JPH0376189A - 端面部分コーティング方法 - Google Patents

端面部分コーティング方法

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JPH0376189A JP1212743A JP21274389A JPH0376189A JP H0376189 A JPH0376189 A JP H0376189A JP 1212743 A JP1212743 A JP 1212743A JP 21274389 A JP21274389 A JP 21274389A JP H0376189 A JPH0376189 A JP H0376189A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 ティンメ♂加するものである。
〔従来の技術〕
第４図は光ディスクの書き込みと読み出しを行なうため
に高出力レーザと低出力（ローノイズ）レーザとをワン
チップに集積した２点発光型半導体レーザを作製するた
めの従来の端面部分コーティングの工程を示す図であり
、図において、１は１つのＬＤチップであり、２はこの
ＬＤチップｌに集積される高出力ＬＤ、３は同じ＜ＬＤ
チップ１に集積されるローノイズＬＤである。４はＬＤ
チップの前端面であり、５は高出力ＬＤＯ前端面に施さ
れる低反射率膜、６はＬＤチップが横方向に連なったバ
ーであり、７はコーティング材料の蒸着源、８は蒸着ビ
ームを一部さえぎる格子状遮蔽板で、９は蒸着ビームで
ある。
次に方法について説明する。それぞれのＬＤチツブ１内
に高出力ＬＤ２およびローノイズＬＤ３を含む場合、前
者には前端面４に低反射率膜５のコーティングを施し、
後者にはこれを施さないという端面部分コーティングが
必要となる。従来では第４図に示すように、横方向にＬ
Ｄチップｌが連なるバー６の状態で前端面４が蒸着源７
の方向を向くように固定され、蒸着源７と前端面４の間
に、格子状遮蔽板８を設け、ローノイズＬＤ３に向かう
蒸着ビーム９を遮蔽し、高出力ＬＤ２のみに低反射率膜
５のコーティングを施していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の端面部分コーティング方法は、以上のように行な
われているので、高出力ＬＤの前端面と格子状遮蔽板の
スリット部の位置あわせが困難であり、特に多数のＬＤ
バーを同時に処理することは不可能に近いという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ＬＤチップ等の端面部分コーティングを正確
かつ大量に行うことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る端面部分コーティング方法は、ウェハ状
態で、ウェハ表面に溝又は穴を設け、液溝又は穴にかか
るように端面形成エツチング溝を形成した後に、ウェハ
に対して適当な角度でもってコーティング材料を蒸着す
るものである。
〔作用〕
この発明においては、ウェハ状態で、ウェハ表面に溝又
は穴を設け、液溝又は穴にかかるように端面形成エツチ
ング溝を形成した後に、上記溝又は穴を、端面のうちコ
ーティングを施したい部分のみに蒸着ビームを当てるた
めのスリットとして用いてコーティングを行なうように
したから、ウェハ全体のコーティング所望部分を一度に
精度よ。
くコーティングできる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による端面部分コーティング
方法を説明するための図であり、コーティング直前のウ
ェハ状態を示している。本実施例では光ディスクの書き
込み、読み出しに用いる２点発光型の半導体レーザの端
面コーティングを行なう場合について説明する。図にお
いて、１０はスリットの役割をなすスリット溝、１１は
端面をエツチングで形成した時に生じる端面形成エツチ
ング溝、１２は端面形成に用いるフォトレジスト、２０
は基板、２１は下クラッド層、２２は活性層、２３は上
クラッド層、２４はコンタクト層である。
第２図は本発明のコーティング時における様子を第１図
のＡ、ＢｊＪ［域に分けて示したものである。
