JPH0375371A - 炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法 - Google Patents
炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法Info
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- JPH0375371A JPH0375371A JP20969989A JP20969989A JPH0375371A JP H0375371 A JPH0375371 A JP H0375371A JP 20969989 A JP20969989 A JP 20969989A JP 20969989 A JP20969989 A JP 20969989A JP H0375371 A JPH0375371 A JP H0375371A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子写真感光体の表面保護層等に使用される高緻密性の
炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法に関
し、 より緻密な炭素含有水素化アモルファスシリコン膜が得
られるようにすることを目的とし、堆積空間内にセット
された基体に、水素ラジカルアシスト高周波−ＣＶＤ法
により炭素含有水素化アモルファスシリコンを成膜する
際に、水素ラジカルを、２つ以上の方向から前記基体ま
たは前記堆積空間へ送り込むようにした構成とする。
炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法に関
し、 より緻密な炭素含有水素化アモルファスシリコン膜が得
られるようにすることを目的とし、堆積空間内にセット
された基体に、水素ラジカルアシスト高周波−ＣＶＤ法
により炭素含有水素化アモルファスシリコンを成膜する
際に、水素ラジカルを、２つ以上の方向から前記基体ま
たは前記堆積空間へ送り込むようにした構成とする。
本発明は電子写真感光体の表面保護層等に使用される高
緻密性の炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造
方法に関するものである。
緻密性の炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造
方法に関するものである。
電子写真感光体の材料として、水素化アモルファスシリ
コン（以下ａ−３ｔ：Ｈ）は、耐久性、無公害、光感度
の点で従来のＳｅ感光体に代わるものとして有望視され
ている。
コン（以下ａ−３ｔ：Ｈ）は、耐久性、無公害、光感度
の点で従来のＳｅ感光体に代わるものとして有望視され
ている。
第４図はアモルファスシリコン感光体（以下ａ−３ｔ感
光体）構成国で、ａ−３ｔ悪感光１０１は、基体１０２
上に、ブロッキング層（ボロン高ドープのａ−５ｉ：Ｈ
）１０３．感光層（ボロン低ドープのａ−Ｓｉ：Ｈ）１
０４．表面保護層（炭素含有のａ −５ｔ ： Ｈ，以
下ａ −ＳｉＣ： Ｈ） １０５を順次形成して成る。
光体）構成国で、ａ−３ｔ悪感光１０１は、基体１０２
上に、ブロッキング層（ボロン高ドープのａ−５ｉ：Ｈ
）１０３．感光層（ボロン低ドープのａ−Ｓｉ：Ｈ）１
０４．表面保護層（炭素含有のａ −５ｔ ： Ｈ，以
下ａ −ＳｉＣ： Ｈ） １０５を順次形成して成る。
表面保護層１０５は、表面から光導電性を持つ感光層１
０４へのキャリア注入を防ぐために、絶縁性、透光性に
優れていることが必要である。従来用いられてきたａ
５ｉｎ−ｘＣｘ ：Ｈ（主にｘ ＜ ０．４ ）は
