JPH0372651A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止型半導体装置に関するものであり、
特に半導体基板の主表面の端部に形成された素子に加え
られる樹脂硬化による機械的ストレスを緩和する構造に
関するものである。

［従来の技術および発明が解決しようとする課題］第５
図は従来の樹脂封止型半導体装置の正面断面図である。

第５図に示すように、半導体チップ１は金属板であるダ
イパッド２上に半田付けによって固着されている。半導
体チップ１は半導体基板の主表面に形成された集積回路
に表面保護膜を堆積したものである。半導体チップ１の
両側面側には、外部リード３がある。半導体チップ１の
主表面の端部には、ポンディングパッド４があり、ポン
ディングパッド４と外部リード３とはワイヤ５によって
電気的に接続されている。半導体チップ１、ダイパッド
２、外部リード３の一部、ポンディングパッド４および
ワイヤ５は樹脂６によって封止されている。

第６図はこの半導体装置の平面図である。第６図に示す
ようにダイパッド２の表面上に半導体チップ１が固着さ
れている。半導体チップ１の主表面の端部には複数個の
ポンディングパッド４が形成されている。半導体チップ
１の両側面側には複数本の外部リード３があり、外部リ
ード３とポンディングパッド４とはワイヤ５によって電
気的に接続されている。半導体チップ１、ダイパッド２
、外部リード３の一部、ポンディングパッド４およびワ
イヤ５は樹脂６によって封止されている。

第７図は第６図中の矢印■で示す部分を拡大した図であ
る。この部分にはＭＯＳ　（Ｍｅ　ｔ　ａ　１０ｘｉｄ
ｅ　　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電界効果トランジ
スタがある。゛Ｉ！、導体払板７の主表血にはソース領
域８およびドレイン領域９が形成されている。ソース領
域８およびドレイン領域９は、半導体基板７の主表面中
にｎ型またはｐ型の不純物を拡散させることによって形
成する。ソース領域８は、コンタクトホールを介してア
ルミニウム配線層１５と電気的に接続している。ドレイ
ン領域９はコンタクトホールを介してアルミニウム配線
層１６と電気的に接続している。ソース領域８とドレイ
ン領域９との間にあるチャネル形成領域の上にはポリシ
リコンからなるゲート電極１０が形成されている。ゲー
ト電極１０の端部は、コンタクトホールを介してアルミ
ニウム配線層１７と電気的に接続している。アルミニウ
ム配線層１７は、アルミニウムからなるポンディングパ
ッド４と電気的に接続している。堆積したアルミニウム
をパターニングすることにより、ポンディングパッド４
とアルミニウム配線層１７とにする。よってポンディン
グパッド４とアルミニウム配線層１７とは、同時に形成
される。ポンディングパッド４と外部リード３とはワイ
ヤ５によって電気的に接続されている。半導体基板７の
主表面のうち、ソース領域８とドレイン領域９以外の部
分には、ソース領域８とドレイン領域９とを間に挾むよ
うに素子分離絶縁膜であるフィールド酸化膜１１ａと１
１ｂが形成されている。

第８図は第７図を矢印■方向に切断した状態の断面図で
ある。第８図に示すようにダイパッド２の主表面には半
導体基板７が固着されている。半導体基板７の主表面に
はフィールド酸化膜１１ａ。

１１ｂがあり、フィールド酸化膜１１ａとフィールド酸
化膜１１ｂとの間には薄いゲート酸化膜１２が形成され
ている。フィールド酸化膜１１ａ１１１ｂとゲート酸化
膜１２の上にはゲート電極１０が形成されている。ゲー
ト電極１０の上には、層間絶縁膜１３が堆積されている
。層間絶縁膜１３はリンガラスからなる。ゲート電極１
３の端部の上にある層間絶縁膜１３には、コンタクトホ
ール１８が形成されている。層間絶縁膜１３の上にはア
ルミニウム配線層１７が形成されている。アルミニウム
配線層１７とゲート電極１０とは、コンタクトホール１
８に充填されたアルミニウムを介して電気的に接続して
いる。層間絶縁膜１３およびアルミニウム配線層１７の
上には、パッシベーション膜１４が堆積されている。パ
ッシベーション膜１４が表面保護膜の役割を果たす。

