JPH0375855B2 - - Google Patents
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- JPH0375855B2 JPH0375855B2 JP27296788A JP27296788A JPH0375855B2 JP H0375855 B2 JPH0375855 B2 JP H0375855B2 JP 27296788 A JP27296788 A JP 27296788A JP 27296788 A JP27296788 A JP 27296788A JP H0375855 B2 JPH0375855 B2 JP H0375855B2
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- JP
- Japan
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- ion beam
- mask
- ion
- deflection electrode
- defect
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 40
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 40
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI製造用マスクに存在する欠陥を
修正するマスクの欠陥修正方法に関するものであ
る。
修正するマスクの欠陥修正方法に関するものであ
る。
マスクを製作するとき、ごみやほこり等の影響
で第１図に示すように基板ガラス１の上につけら
れた正常なCrパターン２の中にCrが欠落した白
点欠陥を修正する方法として次のような方法が知
られている。即ち、第２図ａに示すようにフオト
レジスト４を塗布し、スポツト照射光５によつて
白点欠陥部分を選択的に露光し、現像すると露光
された部分だけが洗い流されて第２図ｂのように
なる。この上から追加Cr膜６をスパツタ蒸着し
て第２図ｃのようにしたのち、フオトレジスト４
を取り去ると、フオトレジスト４の上についてい
た追加Cr膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめる
ように蒸着されていた追加Cr膜６の一部だけが
第２図ｄに示すように修正Cr膜７として残り、
白点欠陥の修正が完了する。
で第１図に示すように基板ガラス１の上につけら
れた正常なCrパターン２の中にCrが欠落した白
点欠陥を修正する方法として次のような方法が知
られている。即ち、第２図ａに示すようにフオト
レジスト４を塗布し、スポツト照射光５によつて
白点欠陥部分を選択的に露光し、現像すると露光
された部分だけが洗い流されて第２図ｂのように
なる。この上から追加Cr膜６をスパツタ蒸着し
て第２図ｃのようにしたのち、フオトレジスト４
を取り去ると、フオトレジスト４の上についてい
た追加Cr膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめる
ように蒸着されていた追加Cr膜６の一部だけが
第２図ｄに示すように修正Cr膜７として残り、
白点欠陥の修正が完了する。
また、従来技術として、特開昭51−76978号公
報、特開昭52−9508公報、及び特開公昭53−
24787号公報が知られていた。
報、特開昭52−9508公報、及び特開公昭53−
24787号公報が知られていた。
前記の方法は、白点欠陥の修正にしか使用でき
ないことと、ウエツトプロセスであるため、多く
の工程を要するなどの問題点がある。
ないことと、ウエツトプロセスであるため、多く
の工程を要するなどの問題点がある。
また、従来のレーザによるフオトマスクの欠陥
修正方法では、熱加工であるため、微細な欠陥を
修正できないばかりでなく、基板へのダメージが
大きいという問題点があつた。
修正方法では、熱加工であるため、微細な欠陥を
修正できないばかりでなく、基板へのダメージが
大きいという問題点があつた。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
すべく、基板にダメージを与えるのを少なくして
マスクの微細な白点欠陥及び黒点欠陥について能
率よく修正できるようにしたマスクの欠陥修正方
法を提供するにある。
すべく、基板にダメージを与えるのを少なくして
マスクの微細な白点欠陥及び黒点欠陥について能
率よく修正できるようにしたマスクの欠陥修正方
法を提供するにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、記
録手段に記録された欠陥番地情報に基いてマスク
を載置したテーブルを移動させて欠陥部分をイオ
ンビームのビーム軸に位置決めし、その後イオン
源から発したイオンビームをアパーチヤを通して
静電レンズで絞つて偏向電極で走査照射して２次
荷電粒子検出器によりマスクの欠陥箇所の画像を
検出し、検出された画像に基いて欠陥箇所を、イ
オンビームの走査領域として偏向電極を駆動する
走査電源に対して設定し、更に欠陥箇所の種類に
応じてイオンビーム強度と照射時間とを設定し、
該イオンビーム強度と照射時間とを設定した状態
で、イオン源から発したイオンビームをアパーチ
ヤを通して静電レンズで絞つて上記設定されたイ
オンビーム走査領域に偏向電極で走査照射してそ
の欠陥箇所を修正することを特徴とするマスクの
欠陥修正方法である。
録手段に記録された欠陥番地情報に基いてマスク
を載置したテーブルを移動させて欠陥部分をイオ
ンビームのビーム軸に位置決めし、その後イオン
源から発したイオンビームをアパーチヤを通して
静電レンズで絞つて偏向電極で走査照射して２次
荷電粒子検出器によりマスクの欠陥箇所の画像を
検出し、検出された画像に基いて欠陥箇所を、イ
オンビームの走査領域として偏向電極を駆動する
走査電源に対して設定し、更に欠陥箇所の種類に
応じてイオンビーム強度と照射時間とを設定し、
該イオンビーム強度と照射時間とを設定した状態
で、イオン源から発したイオンビームをアパーチ
ヤを通して静電レンズで絞つて上記設定されたイ
オンビーム走査領域に偏向電極で走査照射してそ
の欠陥箇所を修正することを特徴とするマスクの
欠陥修正方法である。
本発明は、記録手段に記録された欠陥番地情報
に基いてマスクを記載したテーブルを移動させて
欠陥部分をイオンビームのビーム軸に位置決め
し、その後イオン源から発したイオンビームをア
パーチヤを通して静電レンズで絞つて偏向電極で
走査照射して２次荷電粒子検出器によりマスクの
欠陥箇所の画像を検出し、検出された画像に基い