、表面保護層として十分な硬度と透光性と絶縁性とを持
っているが、この膜を使用したａ−３ｔ悪感光は、高温
高温（例えば３５”Ｃ，８０％ＲＨ）中で長期使用時に
画像がぼやける現像（以下「像流れ」）が起きるという
欠点を有している。この原因に関しては、本出願人によ
り既に提案された特願昭６３−５８２１４号（昭和６３
年３月１４日出願）に詳しく記されている。ここから分
かるように、高炭素含有にして表面のＳｔを少なくする
ことにより、Ｓｉ関連の吸着（Ｓｔ −ＯＨの増加）、
酸化（Ｓｉ −０−Ｓｔの増加）が起きにくくなり、「
像流れ」が防止できる。しかし、あまりに高炭素含有率
にしたａ Ｓ１＋−ｘＣｘ ： Ｈ（例えばｘ ＞
ｏ、 ８ ）にした表面保護層は、耐湿性に富んでい
るが、炭素リッチの構造であるため、絶縁性が低下し帯
電能が下がるという欠点を持つ。
０４へのキャリア注入を防ぐために、絶縁性、透光性に
優れていることが必要である。従来用いられてきたａ
５ｉｎ−ｘＣｘ ：Ｈ（主にｘ ＜ ０．４ ）は
、表面保護層として十分な硬度と透光性と絶縁性とを持
っているが、この膜を使用したａ−３ｔ悪感光は、高温
高温（例えば３５”Ｃ，８０％ＲＨ）中で長期使用時に
画像がぼやける現像（以下「像流れ」）が起きるという
欠点を有している。この原因に関しては、本出願人によ
り既に提案された特願昭６３−５８２１４号（昭和６３
年３月１４日出願）に詳しく記されている。ここから分
かるように、高炭素含有にして表面のＳｔを少なくする
ことにより、Ｓｉ関連の吸着（Ｓｔ −ＯＨの増加）、
酸化（Ｓｉ −０−Ｓｔの増加）が起きにくくなり、「
像流れ」が防止できる。しかし、あまりに高炭素含有率
にしたａ Ｓ１＋−ｘＣｘ ： Ｈ（例えばｘ ＞
ｏ、 ８ ）にした表面保護層は、耐湿性に富んでい
るが、炭素リッチの構造であるため、絶縁性が低下し帯
電能が下がるという欠点を持つ。
このため、炭素含有率が０．４≦Ｘ≦０．８で、Ｓｉ関
連の表面吸着、酸化が起こりにくいａ −５ｉＣ：Ｈ膜
が必要となる。
連の表面吸着、酸化が起こりにくいａ −５ｉＣ：Ｈ膜
が必要となる。
第５図は従来の高周波（以下ＲＦ）−ＣＶＤ法によるａ
−ＳｉＣ：Ｈ膜形成装置の概要図で、図中、１〜４は原
料ガス供給用ボンベであり、例えばボンベ１には５ｉｚ
Ｈｂが、ボンベ２にはＣ３Ｈａが、ボンベ３にはＨ２が
、ボンベ４にはＡｒがそれぞれ入っている。成膜時には
、これらのガスを流量調節器５で制御して真空容器６内
へ導く。そして、２枚の対向する電極７１，７□のカソ
ード側電極７□にＲＦ電源８により１３．５６ＭＨｚの
ＲＦ電力を印加して原料ガスを分解しプラズマを発生さ
せ、板状の基体９上に膜を堆積させる。排気はメカニカ
ルブーストポンプ１０とロータリーポンプ１１により行
われる。このようにして作製されたａ −３ｉｔ−ＸＣ
，：Ｈ（ｘ＝０．５）に３５°Ｃ２８０％ＲＨ雰囲気中
でコロナ照射を行ったところ、コロナ照射時間とともに
ＮＯ，−、ＣＯ３”−、Ｓｉ −ＯＨ、Ｈ−ＯＨ，５ｔ
−０−３ｉの吸着、酸化が起きていることが高感度反射
ＦＴ−ＩＲ（ＩＲ−ＲＡＳ）で観測された。このことは
、本出願人により既に提案された特願平１−４３２６９
号（平成元年２月２７日出願）で述べられている。
−ＳｉＣ：Ｈ膜形成装置の概要図で、図中、１〜４は原
料ガス供給用ボンベであり、例えばボンベ１には５ｉｚ
Ｈｂが、ボンベ２にはＣ３Ｈａが、ボンベ３にはＨ２が
、ボンベ４にはＡｒがそれぞれ入っている。成膜時には
、これらのガスを流量調節器５で制御して真空容器６内
へ導く。そして、２枚の対向する電極７１，７□のカソ
ード側電極７□にＲＦ電源８により１３．５６ＭＨｚの
ＲＦ電力を印加して原料ガスを分解しプラズマを発生さ
