JPH0375607A - シングルモード単一偏波光ファイバ及び製造法 - Google Patents

シングルモード単一偏波光ファイバ及び製造法

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JPH0375607A
JPH0375607A JP2189305A JP18930590A JPH0375607A JP H0375607 A JPH0375607 A JP H0375607A JP 2189305 A JP2189305 A JP 2189305A JP 18930590 A JP18930590 A JP 18930590A JP H0375607 A JPH0375607 A JP H0375607A
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refractive index
mode
core
polarization optical
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JP2189305A
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Michael J Messerly
マイクル　ジョセフ　メッサーリィ
Robert Onstott James
ジェームス　ロバート　オンストット
Raymond C Mikkelson
レイモンド　チャールズ　ミッケルソン
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3M Co
Original Assignee
Minnesota Mining and Manufacturing Co
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、基本モードの１つの偏波状態のみを伝播して
光を偏波させたり偏波された光を長距離にわたって伝播
するのに使用できる光ファイバに関する。
［従来の技術］ 現在、光を偏波させてシングルモード光ファイバにより
伝送する必要のある場合、通常ポラライザ本体もしくは
集積ポラライザによって行われるが、両者共極めて高価
で多くの光フアイバ応用に対して望ましくないような大
きさである。
１９８０年代の中頃、ヨークテクノロジー社は緊密に巻
き付けられ封止函体内に収納されたシングルモード単一
偏波光ファイバに基いたポラライザを紹介した。コイル
巻きとすることにより曲げ損失が生じ、それは応力誘起
複屈折と組み合されて、直交状態がファイバコアを伝播
する時に１つの偏波を減衰させる。ヨークデバイスは帯
域幅が比較的狭いため、使用する任意のシングルモード
光ファイバと整合させなければならない。ヨークブロー
シャ６／８７（１９８７年６月）には少くとも２００ｍ
の帯域幅が報告されている。ヨークデバイスの開発者の
出版物にはヨークポラライザの光ファイバは、ボータイ
に似た断面ジオメトリの非対称ストレス領域及び゛−力
方向Ｗ屈折率プロファイルを与える窪んだ屈折率”、す
なわち、Ｗ字型屈折率プロファイルを有することが示さ
れている。バーンハム等の、“高複屈折ボータイ光ファ
イバの単一偏波動作”、Ｅｌｅｃ、　Ｌｅｔｔ、第１９
巻、第６７９〜６８０頁（１９８３）参照。
（ハワード等の）米国特許第４．５１５．４３６号の第
１図、第３図及び第５図には、やはり窪んだ屈折率、す
なわちＷ字型屈折率プロファイルを有するシングルモー
ド単一偏波光ファイバが示されており、より詳細には“
外部クラッド領域の屈折率は内部クラッド領域の屈折率
よりも大きいがコア領域の屈折率よりは小さい″（アブ
ストラクト〉ことが示されている。中間波長における動
作によりファイバはポラライザとして作用することがで
きる。第１図及び第２図に関して、ハワードは次のよう
に言っている。
“最大帯域幅が大きな内部クラッド１２を有するように
