JPH0376187A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0376187A JPH0376187A JP21189989A JP21189989A JPH0376187A JP H0376187 A JPH0376187 A JP H0376187A JP 21189989 A JP21189989 A JP 21189989A JP 21189989 A JP21189989 A JP 21189989A JP H0376187 A JPH0376187 A JP H0376187A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
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- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産呈上坐ｎ里公立
本発明は半導体レーザの製造方法に関し、特にセルファ
ライン型半導体レーザの作製方法に関する。
ライン型半導体レーザの作製方法に関する。
腫」四Ｕえ得
従来、ＧａＡｓ系セルファライン型半導体レーザは以下
の手順で作製されていた。尚、基板はｎ形基板を用いて
いる。
の手順で作製されていた。尚、基板はｎ形基板を用いて
いる。
先ず初めに、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ−ＧａＡｓバッ
ファ層、ｎ−Ａ１’ＧａＡＳクラッド層。
ファ層、ｎ−Ａ１’ＧａＡＳクラッド層。
活性層＋ Ｐ−Ａ ｌ−Ｇ ａ Ａ ｓクラフト層、
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層を順に形成して、１回目の結晶
成長を行う。次に、エツチング法により、ｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層に所定の幅（数μｍ）のストライブ溝を形成
する。この際、エツチング部分にｎ−ＧａＡｓを若干残
しておく。次いで、結晶成長装置に装填した後に残留ｎ
−ＧａＡｓを熱エツチングして蒸発させ、しかる後キャ
ップ層等を作成すべく２回目の結晶成長を行う。
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層を順に形成して、１回目の結晶
成長を行う。次に、エツチング法により、ｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層に所定の幅（数μｍ）のストライブ溝を形成
する。この際、エツチング部分にｎ−ＧａＡｓを若干残
しておく。次いで、結晶成長装置に装填した後に残留ｎ
−ＧａＡｓを熱エツチングして蒸発させ、しかる後キャ
ップ層等を作成すべく２回目の結晶成長を行う。
′ よ°と る
しかしながら、上記従来の製造方法では、結晶成長温度
（通常、６８０℃程度）より高温（７４０℃）で残留ｎ
−ＧａＡｓの熱エツチングを行うため、素子に熱的なダ
メージを与え、この結果素子の信頼性が低下するという
課題を有していた。
（通常、６８０℃程度）より高温（７４０℃）で残留ｎ
−ＧａＡｓの熱エツチングを行うため、素子に熱的なダ
メージを与え、この結果素子の信頼性が低下するという
課題を有していた。
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、信頼
性を格段に向上させうる半導体レーザの製造方法を提供
することを目的とする。
性を格段に向上させうる半導体レーザの製造方法を提供
することを目的とする。
星鳳上邂−決Ｉ」」３危先五段
本発明は上記目的を達成するために、基板上に、第１ク
ラッド層、活性層、第２クラッド層、及びアモルファス
ＧａＡｓから成る電流阻止層を順に形成する第１ステッ
プと、上記第２クラッド層上に若干のアモルファスＧａ
Ａｓを残しつつ電流阻止層をエツチングして溝を形成す
る第２ステップと、上記残留アモルファスＧａＡｓを熱
エツチングにより蒸発させる第３ステップとを有するこ
とを特徴とする。
ラッド層、活性層、第２クラッド層、及びアモルファス
ＧａＡｓから成る電流阻止層を順に形成する第１ステッ
プと、上記第２クラッド層上に若干のアモルファスＧａ
Ａｓを残しつつ電流阻止層をエツチングして溝を形成す
る第２ステップと、上記残留アモルファスＧａＡｓを熱
エツチングにより蒸発させる第３ステップとを有するこ
とを特徴とする。
止−一一里
上記の製造方法では、第２ステップにおいて第２クラッ
ド層上に若干残しておく層がアモルファスＧａＡｓから
構成される。このアモルファスＧａＡｓの蒸発温度は単
結晶ＧａＡＳの蒸発温度より低く、通常の結晶成長温度
（約６８０℃）で蒸発する。したがって、第３ステップ
の熱エツチング工程において、素子に熱的なダメージを
与えるのを防止することができる。
ド層上に若干残しておく層がアモルファスＧａＡｓから
構成される。このアモルファスＧａＡｓの蒸発温度は単
結晶ＧａＡＳの蒸発温度より低く、通常の結晶成長温度
（約６８０℃）で蒸発する。したがって、第３ステップ
の熱エツチング工程において、素子に熱的なダメージを
与えるのを防止することができる。
実−一施一一班
〔実施例〕
本発明の一実施例を、第１図（ａ）〜（ｄ）、第２図、
及び第３図に基づいて、以下に説明する。
及び第３図に基づいて、以下に説明する。
尚、半導体レーザとしては、ＧａＡｓ系セルファライン
型半導体レーザを例にとって説明する。
型半導体レーザを例にとって説明する。
第１図（ｄ）はＧａＡｓ系セルファライン型半導体レー