せ、板状の基体９上に膜を堆積させる。排気はメカニカ
ルブーストポンプ１０とロータリーポンプ１１により行
われる。このようにして作製されたａ −３ｉｔ−ＸＣ
，：Ｈ（ｘ＝０．５）に３５°Ｃ２８０％ＲＨ雰囲気中
でコロナ照射を行ったところ、コロナ照射時間とともに
ＮＯ，−、ＣＯ３”−、Ｓｉ −ＯＨ、Ｈ−ＯＨ，５ｔ
−０−３ｉの吸着、酸化が起きていることが高感度反射
ＦＴ−ＩＲ（ＩＲ−ＲＡＳ）で観測された。このことは
、本出願人により既に提案された特願平１−４３２６９
号（平成元年２月２７日出願）で述べられている。
従来のａ −Ｓｉ感光体の表面保護層に使用されるａ−
ＳｉＣ：Ｈ膜は、このように高湿度中でＳｉ関連の吸着
、酸化を起こし、表面に分極しやすくなる。
ＳｉＣ：Ｈ膜は、このように高湿度中でＳｉ関連の吸着
、酸化を起こし、表面に分極しやすくなる。
従って、この膜を表面保護層にしたａ −Ｓｉ感光体を
高湿度中で長時間作動させると、水溶性吸着物質が付き
、これを伝って帯電電荷が流れて「像流れ」を起こすと
いう問題を生じていた。
高湿度中で長時間作動させると、水溶性吸着物質が付き
、これを伝って帯電電荷が流れて「像流れ」を起こすと
いう問題を生じていた。
第６図はこの点を改良するために使用した水素ラジカル
アシストＲＦ−ＣＶＤ装置の概要図で、該装置の構成１
作用は次の通り（詳しくは特願昭６３−５８２１４号参
照）である。
アシストＲＦ−ＣＶＤ装置の概要図で、該装置の構成１
作用は次の通り（詳しくは特願昭６３−５８２１４号参
照）である。
第６図において、３１はマイクロ波（以下μ波）発振器
で、ここで発生したμ波（２，４５Ｇ１１ｚ ）は導波
管３２を通りプラズマ発生炉３３へ導かれる。
で、ここで発生したμ波（２，４５Ｇ１１ｚ ）は導波
管３２を通りプラズマ発生炉３３へ導かれる。
ここで、ガス導入部３４から入れた水素（Ｈ２）ガス３
５を石英管３６内で分解し、プラズマ化する。
５を石英管３６内で分解し、プラズマ化する。
そこで発生した励起水素原子である水素ラジカル３７は
、真空容器３８内の基体３９上に導かれる。
、真空容器３８内の基体３９上に導かれる。
一方、原料ガス（ＳｉｚＨ４，Ｃ３Ｈ１ｌ） ４０は、
原料ガス導入部４１より入れられ、ＲＦ電源４２に直結
した電極４３より真空容器３８内へ導かれ、もう一方の
電極４４との間で生じるＲＦプラズマにより分解されて
基体３９上にａ −５ｉＣ：Ｈ膜となって堆積する。こ
の堆積中に上述の水素ラジカル３７が表面を覆い、膜の
緻密性を高める。４５は基体を加熱するヒータ、４６は
ガス排気用のポンプである。
原料ガス導入部４１より入れられ、ＲＦ電源４２に直結
した電極４３より真空容器３８内へ導かれ、もう一方の
電極４４との間で生じるＲＦプラズマにより分解されて
基体３９上にａ −５ｉＣ：Ｈ膜となって堆積する。こ
の堆積中に上述の水素ラジカル３７が表面を覆い、膜の
緻密性を高める。４５は基体を加熱するヒータ、４６は
ガス排気用のポンプである。
この水素ラジカルアシストＲＦ−ＣＶＤ法で作製したａ
−ＳｉＣ： Ｈ（１）膜と、従来のＲＦ−ＣＶＤ法で
作製したａ −５ｉＣ： Ｈ（２）膜を高湿度中でコロ
ナ照射したときの表面吸着、酸化の違いをＩＲ−ＲＡＳ
で測定した結果、ａ −５ｉＣ： Ｈ（１）膜はａ −
３ｉＣ： Ｈ（２）膜に比べ５ｔ−０−５ｔ 、５ｔ−
ＯＲ，Ｈ−ＯＨ等のＳｉ関連の吸着、酸化量が約１７３
となった（特願平１−４３２６９号）。これは、膜の構
造緻密性が向上したためである。この構造緻密性を測定
するためにレーザーラマン分光測定を行った。この測定
で得られるラマンスペクトル結果において、ａ −３ｉ
Ｃ： Ｈ膜ではＴ○（約４８８ｃｍ−’）とＴＡ（約１