、複屈折はコア１０からの距離と共に減少する。しかし
ながら、この内部クラッド領域１２は、所望しない偏波
の高速トンネル損失に対して狭くしなければならない。
従って、高速トンネル損失を与えることと大きな帯域幅
を与えることの間にかね合いが存在する。′（第４１１
第１８〜２５行）ハワードの光ファイバは、コイル巻き
にしたり弯曲したすせずにポラライザとして作用するこ
とができるが、第５図の実施例は、１．５ｃ１１の曲げ
半径で４回曲げられ５７０ｎ−においておよそ２５ｎ１
１の帯域幅を示す第６図の伝送データが得られた。
シンプソン等の″゛単一偏波光ファイバ°′Ｊ、　ｏｆ
　Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ　Ｔｅｃｈ、第ＬＴ−１巻、第２
号（１９８３）には、次のように記載されている。
゛窪んだ、すなわちＷ字型クラッド構造と組み合わされ
た高い応力誘起複屈折の組合せを使用する単一・偏波フ
ァイバ・・・住んだクラッドは、波長と共に急速に増大
するトンネル損失を与える。重ドープ楕円クラッドによ
り生じる異方性応力により２つの偏波に対するカットオ
フ波長が異なるようにモード有効屈折率が分割される。
シングルモード伝送ファイバに代表的なコアサイズ及び
屈折率を有するファイバに対して８％の帯域幅が達成さ
れた。１α程度のファイバ長で、１ｄＢ以下の挿入損失
で３０ｄＢよりも大きい吸光比が得られた。
有用な動作の波長はファイバを曲げることにより整調す
ることができる。（３７０頁〉 また、シンプソン等の“矩形偏波及び偏光維持ファイバ
の特性”Ｐｒｏｃ、　５ＰＩＦ、第７１９巻、第２２０
〜２２５頁（１９８６）には、Ｗ字型屈折率プロファイ
ルを有する実質的に矩形状の偏波ファイバは、直交偏光
モード　カットオフ波長を０．１μ丸引き離すモーダル
複屈折の時に、５αの長さにおいて３ＱｄＢよりも大き
い吸光比が得られたと記述されている。
“Ｗ−トンネル　ファイバポラライザは、ストーレン等
の“短Ｗ−トンネル　ファイバポラライザ”　Ｅｌｅｃ
、　Ｌｅｔｔ、第２４巻、第５２４〜５２５頁（１９８
８）のテストに対してまつずぐに保持され、それには３
９６Ｂ偏波を行うための６３３　ｎ１ｌｌにａ３けるお
よそ２５１＋１の帯域幅が示されている。
残念ながら、ストーレンのおよそ２５０１の帯域幅及び
前記他の出版物のいくつかは製造誤差の余裕がほとんど
無い。例えば、精密な動作波長に対して狭帯域幅半導体
光′ｆＩＡ＜例えば、レーザ）を作るのは困難である。
また、ストーレンや他の従来技術の光フアイバポラライ
ザを複製するようにされた一連の光ファイバでは帯域幅
の偏移が予期される。さらに、使用条件の変動により、
たとえレーザ及びポラライザが最初に整合されていても
・波長が不整合となることがある。
開本等の“平坦なりラッドを有する高複屈折偏波７フイ
バＪ、　ｏｆ　Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ　Ｔｅｃｈ、第ＬＴ
−３巻、第４号、第７５８〜７６２頁（１９８５）には
、バーンハムの出版物に゛ファスト軸をファイバコイル
の面に平行として複屈折ファイバを弯曲させた時に偏波
効果が強化される”と記載されていることが指摘されて
いる。Ｘ軸（スロー軸）に沿って窪んだ、すなわちＷ字
型屈折率プロファイルを有する開本のファイバはそのス
ロー軸に平行なフラットを有している。ファイバをコイ
ル巻きにすると、フラットはスロー軸を平行に維持し、
それにより実質的に広い帯域幅が得られる。開本の第９
゛図には４．５０の曲げ直径において３９０ｎｍの帯域
幅が得られると示されている。開本等の゛高複屈折光フ
ァイバの単一・偏波動作”鏡出剋ユ出」、第２３巻、第
１５号、第２６３８〜２６４１頁（１９８４）及び米国
特許第４゜４８０．８９７号（開本等）も参照されたい
。
本発明は、特定の狭帯域幅光源に慎重に整合さ仕る必要
なしに製造することができ、（曲げることなく）充分に
