
導電率が高いため、ディスプレーの配向層に用いること
が特に有利である。
非導電性高分子をさらにブレンドしたものを用いること
も特にふされしい方法である。
も特にふされしい方法である。
ｎは５又は６である。
塗布の方法と、電気的及び光学的結果を実施例１に述べ
る。
る。
高い光の透過性を遠戚するために、単一の高分子の代わ
りに高分子をブレンドしたものを用いることが有利であ
る。式（Ｉ［Ｉ）で表される高分子と式（ＩＶ）で表さ
れるポリメタクリレートよりなる混合系では著しい光の
透過性を示した。前述した以下、本発明を実施例によっ
て説明する。
りに高分子をブレンドしたものを用いることが有利であ
る。式（Ｉ［Ｉ）で表される高分子と式（ＩＶ）で表さ
れるポリメタクリレートよりなる混合系では著しい光の
透過性を示した。前述した以下、本発明を実施例によっ
て説明する。
実施例 １
次の構造をもつ電気導電性高分子の濃度２％ニトロメタ
ン溶液を１５０Ｏｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコード
法により透明電極の１ｍｍ厚のガラス基板上に塗布する
。
ン溶液を１５０Ｏｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコード
法により透明電極の１ｍｍ厚のガラス基板上に塗布する
。
ｎは５又は６である
基板上に塗布された膜を１２０ ’Ｏの乾燥機中で乾燥
させ溶媒を蒸発させる。得られた高分子膜は１１００ｎ
の厚さがあり、ストローク機を用いて二度同じ方向にな
でつける。均一な、やや青味を帯び、１１００ｎの厚み
をもち導電率が８．０×１０−”Ｓ／ａｍである高分子
膜が得られる。同じ高分子を塗布したガラス基板を平行
に及び逆平行に配列させる。ガラス基板をスペーサーｔ
−用いて封入しセルとなす。電極の間隔は２．４μｍで
ある。
させ溶媒を蒸発させる。得られた高分子膜は１１００ｎ
の厚さがあり、ストローク機を用いて二度同じ方向にな
でつける。均一な、やや青味を帯び、１１００ｎの厚み
をもち導電率が８．０×１０−”Ｓ／ａｍである高分子
膜が得られる。同じ高分子を塗布したガラス基板を平行
に及び逆平行に配列させる。ガラス基板をスペーサーｔ
−用いて封入しセルとなす。電極の間隔は２．４μｍで
ある。
セルは市販の強誘電性の混合物であるＦｅ１ｉｘＯＯ２
（ＨｏｅｃｈｓＬ Ａ Ｇの登録商標）で満たす。こ
のセルの双安定性は優れており、第２図すの結果より光
学的ヒステリシスをほとんど示さない。５５０ｎｍの波
長における高分子膜の光の透過率は約５０％であった。
（ＨｏｅｃｈｓＬ Ａ Ｇの登録商標）で満たす。こ
のセルの双安定性は優れており、第２図すの結果より光
学的ヒステリシスをほとんど示さない。５５０ｎｍの波
長における高分子膜の光の透過率は約５０％であった。
実施例 ２
実施例１の電気導電性高分子１．０ｇと、５０乃至１０
０の単量体（Ａ−５０−１００）からなる式（ｒＶ）で
表されるポリメタクリル酸メチル１．０ｇとを１００ｃ
ｍ３のγ−ブチロラクトンに撹拌しながら溶解させる。
０の単量体（Ａ−５０−１００）からなる式（ｒＶ）で
表されるポリメタクリル酸メチル１．０ｇとを１００ｃ
ｍ３のγ−ブチロラクトンに撹拌しながら溶解させる。
この溶液を実施例１と同様にガラス基板上に塗布する。
１８０℃で１時間乾燥させ１５０ｎｍの厚さをもつ高分
子膜が得られる。実施例１と同様の方法で基板の整列処
理を行い厚さ２μｍの液晶層をもつ液晶セルが得られる
。セルを市販の強誘電性液晶混合物であるＦｅ１ｉｘ０
０２ （Ｈｏｅｃｈｓｔ Ａ Ｇ製）で満たす。この
セルの双安定性は優れ、液晶スイッチ素子は光学的ヒス
テリシスをほとんど示さない。波長５５０ｎｍにおける
配向層の光の透過率は７７％である。
子膜が得られる。実施例１と同様の方法で基板の整列処
理を行い厚さ２μｍの液晶層をもつ液晶セルが得られる
。セルを市販の強誘電性液晶混合物であるＦｅ１ｉｘ０
０２ （Ｈｏｅｃｈｓｔ Ａ Ｇ製）で満たす。この
セルの双安定性は優れ、液晶スイッチ素子は光学的ヒス
テリシスをほとんど示さない。波長５５０ｎｍにおける
配向層の光の透過率は７７％である。
第１図は光学的ヒステリシスの現象を示す図である。
第２図は縦軸に強度をプロットし、横軸に電界の強さを
プロットした図である。 （外４名） ［Ｖ／ｐｍｌ ＦＩＧ、 ２Ｑ ＩＶ／Ｂｍｌ ＦＩＧ、２ｂ
プロットした図である。 （外４名） ［Ｖ／ｐｍｌ ＦＩＧ、 ２Ｑ ＩＶ／Ｂｍｌ ＦＩＧ、２ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強誘電性液晶媒体、二の電極、少なくとも一の偏光
子、二の透明キャリア板及び少なくとも一の配向層から
なる液晶スイッチ及びディスプレー素子であって、配向
層の少なくとも一は電極と直接の導通があり、前記配向
層は式（ I ）で表される電気導電性高分子を含み、 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＾１、Ｒ＾２は互いに独立であり、Ｈ、炭素数１乃至
１６である直鎖若しくは分岐のアルキル基若しくはアル
コキシ基又はハロゲンであり、 ＸはＳ又はＮＨであり、 Ｙ＾−はＢＦ＿４＾−、ＰＦ＿６＾−、ＰＯ＿４＾３＾
−、ＡｓＦ＿６＾−、ＳｂＣｌ＿６＾−、ＳＯ＿４＾２
＾−、ＨＳＯ＿４＾−、アルキル−ＳＯ＿３＾−、パー
フルオロアルキル−ＳＯ＿３＾−、アリル−ＳＯ＿３＾
−、Ｆ＾−又はＣｌ＾−であり、ｎは４乃至１００の整
数であり、 ｍは１乃至３０の整数である、 液晶スイッチ及びディスプレー素子。 ２、ｎが４乃至３０の整数であり、ｍが１乃至９の整数
であり、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｘ及びＹ＾−は明示された意
味である、請求項１に記載の液晶スイッチ及びディスプ