５０ｃｍ−’）の２つのピークが観測される。Ｔｏ／Ｔ
Ａピーク比はＳｔ結合の対称性の乱れや構造の乱れを表
し、この値が大きい程構造緻密であることを示している
。測定の結果、ａ −ＳｉＣ： Ｈ（２）のＴｏ／ＴＡ
が１．８であるのに対し、ａ −５ｉＣ： Ｈ（１）の
Ｔｏ／ＴＡは２．４となっており、構造緻密であること
が判明した。そして、ａ −ＳｉＣ： Ｈ（１）膜を使
用したａ −Ｓｔ感光体は、ａ −５ｉＣ： Ｈ（２）
膜に比べ高温高温中での「像流れ」現像が少なかった。
−ＳｉＣ： Ｈ（１）膜と、従来のＲＦ−ＣＶＤ法で
作製したａ −５ｉＣ： Ｈ（２）膜を高湿度中でコロ
ナ照射したときの表面吸着、酸化の違いをＩＲ−ＲＡＳ
で測定した結果、ａ −５ｉＣ： Ｈ（１）膜はａ −
３ｉＣ： Ｈ（２）膜に比べ５ｔ−０−５ｔ 、５ｔ−
ＯＲ，Ｈ−ＯＨ等のＳｉ関連の吸着、酸化量が約１７３
となった（特願平１−４３２６９号）。これは、膜の構
造緻密性が向上したためである。この構造緻密性を測定
するためにレーザーラマン分光測定を行った。この測定
で得られるラマンスペクトル結果において、ａ −３ｉ
Ｃ： Ｈ膜ではＴ○（約４８８ｃｍ−’）とＴＡ（約１
５０ｃｍ−’）の２つのピークが観測される。Ｔｏ／Ｔ
Ａピーク比はＳｔ結合の対称性の乱れや構造の乱れを表
し、この値が大きい程構造緻密であることを示している
。測定の結果、ａ −ＳｉＣ： Ｈ（２）のＴｏ／ＴＡ
が１．８であるのに対し、ａ −５ｉＣ： Ｈ（１）の
Ｔｏ／ＴＡは２．４となっており、構造緻密であること
が判明した。そして、ａ −ＳｉＣ： Ｈ（１）膜を使
用したａ −Ｓｔ感光体は、ａ −５ｉＣ： Ｈ（２）
膜に比べ高温高温中での「像流れ」現像が少なかった。
以上の結果より、水素ラジカルを基体上や堆積空間に供
給することが、ａ −５ｉＣ：Ｈ膜の緻密性を向上させ
「像流れ」を起こしに＜＜シていることは明らかである
。
給することが、ａ −５ｉＣ：Ｈ膜の緻密性を向上させ
「像流れ」を起こしに＜＜シていることは明らかである
。
しかし、「像流れ」に強いａ −５ｉＣ： ＨＨを作製
するのに効果のある従来の水素ラジカルアシストＲＦ−
ＣＶＤ法においては、水素ラジカルが一方向のみから供
給されるため、基体が円筒状の場合、効率良く水素ラジ
カルが供給されない部分が生じる。
するのに効果のある従来の水素ラジカルアシストＲＦ−
ＣＶＤ法においては、水素ラジカルが一方向のみから供
給されるため、基体が円筒状の場合、効率良く水素ラジ
カルが供給されない部分が生じる。
従って、電子写真等に利用される円筒状基体上にＩｖ、
膜した感光体を作製する場合、基体を回転させなから成
膜を行っても、水素ラジカルに直進性があるため、水素
ラジカルを供給できない部分が生じ、そのため上記の効
果が薄れるといった問題点を生じていた。
膜した感光体を作製する場合、基体を回転させなから成
膜を行っても、水素ラジカルに直進性があるため、水素
ラジカルを供給できない部分が生じ、そのため上記の効
果が薄れるといった問題点を生じていた。
本発明はより緻密なａ −５ｉＣ：Ｈ膜が得られるよう
にすることを目的としている。
にすることを目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明では、堆積空間内に
セットされた基体に、水素ラジカルアシスト高周波−Ｃ
ＶＤ法により炭素含有水素化アモルファスシリコンを成
膜する際に、水素ラジカルを、２つ以上の方向から前記
基体または前記堆積空間へ送り込むようにした構成とす
る。
セットされた基体に、水素ラジカルアシスト高周波−Ｃ
ＶＤ法により炭素含有水素化アモルファスシリコンを成
膜する際に、水素ラジカルを、２つ以上の方向から前記