次に方法について説明する。まずウェハプロセス工程に
おいて、基板２０上に下クラッド層、活性層、上クラッ
ド層、及びコンタクト層を含む構造を結晶成長を用いて
形成する。この際、必要に応じて、高出力ＬＤとローノ
イズＬＤとを独立に動作させるための電流路分離構造、
レーザの基本横モード化および低発振闇値化のための電
流狭窄構造等を作り込む。この後、ウェハ状態で、高出
力ＬＤ２上にスリットの役割を果たすスリット溝１０を
形成し、次いで端面形成の目的で端面形成エツチング溝
１１を形成する。第１図はこの状態のウェハ構造を示し
ている。なお、端面形成エツチング溝１１を形成するこ
とで端面が露出することとなるので、端面劣化を生じさ
せる恐れのある電極形成はスリット溝１０を形成した段
階で行なうのが望ましい。
次に第２図に示すようにウェハ上方より適当な角度θで
前端面４に向けて適当な角度θで蒸着ビーム９を入射し
てやると、Ａ領域では第２図（ａ）に示すように、活性
Ｊｉｉ１３の上方の層厚ｈＡが厚いため、Ａ領域にある
ローノイズＬＤ３の前端面４ａでは活性層１３にコーテ
ィングが施されず、Ｂ領域では第２図（ロ）に示すよう
に、活性１ｉ１３の上方の層厚り、が薄いため、Ｂ領域
にある高出力ＬＤ２の前端面４ｂでは活性層１３に低反
射率膜５のコーティングが施される。
ここで第２図について具体的な数値例を示す。
基板２０上に積層される下クラッド層２１．活性層２２
．上クラッド層２３．及びコンタクト層２４の厚み３３
．３４，３５．及び３６がそれぞれ１μｍ、０．０７μ
ｍ、１μｍ、及び５μｍである場合、スリット用の溝１
０を深さ３μｍで形成する。即ち、溝１０を形成したＢ
ｅｆｆ域ではコンタクト層２４の厚み３６′が２μｍと
なる。この後ウェハ全面にレジスト１２を塗布し、通常
のフォトリソグラフィ技術を用いて該レジストのパター
ニングを行ない、上記スリット溝ｌＯに直交する端面形
成用の幅１０ｔ！ｍのストライプ状開口部を設け、この
レジストパターンを用いて深さ３２が８μｍ１幅３０が
１０μｍのストライブ溝を形成して端面を形成する。端
面形成ストライプ溝１１は先に形成したスリット溝１０
の形状を反映して凹凸状に形成され、Ａｅｌ域では基板
掘り込み深さ３１が１μｍ、Ｂ９１域では基板掘り込み
深さ３１’が４μｍと異なるものになるが、コーティン
グ工程で問題となるものではない。このようにして形成
したウェハに対し、蒸着角度θを２２″として反射膜コ
ーティングを行なう。
この後、フォトレジスト１２を除去することでウェハ表
面に蒸着される不要なコーティング材料はリフトオフ除
去され、容易に電極を露出させることができる。
なお、−船釣には高出力ＬＤおよびローノイズＬＤのど
ちらにも、端面保護膜を形成する必要があるが、それは
第２図における蒸着角θを大きくとることで、両方の端
面へのコーティングが実現できる。
このように本実施例では、コーティングを施すＢ　’６
Ｍ域のウェハ表面にスリット溝１０を形成し、この後膣
スリット溝１０に直交する端面形成用エツチング溝１１
を形成して、上記スリット溝１０越しに端面を見込んだ
時にＢ領域の活性層が見えＡＭ域の活性層は見えない角
度で蒸着ビーム９を入射してコーティングを行なうよう
にしたから、ウェハ全体のエツチング形成端面のコーテ
ィング所望部分に一度にかつ正確に部分コーティングを
施すことができ、工程の容易化と高歩留り化を実現でき
る。
なお、上記実施例ではスリットとしてストライブ状溝１
０を形成するものを示したが、第３図に示す本発明の他
の実施例のように穴１０’を形成するようにしてもよい
。
また、上記実施例では高出力ＬＤとローノイズＬＤを１
チツプに集積化した２点発光型半導体レーザの高出力Ｌ
Ｄ端面に低反射率膜をコーティングするものについて述
べたが、本発明の用途はこれに限るものではない。以下
、他の実施例を説明する。
第５図は半導体レーザアレイの交互のレーザ発光領域に
位相シフトコーティングを施して各発光領域より出射す
るレーザ光の位相を同期させるようにしたフェーズドア
レイレーザを示す図であり、図において、５０はＬＤア
レイチップ、５１はλ／２コーティング領域、５２は位
相シフトｆｉＮ域である。このような構造のフェーズド