ところで半導体チップを封止する方法として、樹脂を用
いて封止する方法とセラミックバ・ソケージ等を用いて
気密封止する方法とがある。樹脂はセラミックパッケー
ジに比べ低価格なので、半導体チップを封止する方法と
して樹脂を用いて封止する方法が広く使われている。

しかし樹脂封止型半導体装置においては、樹脂硬化によ
る機械的ストレスが半導体素子に加わり、これにより半
導体素子の電気的特性が劣化することが知られている。

このことを実験結果を用いて説明する。

この実験をＴＥＧ　（Ｔｅｓｔ　　ＥｌｅｍｅｎｔＧｒ
ｏｕｐ）チップに形成されたＭＯＳキャノくシタを用い
て行なった。ＴＥＧチ・ソプとは、半導体基板上に素子
や配線等を形成したものである。

ＴＥＧチップの用途の一例を説明する。新規寸法のＭＯ
Ｓ）ランジスタを半導体装置に応用する前に、予めＴＥ
ＧチップにそのＭＯＳ）ランジスタを形成し、各種信頼
性試験を行なう。そして、そのＭＯＳトランジスタの信
頼性が確認できれば、失踪にそのＭＯＳトランジスタを
半導体装置に応用するのである。

第９図は、ＴＥＧチップに形成されたＭＯＳキャパシタ
の断面図である。ＭＯＳキャパシタ２７は、ｐ型シリコ
ン基板２１の上に薄い酸化膜２３を形成し、薄い酸化膜
２３の上にポリシリコンからなる電極２４を形成したも
のである。薄い酸化膜２３の両端にはフィールド酸化膜
２２ａ、２２ｂが形成されている。ポリシリコンからな
る電極２４の一方の端部の上にはアルミニウムからなる
電極２５が形成されている。ｐ型シリコン基板２１は接
地されている。アルミニウム電極２５には直流電源が接
続されており、電流源２６の＋はアルミニウム電極２５
に、−は接地されている。

このようなＭＯＳキャパシタを備えた樹脂封止されたＴ
ＥＧチップと、このようなＭＯＳキャパシタを備えた樹
脂封止されていないＴＥＧチップとを用意した。これら
のＴＥＧチップに形成されたＭＯＳキャパシタに定電流
を流し続けることにより、ＭＯＳキャパシタに電気的ス
トレスを与え、ＭＯＳキャパシタのフラットバンド電圧
を一定量シフトさせた。フラットバンド電比とは、ゲー
ト電極のフェルミ準位と、ゲート酸化膜を介してゲート
電極と対向する半導体基板の部分のフェルミ準位とを等
しくするために、ゲート電極に印加すべき外部電圧の大
きさのことを言う。半導体素子のフラットバンド電圧が
シフトすると、半導体素子の電気的特性が劣化する。

フラットバンド電圧をシフトさせるにはどの位の時間を
要するのかを、定電流密度１０ｐＡ／ｃｒｎ２．２０ｐ
Ａ／ｃｍ２．４０ｐＡ／ｃｍ２についてそれぞれ測定し
た。フラットバンド電圧をシフトさせる量はすべての場
合について同一である。

なお定電流密度とは、定電流の値をポリシリコン電極２
４のうち、薄い酸化膜２３の上にある部分の面積で割っ
た値である。定電流密度１０ｐＡ／ｃｍ２において、樹
脂封止されていないＴＥＧチップのＭＯＳキャパシタの
フラットバンド電圧を一定量シフトさせるのに要する時
間を１００とする。

第１０図はその結果を示すグラフである。点線が、樹脂
脚封止されていないＴＥＧチップのＭＯＳキャパシタの
実験結集を示し、実線が樹脂封止したＴＥＧチップのＭ
ＯＳキャパシタの実験結果を示している。第１０図に示
すように、定電流密度が４０ｐＡ／ｃｍ２以外は、樹脂
封１１−されていないＴＥＧチップのＭＯＳキャパシタ
の方が、樹脂封ＩＬシたＴＥＧチップのＭＯＳキャパシ
タよりも、フラットバンド電圧をシフトさせるには長時
間要することがわかる。先はど説明したようにフラット
バンド電圧がシフトすると半導体素子の電気的特性は劣
化する。したがって樹脂封止型の半導体装置の方が気密
封止型の半導体装置よりも電気的特性の劣化は速い。

ところで樹脂封止型半導体装置においては、半導体基板
の主表面の端部に形成されている素子の方が、半導体基
板の主表面の中央部に形成されている素子よりも電気的
特性の劣化は速い。これは以下の理由によるものと思わ
れる。つまり樹脂封止による機械的ストレスは第８図中
の矢印Ａに示すように半導体基板７の上面、下面および
側面方向から加わる。このうち上面方向と下面方向から
加わる機械的ストレスは、半導体基板の主表面に形成さ
れている素子全部に均等にかかる。これに対し側面方向
からかかる機械的ストレスは、半導体基板の主表面の端
部にある素子には強くかかるが、半導体基板の主表面の
中央部にある素子にはあまりかからない。したがって半
導体基板の主表面の中央にある素子よりも半導体基板の
主表面の端部にある素子の方が機械的ストレスは強くか
かる。したがって半導体裁板の主表面の中央にある素子
よりも半導体基板の主表面の端部にある素子の方が電気
的特性の劣化は速い。

特に、半導体基板の端部から１００μｍ以内の位置にあ
る素子は、機械的ストレスに起因した電気的特性の劣化
が速くなる。半導体装置の高集積化により、半導体基板
の端部から１００μｍ以内の位置にも素子は形成されて
いるので、機械的ストレスが原因となる半導体素子の電
気的特性劣化の問題は大きくクローズアップされてきて
いる。

０ この発明はかかる従来の問題点を解決するためになされ
たもので、その目的は半導体基板の主表面の端部に形成
されている素子に加わる機械的ストレスを緩和する構造
を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することである。

［課題を解決するための手段］ この発明は、樹脂によって半導体チップを封止している
樹脂封止型半導体装置であって、主表面を有する半導体
基板と、半導体基板の主表面の端部近傍に形成された素
子と、素子を電気的に絶縁分離するために、素子の周囲
を囲むように、主表面上に形成された素子分離絶縁膜と
を備えている。

半導体基板の側縁と、側縁側に向く素子分離絶縁膜の外
縁との間に位置する半導体基板の主表面上であって、素
子分離絶縁膜から離れたところに位置する領域には、四
部が形成されている。この半導体装置は、凹部に充填さ
れ、かつ半導体基板の材料よりも弾性係数が小さい材料
で作られた緩衝部材を備えている。

［作用］ １ この発明の作用を第１１図を用いて説明する。

第１１図は半導体基板の端部付近の断面図である。

第１１図に示すように半導体基板３１の主表面にはフィ
ールド酸化膜３２ａ、３２ｂが形成されている。フィー
ルド酸化膜３２ａと３２ｂとの間には、薄い酸化膜３３
が形成されている。薄い酸化膜３３の部分が素子形成領
域となる。半導体基板３１の主表面のうち、フィールド
酸化膜３２ａと半導体基板３１の端部３１ａとの間には
凹部３４が形成されている。四部３４には半導体基板３
１よりも弾性係数が小さい緩衝部伺３５が充填されてい
る。凹部３４とフィールド酸化膜３２ａとの間には、矢
印Ｂで示す半導体基板の一部分がある。

