JPH0370373A - 電子スチルカメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、電子スチルカメラに関し、特に撮影した静止
画をメモリカードに記憶する電子スチルカメラに関する
。

［従来の技術］ 従来の電子スチルカメラとしては、例えば電子スチルカ
メラ本体に着脱自在にメモリカードを設けるとともにカ
メラ本体内に撮像素子から得られる高速の信号を一旦記
憶するための半導体メモリを内蔵するものがある。

半導体メモリは一画面分の記憶容量を有しており、この
半導体メモリ内に格納された画像信号は撮像素子から半
導体メモリへ格納する速度より遅い速度でメモリカード
に格納される。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来の電子スチルカメラにあ
っては、カメラ本体内に内蔵する半導体メモリの記憶容
量は、■画面分の容量となっているため、スペースをと
り、カメラ本体が大型化し、また消費電力も多くなると
いう問題点があった。

このため、一画面の容量をもつ半導体メモリを介在させ
ずに撮像素子から直接メモリカードに画像信号を格納す
るようにすると、メモリカードの動作スピードに合わせ
るために撮像素子からの読み出しスピードを遅くする必
要があり、この場合には、暗電流が増加し、Ｓ／Ｎ比が
悪化するという問題点が生じる。

本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであって、半導体メモリの容量を小容量にしてカメラ
本体の小型化を図り、また電力消費が少なくてすみ、か
つＳ／Ｎ比が悪化することがない電子スチルカメラを提
供することを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、本発明は、アナログ画像信
号を出力する撮像素子と、アナログ画像信号をデジタル
画像信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、該Ａ／Ｄ変換手
段の出力を画素単位で交互に保持し出力する２つの保持
手段と、カメラ本体内に内蔵され該保持手段の一方の出
力を格納する１画面分の記憶容量より小さい記憶容量の
半導体メモリ手段と、カメラ本体に脱着自在に挿入され
前記保持手段の他方の出力を格納するとともに前記半導
体メモリ手段の格納終了後にその内容が格納されるメモ
リカードと、を備えたものである。

また本発明は、アナログ画像信号を出力する撮像素子と
、アナログ画像信号をデジタル画像信号に変換するＡ／
Ｄ変換手段と、該Ａ／Ｄ変換手段の出力をライン単位で
交互に保持し出力する保持手段と、カメラ本体内に内蔵
され１画面分の記憶容量より小さい記憶容量の半導体メ
モリ手段と、カメラ本体に脱着自在に挿入され前記保持
手段の出力を格納するとともに前記半導体メモリ手段の
格納終了後にその内容が格納されるメモリカードと、を
備えたものである。

［作用］ 本発明においては、撮像素子からの画像信号を画素単位
またはライン単位で交互に保持し、出力する保持手段を
備え、カメラ本体に内蔵した半導体メモリ手段と、カメ
ラ本体に着脱自在に挿入されるメモリカードに画像信号
を交互に書き込むようにしたため、半導体メモリ手段の
記憶容量を一画面分の記憶容量より小さくすることがで
きる。

したがって、スペースを確保することができるので、カ
メラ本体を小型化することができ、また消費電力が少な
くてすむ。

また、撮像素子からの画像信号の読み出しスピードを遅
くする必要がないので、暗電流が増加することがなく、
Ｓ／Ｎ比が悪化することがない。

［実施例コ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図〜第４図は本発明の一実施例を示す図である。

まず、構成を説明すると、第１図において、１は撮像レ
ンズ、２は撮像レンズ１を介して入射する光を電気信号
に変換して画像信号として出力する撮像素子、例えばＣ
ＣＤである。ここではＣＣＤ２として、例えば水平７６
８画素、垂直４９０画素（公称３８万画素）、駆動周波
数４Ｘｆｓｃ（ｆｓｃ：色副搬送周波数、３．５７９５
４５ＭＨｚ　）　（７）ものを用いる。

３はＣ０Ｄ２からの画像信号が入力する前処理回路であ
り、前処理回路３は、γ補正などの前処理を行なう。

４は例えば動作周波数４Ｘｆｓｃ、分解能８ビツトのＡ
／Ｄ変換器（Ａ／Ｄ変換手段）であり、Ａ／Ｄ変換器４
は前処理回路３の出力をデジタル、画像信号に変換する
。Ａ／Ｄ変換器４には、第２図（Ａ）で示すようなりロ
ックＣＬＫＩが入力し、このクロックＣＬＫＩの周波数
は前述した４Ｘｆ＄Ｃである。したがって、Ａ／Ｄ変換
器４は１，２゜３、・・・の数字で示すＣ０Ｄ２の各画
素の位置に対応した画像信号を出力する。