て欠陥箇所を、イオンビームの走査領域として偏
向電極を駆動する走査電源に対して設定し、更に
欠陥箇所の種類に応じてイオンビーム強度と照射
時間とを設定し、該イオンビーム強度と照射時間
とを設定した状態で、イオン源から発したイオン
ビームをアパーチヤを通して静電レンズで絞つて
上記設定されたイオンビーム走査領域に偏向電極
で走査照射してその欠陥箇所を修正するように構
成したので、マスクの白点及び黒点の各欠陥箇所
に合せて走査領域を設定でき、基板にダメージを
少なくして微細な白点及び黒点の欠陥修正を行う
ことができる。
に基いてマスクを記載したテーブルを移動させて
欠陥部分をイオンビームのビーム軸に位置決め
し、その後イオン源から発したイオンビームをア
パーチヤを通して静電レンズで絞つて偏向電極で
走査照射して２次荷電粒子検出器によりマスクの
欠陥箇所の画像を検出し、検出された画像に基い
て欠陥箇所を、イオンビームの走査領域として偏
向電極を駆動する走査電源に対して設定し、更に
欠陥箇所の種類に応じてイオンビーム強度と照射
時間とを設定し、該イオンビーム強度と照射時間
とを設定した状態で、イオン源から発したイオン
ビームをアパーチヤを通して静電レンズで絞つて
上記設定されたイオンビーム走査領域に偏向電極
で走査照射してその欠陥箇所を修正するように構
成したので、マスクの白点及び黒点の各欠陥箇所
に合せて走査領域を設定でき、基板にダメージを
少なくして微細な白点及び黒点の欠陥修正を行う
ことができる。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ（静電レンズ）９により一旦絞
られ、対物絞り（アパーチヤ）１０を通過し、偏
向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静電レン
ズ）１３で集束されてXYテーブル１５の上にお
かれたフオト・マスク１４上に照射される。
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ（静電レンズ）９により一旦絞
られ、対物絞り（アパーチヤ）１０を通過し、偏
向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静電レン
ズ）１３で集束されてXYテーブル１５の上にお
かれたフオト・マスク１４上に照射される。
フオトマスク１４はシールド電極１６に覆われ
ており、イオンビームを照射された部分からは二
次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１７
に補捉され、その信号は増幅器１８で増幅され、
CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動してい
る走査電源からの信号とともにCRT（表示手段）
１９のスクリーン上にフオトマスク７の欠陥部分
の表面状態が表示される。この表面状態は光学顕
微鏡２０によつて観察することもできる。フオ
ト・マスク１４の欠陥部分のビーム軸への位置出
しはXYテーブル制御部２１によつて行われ、こ
のXYテーブル制御部２１はフオト・マスク検出
機（図示せず）によつて得られたフオトマスクの
欠陥番地を記録したカセツト・テープ２２を装着
して駆動させる。
ており、イオンビームを照射された部分からは二
次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１７
に補捉され、その信号は増幅器１８で増幅され、
CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動してい
る走査電源からの信号とともにCRT（表示手段）
１９のスクリーン上にフオトマスク７の欠陥部分
の表面状態が表示される。この表面状態は光学顕
微鏡２０によつて観察することもできる。フオ
ト・マスク１４の欠陥部分のビーム軸への位置出
しはXYテーブル制御部２１によつて行われ、こ
のXYテーブル制御部２１はフオト・マスク検出
機（図示せず）によつて得られたフオトマスクの
欠陥番地を記録したカセツト・テープ２２を装着
して駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ（静電レンズ）９、対物レンズ（静電
レンズ）１３の制御や走査電源１２による偏向電
極の駆動はすべてコントロール盤２４によつて行
うことができる。
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ（静電レンズ）９、対物レンズ（静電
レンズ）１３の制御や走査電源１２による偏向電
極の駆動はすべてコントロール盤２４によつて行
うことができる。
フオト・マスク修正の過程は次のようになる。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
分のビーム軸への位置出しを行なう。次にCRT
（表示手段）１９に表示された欠陥部分の画像を
見て、コントロール盤２４から偏向電極１１を駆
動する走査電源１２を制御して、偏向電極１１に
よる欠陥箇所への照射すべきイオンビーム２５の
走査範囲の設定位置合せを行なう。次にコントロ
ール盤２４は、ビーム駆動電源２３及び走査電源
１２を制御することによつて、欠陥の種類（黒点
欠陥か白点欠陥か）によつて必要なイオンビーム
強度と照射時間を設定し、最後にイオンビーム照
射のスタート・ボタンを押し、欠陥箇所への修正
が始まる。修正が完了すると、次の欠陥位置を呼
び出すボタンを押す。このようにしてテープに記
録された欠陥を順次修正していく。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
分のビーム軸への位置出しを行なう。次にCRT
（表示手段）１９に表示された欠陥部分の画像を
見て、コントロール盤２４から偏向電極１１を駆
動する走査電源１２を制御して、偏向電極１１に
よる欠陥箇所への照射すべきイオンビーム２５の
走査範囲の設定位置合せを行なう。次にコントロ
ール盤２４は、ビーム駆動電源２３及び走査電源
１２を制御することによつて、欠陥の種類（黒点
欠陥か白点欠陥か）によつて必要なイオンビーム
強度と照射時間を設定し、最後にイオンビーム照
射のスタート・ボタンを押し、欠陥箇所への修正
が始まる。修正が完了すると、次の欠陥位置を呼
び出すボタンを押す。このようにしてテープに記
録された欠陥を順次修正していく。
第４図は本発明のイオンビームによるフオトマ
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち基板ガラス１
が露出した部分を1μmピツチ程度で直線または網