レー素子。 ３、Ｘが硫黄原子であり、Ｙ＾−がＢＦ＿４＾−、ＰＯ
＿４＾３＾−、ＳＯ＿４＾２＾−、ＨＳＯ＿４＾−、Ｆ
＾−又はＣｌ＾−と等しく、Ｒ＾１、Ｒ＾２、ｎ及びｍ
は明示された意味である、請求項２に記載の液晶スイッ
チ及びディスプレー素子。 ４、配向層は式（ I ）で表される高分子に加えて、少
なくとも一の非導電性高分子を含む請求項１に記載の液
晶スイッチ及びディスプレー素子。 ５、配向層は式（ I ）で表される高分子に加えて、少
なくともさらに一の導電性高分子を含む請求項１に記載
の液晶スイッチ及びディスプレー素子。 ６、式（ I ）で表される請求項１に記載の電気導電性
高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子中の
配向層又は多重配向層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3925970.6 | 1989-08-05 | ||
| DE3925970A DE3925970A1 (de) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | Elektrisch leitfaehige polymere und ihre verwendung als orientierungsschicht in fluessigkristall-schalt- und -anzeigeelementen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369921A true JPH0369921A (ja) | 1991-03-26 |
| JP2679861B2 JP2679861B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=6386595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207488A Expired - Lifetime JP2679861B2 (ja) | 1989-08-05 | 1990-08-04 | 電気導電性高分子及び電気導電性高分子を用いた液晶スイッチ及びディスプレー素子における配向層 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5118538A (ja) |
| EP (1) | EP0412408B1 (ja) |
| JP (1) | JP2679861B2 (ja) |
| KR (1) | KR910004780A (ja) |
| DE (2) | DE3925970A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102492308A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-06-13 | 湖北华丽染料工业有限公司 | 一种复合活性黑染料及其制备和应用 |
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| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| DE4141528C2 (de) * | 1991-12-17 | 1995-04-06 | Nokia Unterhaltungselektronik | Flüssigkristallzelle mit Streifenelektroden und Orientierungsschichten |
| US5465169A (en) * | 1992-08-25 | 1995-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device with electroconductive protective film and electroconductive alignment film |
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| EP0820605A4 (en) * | 1995-03-09 | 1999-12-01 | Geo Centers Inc | Conducting substrate, liquid crystal device made therefrom and liquid crystalline composition in contact therewith |
| CA2145135C (en) * | 1995-03-21 | 2001-02-27 | Pierre Delvaux | Decorative, non-combustible synthetic fire-log |
| US6379509B2 (en) | 1998-01-20 | 2002-04-30 | 3M Innovative Properties Company | Process for forming electrodes |
| US6485839B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-11-26 | 3M Innovative Properties Company | Ablation enhancement layer |
| US7357965B1 (en) * | 1999-10-15 | 2008-04-15 | Agfa-Gevaert, N.V. | Liquid crystal alignment layer |
| NO20005980L (no) | 2000-11-27 | 2002-05-28 | Thin Film Electronics Ab | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling |
