JPH0375609A - Waveguide type photodetecting element and production thereof - Google Patents

Waveguide type photodetecting element and production thereof

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JPH0375609A
JPH0375609A JP21175789A JP21175789A JPH0375609A JP H0375609 A JPH0375609 A JP H0375609A JP 21175789 A JP21175789 A JP 21175789A JP 21175789 A JP21175789 A JP 21175789A JP H0375609 A JPH0375609 A JP H0375609A
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JP
Japan
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waveguide
optical system
reflection
photodetectors
minute
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JP21175789A
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Japanese (ja)
Inventor
Shunsuke Fujita
俊介 藤田
Kiyoshi Yokomori
横森 清
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the number of stages and to provide a cost reduction by adopting the constitution having microreflecting pats formed in the waveguide in correspondence to the spacings between the adjacent photodetectors of plural photodetectors. CONSTITUTION:This element has the waveguide 1, a waveguide reflecting optical system 100 formed as the end face of the waveguide 1, the plural photodetectors 2a to 2d provided in the waveguide 1 or in proximity to the waveguide 1 and the microreflecting parts 4ab, 4cd formed in the waveguide 1 in correspondence to the spacings between the adjacent photodetectors. Guided light is converged not by refraction but by reflection in this case and, therefore, the function of the waveguide reflecting optical system 100 does not change at all even if the optical wavelength changes. Since the waveguide reflecting optical system 100 is formed as the end face of the waveguide layer, the production thereof is easy. The decreased number of stages, the improved accuracy and the decreased fluctuations at time of mass production are obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光集積ピックアップや光スペクトラムアナラ
イザ等を構成するに最適な導波路型光検出素子及びその
製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a waveguide type photodetector element that is most suitable for constructing an optical integrated pickup, an optical spectrum analyzer, etc., and a method for manufacturing the same.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

光を導波路中に閉じ込めて導波させ、導波光を導波光学
系により屈折または回折させて集光させる導波路型光検
出素子が提案されている。このような導波路型光検出素
子は、その使用により光学系を小型化、軽量化できるの
で、例えば、「″光ディスクピックアップの光集積回路
化″電子通信学会、光量子エレクトロニクス研究会、信
学技報。
2. Description of the Related Art A waveguide type photodetecting element has been proposed, which confines light in a waveguide and guides the guided light, and condenses the guided light by refracting or diffracting it using a waveguide optical system. The use of such a waveguide-type photodetector allows the optical system to be made smaller and lighter. .

○QE85−72. P2O−46(1985)J等に
見られるように、光デイスク用の光集積ピックアップ等
への応用が期待されている。
○QE85-72. As seen in P2O-46 (1985) J, etc., application to optical integrated pickups for optical disks, etc. is expected.

ところで、上記光集積ピックアップにおいては、シリコ
ン(S、t)基板の表面に形成された熱酸化膜のバッフ
ァ層に導波路層を積層してスラブ型の先導波路とし、光
ビーム照射手段により入射し、光ディスクによって反射
された光を集光グレーティングカプラ等の導波光学系に
より、上記光導波路中へ導くと共に上記基板に形成され
たフォトダイオード等の複数の光検出器の受光面近傍へ
収束させて記録情報信号やトラッキング、フオーカシン
グのサーボ信号を得るようになっている。
Incidentally, in the optical integrated pickup described above, a waveguide layer is laminated on a buffer layer of a thermal oxide film formed on the surface of a silicon (S, t) substrate to form a slab-type leading waveguide, and a light beam is incident on the waveguide by a light beam irradiation means. , the light reflected by the optical disk is guided into the optical waveguide by a waveguide optical system such as a condensing grating coupler, and is focused near the light receiving surface of a plurality of photodetectors such as photodiodes formed on the substrate. It is designed to obtain recording information signals and servo signals for tracking and focusing.

また、上記導波光学系としては、上記集光グレーティン
グカプラの代わりに、プリズムカプラあるいは通常のグ
レーティングカプラと、導波路レンズ(モードインデッ
クスレンズ、ルネブルクレンズ、ジオデシックレンズ、
グレーティングレンズ等)との組合せを用いる方法が知
られている。
In addition, the waveguide optical system may include a prism coupler or a normal grating coupler and a waveguide lens (mode index lens, Luneburg lens, geodesic lens, etc.) instead of the condensing grating coupler.
A method using a combination with a grating lens, etc.) is known.