基体または前記堆積空間へ送り込むようにした構成とす
る。
２つ以上の方向から水素ラジカルを基体または堆積空間
へ送り込むようになっているため、従来のように水素ラ
ジカルが当たらなかった部分がなくなり、ａ−ＳｉＣ：
Ｈ膜の緻密性を向上させることができる。この方法で成
膜された膜は、表面のＳｔの反応性が弱まり、高湿度中
でのコロナ照射により起こるＳｔ関連の吸着、酸化が減
少する。この膜を表面保護層に用・いたａ−５ｉ悪感光
は、高温高湿中モの表面劣化が少なくなり、「像流れｊ
等の画像劣化がなくなる。
へ送り込むようになっているため、従来のように水素ラ
ジカルが当たらなかった部分がなくなり、ａ−ＳｉＣ：
Ｈ膜の緻密性を向上させることができる。この方法で成
膜された膜は、表面のＳｔの反応性が弱まり、高湿度中
でのコロナ照射により起こるＳｔ関連の吸着、酸化が減
少する。この膜を表面保護層に用・いたａ−５ｉ悪感光
は、高温高湿中モの表面劣化が少なくなり、「像流れｊ
等の画像劣化がなくなる。
〔実施例］
以下、第１図乃至第３図に関連して本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本発明が適用される水素ラジカルアシストＲＦ
−ＣＶＤ装置の概要図で、図中、５１は外径８０ｍｍの
Ａｆ製の円筒状基体である。該基体５１は、加熱用ヒー
タ５２を含んだ基板ホルダに取り付けられ、成膜時に基
板ホルダとともに回転するようになっている。５３はＲ
Ｆ電源４２に直結される電極、５４はこれに対向する電
極で、基体５１は、これらの電極５３．５４の間の堆積
空間５５内にセットされる。また、本装置では、μ波発
振器３１．導波管３２．プラズマ発生炉３３゜石英管３
６より成る２つの水素ラジカル発生手段が対向配置され
ており、水素ラジカル３７を２つの方向から基体５１ま
たは堆積空間５５内に送り込むようになっている。なお
、従来と同様の部材には同符号を用いている。
−ＣＶＤ装置の概要図で、図中、５１は外径８０ｍｍの
Ａｆ製の円筒状基体である。該基体５１は、加熱用ヒー
タ５２を含んだ基板ホルダに取り付けられ、成膜時に基
板ホルダとともに回転するようになっている。５３はＲ
Ｆ電源４２に直結される電極、５４はこれに対向する電
極で、基体５１は、これらの電極５３．５４の間の堆積
空間５５内にセットされる。また、本装置では、μ波発
振器３１．導波管３２．プラズマ発生炉３３゜石英管３
６より成る２つの水素ラジカル発生手段が対向配置され
ており、水素ラジカル３７を２つの方向から基体５１ま
たは堆積空間５５内に送り込むようになっている。なお
、従来と同様の部材には同符号を用いている。
このような構成の装置による表面保護層の成膜条件の一
例をあげると次の通りである。
例をあげると次の通りである。
圧 力 ； ０．２ Ｔｏｒｒ基体温度 ；２
５０°Ｃ ＲＦパワー１１００Ｗ ＳｉＪ６流量： ２ ｓｃｃｍ Ｃ，Ｈ，流量 ； １０ ｓｃｃｍ Ｈ２流量 ；２００ｓｅｃｍ μ波パワー；５００Ｗ Ｌの２００ ｓｅｃｍは２方向からそれぞれ１０１００
５ｃずつ供給され、各々プラズマ発生炉３３で分解され
て水素ラジカル３７となって基体５１に対して両方向か
ら供給される。
５０°Ｃ ＲＦパワー１１００Ｗ ＳｉＪ６流量： ２ ｓｃｃｍ Ｃ，Ｈ，流量 ； １０ ｓｃｃｍ Ｈ２流量 ；２００ｓｅｃｍ μ波パワー；５００Ｗ Ｌの２００ ｓｅｃｍは２方向からそれぞれ１０１００
５ｃずつ供給され、各々プラズマ発生炉３３で分解され
て水素ラジカル３７となって基体５１に対して両方向か
ら供給される。
０．５６μｎのＢ高ドープａ −５ｉ ： Ｈ膜のブ０
７キング層、１０μｍのＢ低ドープａ −Ｓｔ ： Ｈ
膜の感光層の上に上記条件でａ −５ｉＣ： Ｈの表面
