JPH0375519B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0375519B2 JPH0375519B2 JP61033251A JP3325186A JPH0375519B2 JP H0375519 B2 JPH0375519 B2 JP H0375519B2 JP 61033251 A JP61033251 A JP 61033251A JP 3325186 A JP3325186 A JP 3325186A JP H0375519 B2 JPH0375519 B2 JP H0375519B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plane
- axis
- parallel
- single crystal
- lithium tantalate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/201—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification located on the periphery of wafers, e.g. orientation notches or lot numbers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はタンタル酸リチウム単結晶ウエーハに
関するものであり、特には高い方位精度のもとに
オリエンテーシヨンフラツトを形成してなる単結
晶ウエーハを提供を目的とする。
関するものであり、特には高い方位精度のもとに
オリエンテーシヨンフラツトを形成してなる単結
晶ウエーハを提供を目的とする。
（従来の技術）
タンタル酸リチウム単結晶は、電気機械結合係
数が高く、かつ温度の変動にともなう特性変化が
小さい特徴を有するため、VTR用共振子、テレ
ビのPIFフイルター等各種のSAWデバイス用単
結晶材料として、あるいはその他高周波通信機用
材料として有用とされているものである。
数が高く、かつ温度の変動にともなう特性変化が
小さい特徴を有するため、VTR用共振子、テレ
ビのPIFフイルター等各種のSAWデバイス用単
結晶材料として、あるいはその他高周波通信機用
材料として有用とされているものである。
タンタル酸リチウム単結晶は一般にチヨクラル
スキー法によつて融液状のLiTao3からＸ軸引上
げにより製造されており、この引上げられた単結
晶は単一分域化処理（ポーリング処理）が行われ
たのち、Ｘ軸カツトウエハーとして各種デバイス
用に提供されている。
スキー法によつて融液状のLiTao3からＸ軸引上
げにより製造されており、この引上げられた単結
晶は単一分域化処理（ポーリング処理）が行われ
たのち、Ｘ軸カツトウエハーとして各種デバイス
用に提供されている。
従来、このタンタル酸リチウム単結晶ウエーハ
は、各種デバイス製作時に表面弾性波（超音波）
の伝播方向が容易に設定できるように、Ｘ線ラウ
エ法等で決定した112゜Y方向に平行な面の側面部
をフラツトに研削した形状のもの、すなわちオリ
エンテーシヨンフラツトを形成した形状のものと
して製造されている。より具体的には表面弾性波
（超音波）の伝播方向を112゜Y方向とする場合、
その方向にオリエンテーシヨンフラツトを形成す
ることが行われている。
は、各種デバイス製作時に表面弾性波（超音波）
の伝播方向が容易に設定できるように、Ｘ線ラウ
エ法等で決定した112゜Y方向に平行な面の側面部
をフラツトに研削した形状のもの、すなわちオリ
エンテーシヨンフラツトを形成した形状のものと
して製造されている。より具体的には表面弾性波
（超音波）の伝播方向を112゜Y方向とする場合、
その方向にオリエンテーシヨンフラツトを形成す
ることが行われている。
しかしながら、この方向には回折結晶面が無い
ため、切断ブレードホイールが112゜Y方向に平行
となるように結晶装置治具を使用したり、背面ラ
ウエ法によつてその方向を微調整することが必要
であり、作業能率が悪く、しかもこのようにして
Ｘ線ラウエ法で112゜Y方向を決定してもその方向
のバラツギが大きく、このことがデバイス特性を
悪くし、歩留りを低下させる原因となつていた。
ため、切断ブレードホイールが112゜Y方向に平行
となるように結晶装置治具を使用したり、背面ラ
ウエ法によつてその方向を微調整することが必要
であり、作業能率が悪く、しかもこのようにして
Ｘ線ラウエ法で112゜Y方向を決定してもその方向
のバラツギが大きく、このことがデバイス特性を
悪くし、歩留りを低下させる原因となつていた。
（発明の構成）
本発明者らはこのような従来の問題点を解決す
るため鋭意検討を行なつた結果、少なくとも１つ
のオリエンテーシヨンフラツトを有するタンタル
酸リチウム単結晶ウエーハの該フラツトの平面が
(A)結晶の（018）面、またはＸ軸と平行で（018）
面と15゜以下の角度をなす平面と平行であるか、