しかしながら、導波光学系として上記導波路レンズを用
いる場合、以下のような種々の問題が生じる。
However, when using the above-mentioned waveguide lens as a waveguide optical system, various problems such as those described below occur.

例えば、上記導波路レンズの内、モードインデックスレ
ンズ、ルネブルクレンズは、その作製過程で必要とされ
る屈折率制御に極めて高精度を要求されるが、高精度の
屈折率制御は現在の技術では難しく、量産性の面からし
て現段階では実用化が困難である。また、ジオデシック
レンズは導波路に窪みをつけて導波路レンズとするもの
であり、窪み形状が非球面であるところから、その加工
が難しく製作工程として、精密切削とこれに続く研磨工
程を必要とするところからやはり量産が難しく、コスト
の低減化も困難である。
For example, among the waveguide lenses mentioned above, mode index lenses and Luneburg lenses require extremely high precision in refractive index control during their manufacturing process, but high precision refractive index control is not possible with current technology. It is difficult and difficult to put into practical use at this stage in terms of mass production. Additionally, a geodesic lens is a waveguide lens made by adding a depression to a waveguide, and since the shape of the depression is aspherical, it is difficult to process and requires precision cutting followed by a polishing process. For this reason, mass production is difficult, and cost reduction is also difficult.

グレーティングレンズは作製は比較的容易であり、且つ
低コストで実現可能であるが、そのレンズ作用が光波長
に依存しており、光波長が変化すると焦点距離が変化し
てしまう。しかるに導波路光学素子に用いる光源として
普通に用いられる半導体レーザーには、周知のごとく温
度変化による波長シフトの性質があり、従って、グレー
ティングレンズを用いる場合には、半導体レーザーに対
して極めて高精度の温度制御を行うか、あるいは波長シ
フ1−のないDFB半導体レーザーを使用する必要があ
り、これが装置の大型化や高コスト化を招来してしまう
という問題がある。
Although grating lenses are relatively easy to manufacture and can be realized at low cost, their lens action depends on the wavelength of light, and when the wavelength of light changes, the focal length changes. However, as is well known, semiconductor lasers commonly used as light sources for waveguide optical elements have the property of wavelength shifting due to temperature changes. Therefore, when using grating lenses, extremely high precision It is necessary to perform temperature control or to use a DFB semiconductor laser without wavelength shift 1-, which poses the problem of increasing the size and cost of the device.

そこで、上述の問題を解消するため、基板上に設けられ
た導波層と、この導波層中を導波される導波光を集光す
るための導波光学系とを有し、上記導波光学系が上記導
波層の端面として形成された導波路反射光学系であるこ
とを特徴とする導波路型光検出素子が本発明らによって
提案されている(特願平1−10360号)、この導波
路型光検出素子は、低コストで容易に実現でき、しかも
普通の半導体レーザーを光源として用いることができる
等、導波路型光検出素子として極めて有用なものである
Therefore, in order to solve the above-mentioned problem, a waveguide layer provided on the substrate and a waveguide optical system for condensing the guided light guided through the waveguide layer are provided. The present inventors have proposed a waveguide type photodetecting element characterized in that the wave optical system is a waveguide reflective optical system formed as the end face of the waveguide layer (Japanese Patent Application No. 1-10360). This waveguide-type photodetector is extremely useful as a waveguide-type photodetector because it can be easily realized at low cost, and an ordinary semiconductor laser can be used as a light source.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、上記導波路反射光学系を採用することにより
導波光学系に関する問題は解決し得るが、導波路型光検
出素子の実用化を困難にしている問題として、光検出器
間に受光不能部が存在し、検出感度の低下や、検出エラ
ーの原因となるという問題がある。
By the way, the problems related to the waveguide optical system can be solved by adopting the above-mentioned waveguide reflective optical system, but one problem that makes it difficult to put the waveguide type photodetector into practical use is that there is a portion between the photodetectors that cannot receive light. There is a problem in that this causes a decrease in detection sensitivity and a detection error.