大きな単一偏波波長帯域幅を有する最初のシングルモー
ド単一偏波光ファイバと考えられるものを提供する。他
の重要〈ｒ点に関しては、本発明のシングルモード単一
偏波光ファイバは、トンネル偏波状態の充分に高い吸光
係数及び伝播する偏波状態の最小減衰という点について
少くとも従来の光ファイバと同等である。
要約すれば、本発明のシングルモード単一偏波光ファイ
バは、前記出版物の０＜つかと同様に、ファイバを複屈
折させる非対称ストレス領域を組み込んでいる。また、
従来のファイバと同様に、本発明のファイバも少くとも
その１つの対称軸に沿って窪んだ屈折率プロファイルを
有している、すなわち、コアもしくはクラッドよりも屈
折率が小さい中間領域によりコアはクラッドから分離さ
れている。
本発明の新しい単一偏波光ファイバ（ここでは、しばし
ば“ＰＺファイバと呼ぶ）、が従来の単一偏波ファイバ
とどのように異なるかを知るために、選定対称軸に平行
もしくは直角とされた面偏波光線により測定された、光
ファイバの１つの対称軸からの一対の屈折率プロファイ
ルを考える。次式に従って、このような各プロファイル
からパラメータηが針棒され、 α η＝ｆｏ［ｎ　（ｒ）　−ｎｃ１］　ｒ　　ｄｒここに
、ｎ　（ｒ）は偏波光線の前記２つの偏波方向の一方に
より前記対称軸に沿って測定した放射位Ｕ（ｒ）におけ
る屈折率を表わし、ｎＣ１はコア中心からコア半径の４
〜７倍の距離にわたるクラッドの平均屈折率であって無
限大に拡大するものと考えられ、αは０と１の間の値で
あって、その精密な値はコアとクラッドの形状により決
定される。コアとクラッドが円型であればαは１であり
、ファイバが本質的に平坦な導波管として作用するよう
にコアとクラッドが延長している場合にはαは０に近す
き、中間の形状に対してはαはＯと１の間である。
偏波光線の前記２つの方位の一方により決定される屈折
率プロファイルから計算される時、１つの対称軸に対す
るηは正であり（Ｏよす大キい）、偏波光線の直交方向
により決定される屈折率プロファイルから計算される時
は負である（０より小さい）点において、本発明の新し
い単一偏波光ファイバは従来の単一偏波ファイバとｔよ
異っている。新しい光ファイバの他の各対称軸に対する
パラメータηは面偏波光線の両方位に対して正である。
以後ｎｏと呼ぶ正のη値を生じる偏波状態は曲げ及び吸
収による損失を無視すれば光の全ての有限波長に対して
案内される。以後ｎｔと呼ばれる負のη値を生じる偏波
状態は、ある有限波長よりも長い光の全ての波長におい
てファイバ導波管からトンネルアウトされる。次に、本
発明のファイバに対しては、光の１つだけの偏波状態が
伝播される波長帯域幅は、曲げ及び吸収による案内状態
の損失を無視すれば、大きい。トンネル基準はサイモン
の相似問題に対して発せられている。゛１次元及び２次
元における弱結合シュレジンガーオベレータの境界状態
”Ａｎｎａｌｓ　ｏｆ　Ｐｈ　５ｉｃｓ　、　９７、第
２７９〜２８８頁（１９７６）参照。
好ましくは、前記１つの対称軸に対するηの正及び負の
債はほぼ同じ絶対債を有し、それはこれにより新しい単
一偏波ファイバの製造公差が最小となるためである。
本発明においてシングルモード光ファイバが有用である
かどうかを決定するもう１つのテスｉ−では、次式で示
されるパラメータＸを使用している。
η　−ｎｔ 本発明の光ファイバに対して、一つの対称軸に対するＸ
の植は−１と＋１の間であり好ましくはｘ＝０である。
他の各対称軸に対して、×はこの範囲外である。Ｘの値
は複屈折が増大すると低減する。従って、複屈折が大き
いと、製造公差が増大する。また、複屈折は大きくして
ファイバの性能に及ぼす環境による複屈折の影響を低減
しなＧＪればならない。
所与の対称軸に対して、複屈折はストレス領域の内部領
域にわたって本質的に一定であることが判った。複屈折
がファイバコアに局限されないという事実は、ファイバ
の性能に有害な影響を及ぼさないように見える。発明の
要約に載せた基準はそれでも満すことができ、ファイバ
