JPH0373681A - スチルビデオカメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はスチルビデオカメラに関し、特に固体撮像素子
から出力される電気画像信号を例えば半導体メモリに記
録するスチルビデオカメラにおける固体撮像素子の駆動
技術に関する。

〈従来の技術〉 近年、従来のフィルム式カメラに代わって、被写体から
の光画像信号を固体撮像素子により電気画像信号に変換
し、該電気画像信号をフィルムに相当する外部メモリに
記憶する構成のスチルビデオカメラが開発されており、
外部メモリに記憶した電気画像信号をモニタで再生して
見たり、プリントでハードコピーしたりするようになっ
ている。

かかるスチルビデオカメラの外部メモリとして一般に採
用されているのは、磁気ディスクであるが、磁気ディス
クに磁気記録する方式では、カメラに磁気ディスクの回
転駆動機構を要するため、大型化、コストアップ化を避
けられず、業務用はともかく、民生用としての普及を遅
らせる原因になっている。

この点に鑑み、固体撮像素子によって得られる電気画像
信号をディジタル信号に変換して、半導体メモリに記憶
するよう−にしたものが提案されている（例えば特開昭
６４−１０７８４号公報等参照）。

かかるスチルビデオカメラでは、光学系を介して得られ
た被写体の光画像信号を、固体撮像素子、例えばＣＣＤ
により電気画像信号に変換し、信号処理した後にＣＣＤ
の一画素に対応する信号をＡ／Ｄ変換器によりＡ／Ｄ変
換し、得られたディジタル画像信号を、カメラに着脱自
由に構成された半導体メモリ内蔵のメモリカードに記録
するようになっている。尚、これら一連の動作は、所定
タイ果ングで同期させて行われる。

このように半導体メモリ内蔵のメモリカードに記録する
方式では、磁気ディスクの場合のような駆動機構も不要
であるため、カメラの小型軽量化。

コストダウンを図れる。

〈発明が解決しようとする課題〉 ところが、ディジタル画像データをメモリカードの半導
体メモリに記録する従来のスチルビデオカメラでは、Ｃ
ＯＤの電気画像信号の出力動作速度（■画素当り約１０
０ｎｓｅｃ以下）に比べてメモリカードの半導体メモリ
の書き込み動作速度（約１０Ｏｎｓｅｃ以上）が遅いた
め、カメラに高速書き込みが可能なバッファメモリを内
蔵し、このバッファメモリにＣＯＤからの電気画像信号
を一旦記録し、その後、メモリカードの半導体メモリの
書き込み速度に合わせてバッファメモリから画像情報を
メモリカードに記録するにようにしていた。このため、
コストの高いバッファメモリを必要とし、メモリカード
使用のカメラの低コスト化を妨げている。

本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、バッファメ
モリを介在させることなく書き込み速度の遅いメモリに
画像情報を記録できるスチルビデオカメラを提供するこ
とを目的とする。

とする。

〈課題を解決するための手段〉 このため本発明は、光学レンズにより得られる被写体の
光画像信号を、固体撮像素子により電気画像信号に変換
し、該電気画像信号をＡ／Ｄ変換器によりＡ／Ｄ変換し
て得られるディジタル画像信号を、カメラ本体に着脱自
由に接続される低速書き込みのメモリに記録するよう構
成されたスチルビデオカメラにおいて、前記固体撮像素
子の動作速度を、撮影時と前記メモリへの記録時とで切
換え、メモリへの記録時は当該メモリの書き込み速度に
合わせて遅くする固体撮像素子動作速度制御手段を設け
て構成した。

〈作用〉 かかる構成によると、撮影時は、固体撮像素子動作速度
制御手段により、従来と同様の動作速度で固体撮像素子
を駆動して光画像情報が記録される。そして、記録した
画像情報を書き込み速度が遅いメモリに記録する記録時
には、前記固体撮像素子動作速度制御手段により、固体
撮像素子の電気画像信号出力動作速度を、メモリの書き
込み速度に合わせて遅くする。

これにより、バッファメモリを使用することなく低速書
き込みのメモリに画像情報を正確に記録することが可能
となる。

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

本発明に係るスチルビデオカメラの第１実施例のシステ
ム構成を示す第１図において、光学レンズ１．絞り２及
びシャッタ３等から構成される光学系により、固体撮像
素子としてのＣＣＤ４の受光面上に光画像が結像される
。前記絞り２及びシャッタ３は、受光センサ５からＡ／
Ｄ変換器６を介して入力される光量に基づいてコントロ
ールユニット７により演算された露光量に応じて各駆動
回路８．９を介して駆動制御される。

また、前記ＣＣＤ４は、タイミング発生器１０からのタ
イくング信号が入力される駆動回路１１により駆動され
、受光面上に結像した光画像を光電変換してアナログ信
号として出力する。ＣＣＤ４からのアナログ信号は、信
号処理回路１２に入力され相関二重サンプリング処理等
を含む信号処理が行われた後、Ａ／Ｄ変換器１３でディ
ジタル画像データに変換される。そして、Ａ／Ｄ変換器
１３からのディジタル画像データは、カメラ本体に着脱
自由に接続される低速書き込みの例えば半導体メモリを
使用したメモリカード１４に書き込まれる。そして、前
記信号処理回路１２．　Ａ／Ｄ変換器１３及びメモリカ
ード１４の各動作は、ＣＣＤ４と同様にタイミング発生
器１０からのタイミング信号に従って実行される。

前記タイミング発生器１０には、撮影時は所定周波数の
原発振回路１５からの出力が直接入力し、ＣＣＤ４に結
像された光画像をメモリカード１４へ記録する時は原発
振回路１５の出力を分周器１６を介して分周した周波数
の出力が入力するようにコントロールユニット７で２つ
の切換スイッチ１７．１８を切換制御するよう構成され
、ＣＣＤ４の動作速度が撮影時とメモリカード１４への
情報記録時とで切換制御される。そして、コントロール
ユニット７は、メモリカード１４から与えられる当該メ
モリカード１４の書き込み速度情報に基づいて前記分周
器１６の分周率を選択制御する。

次に第２図のフローチャートに従ってＣＯＤの動作速度
の切換制御動作について説明する。

まず、ステップ１（図中８１で示し、以下同様とする）
では、メモリカード１４の半導体メモリの書き込み動作
速度情報を読み込む。前記動作速度情報の入力方法とし
ては、例えばメモリカード１４の周縁部に切り込みを加
工し、動作速度に応じてメモリカードの切り込み形状を
変える方式或いはメモリカード１４の不揮発メモリ内に
動作速度情報を記憶させておく方式等が考えられる。

ステップ２では、撮影に備えるためＣＣＤ４の動作を開
始する。即ち、暗電流の掃き出し等を行い露光の準備を
行う。かかるＣＯＤ駆動時には、コントロールユニット
７により２つの切換スイッチ１７．１８は共に接点Ａ側
に接続制御され、原発振回路１５がタイミング発生器１
０に直接接続される。

従って、原発振回路１５の発振周波数に基づいたタイミ
ング発生器１５からのタイミング信号によりＣＣＤ４は
駆動し、従来の通常動作速度で駆動される。

ステップ３では、受光センサ５からＡ／Ｄ変換器６を介
して入力される光量に基づいて露光量を演算し、絞り値
とシャッタ速度を決定する。

ステップ４では、演算された露光量に基づいて決定され
た絞り値に絞り２を駆動回路８を介して駆動制御する。

ステップ５では、ＣＣＤ４の動作を停止させる。

ステップ６では、ステップ３で演算された露光量に基づ
いて決定されたシャッタ速度で駆動回路９を介してシャ
ッタ３を駆動制御して露光を行い被写体の撮影を行う。

ステップ７では、切換スイッチ１７．１８を接点Ｂ側に
切換制御し原発振回路１５の出力を分周器１６で分周し
てタイミング発生器１０に入力する。分周器１６の分周
率は、メモリカード１４から入力したメモリカード１４
の書き込み速度情報に基づいてコントロールユニット７
により選択制御される。即ち、分周器１６からの出力周
波数に基づくタイミング発生器１０からのタイくング信
号の出力周期が、メモリカード１４の書き込み周期（動
作速度）と同じかそれより大きくなるように分周率を選
択制御する。

ステップ８では、分周器１６からの分周出力に基づくタ
イミング発生器１０からのタイミング信号により、駆動
回路１１．信号処理回路１２．　Ａ／Ｄ変換器１３及び
メモリカード１４を動作させ、メモリカード１４からの
アドレス情報に基づいてＣＣＤ４の画像情報をメモリカ
ード１４内の半導体メモリに転送記録させる。