目状のすじを入れるようにイオンビーム２５を走
査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工す
る。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこ
の部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガラス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち基板ガラス１
が露出した部分を1μmピツチ程度で直線または網
目状のすじを入れるようにイオンビーム２５を走
査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工す
る。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこ
の部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガラス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置でCr
膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時
間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビー
ム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時
間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビー
ム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
以上説明したように本発明によれば、回路パタ
ーンの微細化にともなうマスクの極微細な白点及
び黒点の欠陥をドライ・プロセスでダメージを少
なくして修正できるようになり、大巾な工程数の
低減及び工数の短縮をはかれることができる顕著
な作用効果を奏する。
ーンの微細化にともなうマスクの極微細な白点及
び黒点の欠陥をドライ・プロセスでダメージを少
なくして修正できるようになり、大巾な工程数の
低減及び工数の短縮をはかれることができる顕著
な作用効果を奏する。
第１図はフオトマスクの白点欠陥を示す断面
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するための装置を示す概略構成図、第４図
ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマスクの白点欠陥修
正方法を説明するための断面図である。 １……ガラス基板、２……正常Crパターン、
３……白点欠陥、８……イオン銃、９……コンデ
ンサレンズ、１０……対物絞り、１１……偏向電
極、１２……走査電源、１３……対物レンズ、１
４……フオトマスク、１７……二次荷電粒子検出
器、１９……CRT、２５……イオンビーム。
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するための装置を示す概略構成図、第４図
ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマスクの白点欠陥修
正方法を説明するための断面図である。 １……ガラス基板、２……正常Crパターン、
３……白点欠陥、８……イオン銃、９……コンデ
ンサレンズ、１０……対物絞り、１１……偏向電
極、１２……走査電源、１３……対物レンズ、１
４……フオトマスク、１７……二次荷電粒子検出
器、１９……CRT、２５……イオンビーム。
Claims (1)
- １ 記録手段に記録された欠陥番地情報に基いて
マスクを載置したテーブルを移動させて欠陥部分
をイオンビームのビーム軸に位置決めし、その後
イオン源から発したイオンビームをアパーチヤを
通して静電レンズで絞つて偏向電極で走査照射し
て２次荷電粒子検出器によりマスクの欠陥箇所の
画像を検出し、検出された画像に基いて欠陥箇所
を、イオンビームの走査領域として偏向電極を駆
動する走査電源に対して設定し、更に欠陥箇所の
種類に応じてイオンビーム強度と照射時間とを設
定し、該イオンビーム強度と照射時間とを設定し
た状態で、イオン源から発したイオンビームをア
パーチヤを通して静電レンズで絞つて上記設定さ
れたイオンビーム走査領域に偏向電極で走査照射
してその欠陥箇所を修正することを特徴とするマ
スクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272967A JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272967A JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213821A Division JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158450A JPH01158450A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0375855B2 true JPH0375855B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=17521286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272967A Granted JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158450A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2025320A1 (fr) | 2007-08-10 | 2009-02-18 | L'Oréal | Ensemble de conditionnement et d'application d'un vernis à ongles de viscosité élevée |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63272967A patent/JPH01158450A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01158450A (ja) | 1989-06-21 |
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