あるいは(B)Ｘ軸と平行でかつ（018）面に垂直な
平面、または（018）面に垂直な平面と15゜以下の
角度をなす平面でかつＸ軸と平行である平面と平
行であるようにすることで、従来の112゜Y方向の
ときのような方向決定作業の困難性、オリエンテ
ーシヨンフラツトの方位精度の悪さのような問題
点が一挙に解決され、デバイスの性能や品質の向
上、歩留りの向上が顕著であることを確認し本発
明を完成した。
るため鋭意検討を行なつた結果、少なくとも１つ
のオリエンテーシヨンフラツトを有するタンタル
酸リチウム単結晶ウエーハの該フラツトの平面が
(A)結晶の（018）面、またはＸ軸と平行で（018）
面と15゜以下の角度をなす平面と平行であるか、
あるいは(B)Ｘ軸と平行でかつ（018）面に垂直な
平面、または（018）面に垂直な平面と15゜以下の
角度をなす平面でかつＸ軸と平行である平面と平
行であるようにすることで、従来の112゜Y方向の
ときのような方向決定作業の困難性、オリエンテ
ーシヨンフラツトの方位精度の悪さのような問題
点が一挙に解決され、デバイスの性能や品質の向
上、歩留りの向上が顕著であることを確認し本発
明を完成した。
本発明を図面に基づいて説明する。
第１図はＸ軸カツトタンタル酸リチウム単結晶
ウエーハについてのオリエンテーシヨンフラツト
（OF）方位を示す説明図である。同図は便宜上Ｙ
軸を横方向、Ｚ軸を縦方向で表わしたＸ軸から見
た投影図であり、ａおよびa′は（018）面に平行
な面、ｂおよびb′はａ−a′方向と直角方向の側面
部分をそれぞれ示す。図中a′部分については±
15゜の巾を示したがａ，ｂおよびb′部分について
も同様である。 他方同図の点線で示した112゜Y
方向は従来のOF形成方向を表したものである。
ウエーハについてのオリエンテーシヨンフラツト
（OF）方位を示す説明図である。同図は便宜上Ｙ
軸を横方向、Ｚ軸を縦方向で表わしたＸ軸から見
た投影図であり、ａおよびa′は（018）面に平行
な面、ｂおよびb′はａ−a′方向と直角方向の側面
部分をそれぞれ示す。図中a′部分については±
15゜の巾を示したがａ，ｂおよびb′部分について
も同様である。 他方同図の点線で示した112゜Y
方向は従来のOF形成方向を表したものである。
タンタル酸リチウム単結晶のＸ軸カツト面にお
いて、（018）面は回折結晶面であるので、この
（018）面は、Ｘ線デイフラクトメーター法によつ
て容易かつ短時間に精度よく決定することができ
る。したがつて本発明になるタンタル酸リチウム
単結晶ウエーハはそのOFの方位精度が極めて高
く、このウエーハからSAWデバイス等を製作す
ると、従来に比べてデバイスの品質．性能が大幅
に向上し、歩留りも向上する利点が与えられる。
いて、（018）面は回折結晶面であるので、この
（018）面は、Ｘ線デイフラクトメーター法によつ
て容易かつ短時間に精度よく決定することができ
る。したがつて本発明になるタンタル酸リチウム
単結晶ウエーハはそのOFの方位精度が極めて高
く、このウエーハからSAWデバイス等を製作す
ると、従来に比べてデバイスの品質．性能が大幅
に向上し、歩留りも向上する利点が与えられる。
また本発明の場合、従来のような112゜Y方向に
OFを設けるに当つての方向決定作業の困難性と
いう問題点がなく、ウエーハ製作の作業性の点で
も大きな利点を有している。
OFを設けるに当つての方向決定作業の困難性と
いう問題点がなく、ウエーハ製作の作業性の点で
も大きな利点を有している。
なお本発明において、OFのフラツト巾は従来
と同様単結晶の直径、ユーザーの要望等により定
められるものである。またOF形成の手段は、す
り落し、研磨、研削、切断加工等の適宜な方法に
より行われる。
と同様単結晶の直径、ユーザーの要望等により定
められるものである。またOF形成の手段は、す
り落し、研磨、研削、切断加工等の適宜な方法に
より行われる。
次に具体的な実施例をあげる
実施例
単一分域化処理したＸ軸引上げタンタル酸リチ
ウム単結晶（直径約80mm、長さ約100mm）につい
て、カツト面検査機（理学電気2991−E1）を使
用して（018）面を決定した。このときの方位精
度は±30”であつた。
ウム単結晶（直径約80mm、長さ約100mm）につい
て、カツト面検査機（理学電気2991−E1）を使
用して（018）面を決定した。このときの方位精
度は±30”であつた。
つぎに、円筒研削機（Ｒ−SH50）によつて所
定の直径76.2mmに仕上げたのち、（018）面に平行
に巾22mmのOF研削加工した。この単結晶を厚さ
500μmにＸ軸カツトし、ウエーハでOFの方位精
度を調べたところ、従来のＸ線ラウエ法により
112゜Y方向にOFを形成した場合の値（バラツキ）
±0.5゜と比べて、著しく小さい±30”の値をえ
た。このウエーハよりSAWデバイスを製作した
ところ、共振周波数の設計値に対するズレがきわ
めて小さく、従来の場合に比べて品質・性能が向
上し、歩留りも大幅に改善された。
定の直径76.2mmに仕上げたのち、（018）面に平行