アレイレーザを作製するに際しても、本発明は極めて効
果的である。即ち、位相シフト領域５２となる部分に溝
または穴を設け、さらに液溝または穴を通過するように
端面形成エツチング溝を形成した後、まず蒸着角度を大
きくとって端面全体にλ／２コーティング５１を施し、
この後上記溝または穴がスリットとして機能する蒸着角
度で部分コーティングを行ない位相シフト領域５２を形
成することによって正確かつ高歩留りで上述の構造を有
するフェーズドアレイレーザを作製することができる。
第６図は高次横モードの伝播が許容される程度に幅の広
い光導波路を備えた高出力半導体レーザの少なくとも一
方の端面の上記光導波路の中央部の一部分を高反射率、
残りの部分を低反射率とすることで基本横モード発振を
可能としたものを示す図であり、図において、６０はＬ
Ｄチップ、６１は光導波路、６２は低反射率コーティン
グ、６３は高反射率部分である。このような構造の高出
力半導体レーザを作製するに際しても、本発明は極めて
効果的である。即ち、高反射率領域６３となる部分に溝
または穴を設け、さらに液溝または穴を通過するように
端面形成エツチング溝を形成した後、まず蒸着角度を大
きくとって端面全体に低反射率コーティング６２を施し
、この後上記溝または穴がスリットとして機能する蒸着
角度で部分コーティングを行ない高反射率領域６３を形
成することによって正確かつ高歩留りで上述の構造を有
する高出力半導体レーザを作製することができる。
なお、上記実施例はいずれも半導体レーザの端面に対し
て部分コーティングを行なうものについて示したが、発
光ダイオード等の他の半導体発光素子、あるいは光検知
素子アレイ等の半導体受光素子の端面に部分的にコーテ
ィングを施す場合にも本発明を適用できることはいうま
でもない。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ウェハプロセス工程で
ウェハ表面にスリットとして機能する溝又は穴を形成し
、液溝又は穴にかかるように端面形成用溝を形成した後
、上記溝又は穴を利用してウェハ状態で端面部分コーテ
ィングを施すようにしたから、ＬＤチップ等の半導体光
素子の端面に対する部分コーティングが正確かつ一度に
大量に行なうことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるコーティング直前の
ウェハ状態を示す図、第２図は第１図のウェハコーティ
ングを行った場合の状態を示す図、第３図は本発明の他
の実施例を示す図、第４図は従来の端面部分コーティン
グを示す図、第５図はフヱーズドアレイレーザにおける
端面部分コーティングを示す図、第６図は高出力半導体
レーザにおける端面部分コーティングを示す図である。 １・・・ＬＤチップ、２・・・高出力ＬＤ、３・・・ロ
ーノイズＬＤ、４・・・前端面、５・・・低反射率膜、
６・・・バー、７・・・蒸着源、８・・・格子状遮蔽板
、９・・・蒸着ビーム、１０・・・スリット溝、１０′
・・・スリット穴、１１・・・端面形成エツチング溝、
１２・・・フォトレジスト、２０・・・基板、２１・・
・下クラッド層、２２・・・活性層、２３・・・上クラ
ッド層、２４・・・コンタクト層。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）端面に単数又は複数の発光領域又は受光領域を有
    する半導体光素子の該単数の発光領域又は受光領域のう
    ちの一部、又は上記複数の発光領域又は受光領域のうち
    の所定の発光領域又は受光領域のみにコーティングを施
    す端面部分コーティング方法において、 ウェハ表面に溝又は穴を設ける工程と、 該溝又は穴が設けられた領域を通過するように端面形成
    のエッチングを行なう工程と、 ウェハ斜め上方より前記溝又は穴越しに端面をみこんだ
    場合に、コーティングしたくない端面部分はかくれて見
    えず、かつコーティングしたい端面部分は見える角度よ
    りコーティング材料を蒸着する工程とを含むことを特徴
    とする端面部分コーティング方法。
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