半導体基板３１は樹脂３６で封止されている。

緩衝部材３５は半導体基板３１よりも弾性係数が小さい
ので、応力σと歪εと弾性係数Ｅとの間の関係式σ−Ｅ
εから明らかなように、緩衝部材３５の方が半導体基板
３１よりも軟らかい。よって緩衝部材３５の方が半導体
基板３１よりも機械的ストレスを吸収しやすい。よって
樹脂硬化によ２ り半導体基板３１の側部３１ａにかかる矢印Ｃで示す機
械的ストレスが矢印Ｂで示す半導体基板の一部分に伝達
されるまでに弱められる量は、フィールド酸化膜３２ａ
から半導体基板３１の端部３１ａまでの間に緩衝部材３
５を設けていると、大きくなる。これに対し、フィール
ド酸化膜３２ａから半導体基板３１の端部３１ａまでの
間が半導体基板３１のみの場合は大きくならない。した
がってフィールド酸化膜３２ａから半導体基板３１の端
部３１ａまでの間に緩衝部材３５を設けた方が、設けな
い場合に比べ素子形成領域である薄い酸化膜３３の部分
にかかる機械的ストレスは小さくなる。

なおフィールド酸化膜３２ａと四部３４との間に矢印Ｂ
で示す半導体基板３１の一部分が位置するようにしたの
は、以下の理由によるものである。

つまりフィールド酸化膜３２ａの方が半導体裁板３１よ
りも軟らかい。このためフィールド酸化膜３２ａと凹部
３４がつながっていると、緩衝部材３５に仏わったスト
レスはフィールド酸化膜３２３ ａに伝達され、素子形成領域である薄い酸化膜３３の部
分に伝達されてしまう。そこでフィールド酸化膜３２ａ
と四部３４との間に矢印Ｂで示す半導体基板３１の一部
分が位置するようにし、緩衝部材３５に吸収され弱めら
れた機械的ストレスを矢印Ｂで示す半導体基板３１の一
部分で阻止し、素子形成領域である薄い酸化膜３３まで
機械的ストレスが伝達されないようにしているのである
。

［実施例］ 第１図は、この発明に従った樹脂封止型半導体装置の一
実施例のシリコン基板の端部付近の断面図である。ゲー
ト酸化膜４３のところにＭＯ８電界効果トランジスタが
形成されている。シリコン基板４１の底面部はダイパッ
ド４０と呼ばれる金属板に半田付けされている。シリコ
ン基板４１の主表面にはフィールド酸化＃４２ａ、４２
ｂ、４２ｃが形成されている。フィールド酸化膜４２ａ
が緩衝部材となる。フィールド酸化膜４２ｂと４２０と
の間には薄いゲート酸化膜４３が形成されており、フィ
ールド酸化膜４２ａと４２ｂとの間４ にはシリコン酸化膜４４が形成されている。

フィールド酸化膜４２ｂ、４２ｃおよびゲート酸化膜４
３の上にはポリシリコンからなるゲート電極４５が形成
されている。第１図はゲート電極４５に沿ってシリコン
基板４１を切断した状態の図なので、ソース領域とドレ
イン領域は現われていない。ゲート電極４５、フィール
ド酸化膜４２ａ、４２ｂｓ　４２ｃおよびシリコン酸化
膜４４の上にはリンガラスからなる層間絶縁膜４６が形
成されている。フィールド酸化膜４２ｂの上にある層間
絶縁膜４６にはコンタクトホール４８が形成されている
。コンタクトホール４８は、フィールド酸化膜４２ｂの
上にある層間絶縁膜４６に反応性イオンエツチングを施
すことによって形成される。層間絶縁膜４６の上には、
アルミニウム配線層４つが形成されている。アルミニウ
ム配線層４つとゲート電極４５とは、コンタクトホール
４８に充填されたアルミニウムによって電気的に接続し
ている。層間絶縁膜４６およびアルミニウム配線層４つ
の上には、窒化珪素からなるバッシベー５ ジョン膜４７が形成されている。このような状態の半導
体基板４１が樹脂５２によって封止されている。

