JPH0371759B2 - - Google Patents

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JPH0371759B2
JPH0371759B2 JP60144909A JP14490985A JPH0371759B2 JP H0371759 B2 JPH0371759 B2 JP H0371759B2 JP 60144909 A JP60144909 A JP 60144909A JP 14490985 A JP14490985 A JP 14490985A JP H0371759 B2 JPH0371759 B2 JP H0371759B2
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
reflectance
insulating layer
film
layer
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60144909A
Other languages
English (en)
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JPS625598A (ja
Inventor
Koji Taniguchi
Masaru Yoshida
Koichi Tanaka
Takashi Ogura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP60144909A priority Critical patent/JPS625598A/ja
Publication of JPS625598A publication Critical patent/JPS625598A/ja
Publication of JPH0371759B2 publication Critical patent/JPH0371759B2/ja
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は背面黒化薄膜FL素子に関するもので
ある。
<従来技術> 薄膜EL素子は、高輝度、高い信頼性および高
精細度の故に、高度情報化社会における平面情報
表示素子として注目を集めている。背面電極によ
る外部光の反射に基づく表示品質の低下を防止す
る目的で発光層と背面電極間に光吸収層を設け、
明るい環境下でも高いコントラストを維持できる
薄膜EL素子(背面黒化薄膜EL素子)の研究開発
が進められている。光吸収層−透明膜層界面での
反射率は零であることが理想であるが、現状は数
%程度の反射を示す。さらに、薄膜EL素子等に
於けるように薄膜に於いては、干渉効果により可
視光全域にわたり同一反射率とはならず、その結
果、干渉色が表われる。光吸収層のない通常の薄
膜EL素子と比べ、反射率の絶対値は低いが、波
長による変化率が大きいため顕著に感じられる。
図で表わすと、第2図a(非背面黒化薄膜EL素
子)と第2図b(従来技術による背面黒化薄膜EL
素子)とを比べると、bでは緑色に見えるが、a
では白色である。
<発明の目的> 本発明は上記の点に鑑みてなされたものであ
り、素子を構成する透明膜の光路長(屈折率と膜
厚の積)を変えることにより外部光の反射スペク
トルを制御し、背面「黒化」の名にふさわしい薄
膜EL素子を提供することを目的とするものであ
る。
<発明の構成> すなわち、本発明の薄膜EL素子は、背面黒化
薄膜EL素子に於いて、外部光の反射率が波長
5000〜6000Åにおいて最小となるように素子構成
薄膜の光路長を制御したことを特徴とするもので
ある。
<実施例> まず、多層構造における反射率を示し、次い
で、反射率最小波長を〜5500Åとするための光路
長の条件を示し、その後、膜厚制御による実施例
を示す。
素子構造の一例である、ガラス/ITO/下部絶
縁層(Y2O3)/発光層(ZnS:Mn)/上部絶縁
層(Y2O3)/光吸収層/Alについて述べる。
第1図aに上記構造を示す。図に於いて、1は
ガラス基板、2は透明電極(ITO)、3は下部絶
縁層(Y2O3)、4は発光層(ZnS:Mn)、5は上
部絶縁層(Y2O3)、6は光吸収層(黒化膜)、7
は背面電極である。各界面での反射係数r及び反
射率Rは図に示すようになる。これから、反射率
スペクトルを主として支配する要素は、ZnS/
Y2O3界面およびY2O3/光吸収層界面での反射で
ある事が明らかであり、以後、第1図bに示す素
子モデルにより反射スペクトルの導出を行う。
第1図bに示される多層膜に於ける反射率Rの
一般式は次のようになる。
R=1+{(γ2 0−1)(γ2 1−1)(γ2 2−1)/D} 〔但し、D=1+(γ0・γ12+(γ1・γ22+(
γ2
γ02−2γ1・γ2(1+γ2 0)cosε2−2γ0・γ1(1