５はＡ／Ｄ変換器４の出力が入力する一方のラッチ回路
であり、このラッチ回路５は、第２図（Ｂ）で示すよう
なりロックＣＬＫＩの１／２の周波数のクロックＣＬＫ
２で画像信号をラッチし、出力する。したがって、この
ラッチ回路５は、各画素の偶数の位置に対応する画像信
号をラッチし、出力する。６はＡ／Ｄ変換器４の出力が
入力する他方のラッチ回路であり、このラッチ回路６は
第２図（Ｃ）で示すようなりロックＣＬＫＩの１／２の
周波数でクロックＣＬＫ２とは位相が１８００反転して
いるクロックＣＬＫ３で画像信号をラッチし、出力する
。したがって、このラッチ回路６は各画素の奇数の位置
に対応した画像信号をラッチし、出力する。したがって
、ラッチ回路５およびラッチ回路６は、全体としてＡ／
Ｄ変換器４の出力を画素単位で交互に保持し出力する保
持手段１２を構成している。

７は一方のラッチ回路５の出力が入力する半導体メモリ
（半導体メモリ手段）であり、半導体メモリ７は、カメ
ラ本体内に内蔵され、その記憶容量が１画面分の記憶容
量より小さくなるように、ここでは１／２となるように
構成されている。

８はカメラ本体に着脱自在に挿入されるメモリカードで
あり、メモリカード８には他方のラッチ回路６からの出
力が入力する。そして、半導体メモリ７に画像信号の格
納が終了すると直ちにメモリカード８には半導体メモリ
７の画像信号が移転して格納されるようになっている。

９はＤ／Ａ変換器であり、Ｄ／Ａ変換器９は半導体メモ
リ７からの画像信号をアナログ信号に変換する。アナロ
グ信号に変換された画像信号は液晶モニタ１０でモニタ
される。１１はデータ発生回路であり、データ発生回路
１１は、撮影番号、日付け、撮影条件などのデータを発
生して、メモリカード８の画像信号に対応した所定の領
域に出力する。

なお、前記ラッチ回路５，６、半導体メモリ７およびメ
モリカード８の入力段にラッチ回路５゜６と同様な機能
がある場合には省略することができる。

次に、動作を説明する。

撮像レンズ１を介して入射する光は、駆動周波数４Ｘｆ
ｓｃのＣＣＤ２で電気信号に変換されて、アナログ画像
信号として出力される。ＣＣＤ２からの出力はγ補正な
どを行なう前処理回路３で前処理された後に、動作周波
数が４ＸｆｓｃのＡ／Ｄ変換器４によりデジタル信号に
変換される。Ａ／Ｄ変換器４の出力は、一方のラッチ回
路５で第２図（Ｂ）で示すクロックＣＬＫ２でラッチさ
れ、また他方のラッチ回路６で第２図（Ｃ）で示すクロ
ックＣＬＫ３でラッチされる。

ラッチ回路５の出力は、半導体メモリ７内に格納される
。半導体メモリ７内の画像信号の格納状態は、第３図（
Ａ）に示され、Ｃ０Ｄ２の各画素の偶数の位置に対応す
る画像信号が格納される。

一方、他方のラッチ回路６の出力は、メモリカード８内
に格納され、その格納状態は第３図（Ｂ）に示される。

すなわち、メモリカード８内には、ＣＣＤ２の各画素の
偶数の位置に対応する画像信号が格納される。これによ
りＣ０Ｄ２の駆動の１７２の周波数により半導体メモリ
７およびメモリカード８にリアルタイムで半分ずつ画像
信号が格納される。

半導体メモリ２およびメモリカード８への書き込みが終
了すると直ちに今度は半導体メモリ７の内容をメモリカ
ード８ヘクロツクＣＬＫ３のタイミングで書き込む。こ
の書き込みしたときのメモリカード８の画像信号の配列
状態を第４図に示す。

すなわち、奇数の画像信号の後に偶数の画像信号が書き
込まれる。

半導体メモリ７内に書き込まれた画像信号は、２Ｘｆｓ
ｃのクロックでＤ／Ａ変換器９によりアナログ信号に変
換され、液晶モニタｌＯに出力される。なお、液晶モニ
タ１０では半分の画像信号でモニタすることになるが、
画素数が多いことから、モニタするのに特に不具合は生
じない。

このように、カメラ本体内に内蔵する半導体メモリ７の
記憶容量を一画面の１／２の記憶容量とすることができ
るので、スペースを充分確保することができ、カメラ本
体を小型化することができる。また、電力消費を少なく
することができる。

また、ＣＣＤ２の駆動の１／２の周波数で半導体メモリ
７およびメモリカード８に書き込むことができ、ＣＣＤ
２からの読み出しスピードを遅くする必要がないので、
Ｓ／Ｎ比が悪化することがない。