すなわち、前述の光集積ピックアップ等においては、複
数個の光検出器の形成上、それらの光検出器間の境界部
分には、数μm以上の光検出不能部が生じるのが不可避
であり、このため、光デイスク用の光ピツクアップとし
て用いた場合には、特にフォーカス誤差信号の感度が低
下あるいは不感となるという問題が生じ、実用化の妨げ
となっている。
That is, in the above-mentioned optical integrated pickup, etc., due to the formation of a plurality of photodetectors, it is inevitable that a non-photodetectable area of several μm or more will occur at the boundary between the photodetectors. Therefore, when used as an optical pickup for an optical disk, a problem arises in that the sensitivity of the focus error signal is particularly reduced or becomes insensitive, which hinders its practical use.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、導波
光学系に関する問題と、上述の光検出器間の不感部の発
生の問題とを同時に解決し得る導波路型光検出素子、及
びその製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a waveguide type photodetector element that can simultaneously solve the problems related to the waveguide optical system and the problem of the generation of dead areas between the photodetectors, and The purpose is to provide a manufacturing method thereof.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するため、本発明による導波路型光検出
素子においては、導波路と、上記導波路の導波層の端面
として形成された導波路反射光学系と、上記導波路巾着
しくは導波路に近接して設けられた複数の光検出器と、
隣接する光検出器間に対応して上記導波路に形成された
微小反射部とを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the waveguide type photodetecting element according to the present invention includes a waveguide, a waveguide reflection optical system formed as an end face of a waveguide layer of the waveguide, and a waveguide purse string or a waveguide reflective optical system formed as an end face of a waveguide layer of the waveguide. a plurality of photodetectors provided close to the wavepath;
The waveguide is characterized by having a minute reflection section formed in the waveguide corresponding to between adjacent photodetectors.

また、上記導波路型光検出素子の製造方法としては、上
記導波路反射光学系と上記微小反射部とを、同一の工程
により同時に形成することを特徴とする。
Further, the method for manufacturing the waveguide type photodetecting element is characterized in that the waveguide reflection optical system and the minute reflection section are simultaneously formed in the same process.

〔作   用〕[For production]

本発明による導波路型光検出素子においては、導波光学
系が上述の如く導波層の端面として形成された導波路反
射光学系であり、導波層を導波される導波光はこの導波
路反射光学系により反射され一点に集束する。
In the waveguide type photodetecting element according to the present invention, the waveguide optical system is a waveguide reflective optical system formed as the end face of the waveguide layer as described above, and the waveguide light guided through the waveguide layer is guided by the waveguide optical system. It is reflected by the wave path reflection optical system and focused on one point.

このように、導波光は屈折によらず反射により集束する
ので、光波長が変化しても導波路反射光学系の機能は何
ら変化しない。また、導波路反射光学系は導波層の端面
として形成されるので、その作製も容易である。
In this way, the waveguide light is focused by reflection rather than refraction, so even if the optical wavelength changes, the function of the waveguide reflective optical system does not change at all. Further, since the waveguide reflective optical system is formed as an end face of the waveguide layer, its fabrication is also easy.

また、本発明による導波路型光検出素子においては、複
数の光検出器の隣接する光検出器間に対応して上記導波
路に形成された微小反射部を有する構成のため、上記微
小反射部が光検出器間の光検出不能部に到る導波光を光
検出器の受光面に向けて反射するように作用し、実効的
に光検出不能部を無くすように作用する。
Further, in the waveguide type photodetecting element according to the present invention, since the structure has a minute reflection section formed in the waveguide corresponding to between adjacent photodetectors of a plurality of photodetectors, the minute reflection section acts to reflect the guided light reaching the non-photodetectable portion between the photodetectors toward the light-receiving surface of the photodetector, and effectively eliminates the non-photodetectable portion.

尚、上記構成の導波路型光検出素子においては、導波路
反射光学系を形成するための製造工程と、微小反射部を
形成するための製造工程とを別々に実施すると、類似の
工程の繰り返しによる工程数の増加(及びそれに伴いコ
ストの増加)や、それらの工程、例えば、フォトリソグ
ラフィーなどの方法を用いる場合、工程間のマスク位置
合わせが必要となり、合わせ誤差による検出系の精度低
下やバラツキの増大を生じるという問題があるが、本発
明による導波路型光検出素子の製造方法では、上記導波
路反射光学系と上記微小反射部とを、同一の工程により
同時に形成するため、工程数の低減、精度の向上、量産
時のバラツキの低減を図ることが可能となる。
In addition, in the waveguide-type photodetecting element having the above configuration, if the manufacturing process for forming the waveguide reflective optical system and the manufacturing process for forming the minute reflective part are performed separately, similar steps will be repeated. When using methods such as photolithography, it is necessary to align the mask between the steps, and the accuracy of the detection system decreases and varies due to alignment errors. However, in the method for manufacturing a waveguide type photodetecting element according to the present invention, the waveguide reflection optical system and the minute reflection section are simultaneously formed in the same process, which reduces the number of steps. This makes it possible to reduce the amount of noise, improve accuracy, and reduce variation during mass production.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

先ず、本発明による導波路型光検出素子の製造方法に関
し簡単に説明する。
First, a method for manufacturing a waveguide type photodetecting element according to the present invention will be briefly explained.