γ2 2)cosε1+2γ2・γ0{cos(ε1+ε2)+γ2 1cos
(ε1
ε2)} …(1)式 ε1=4πn1・d1/λ、ε2=4πn2・d2/λ〕 ところで、ε1,ε2の値は薄膜EL素子の一般的
サイズを考慮する必要がある。
λ・ε1/2π=2×nY2O3×dY2O3 (ただし、nY2O3=Y2O3の屈折率、dY2O3=Y2O3
の膜厚) =2×1.79×(1000〜3000Å) =3580〜10740Å λ・ε2/2π=2×nZoS×dZoS (ただし、nZoS=ZnSの屈折率、dZoS=ZnSの膜
厚) =2×2.65×(5000〜10000Å) =26500〜53000Å すなわち、反射率Rは、cosε1により支配され
る、波長の変化に対しゆるやかな増減の成分と、
cosε2およびcos(ε1+ε2)により支配される、波
長の少しの変化に対し増減を繰り返す成分とに分
離される。ここで、cos(ε1−ε2)の項は、界面の
反射係数の4次の係数γ2・γ0・γ2 1が乗ぜられてい
るので無視できる。すなわち、白色の外部光に対
する反射光の色度を決定するのは、上記(1)式にお
ける、−2γ0・γ1(1+γ2 2)cosε1の項であること

わかる。
各層の屈折率の大小および金属物質表面での反
射光の位相反転を考慮すると、反射係数γ0,γ1
よびγ2は、それぞれγ0<0,γ1>0およびγ2<0
であり、したがつて、cosε1=−1の場合、Rは
最小になる。
すなわち、cosε1=−1を満たす波長が視感度
の最も高い5500Åであれば、反射光の輝度が最小
になり、且つ緑色成分が除去され、色度的にも都
合がよくなる。
さらに、n1・d1を小さくすれば、cosε1=1(R
が最大)を満たす波長を赤外および紫外にする事
が可能となり、実質的に黒化背面を有する薄膜
EL素子が得られる。
すなわち、 2・nY2O3・dY2O3/5500Å=m+1/2(mは整数) になるように、上部絶縁層(Y2O3)膜厚の制御
を行う事により、光吸収層表面での反射係数が零
でない現実においても十分な黒化が可能であるこ
とがわかる。
m=1となるように、nY2O3・dY2O3=4125Åと
した場合の反射率スペクトルを第3図に示す。
本発明によらず、光路長の制御を行わないと、
緑色、黄色、赤色等、種々の反射光が生じ、素子
の品質低下が著しい。
<発明の効果> 以上詳細に説明したように、本発明によれば、
背面「黒化」の名にふさわしい表示品質の優れた
薄膜EL素子を得ることができるものである。
なお、多層膜中の界面での反射係数自体を低減
すれば、光路長の制御の重要性は少なくなるが、
反射係数を決める屈折率は物質固有であり、材料
の選択もしくは無反射コーテイングのための層の
数の増加による素子作成コスト等、種々の問題が
残り、実用性の点で本発明の有効性は明らかであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図aは背面黒化薄膜EL素子の構造並びに
同素子に於ける各構成層間界面の反射係数及び反
射率を示す図、第1図bは第1図aに於ける反射
率スペクトルを求めるために簡単化した薄膜EL
素子構造を示す図、第2図は非背面黒化薄膜EL
素子aと従来技術による背面黒化薄膜EL素子b
の反射率スペクトルを示す図、第3図は本発明の
実施例による反射率スペクトルを示す図である。 符号の説明、1…ガラス基板、2…透明電極
(ITO)、3…下部絶縁層(Y2O3)、4…発光層
(ZnS:Mn)、5…上部絶縁層(Y2O3)、6…光
吸収層(黒化膜)、7…背面電極(Al)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 透明電極と背面電極との間に薄膜発光層が配
    置され、 該薄膜発光層と背面電極との間に、薄膜発光層
    に接して絶縁層が、背面電極に接して光吸収層が
    それぞれ配置された薄膜EL素子において、 前記絶縁層の膜厚dは次式を満たすことを特徴
    とする薄膜EL素子。 2・n・d/λ=m+1/2 (但し、nは絶縁層の屈折率、5000Å≦λ≦
    6000Å、またmは整数である。
JP60144909A 1985-07-01 1985-07-01 薄膜el素子 Granted JPS625598A (ja)

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JPS625598A JPS625598A (ja) 1987-01-12
JPH0371759B2 true JPH0371759B2 (ja) 1991-11-14

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2553696B2 (ja) * 1989-03-24 1996-11-13 松下電器産業株式会社 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5855635B2 (ja) * 1979-09-29 1983-12-10 シャープ株式会社 薄膜el素子
JPS5855636B2 (ja) * 1979-10-15 1983-12-10 シャープ株式会社 薄膜el素子
DE3231727A1 (de) * 1981-09-21 1983-04-07 Sun Chemical Corp., New York, N.Y. Elektrolumineszente anzeigevorrichtung
JPS61220293A (ja) * 1985-03-26 1986-09-30 日産自動車株式会社 薄膜el素子

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JPS625598A (ja) 1987-01-12

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