| KR100685944B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 광배향성 물질 및 이를 이용한 액정표시소자 |
| US8333812B2 (en) * | 2008-08-18 | 2012-12-18 | Forestwood Industrial, Inc. | Method and device for use of hollow spheres in a composite material |
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| DE3001125A1 (de) * | 1980-01-14 | 1981-07-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung einer fluessigkristallanzeige |
| US4599194A (en) * | 1984-06-18 | 1986-07-08 | Allied Corporation | Simultaneous polymerization, doping and solubilization of heterocyclic polymers, solutions and cast articles |
| DE3750650D1 (de) * | 1986-08-26 | 1994-11-17 | Hoechst Ag | Lösliche, elektrisch leitende Polymere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung. |
| DE3628895A1 (de) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Hoechst Ag | Loesliche, elektrisch leitende polymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| DE3717668A1 (de) * | 1987-05-26 | 1988-12-15 | Hoechst Ag | Elektrisch leitende beschichtungsmasse, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| DE3736114A1 (de) * | 1987-10-26 | 1989-07-13 | Hoechst Ag | Modifizierte elektrisch leitende polymere |
| EP0353760A3 (en) * | 1988-08-03 | 1991-01-16 | TDK Corporation | Liquid crystal elements and conductive organic compound film-forming compositions |
| DE3843228A1 (de) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Hoechst Ag | Ferroelektrisches fluessigkristall-schalt- und anzeige-element mit verminderter optischer hysterese |
-
1989
- 1989-08-05 DE DE3925970A patent/DE3925970A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-07-31 DE DE59009764T patent/DE59009764D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-31 EP EP90114643A patent/EP0412408B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-03 KR KR1019900011912A patent/KR910004780A/ko not_active Withdrawn
- 1990-08-03 US US07/562,600 patent/US5118538A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-04 JP JP2207488A patent/JP2679861B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| CN102492308A (zh) * | 2011-11-14 | 2012-06-13 | 湖北华丽染料工业有限公司 | 一种复合活性黑染料及其制备和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2679861B2 (ja) | 1997-11-19 |
| EP0412408A2 (de) | 1991-02-13 |
| EP0412408A3 (en) | 1991-12-04 |
| EP0412408B1 (de) | 1995-10-11 |
| DE3925970A1 (de) | 1991-02-07 |
| KR910004780A (ko) | 1991-03-29 |
| DE59009764D1 (de) | 1995-11-16 |
| US5118538A (en) | 1992-06-02 |
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