が偏波する波長帯域幅は大きいことが判った。
ステップインデックス、Ｗ字型ファイバ内のトンネル状
態の減衰率を高めるには、コア径に対する中間領域の径
の比率をできるだけ小さくしなければならない。この比
を小さくした場合、η。とη、との間の前記所望の平衡
を維持するために、中間領域とクラッド間の屈折率差を
増大させるか、もしくはコアとクラッド間の屈折率差を
低減させなければならない。コアとクラッド間の屈折率
差はまたトンネル状態の所望のカットオフ波長が得られ
るように選定しなければならず、このカットオフ波長は
公知の関係を使用して円型対称ファイバについて計算す
ることができる。（例えば、エム、マネリー、“二重ク
ラッド　シングルモードファイバ内の伝播”、ＩＥＥＥ
　Ｊ、　Ｑｕａｎｔｕｍ　ＥｌｅｃｔｒｏｎＣ第ＱＥ−
１８巻、第４号、第５３５頁（１９８２＞参照）。
中間領域に２つもしくはそれ以上の屈折率の異なる材料
を使用することにより新しい光ファイバの分散や曲げ公
差を最適化することができ、これらの１つもしくはそれ
以上の材料の屈折率は口Ｃ１を越えることができる。
本発明の好ましいＰＺファイバは中空水晶基板チューブ
の内面上にシリカ質層を堆積させて形成することができ
る。水晶はシリカではあるが、市販の中空基板チューブ
は不純物を含み、それにより重ドープシリカを堆積させ
るのが困難になることがある。従って、第１のシリカ質
層を純粋シリカもしくは軽ドープシリカとして屈折率が
ｎＣ１である“外部バリア”と呼ばれるものを設けるこ
とが望ましい。
第１の層が、純粋もしくは軽ドープシリカである場合に
は、次に堆積される層はストレス領域を形成することが
でき好ましくはｎＣ１よりも小さい屈折率を有するよう
にドープされる。この上にＵ中間領域”と呼ばれるもの
を形成できる層が堆積され、好ましくはストレス領域と
ほぼ等しい屈折率を有するようにドープされて、案内さ
れる状態が短か過ぎる波長においてカットオフされない
ことを保証する。最終層はＰＺファイバのコアを形成す
ることができる。
コーティングされた基板チューブをつぶしてプリフォー
ムを作った後で、２つの直径方向に相対する平行な平坦
面をプリフォームの外面内へ研削する。研削されたプリ
フォームを引き出してＰＺファイバを形成づると、ＰＺ
ファイバの外面は円筒状となり、ストレス領域は楕円状
となる。
平坦面をプリフォーム内へ研削する替りに、本発明のＰ
Ｚファイバを生成するように温度を制御しながらプリフ
ォームを平坦化して線引ぎすることができ、その外面は
ハワードの第５図に示すような実質的な楕円状となる。
本発明のＰＺファイバは他の形状、例えば前記開本の文
献に示されたようなＰＡＮＤＡ構成もしくはボータイ構
成、とすることができる。
好ましくは、新しいＰＺファイバのストレス領域はドー
プして中間領域と同じ屈折率を有するようにし、案内さ
れる状態の任意のトンネル状態を最少限とする。ストレ
ス領域の屈折率はＢ２Ｏ３ドープトシリカをＧＯ２で共
ドーピングすることにより、中間領域の屈折率と整合さ
せることができる。また、それをＰ２Ｏ５でドーピング
することにより、ストレス領域が堆積される温度を低下
させることができるが、リンが存在するとイオン化放躬
によりファイバが劣化することがある。
好ましくは、新しいＰｚファイバのコアは、酸化ゲルマ
ニウムをドープしたシリカであり、中間領域はフッソを
ドープしたシリカである。また、中間領域にＰ２Ｏ５を
含めると、その堆積温度を低下することができ、ここで
もイオン化放割にさらされると劣化する可能性がある。
新しいＰＺファイバがリンを含む場合には、外部バリア
はＰ２Ｏ５及びＦをドープしたシリカとするのが望まし
く、前者のドーパントによりその堆積温度が低下し、後
者によりリンの存在に上る屈折率の変化が相殺される。
新しいＰｚファイバが楕円状ストレス領域を有する場合
、好ましくはその矩径は長径の２０％〜４０％である。
４０％よりも大きいと、ストレス領域はコア上に所望す