保護層を０．２ ａ ｍ形成したａ−Ｓｉ感光体は、３
５°Ｃ８０％ＲＨ雰囲気中で２時間の連続コロナ照射を
した後でも、またその後の一晩放置後でも「像流れ」は
起こさなかった。
７キング層、１０μｍのＢ低ドープａ −Ｓｔ ： Ｈ
膜の感光層の上に上記条件でａ −５ｉＣ： Ｈの表面
保護層を０．２ ａ ｍ形成したａ−Ｓｉ感光体は、３
５°Ｃ８０％ＲＨ雰囲気中で２時間の連続コロナ照射を
した後でも、またその後の一晩放置後でも「像流れ」は
起こさなかった。
第２図に本発明が適用される他の水素ラジカルアシス）
ＲＦ−ＣＶＤ装置を示す。本例の場合は、石英管３６の
先端に水素ラジカル導入部６１が設けられている点が第
１図と異なっている。水素ラジカル導入部６１は、第１
図の場合基体が円筒形で縦方向（第１図の紙面と垂直方
向）に長いのに対し水素ラジカル導入部分が小さいため
に、縦方向に水素ラジカルが不均一になり、膜厚や特性
にばらつきが生じる問題を解決するためのもので、第３
図に示すように、縦方向（図の上下方向）に末広がりに
なった外壁６２内を、２枚の仕切り板６３により縦方向
に分割して構成されている。右方から２重矢印線で示す
ように外壁６２内に導入される水素ラジカルは仕切り板
６３により縦方向に分散され、矢印線で示すように左方
に流出して基体５１に向は堆積空間５５内に均一に流れ
込む。
ＲＦ−ＣＶＤ装置を示す。本例の場合は、石英管３６の
先端に水素ラジカル導入部６１が設けられている点が第
１図と異なっている。水素ラジカル導入部６１は、第１
図の場合基体が円筒形で縦方向（第１図の紙面と垂直方
向）に長いのに対し水素ラジカル導入部分が小さいため
に、縦方向に水素ラジカルが不均一になり、膜厚や特性
にばらつきが生じる問題を解決するためのもので、第３
図に示すように、縦方向（図の上下方向）に末広がりに
なった外壁６２内を、２枚の仕切り板６３により縦方向
に分割して構成されている。右方から２重矢印線で示す
ように外壁６２内に導入される水素ラジカルは仕切り板
６３により縦方向に分散され、矢印線で示すように左方
に流出して基体５１に向は堆積空間５５内に均一に流れ
込む。
従って、より一層の優れた効果が得られる。本例の場合
と前例の第１図の場合のＴｏ／ＴＡ比を対比すると次表
１の通りである。
と前例の第１図の場合のＴｏ／ＴＡ比を対比すると次表
１の通りである。
表 Ｉ
ａ−ＳｉＣ：■単層膜のラマン分光測定によるＴＯ／Ｔ
Ａ比本表１より、導入部６１の効果は明らかである〔発
明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、２方向以上から水
素ラジカルを基体または堆積空間へ送り込むことにより
、水素ラジカルを均一に供給することができ、より緻密
なａ −３ｉＣ：Ｈ膜の作製が可能となる。そして、こ
のａ −５ｉＣ： Ｈ膜を表面保護層に使用することに
より、耐湿性に優れた高帯電能のａ−Ｓｉ感光体を得る
ことができる。
Ａ比本表１より、導入部６１の効果は明らかである〔発
明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、２方向以上から水
素ラジカルを基体または堆積空間へ送り込むことにより
、水素ラジカルを均一に供給することができ、より緻密
なａ −３ｉＣ：Ｈ膜の作製が可能となる。そして、こ
のａ −５ｉＣ： Ｈ膜を表面保護層に使用することに
より、耐湿性に優れた高帯電能のａ−Ｓｉ感光体を得る
ことができる。
第１図は本発明が適用される水素ラジカルアシストＲＦ
−ＣＶＤ装置の概要図、 第２図は本発明が適用される他の水素ラジカルアシスト
ＲＦ−ＣＶＤ装置の概要図、 第３図は第２図の要部形状説明図、 第４図はａ −Ｓｉ感光体構構成、 第５図は従来のＲＦ−ＣＶＤ法によるａ −５ｉＣ：Ｈ