ザを示す図であって、ｎ−ＧａＡｓ基板１上には順にｎ
−ＧａＡｓバッファ層２と、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層３と、アンドープＧａＡｓ活性層４と、Ｐ−ＡＩ
ＧａＡｓ第２クラッド層５と、アモルファスＧａＡｓ電
流阻止層６と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラフト層７と、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層８とが形成されている。尚、上
記素子には溝幅４μｍのストライプ溝９が形成されてお
り、このストライプ溝９下にはアモルファスＧａＡｓ電
流阻止層６がない以外は他の部分と同様の構造である。
ザを示す図であって、ｎ−ＧａＡｓ基板１上には順にｎ
−ＧａＡｓバッファ層２と、ｎ−ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層３と、アンドープＧａＡｓ活性層４と、Ｐ−ＡＩ
ＧａＡｓ第２クラッド層５と、アモルファスＧａＡｓ電
流阻止層６と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第３クラフト層７と、
ｐ−ＧａＡｓキャップ層８とが形成されている。尚、上
記素子には溝幅４μｍのストライプ溝９が形成されてお
り、このストライプ溝９下にはアモルファスＧａＡｓ電
流阻止層６がない以外は他の部分と同様の構造である。
ここで、上記構造の半導体レーザは以下のようにして作
成する。
成する。
先ず初めに、第１図（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ
基板１上に、ｎ−Ｇａｆｉ、ｓバフフッ層２と、ｎ−Ａ
ｊ！ＧａＡｓ第１クラッド層３と、アンドープＧａＡｓ
活性層４と、Ｐ−ＡＪＧａＡｓ第２クラフト層５とをＭ
ＢＥ法（分子線成長法）により成長させる。この場合に
、ｎ形ドーパントにはＳｔを、ｐ形ドーパントにはＢｅ
を用い、且つ成長温度は６８０℃で行った０次に、同図
（ｂ）に示すように、上記Ｐ−ＡＩＧａＡｓ第２クラフ
ト層５上にアモルファスＧａＡｓ電流阻止層６を形成し
た。尚、この場合の成長温度は１００℃である。次いで
、このようにして作成されたウェハーを結晶成長装置よ
り取り出してアモルファスＧａＡｓ電流阻止層６のウェ
ットエツチングを行い、幅４μｍのストライプ溝ｌＯを
形成した。この際、ストライプ溝１０内のＰ ＡｌＧ
ａＡｓ第２クラッド層５上には、アモルファスＧａＡｓ
を０． １μｍだけ残してエツチングしている。また、
エフチンダ液としては硫酸系エッチャント（ＨｚＳＯｉ
：Ｈｚ（ｈ：ＬＯ＝５：１：１）を用いている。この後
、同図（Ｃ）に示すように、ウェハーを結晶成長装置内
に装着して、ストライプ溝１０内に若干残っているアモ
ルファスＧａＡｓ０熱エツチングを行って蒸発させる。
基板１上に、ｎ−Ｇａｆｉ、ｓバフフッ層２と、ｎ−Ａ
ｊ！ＧａＡｓ第１クラッド層３と、アンドープＧａＡｓ
活性層４と、Ｐ−ＡＪＧａＡｓ第２クラフト層５とをＭ
ＢＥ法（分子線成長法）により成長させる。この場合に
、ｎ形ドーパントにはＳｔを、ｐ形ドーパントにはＢｅ
を用い、且つ成長温度は６８０℃で行った０次に、同図
（ｂ）に示すように、上記Ｐ−ＡＩＧａＡｓ第２クラフ
ト層５上にアモルファスＧａＡｓ電流阻止層６を形成し
た。尚、この場合の成長温度は１００℃である。次いで
、このようにして作成されたウェハーを結晶成長装置よ
り取り出してアモルファスＧａＡｓ電流阻止層６のウェ
ットエツチングを行い、幅４μｍのストライプ溝ｌＯを
形成した。この際、ストライプ溝１０内のＰ ＡｌＧ
ａＡｓ第２クラッド層５上には、アモルファスＧａＡｓ
を０． １μｍだけ残してエツチングしている。また、
エフチンダ液としては硫酸系エッチャント（ＨｚＳＯｉ
：Ｈｚ（ｈ：ＬＯ＝５：１：１）を用いている。この後
、同図（Ｃ）に示すように、ウェハーを結晶成長装置内
に装着して、ストライプ溝１０内に若干残っているアモ
ルファスＧａＡｓ０熱エツチングを行って蒸発させる。
エツチング条件は、６８０℃で１５分間行った。しかる
後、同図（ｄ）に示すように、同温度でｐ−ＡＩＧａＡ
Ｓ第３クラッド層７を０゜６μｍ、ｐ−ＧａＡｓキ＋ｙ
プ層８を１μｍ戒長成長た。最後に、電極付けを行った
後、共振器長２００μｍにへき関して半導体レーザを作
成した。
後、同図（ｄ）に示すように、同温度でｐ−ＡＩＧａＡ
Ｓ第３クラッド層７を０゜６μｍ、ｐ−ＧａＡｓキ＋ｙ
プ層８を１μｍ戒長成長た。最後に、電極付けを行った
後、共振器長２００μｍにへき関して半導体レーザを作
成した。
このようにして作成した素子を、以下（Ａ）素子と称す
る。
る。
電流阻止層６として単結晶ＧａＡｓを用い、熱エツチン
グを７４０℃で行う以外は、上記実施例と同様にして半
導体レーザを作成した。
グを７４０℃で行う以外は、上記実施例と同様にして半
導体レーザを作成した。
このようにして作成した素子を、以下（Ｘ）素子と称す
る。
る。
本発明の（Ａ）素子と比較例の（Ｘ）素子とを６０℃、
２０ｍＷという条件でエージングテストを行ったので、
その結果を第２図に示す。
２０ｍＷという条件でエージングテストを行ったので、
その結果を第２図に示す。
第２図かられかるように、３０００時間のエージングを
行うと、（Ｘ）素子では電流値が約ｌＯｍＡ（初期電流
の約８％）上昇していることが認められるが、（Ａ）素
子ではほとんど電流値が上昇していないことが認められ
る。したがって、本発明の（Ａ）素子は比較例の（Ｘ）
素子に比べてエージング特性が改善されたことが伺える
。