本発明による導波路型光検出素子の導波路反射光学系の
構造及び製造方法は、先の先願(特願平1−10360
号)において種々述べられている通りであり、例えば、
フォトリソグラフィーの手法が用いられる。この場合、
基本的には、マスク形状に従って、エツチングあるいは
拡散等の工程を経て導波路反射光学系が導波層の端面と
して形成される。
The structure and manufacturing method of the waveguide reflection optical system of the waveguide type photodetecting element according to the present invention are disclosed in the earlier application (Japanese Patent Application No. 1-10360).
For example,
Photolithographic techniques are used. in this case,
Basically, a waveguide reflective optical system is formed as an end face of a waveguide layer through processes such as etching or diffusion according to the mask shape.

一方、隣接する光検出器間に形成される微小な反射部は
、上述の導波路反射光学系と同一の断面構造で実現する
ことができる。これはすなわち、導波路反射光学系と微
小反射部とは、同一の製造工程で同時に形成することが
できることを意味する。
On the other hand, the minute reflection section formed between adjacent photodetectors can be realized with the same cross-sectional structure as the waveguide reflection optical system described above. This means that the waveguide reflective optical system and the minute reflective section can be formed simultaneously in the same manufacturing process.

より具体的に述べれば、これは単に、導波路反射光学系
を形成するためのパターンを有するフォトマスクに、微
小反射部4abのパターンを加えておくだけでよいこと
になる。
More specifically, this means that it is sufficient to simply add the pattern of the minute reflective portions 4ab to a photomask having a pattern for forming the waveguide reflective optical system.

ところで、導波路反射光学系と微小反射部との2種類の
反射部の平面形状は、互いに独立に任意に定めることが
できるので、先の先願に述べられている。全反射を用い
るものと通常の反射を用いるものの、任意の組合せが可
能である。
Incidentally, the planar shapes of the two types of reflection parts, the waveguide reflection optical system and the minute reflection part, can be arbitrarily determined independently of each other, as described in the earlier application. Any combination of total reflection and normal reflection is possible.

このとき、金属反射層の積層などを行う場合、両者の断
面形状(すなわち、金属反射層の有無)を異ならせる必
要が生じることもあるが、この場合も、金属反射層の平
面形状形成用のマスクパターンを両者の要求に応じたも
のとすればよいので、全体としての工程数の増加はない
At this time, when laminating metal reflective layers, etc., it may be necessary to make the cross-sectional shapes of the two different (i.e., the presence or absence of a metal reflective layer). Since the mask pattern can be made to meet the requirements of both parties, there is no increase in the overall number of steps.

以下、具体的な実施例に即し説明する。Hereinafter, description will be made based on specific examples.

第1図は本発明の一実施例を示す導波路型光検出素子の
要部を概略的に示す平面構成図であって、全反射を利用
した導波路反射光学系100と、光検出器2a、 2b
及び2c、 2dの間の不感部分3ab、 3cdに対
応する位置の導波路1に微小反射部4ab及び4cdを
形成した例である。
FIG. 1 is a plan configuration diagram schematically showing the main parts of a waveguide-type photodetector according to an embodiment of the present invention, including a waveguide reflection optical system 100 that utilizes total reflection, and a photodetector 2a. , 2b
This is an example in which minute reflecting portions 4ab and 4cd are formed in the waveguide 1 at positions corresponding to dead portions 3ab and 3cd between 2c and 2d.

この第1図に示す構成の導波路型光検出素子においては
、図中右方より入射した光りは、導波路lの放物線状の
端面100により反射、集光され、光束りが平行光のと
き、微小反射部4ab及び4cdの頂点に焦点を結ぶよ
うになっている。ここで、微小反射部4ab及び4cd
は、光検出器2a、 2b及び2c。
In the waveguide type photodetector element having the configuration shown in FIG. 1, light incident from the right side in the figure is reflected and focused by the parabolic end surface 100 of the waveguide l, and when the light flux is parallel light, , are focused on the vertices of minute reflection parts 4ab and 4cd. Here, minute reflection parts 4ab and 4cd
are photodetectors 2a, 2b and 2c.

2dの間の不感部分3ab、 3cdを見かけ上zp 
O”にするように機能する。
The dead part 3ab and 3cd between 2d is apparently zp
It functions to set the voltage to "O".