シリコン基板４１はシリコンからなり、シリコンの縦弾
性係数は１゜７ｘ　１０”　　ｄｙｎ／ｃｍ２である。

フィールド酸化膜４２ａは二酸化シリコンからなり、二
酸化シリコンの縦弾性係数は０゜７Ｘ１０”　　ｄｙｎ
／ｃｍ２である。したがッテフィールド酸化膜４２ａの
方がシリコン基板４１よりも軟らかい。したがって、樹
脂硬化により、シリコン基板４１の側部を押す第１図中
の矢印りで示す機械的ストレスはシリコン基板４１の側
面からフィールド酸化膜４２ａに伝わり、フィールド酸
化膜４２ａに吸収され弱まる。さらにフィールド酸化膜
４２ａと４２ｂとの間には、矢印Ｅで示すシリコン基板
４１の一部分がある。シリコン基板４１はフィールド酸
化膜４２ａ、４２ｂより硬い。したがって弱められた機
械的ストレスは矢印Ｅで示すシリコン基板４１の一部分
によって、ＭＯ８電界効果トランジスタが形成されてい
るゲ６ 一ト酸化膜４３の部分に伝達するのを妨げられる。

シリコン基板の端部から１．００μｍ以内の位置に存在
している素子は、シリコン基板の側面にかかる機械的ス
トレスの影響を特に受けやすい。よってこの発明はこの
ような素子に対して特に有効となる。

なお、フィールド酸化膜４２ａと４２ｂの間は谷部にな
っており、そこには薄いシリコン酸化膜４４しかない。

したがってフィールド酸化膜４２ａからシリコン酸化膜
４４を介し、フィールド酸化膜４２．ｂに伝達される機
械的ストレスは谷部がフィールド酸化膜で埋まっている
場合に比べ、少ない。したがってフィールド酸化膜４２
ａと４２ｂの間に谷部を設けていると、ゲート酸化膜４
３の部分に伝達される機械的ストレスの瓜はさらに少な
くなる。

緩衝部材であるフィールド酸化膜４２ａは選択酸化法で
あるＬＯＣＯ３（Ｌｏｃａｌ　　０ｘｉｄａｔｉｏｎ　
　ｏｆ　　５ｉｌｉｃｏｎ）法を用いて形成することが
できる。フィールド酸化膜４２ａ７ をＬＯＣＯ８法を用いて形成する方法を第２Ａ図から第
２Ｃ図を用いて説明する。

まず第２Ａ図に示すようにシリコン基板４１の主表面に
シリコン酸化膜５３、シリコン窒化膜５４およびレジス
ト５５を順に積層する。そしてレジスト５５に所定のバ
ターニングを施す。

次に第２Ｂ図に示すようにレジスト５５をマスクとして
シリコン窒化膜５４を選択的にエツチング除去し、その
後レジスト５５を除去する。

そして第２Ｃ図に示すようにシリコン窒化膜５４をマス
クにしてシリコン基板４１を熱酸化することにより、フ
ィールド酸化膜４２ａｓ　４２ｂｓ４２ｃを形成する。

そしてシリコン窒化膜５４を除去する。以上の工程によ
って緩衝部伺の役目を果たすフィールド酸化膜４２ａが
形成される。

したがって、ＬＯＣＯ３法によって緩衝部材であるフィ
ールド酸化膜４２ａを形成すれば、素子分離絶縁膜であ
るフィールド酸化膜４２ｂ、４２Ｃと緩衝部材とは同時
に形成できる。よって半導体装置の製造上程の能率化が
図れる。さらにＬＯ８ ＣＯ８法によれば、緩衝部材であるフィールド酸化膜４
２ａは容易に形成することができる。