次に、第５図は本発明の他の実施例を示す図である。本
実施例は、第１図のラッチ回路をなくし又ラッチ回路６
の代りにラインメモリ１４を用いたものである。

第５図において、１４はラインメモリであり、このライ
ンメモリ１４と半導体メモリ７が全体としてＡ／Ｄ変換
器４の出力をライン単位で交互に保持し、出力する保持
手段１３を構成している。

半導体メモリ７およびメモリカード８には１ライン毎に
交互に４Ｘｆｓｃのクロックでもって画像信号が書き込
まれ、一方、ラインメモリ１４に書き込まれた画像信号
は書き込み開始とほぼ同時に今度は（４ｘｆｓｃ）の１
／２の周期の読み出し用クロックでメモリカード８へ移
し変えていく。

半導体メモリ７は高速動作が可能であるのでＣＣＤ２か
らの１ラインおきの画像信号が４Ｘｆｓｃのスピードで
書き込まれる。

このようにして半導体メモリ７とメモリカード８には一
画面のうちの各フィールド画像が書き込まれるので、こ
の書き込みの終了後、半導体メモリ７からメモリカード
８へ半導体メモリ７の内容を２Ｘｆｓｃのクロックで移
し替える。

本実施例においても前記実施例と同様な効果を得ること
ができる。その他の構成は前記実施例と同様である。

なお、実施例では、画素単位またはライン単位で交互に
画像信号を保持し出力する例について説明したが、交互
でないように画像信号を分離して格納することもできる
が、この場合には後でメモリカード８の画像信号を元の
配置とするタイミングが複雑となるため、実用的ではな
い。

また、半導体メモリ７の記憶容量を一画面分の１／２と
する場合について説明したが、これに限らず、メモリカ
ード８の動作周波数に応じて増減することができる。

また、デジタル情報を直交変換などを利用した圧縮技術
を用いて圧縮するようにすれば、半導体メモリ７の記憶
容量をさらに減らすことができるとともに、メモリカー
ド８に記録することができる駒数も大幅に増加すること
ができる。

［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、カメラ本体
内に一画面の記憶容量より小さい記憶容量の半導体メモ
リを内蔵するようにしたため、スペースを確保すること
ができ、カメラ本体の小型化を図ることができ、また、
電力消費が少なくと済む。

また、ＣＯＤからの読み出しスピードを遅くする必要が
ないので、Ｓ／Ｎ比が悪化することがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
使用するクロックの説明図、 第３図（Ａ）は半導体メモリ内の格納状態を示す図、 第３図（Ｂ）はメモリカード内の格納状態を示す図、 第４図はメモリカード内の１画面分の格納状態を示す図
、 第５図は従来例を示す図である。 図中、 １・・・撮像レンズ、 ２・・・ＣＣＤ　（撮像素子）、 ３・・・前処理回路、 ４・・・Ａ／Ｄ変換器（Ａ／Ｄ変換手段）、５．６・・
・ラッチ回路、 ７・・・半導体メモリ（半導体メモリ手段）、８・・・
メモリカード、 ９・・・Ｄ／Ａ変換器、 １０・・・液晶モニタ、 １１・・・データ発生回路、 １２．１３・・・保持手段、 １４・・・ラインメモリ。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）アナログ画像信号を出力する撮像素子と、アナロ
   グ画像信号をデジタル画像信号に変換するＡ／Ｄ変換手
   段と、該Ａ／Ｄ変換手段の出力を画素単位単位で交互に
   保持し出力する２つの保持手段と、カメラ本体内に内蔵
   され該保持手段の一方の出力を格納する１画面分の記憶
   容量より小さい記憶容量の半導体メモリ手段と、カメラ
   本体に脱着自在に挿入され前記保持手段の他方の出力を
   格納するとともに前記半導体メモリ手段の格納終了後に
   その内容が格納されるメモリカードと、を備えたことを
   特徴とする電子スチルカメラ。
2. （２）アナログ画像信号を出力する撮像素子と、アナロ
   グ画像信号のデジタル画像信号に変換するＡ／Ｄ変換手
   段と、該Ａ／Ｄ変換手段の出力をライン単位で交互に保
   持し出力する保持手段と、カメラ本体内に内蔵され１画
   面分の記憶容量より小さい記憶容量の半導体メモリ手段
   と、カメラ本体に脱着自在に挿入され前記保持手段の出
   力を格納するとともに前記半導体メモリ手段の格納終了
   後にその内容が格納されるメモリカードと、を備えたこ
   とを特徴とする電子スチルカメラ。
3. （３）前記１画面分の記憶容量より小さい記憶容量の半
   導体メモリ手段の記憶容量は、１画面分の１／２である
   事を特徴とする請求項１又は２記載の電子スチルカメラ
   。