に巾22mmのOF研削加工した。この単結晶を厚さ
500μmにＸ軸カツトし、ウエーハでOFの方位精
度を調べたところ、従来のＸ線ラウエ法により
112゜Y方向にOFを形成した場合の値（バラツキ）
±0.5゜と比べて、著しく小さい±30”の値をえ
た。このウエーハよりSAWデバイスを製作した
ところ、共振周波数の設計値に対するズレがきわ
めて小さく、従来の場合に比べて品質・性能が向
上し、歩留りも大幅に改善された。
第１図はＸ軸カツトタンタル酸リチウム単結晶
ウエーハについてのオリエンテーシヨンフラツト
方位を示す説明図である。
ウエーハについてのオリエンテーシヨンフラツト
方位を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１つのオリエンテーシヨンフラツ
トを有するタンタル酸リチウム単結晶ウエーハで
あつて、該フラツトの平面が (A) 結晶の（018）面、またはＸ軸と平行で
（018）面と15゜以下の角度をなす平面と平行で
あるか、あるいは (B) Ｘ軸と平行でかつ（018）面に垂直な平面、
または（018）面に垂直な平面と15゜以下の角度
をなす平面でかつＸ軸と平行である平面と平行
であることを特徴とするタンタル酸リチウム単
結晶ウエーハ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033251A JPS62191496A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
| DE8787400323T DE3764010D1 (de) | 1986-02-18 | 1987-02-13 | Einkristallscheibe aus lithiumtantalat. |
| EP87400323A EP0243215B1 (en) | 1986-02-18 | 1987-02-13 | A single crystal wafer of lithium tantalate |
| DE198787400323T DE243215T1 (de) | 1986-02-18 | 1987-02-13 | Einkristallscheibe aus lithiumtantalat. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033251A JPS62191496A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62191496A JPS62191496A (ja) | 1987-08-21 |
| JPH0375519B2 true JPH0375519B2 (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=12381274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033251A Granted JPS62191496A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | タンタル酸リチウム単結晶ウエ−ハ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0243215B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62191496A (ja) |
| DE (2) | DE3764010D1 (ja) |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61033251A patent/JPS62191496A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-13 DE DE8787400323T patent/DE3764010D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-13 DE DE198787400323T patent/DE243215T1/de active Pending
- 1987-02-13 EP EP87400323A patent/EP0243215B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3764010D1 (de) | 1990-09-06 |
| DE243215T1 (de) | 1988-05-19 |
| EP0243215A2 (en) | 1987-10-28 |
| EP0243215A3 (en) | 1988-12-07 |
| JPS62191496A (ja) | 1987-08-21 |
| EP0243215B1 (en) | 1990-08-01 |
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