なお、この実施例においてはシリコン基板を用いて半導
体素子を形成したが、シリコンよりも弾性係数が高いシ
リコンカーバイドやダイヤモンドを用いても措わない。

また、この実施例においては緩衝部オイとしてシリコン
酸化膜を用いているが、絶縁性があり、かつ半導体基板
よりも弾性係数が小さい物質であればいかなるものであ
ってもよい。

ところで、ｐｎ接合は機械的ストレスに対して特に弱い
。したがって緩衝部拐の役目を果たすフィールド酸化膜
をｐｎ接合を持つ素子、たとえばＭＯＳトランジスタと
、シリコン基板の端部との間にだけ形成してもよい。こ
のことをもとにこの発明に従った樹脂対１１；型半導体
装置の他の実施例を第３図を用いて説明する。

第３図は樹脂封止されている半導体チップの端部付近の
平面図である。第３図に示すようにダイパッド５６の上
にはシリコン基板５７が固着され１つ ている。シリコン基板５７の主表面の端部にはポンディ
ングパッド５８が形成されており、外部リード５９とポ
ンディングパッド５８はワイヤ６０によって電気的に接
続されている。シリコン基板５７の主表面にはＭＯＳ）
ランジスタ形成領域６１がある。シリコン基板５７の主
表面のうち、ＭＯＳ）ランジスタ形成領域６１とシリコ
ン基板５７の端部との間にのみ、緩衝部伺の役目を果た
すフィールド酸化膜６２ａが形成されている。フィール
ド酸化膜６２ａとＭＯ３Ｉ−ランジスタ形成領域６１と
の間には薄い酸化膜６３が形成されている。薄い酸化膜
６３の下にあるシリコン基板が、フィールド酸化膜６２
ａで吸収され弱められた機械的ストレスがＭＯ８形成領
域６１に伝達されるのを防ぐ。シリコン基板５７の主表
面のうち、薄い酸化Ｍ６３、ＭＯＳトランジスタ形成領
域６１、フィールド酸化膜６２ａ以外の部分はフィール
ド酸化膜６２ｂが形成されている。そして、このような
半導体チップと外部リード５９の一部とが樹脂６４によ
って封止されている。

０ この発明のさらに他の実施例を説明する。第４図はこの
発明に従った樹脂封止型半導体装置のさらに他の、実施
例のシリコン基板の端部付近の断面図である。ゲート酸
化膜７３のところにＭＯ８電昇効果トランジスタが形成
されている。シリコン基板７１の底面部はダイパッド７
０と呼ばれる金属板に半田付けされている。シリコン裁
板７１の主表面にはフィールド酸化膜７２ａ、　７２ｂ
、７２ｃが形成されている。フィールド酸化膜７２ａが
緩衝部材となる。フィールド酸化膜７２ｂと７２Ｃとの
間には薄いゲート酸化膜７３が形成されている。フィー
ルド酸化膜７２ａと７２ｂとの間にはシリコン酸化膜７
４が形成されている。

フィールド酸化膜７２ａｓ　７２ｂ、７２ｃ、ゲート酸
化膜７３およびシリコン酸化膜７４の上にはポリシリコ
ンからなるゲート電極７５が形成されている。ゲート電
極７５は、シリコン酸化膜７４およびフィールド酸化膜
７２ａにまで延びている。この点が今までの実施例と違
うところである。

第４図はゲート電極７５に沿ってシリコン基板７１ １を切断した状態の園なので、ソース領域とドレイン領
域は現われていない。ゲート電極７５の上にはリンガラ
スからなる層間絶縁膜７６が形成されている。層間絶縁
膜７６の上には窒化珪素からなるパッシベーション膜７
７が形成されている。