このように、メモリカード１４側の書き込み動作速度に
応じてＣＣＤ４の画像情報転送動作速度を可変すれば、
外部半導体メモリに画像情報を記録させる場合に高価な
バッファメモリをカメラに内蔵させる必要がなくなる。

次に第３図に示す第２実施例について説明する。

本実施例は、メモリカード内に画像情報記録時の原発振
回路の発振周波数を決定する回路部を内蔵させたものを
示す。尚、第１図の第１実施例と同一部分には同一符号
を付して説明を省略する。

図において、第４図に示すように回路構成された原発振
回路２１は、その発振時定数回路２３が切換スイッチ２
２の接点Ａを介して接続される。また、メモリカード２
４にも、前記発振時定数回路２３とは異なる発振時定数
を設定する発振時定数回路２４Ａが内蔵されており、切
換スイッチ２２の接点Ｂを介して原発振回路２工と接続
される。

そして、前記メモリカード２４内の発振時定数回路２４
Ａの時定数は、メモリカード２４内の半導体メモリの書
き込み動作速度によって決定される。

本実施例の動作を説明すると、撮影時にはコントロール
ユニット７により切換スイッチ２２は接点Ａ側に接続制
御される。これにより、発振時定数回路２３が原発振回
路２１に接続され、従来と同様の発振周波数出力がタイ
ミング発生器１０に入力し、これに基づくタイミング発
生器１０からのタイミング信号により通常の動作速度で
ＣＣＤ４が駆動制御される。

一方、ＣＣＤ４から画像情報をメモリカード２４に転送
する時には、コントロールユニット７により切換スイッ
チ２２を接点Ｂ側に切換える。これにより、メモリカー
ド２４内の発振時定数回路２４Ａが原発振回路２１に接
続されこの時定数に基づく発振周波数出力がタイミング
発生器１０に入力される。

従って、タイミング発生器１０からは、メモリカード２
４の半導体メモリの書き込み動作速度に合わせたタイミ
ング信号が出力され、ＣＣＤ４の動作速度がメモリカー
ド２４の書き込み動作速度に合わせて遅く制御され、Ｃ
ＣＤ４からメモリカード２４へ直接画像情報が転送記録
される。

本実施例によれば、バッファメモリが不要になるのに加
えて、切換スイッチが１つ少なくて済むので、更にカメ
ラを簡素化できる。

尚、ＣＣＩ）４に速度可変な電子シャッタ機能が有る場
合には、第５図に示すようにシャッタ３及びその駆動回
路９が不要になる。かかる構成では、原発振周波数の切
り換えは、ＣＣＤ４に露光が終わり感光部の電荷が転送
路に送られた時に切り換える。

〈発明の効果〉 以上説明したように本発明によれば、固体撮像素子の動
作速度を、メモリに画像情報を転送する時にメモリの書
き込み動作速度に合わせて通常の動作速度より遅くする
構成としたので、従来必要であった高速書き込み可能な
バッファメモリをカメラに組み込む必要がなくなる。ま
た、カメラの固体撮像素子の画素数が多くなり高速動作
となっても従来のメモリが使える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のスチルビデオカメラの第１実施例を示
すブロック構成図、第２図は同上実施例の固体撮像素子
動作速度の変更制御を説明するフローチャート、第３図
は本発明の第２実施例を示すブロック構成図、第４図は
同上実施例に適用する原発振回路の回路図、第５図は本
発明の第３実施例を示すブロック構成図である。 １・・・光学レンズ　　２・・・絞り　　３・・・シャ
ッタ４・・・ＣＣＤ　　　７・・・コントロールユニッ
）　　　１０・・・タイ逅ング発生器　　１１・・・駆
動回路　　１３・・・Ａ／Ｄ変換器　　１４．２４・・
・メモリカード　　１５．２１・・・原発振回路　　１
６・・・分周器　　１７．１８．２２・・・切換スイッ
チ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光学レンズにより得られる被写体の光画像信号を、固体
   撮像素子により電気画像信号に変換し、該電気画像信号
   をＡ／Ｄ変換器によりＡ／Ｄ変換して得られるディジタ
   ル画像信号を、カメラ本体に着脱自由に接続される低速
   書き込みのメモリに記録するよう構成されたスチルビデ
   オカメラにおいて、前記固体撮像素子の動作速度を、撮
   影時と前記メモリへの記録時とで切換え、メモリへの記
   録時は当該メモリの書き込み速度に合わせて遅くする固
   体撮像素子動作速度制御手段を設けたことを特徴とする
   スチルビデオカメラ。