る程度の応力を生ぜず、２０％よりも小さいと、内部ク
ラッドを適切な厚さとするのにストレス領域の長径を極
めて大きくしなければならない。
市販のセンサーファイバと互換性を有するように、前記
方法により製造される新しいＰＺファイバは任意の径、
例えば８５０ｎｌで作動するための８０μ扉及び１３０
０ｎｉで作動するための１２５μ扉、に線引きすること
ができる。
［実施例］ 第１図の光フアイバ１０は、前記方法により中空基板チ
ューブを使用して製造された。堆積層により円型断面の
コア１２、中間領域１４、及び楕円状ストレス領域１５
と楕円状外部バリ７１６を含む外部クラッド領域が、生
成された。外部クラッド領域は、中空基板チューブによ
り設けられたジャケット１８も含んでいる。
第２ａ図及び第２ｂ図の曲線２０及び２１は、それぞれ
、光ファイバの主対称軸に沿った方位の面偏波光線によ
り測定した、ファイバの屈折率対半径方向位置のグラフ
である。グラフは、それぞれ、主及び従対称軸により決
定される。破線２２゜２３はクラッドの屈折率を示す。
第３ａ図及び第３ｂ図の曲線３０．３１は、面偏波光線
が光ファイバの従対称軸に沿った方位とされている、第
２図と同様の屈折率のグラフである。破１２３２．３３
はクラッドの屈折率を示す。
第４図の曲線４０．４１は、それぞれトンネル偏波状態
及び案内偏波状態により測定した、４２扉長のファイバ
の減衰対波長のグラフである。作動帯域幅４２はトンネ
ル状態が少くとも３ＱｄＢ減衰される波長帯域であり、
案内される状態はさらに１ｄＢ／ＫＩＩ以内減衰される
。
鯉ユ （本発明の偏波維持光ファイバの製造）Ａ、　プリフォ
ーム°製作 本例のプリフォームは修正化学蒸着工程（ＭＣＶＤ）に
より製作された。この工程において、組成及び厚さが調
整されたガラスが酸素と金属塩化物もしくは臭化物との
化学反応により溶解シリカチューブの内側に堆積される
。本工程の詳細説明は米国特許明ｗＵ書第４，２１７．
０２７号（マチェズニー等）を参照されたい。
公称内径１７．０ｍ＋及び公称外径２０．０ｍｓの溶解
シリカチューブ（ゼネラル　エレクトリフ社＃９８２）
を堆積装置（プリフォーム旋盤、ガスフローシステム、
水素トーチ）内へ挿入した。
チ１−プ内壁を最初にフッ素でエツチングして非汚染堆
積面を生成した。次に、チューブ内壁上に４つのガラス
層を堆積した。４つの層の機能及び組成を下記に示す。
艷−曳 １−層　外部バリア ２−ｍ　ストレス領域 ３−層　中間領域 ４−層　コア 組　　成 Ｓ　ｉ　Ｏ，、／Ｐ２Ｏ５／Ｆ ＳｉＯ２／Ｂ２Ｏ３／ＧｅＯ２／Ｐ２Ｏ５ＳｉＯ２／Ｐ
２Ｏ５／Ｆ Ｓ　ｉ　０２　／Ｇｅｍ２ ステップ状の状態を第■表に示す。第１表の温度は溶解
シリカチューブ外面のパイロメータの読取値である。
堆積工程の完了後、内部堆積層を有する環状チューブは
標準技術によりつぶされて非中空プリフォームとした。
Ｂ、　プリフォーム整形 ２つの直径方向に相対する平坦面が従来の平面研削盤及
びダイヤモンド研削トイシにより元々円筒状のプリフォ
ーム上へ研削され、各平坦面を半径方向に２．５４ａｉ
ｍ研削した。次に、プリフォームは完全洗浄され研削手
順により生じる任意の微粒子による汚染を取り除いた。
Ｃ９ファイバー線引 ジルコニウム誘導炉を使用して、円型断面とするのに充
分な温度を維持しながらプリフォームを７５μ虱径のフ
ァイバーを線引きする。炉を監視したパイロメータの読
取温度は２．１２５℃であった。線引きした後、ファイ
バーには紫外線により個別に硬化された２つの別々のア
クリレート層がコーティングされた。第１の７クリレー
トコーテイングはゲット社のＤｌ−１１であり、第２の
コーティングはやはりゲット社のＤ−１００であった。
コーティングされたファイバーはリール上へ巻き取られ
た。
Ｏ３ファイバ特性 ステップＡ−Ｃにより得られるＰＺファイバは、次のよ
うな機械的及び光学的特性を有している。
機械的特性 コア径　　　　　　　　　　　　　　４．９μ卯中間領
域径　　　　　　　　　　　１２μ卯楕円型ストレス領