フィールド酸化膜７２ａの上にある層間絶縁膜７６とパ
ッシベーション膜７７にはコンタクトホール７８が形成
されている。コンタクトホール７８は、フィールド酸化
Ｊ１％７２ａの上にあるパッシベーション膜７７と層間
絶縁膜７６に反応性イオンエツチングを施すことにより
形成される。コンタクトホール７８内にはアルミニウム
からなるポンディングパッド７９が設けられており、ボ
ンデイングパ・タド７つとゲート電極７５とは電気的に
接続されている。外部リード８０とポンディングパッド
７つはアルミニウムからなるワイヤ８１により電気的に
接続されている。このような状態の半導体基板７１と外
部リード８０の一部とが樹脂８２によって封止されてい
る。

この実施例の特有の効果を説明する。この実施２ 例においては、ゲート電極７５をシリコン酸化膜７４お
よびフィールド酸化膜７２ａまで延ばしている。そして
ゲート電極７５とポンディングパッド７つとの電気的接
続を、フィールド酸化膜７２ａ上に設けられたコンタク
トホール７８で行なっている。したがって、フィールド
酸化膜７２ｂの上にある層間絶縁膜７６の上に、他のア
ルミニウム配線層を設ける必要がある場合には、この実
施例は有効なものとなる。

［効果］ この発明にかかる樹脂封止型゛１′、導体装置において
は、素子分離絶縁膜から半導体基板の端部に位置する半
導体基板の主表面に形成された四部に、半導体基板の材
料よりも弾性係数が小さい材料で作られた緩衝部拐を充
慎したので、半導体基板の側面にかかる機械的ストレス
は緩衝部Ｈによって吸収され弱められる。そして弱めら
れた機械的ストレスを素子分離絶縁膜と四部との間に位
置する半導体基板の一部分によって素子形成領域に伝達
されるのを防く。したがって半導体基板の主表面３ の端部に形成される素子は半導体基板の側面にかかる機
械的ストレスの影響を受けにくくなり、機械的ストレス
が原因する電気的特性劣化を来たさなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に従った樹脂封止型半導体装置の一実
施例の半導体基板の端部付近を示す断面図である。 Ｈｓ　２　Ａ図から第２Ｃ図は緩衝部材であるフィール
ド酸化膜の形成方法を工程順に示す断面図である。 第３図はこの発明に従った樹脂封止型半導体装置の他の
実施例の半導体基板の端部付近を示す平面図である。 第４図はこの発明に従った樹脂封止型半導体装置のさら
に他の実施例のシリコン基板の端部付近の断面図である
。 第５図は従来の樹脂封止型半導体装置の正面断面図であ
る。 第６図は従来の樹脂封止型半導体装置の平面図４ である。 第７図は第６図中の矢印■で示す部分を拡大した図であ
る。 第８図は第７図中の矢印■方向から１へ導体裁板を切断
した状態の断面図である。 第９図と第１０図は機械的ストレスが電気的特性劣化の
原因となることを説明するための図である。 第１１図はこの発明の詳細な説明するための図であり、
半導体基板の端部の断面図である。 図において４１．５７．７１はシリコン基板、４２ａｓ
　４２ｂ、６２ａ、６２ｂ、７２ａ、７２ｂはフィール
ド酸化膜、４５．７５はゲート電極、５２．６４．８２
は樹脂を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 樹脂によって半導体チップを封止している樹脂封止型半
   導体装置であって、 主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の主表面の端部近傍に形成された素子と
   、 前記素子を電気的に絶縁分離するために、前記素子の周
   囲を囲むように、前記主表面上に形成された素子分離絶
   縁膜と、を備え、 前記半導体基板の側縁と、前記側縁側に向く前記素子分
   離絶縁膜の外縁との間に位置する前記半導体基板の主表
   面上であって、前記素子分離絶縁膜から離れたところに
   位置する領域には、凹部が形成されており、 前記半導体装置は、さらに、 前記凹部に充填され、かつ前記半導体基板の材料よりも
   弾性係数が小さい材料で作られた緩衝部材を備えている
   、樹脂封止型半導体装置。