上記導波路反射光学系100と微小反射部4ab 。The waveguide reflection optical system 100 and the minute reflection section 4ab.

4cdは、何れも導波路工の少なくとも導波層の厚さを
マスクパターンに従ってエツチングすることで形成され
る。このとき、それらのパターンを同−のフォトマスク
に形成しておきさえすればよい。
4cd is formed by etching at least the thickness of the waveguide layer of the waveguide structure according to a mask pattern. At this time, it is only necessary to form those patterns on the same photomask.

次に、第2図は通常の反射を用いた導波路反射光学系の
例であり、さらにそれは、放物面状の導波層端面101
と金属反射層110とから戊っている例である。このと
き、微小反射部4ab 、 4cdには同様の金属反射
層を設けてもよいし、設けなくともよい。これは、金属
反射層110を成形するフォトマスクに微小反射部4a
b 、 4cdの金属層パターンを形成するか否かで任
意に選択できる。
Next, FIG. 2 is an example of a waveguide reflection optical system using normal reflection, and furthermore, it is a parabolic waveguide layer end face 101.
In this example, it is separated from the metal reflective layer 110. At this time, a similar metal reflective layer may or may not be provided on the minute reflective portions 4ab and 4cd. This is because the minute reflective portions 4a are formed on the photomask on which the metal reflective layer 110 is formed.
b, can be arbitrarily selected depending on whether or not to form a 4cd metal layer pattern.

次に、第3図は微小反射部4の形状と、光検出器2a、
 2bとの関係を示したものである。
Next, FIG. 3 shows the shape of the minute reflection section 4, the photodetector 2a,
This shows the relationship with 2b.

ここで、微小反射部4は2つの反射面を持ち、これら反
射面の平面形状は、第3図(A、、)のように直線状で
もよいし、曲線または曲線近似の直線群であってもよい
が、入射光りに対し、入射角が、常に全反射を用いる場
合には全反射角以上、通常の反射を用いる場合には45
°以上となっていればよい。
Here, the minute reflection part 4 has two reflection surfaces, and the planar shape of these reflection surfaces may be a straight line as shown in FIG. However, the angle of incidence relative to the incident light must be greater than or equal to the total reflection angle when using total reflection, and 45° when using normal reflection.
It is sufficient if it is at least °.

また、第3図(B)は、上記2つの反射面のなす頂点が
、光検出器2a、 2bの前縁を結ぶ線上付近になるよ
うにした例である。
Further, FIG. 3(B) shows an example in which the apexes of the two reflecting surfaces are located near the line connecting the front edges of the photodetectors 2a and 2b.

また、この例では、微小反射部4と光検出器2a。Further, in this example, the minute reflection section 4 and the photodetector 2a.

2bとの位置合わせ誤差を吸収できるように、夫々重な
り範囲を持つように微小反射部4の形状にマージンを取
っている。尚、位置合わせ誤差により頂点位置は若干変
動するが、不感部の見かけ上の除去と、入射光量の有効
的利用のための機能は失われない。
In order to absorb the positioning error with 2b, a margin is provided in the shape of the minute reflection part 4 so that each has an overlapping range. Note that although the vertex position changes slightly due to alignment errors, the functions of apparently removing the dead area and effectively utilizing the amount of incident light are not lost.

以上、フォトリソグラフィーを用い、集光素子系をなす
導波路反射光学系の焦点近傍に微小反射部を形成した構
成の光ピンクアップを例に挙げて説明したが、本発明は
これに限らず、他の加工方法、他の導波路反射光学系の
構成及び微小反射部との位置関係、光スペクトラムアナ
ライザ等の他のデバイスなど、導波路型光検出素子全般
に適用できる。
The above description has been given using an example of optical pink-up in which a minute reflective portion is formed in the vicinity of the focal point of a waveguide reflective optical system constituting a condensing element system using photolithography, but the present invention is not limited to this. It can be applied to waveguide-type photodetecting elements in general, such as other processing methods, other configurations of waveguide reflection optical systems and positional relationships with minute reflection parts, and other devices such as optical spectrum analyzers.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、導波路反射光学
系と、複数の光検出器の間の不感部に対応した微小反射
部とを備えた新規な導波路型光検出素子を提供すること
ができる。
As described above, according to the present invention, there is provided a novel waveguide type photodetection element that includes a waveguide reflection optical system and a minute reflection section corresponding to the dead section between a plurality of photodetectors. be able to.