域の 長径　　　　　　　　　　　　５９μ風矩径　　　　　
　　　　　　　１５μ卯外部バリア 長径　　　　　　　　　　　　６５μ■矩径　　　　　
　　　　　　　１７μ卯クラツド径　　　　　　　　　
　　７６μ卵アクリレートコーテイング径　　２１６μ
卯光学特性 円型偏波光線により測定した屈折率 コア　　　　　　　　　　　　　１゜４６２内部バリア
　　　　　　　　　　１　、４５７ストレス領域 長径に沿って　　　　　　　　１．４５７矩径に沿って
　　　　　　　　　１．４５９５外部バリ７　　　　　
　　　　　１．４５９基板チユーブ　　　　　　　　　
　１．４５９８５０ｎｍにおける損失、被案内状態　４
．７ｄＢ／−８５０ｎｓにおけるモードフィールド径５
．８μ班ＬＰ−１１カットオフ波長　　　　　　＜　５
５０ｔｖＬＰ−０１カツトオフ波長 トンネル状ｆｉｌ　　　　　　　　　　　７８Ｑｒｖ減
衰が１ｄＢ／ＫＩＲ増加する波長、 被案内状態　　　　　　　　　　　８９０ｎｌ偏波帯域
幅　　　　　　　　　　　　１１０ｔｖ６３３ｎ−にお
ける複屈折　　　　　　５Ｘ　１０−４ストレス領域が
非対称であるため、コアが円型であってもＰＺファイバ
のクラッドは円型ではない。従って、αはＯと１の間で
ある。しかしながら、αをＯもしくは１とすると、長軸
からは、α　　　　ηｔ　　　　　７７ｇ　　　　ＸＯ
−０，００６μ７７Ｌ　　　　　Ｏ，０１０μｍ　　　
　　０．２０１　　−０．０５６μｍ　　　　０．００
６μｍ２−０．８０短軸からは、 α　　　　ηｔ　　　　　’７ｇ　　　　ＸＯｏ、ｏｏ
６μｍ　　　ｏ、ｏｏ７μｍ　　　　１０１　　−ｏ、
ｏｏａμｍ−０，００９μ７７’Ｌ２１２となる。
新しい単一偏波光ファイバはまっすぐである時に優れた
帯域幅を有するが、弯曲もしくはコイル巻きとすること
により、より短いファイバで偏波させることができる。
偏波維持光ファイバを有するポラライザを含む任意のセ
ンサにおいて、これらの素子は、例えばファイバ　ジャ
イロスコープ、磁気計及び電流センサにおいて、新しい
単一偏波光ファイバと置換できなければならない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の好ましいシングルモード単一偏波光
ファイバの略断面図、第２ａ図及び第２ｂ図は、面幅波
光線により測定した、第１例の光ファイバの屈折率対半
径方向位置のグラフをボず図、第３ａ図及び第３ｂ図は
、第２図の方位と直交する面幅波光線により第２ａ図及
び第２ｂ図と＠様に測定した屈折率対半径方向位置のグ
ラフを示す図、第４図は、第１例のＰＺファイバの作動
帯域幅を示す図である。 参照符号の説明 １０・・・光ファイバ １２・・・コア １４・・・中間領域 １５・・・ストレス領域 １６・・・外部バリア １８・・・ジャケット

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）コア及び非対称ストレス領域を含むクラッドから
    なるシングルモード単一偏波光ファイバにおいて、該フ
    ァイバは少くとも１つの対称軸に沿って窪んだ屈折率を
    有し、 選定対称軸に平行もしくは直角とされた面偏波光線によ
    り光ファイバの１つの対称軸からの一対の屈折率プロフ
    ァイルが測定され、このような各プロファイルから次式
    に従ってηが計算され、η＝∫＿０［ｎ（ｒ）−ｎ＿Ｃ
    ＿１］ｒ＾αｄｒｎ（ｒ）は偏波光線の前記２つの方位
    の一方により前記対称軸に沿つて測定した半径方向位置
    （ｒ）における屈折率を表わし、ｎ＿Ｃ＿１はコア中心
    からコア半径の４〜７倍の距離にわたるクラッドの平均
    屈折率であり、αはコア及びクラッドが円型である時の
    １の値からファイバが本質的に平面導波管として挙動す
    るようにコア及びクラッドが伸長された時の０に近い値
    までを有する時、 一方の対称軸に対するηは、偏波光線の前記２つの方位