膜形成装置の概要図、 第６図は従来の水素ラジカルアシストＲＦ−ＣＶＤ装置
の概要図で、 図中、 ３７は水素ラジカル、 ５１は基体、 ５５は堆積空間である。
−ＣＶＤ装置の概要図、 第２図は本発明が適用される他の水素ラジカルアシスト
ＲＦ−ＣＶＤ装置の概要図、 第３図は第２図の要部形状説明図、 第４図はａ −Ｓｉ感光体構構成、 第５図は従来のＲＦ−ＣＶＤ法によるａ −５ｉＣ：Ｈ
膜形成装置の概要図、 第６図は従来の水素ラジカルアシストＲＦ−ＣＶＤ装置
の概要図で、 図中、 ３７は水素ラジカル、 ５１は基体、 ５５は堆積空間である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 堆積空間（５５）内にセットされた基体（５１）に水
素ラジカルアシスト高周波−ＣＶＤ法により炭素含有水
素化アモルファスシリコンを成膜する際に、 水素ラジカル（３７）を、２つ以上の方向から前記基体
（５１）または前記堆積空間（５５）へ送り込むように
したことを特徴とする炭素含有水素化アモルファスシリ
コン膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20969989A JP2797202B2 (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-15 | 炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20969989A JP2797202B2 (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-15 | 炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375371A true JPH0375371A (ja) | 1991-03-29 |
| JP2797202B2 JP2797202B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=16577171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20969989A Expired - Fee Related JP2797202B2 (ja) | 1989-08-15 | 1989-08-15 | 炭素含有水素化アモルファスシリコン膜の製造方法 |
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| JP (1) | JP2797202B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8961888B2 (en) | 2007-09-28 | 2015-02-24 | Masaru Hori | Plasma generator |
-
1989
- 1989-08-15 JP JP20969989A patent/JP2797202B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8961888B2 (en) | 2007-09-28 | 2015-02-24 | Masaru Hori | Plasma generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2797202B2 (ja) | 1998-09-17 |
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