また、本発明によれば、導波路反射光学系と、複数の光
検出器の間の不感部に対応した微小反射部とを、同一の
製造工程により同時に形成するため、個々の工程を別々
に行う場合に比べ、工程数が短縮でき、スループットと
コストの低減を図ることができる。
Furthermore, according to the present invention, since the waveguide reflective optical system and the minute reflective part corresponding to the dead part between the plurality of photodetectors are simultaneously formed in the same manufacturing process, each process is performed separately. The number of steps can be reduced, and throughput and costs can be reduced compared to the case where this method is used.

また、同時に加工を行うことは、相互の位置合わせを不
要にするため、導波路型光検出器の性能向上、すなわち
、検出精度の向上と、量産時における個々の検出精度差
や検出中心の偏移等のバラツキの減少が期待できる。
In addition, simultaneous processing eliminates the need for mutual alignment, which improves the performance of the waveguide photodetector, that is, increases the detection accuracy, and eliminates individual detection accuracy differences and deviations in the detection center during mass production. We can expect a reduction in variations in transfer, etc.

尚、フォトリソグラフィーの場合、一般に、マスク毎の
位置合わせ精度は、フォトマスクの寸法・位置精度に比
べ1桁以上悪い。
In the case of photolithography, the alignment accuracy for each mask is generally one order of magnitude worse than the dimensional and positional accuracy of the photomask.

従って、導波路反射光学系と微小反射部分のように、そ
れらの位置関係に非常に高い精度を要するものにとって
は、別々のマスクによって別々に形成する場合に比べ一
枚のフォトマスクによって形成することは、それらの相
対的な位置精度が上述のように向上することになり、更
に、作業毎のバラツキを生じる要因も無くなるのである
Therefore, for items that require extremely high precision in their positional relationship, such as the waveguide reflective optical system and minute reflective parts, it is better to form them using a single photomask than when forming them separately using separate masks. The relative positional accuracy of these will be improved as described above, and the factors that cause variations from job to job will also be eliminated.

これは、フォトリソグラフィーに限らず、他の機械的な
加工方法、あるいは機械的なマスク方法の場合にも同様
のことが言えるわけである。
This is true not only for photolithography but also for other mechanical processing methods or mechanical masking methods.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す導波路型光検出素子の
要部を概略的に示す平面構成図、第2図は本発明の別の
実施例を示す導波路型光検出素子の要部を概略的に示す
平面構成図、第3図は微小反射部の形状と光検出器との
関係を説明するための図である。 1・・・・導波路、2a、 2b、 2c、 2d・・
・・光検出器、3.3ab、3cd・・・・光検出不感
部分、4 、4ab、4cd・・・・導波路反射光学系
、100.101・・・・導波路反射光学系、L・・・
・入射光。 第 3 図 (4) 一一γ−−
FIG. 1 is a plan configuration diagram schematically showing the main parts of a waveguide type photodetector according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view schematically showing a main part of a waveguide type photodetector according to another embodiment of the present invention. FIG. 3 is a plan configuration diagram schematically showing the main part, and is a diagram for explaining the relationship between the shape of the minute reflection part and the photodetector. 1... Waveguide, 2a, 2b, 2c, 2d...
...Photodetector, 3.3ab, 3cd...Photodetection insensitive portion, 4,4ab,4cd...Waveguide reflective optical system, 100.101...Waveguide reflective optical system, L.・・・
・Incoming light. Fig. 3 (4) 11γ−−

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、導波路と、上記導波路の導波層の端面として形成さ
れた導波路反射光学系と、上記導波路中若しくは導波路
に近接して設けられた複数の光検出器と、隣接する光検
出器間に対応して上記導波路に形成された微小反射部と
を有する導波路型光検出素子。 2、請求項1記載の導波路型光検出素子の製造方法であ
って、 導波路反射光学系と微小反射部とを、同一の工程により
同時に形成することを特徴とする導波路型光検出素子の
製造方法。
[Scope of Claims] 1. A waveguide, a waveguide reflection optical system formed as an end face of a waveguide layer of the waveguide, and a plurality of photodetectors provided in the waveguide or close to the waveguide. A waveguide-type photodetecting element having a micro-reflection portion formed in the waveguide corresponding to a space between adjacent photodetectors. 2. A method for manufacturing a waveguide type photodetecting element according to claim 1, characterized in that the waveguide reflective optical system and the minute reflection section are simultaneously formed in the same process. manufacturing method.
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