    の一方により決定される屈折率プロファイルから計算す
    る場合は正となり、偏波光線の直交方位により決定され
    る屈折率プロファイルから計算した場合は負となり、新
    しい光ファイバの他方の各対称軸に対しては、面偏波光
    線の両方位に対してηは正となる、 ことを特徴とする、シングルモード単一偏波光ファイバ
    。
  2. （２）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、正及び負である場合のηの絶対値は、
    前記一方の対称軸に対してほぼ等しいシングルモード単
    一偏波光ファイバ。
  3. （３）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、ストレス領域は、ＧｅＯ＿２及びＢ＿
    ２Ｏ＿３をドープしたシリカであるシングルモード単一
    偏波光ファイバ。
  4. （４）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、ストレス領域にもＰ＿２Ｏ＿５がドー
    プされているシングルモード単一偏波光ファイバ。
  5. （５）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、さらにコアと非対称ストレス領域との
    間に中間領域を有する、シングルモード単一偏波光ファ
    イバ。
  6. （６）請求項（５）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、中間領域はフッ素をドープしたシリカ
    であるシングルモード単一偏波光ファイバ。
  7. （７）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、純粋シリカの外部バリアを有するシン
    グルモード単一偏波光ファイバ。
  8. （８）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、Ｐ＿２Ｏ＿５及びＦをドープしたシリ
    カの外部バリアを有するシングルモード単一偏波光ファ
    イバ。
  9. （９）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光フ
    ァイバにおいて、前記非対称領域は実質的に楕円型であ
    るシングルモード単一偏波光ファイバ。
  10. （１０）請求項（９）記載のシングルモード単一偏波光
    ファイバにおいて、ストレス領域の矩径は長径の２０％
    〜４０％であるシングルモード単一偏波光ファイバ。
  11. （１１）請求項（１）記載のシングルモード単一偏波光
    ファイバの製造法において、 １）届折率ｎ＿Ｃ＿１を有する中空シリカ基板チューブ
    の内面上にシリカ質材の少くとも第１、第２及び第３の
    層を堆積する段階と、 ２）チューブをつぶしてプリフォームとする段階と、 ３）直径方向に相対する２つの平行な平坦面をプリフォ
    ームの外面内に形成する段階と、４）プリフオームを線
    引きして前記光ファイバを形成し、ここで、前記第１の
    層はｎ＿Ｃ＿１よりも小さい屈折率を有する非対称スト
    レス領域を形成し、前記第２の層はストレス領域の屈折
    率にほぼ等しい屈折率を有する中間領域を形成し、前記
    第３の層はｎ＿Ｃ＿１よりも大きい屈折率を有するコア
    を形成する段階と、 を含むシングルモード単一偏波光ファイバの製造方法。
  12. （１２）請求項（１１）記載の方法において、前記第１
    の層を堆積させる前に屈折率ｎ＿Ｃ＿１を有する外部バ
    リアを形成する層を堆積させる段階、 を含むシングルモード単一偏波光ファイバ製造方法。
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