行うと、（Ｘ）素子では電流値が約ｌＯｍＡ（初期電流
の約８％）上昇していることが認められるが、（Ａ）素
子ではほとんど電流値が上昇していないことが認められ
る。したがって、本発明の（Ａ）素子は比較例の（Ｘ）
素子に比べてエージング特性が改善されたことが伺える
。
本発明の（Ａ）素子のエージング前のＩ−Ｌ特性を調べ
たので、その結果を第３図に示す。尚、測定温度は２５
℃である。
たので、その結果を第３図に示す。尚、測定温度は２５
℃である。
第３図より、（Ａ）素子はＩ−Ｌ特性が良好であること
が認められる。
が認められる。
発皿生羞果
以上説明したように本発明によれば、第３ステップの熱
エツチング工程の温度を低くすることができるので、素
子に熱的なダメージを与えことがない。したがって、半
導体レーザの信頼性を格段に向上させることができる等
の効果を奏する・
エツチング工程の温度を低くすることができるので、素
子に熱的なダメージを与えことがない。したがって、半
導体レーザの信頼性を格段に向上させることができる等
の効果を奏する・
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体レーザの作製工
程を示す断面図、第２図は本発明の（Ａ）素子と比較例
の（Ｘ）素子とのエージング特性を示すグラフ、第３図
は（Ａ）素子のエージング前のＩ−Ｌ特性を示すグラフ
である。 １ ・・・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３”・ｎ−Ａｊ
！ＧａＡｓ第１クラッド層、４・・・アンドープＧａＡ
ｓ活性層、５・・・Ｐ−ＡＩＧａＡｓ第２クラッド層、
６・・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層。
程を示す断面図、第２図は本発明の（Ａ）素子と比較例
の（Ｘ）素子とのエージング特性を示すグラフ、第３図
は（Ａ）素子のエージング前のＩ−Ｌ特性を示すグラフ
である。 １ ・・・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３”・ｎ−Ａｊ
！ＧａＡｓ第１クラッド層、４・・・アンドープＧａＡ
ｓ活性層、５・・・Ｐ−ＡＩＧａＡｓ第２クラッド層、
６・・・ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層。
Claims (1)
- （１）基板上に、第１クラッド層、活性層、第２クラッ
ド層、及びアモルファスＧａＡｓから成る電流阻止層を
順に形成する第１ステップと、 上記第２クラッド層上に若干のアモルファスＧａＡｓを
残しつつ電流阻止層をエッチングして溝を形成する第２
ステップと、 上記残留アモルファスＧａＡｓを熱エッチングにより蒸
発させる第３ステップと、 を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21189989A JP2752180B2 (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21189989A JP2752180B2 (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376187A true JPH0376187A (ja) | 1991-04-02 |
| JP2752180B2 JP2752180B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16613487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21189989A Expired - Fee Related JP2752180B2 (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-17 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752180B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116227A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Nec Corp | 面発光レーザ及びその製造方法 |
| US6791814B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-09-14 | Nihon Pachinko Parts Co., Ltd. | Ion generating apparatus |
-
1989
- 1989-08-17 JP JP21189989A patent/JP2752180B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116227A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Nec Corp | 面発光レーザ及びその製造方法 |
| US6791814B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-09-14 | Nihon Pachinko Parts Co., Ltd. | Ion generating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752180B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |